表面處理銅箔及使用其的積層板、銅箔、印刷配線板、電子機(jī)器、以及印刷配線板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種與樹(shù)脂良好地接著、且經(jīng)蝕刻除去銅箔后的樹(shù)脂透明性優(yōu)異的表面處理銅箔及使用其的積層板。表面處理銅箔的銅箔表面通過(guò)粗化處理而形成粗化粒子，粗化處理表面的TD的平均粗糙度Rz為0.20～0.80μm，粗化處理表面的MD的60度光澤度為76～350％，且上述粗化粒子的表面積A與自上述銅箔表面?zhèn)雀┮暽鲜龃只Ｗ訒r(shí)所得的面積B之比A/B為1.90～2.40。
【專利說(shuō)明】表面處理銅箔及使用其的積層板、銅箔、印刷配線板、電子 機(jī)器、以及印刷配線板的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種表面處理銅箔及使用其的積層板、銅箔、印刷配線板、電子機(jī)器、 以及印刷配線板的制造方法，特別涉及一種對(duì)蝕刻后銅箔的殘余部分的樹(shù)脂要求透明性方 面較佳的表面處理銅箔及使用其的積層板、銅箔、印刷配線板、電子機(jī)器、以及印刷配線板 的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 就配線的容易度或輕量性而言，智能手機(jī)或平板PC之類的小型電子機(jī)器系采用 撓性印刷配線板（以下稱為FPC(flexibleprintcircuit))。近年來(lái)，由于所述電子機(jī)器 的高功能化，信號(hào)傳輸速度的高速化得以發(fā)展，即便在FPC中阻抗匹配亦成為重要的要素。 作為針對(duì)信號(hào)容量增加的阻抗匹配的方法，成為FPC基礎(chǔ)的樹(shù)脂絕緣層（例如聚酰亞胺） 的厚層化得以發(fā)展。另一方面，F(xiàn)PC實(shí)施有在液晶基材的接合或1C晶片的搭載等加工，但 此時(shí)的對(duì)位是介隔通過(guò)將銅箔與樹(shù)脂絕緣層的積層板中的銅箔蝕刻后殘留的樹(shù)脂絕緣層 而視認(rèn)的定位圖案進(jìn)行，故樹(shù)脂絕緣層的視認(rèn)性變得重要。
[0003] 另外，銅箔與樹(shù)脂絕緣層的積層板即銅箔積層板亦可使用表面實(shí)施有粗化鍍敷的 壓延銅箔來(lái)制造。該壓延銅箔通常是使用精銅（含氧量1〇〇?500重量ppm)或無(wú)氧銅（含 氧量10重量ppm以下）作為原料，將所述的錠熱壓延后，反復(fù)進(jìn)行冷壓延與退火直至規(guī)定 的厚度而制造。
[0004] 作為此種技術(shù)，例如，專利文獻(xiàn)1中揭示有一種銅箔積層板的發(fā)明，是將聚酰亞 胺膜與低粗糙度銅箔積層而成，銅箔蝕刻后的膜在波長(zhǎng)600nm的透光率為40%以上，霧值 (HAZE)為30%以下，且接著強(qiáng)度為500N/m以上。
[0005] 另外，專利文獻(xiàn)2中揭示有一種COF(chip-on-flex)用撓性印刷配線板的發(fā)明，其 具有積層有利用電解銅箔的導(dǎo)體層的絕緣層，且在蝕刻該導(dǎo)體層而形成電路時(shí)蝕刻區(qū)域中 的絕緣層的透光性為50%以上，其特征在于：上述電解銅箔于絕緣層所接著的接著面具備 利用鎳-鋅合金的防銹處理層，該接著面的表面粗糙度（Rz)為〇. 05?1. 5ym，且入射角 60°時(shí)的鏡面光澤度為250以上。
[0006] 另外，專利文獻(xiàn)3中揭示有一種印刷電路用銅箔的處理方法的發(fā)明，其特征在于： 在印刷電路用銅箔的處理方法中，在銅箔的表面鍍敷銅-鈷-鎳合金而進(jìn)行粗化處理后，形 成鈷-鎳合金鍍層，進(jìn)而形成鋅-鎳合金鍍層。
[0007][專利文獻(xiàn)1]:日本特開(kāi)2004-98659號(hào)公報(bào)
[0008] [專利文獻(xiàn) 2]:W〇2〇〇3/〇96776
[0009][專利文獻(xiàn)3]:日本第2849059號(hào)公報(bào)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010][發(fā)明所欲解決的問(wèn)題]
[0011] 專利文獻(xiàn)1中，黑化處理或鍍敷處理后的通過(guò)有機(jī)處理劑來(lái)將接著性進(jìn)行改進(jìn)處 理而得的低粗糙度銅箔于要求銅箔積層板的可撓性的用途方面，存在因疲勞而斷線的情 況，且存在樹(shù)脂透視性差的情形。
[0012] 另外，專利文獻(xiàn)2中，在未進(jìn)行粗化處理、C0F用撓性印刷配線板以外的用途方面， 銅箔與樹(shù)脂的密合強(qiáng)度低而不足。
[0013] 進(jìn)而，專利文獻(xiàn)3所記載的處理方法中，雖可對(duì)銅箔進(jìn)行利用Cu-C0-Ni的微細(xì)處 理，但使該銅箔與樹(shù)脂接著并經(jīng)蝕刻除去后的樹(shù)脂無(wú)法實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的透明性。
[0014] 本發(fā)明提供一種與樹(shù)脂良好地接著、且經(jīng)蝕刻除去銅箔后的樹(shù)脂的透明性優(yōu)異的 表面處理銅箔及使用其的積層板。
[0015] [解決問(wèn)題的技術(shù)手段]
[0016] 本發(fā)明人等反復(fù)進(jìn)行銳意研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，表面通過(guò)粗化處理而形成有粗化粒子 的銅箔中，與樹(shù)脂基板接著一側(cè)的表面平均粗糙度RZ、光澤度、及粗化粒子的表面積與自銅 箔表面?zhèn)雀┮暣只Ｗ訒r(shí)所得面積之比會(huì)對(duì)經(jīng)蝕刻除去銅箔后的樹(shù)脂透明性造成影響。
[0017] 基于以上的見(jiàn)解而完成的本發(fā)明一種形式為一種表面處理銅箔，其銅箔表面通過(guò) 粗化處理而形成粗化粒子，粗化處理表面的TD的平均粗糙度Rz為0. 20?0. 80ym，粗化處 理表面的MD的60度光澤度為76?350 %，上述粗化粒子的表面積A與自上述銅箔表面?zhèn)?俯視上述粗化粒子時(shí)所得面積B之比A/B為1. 90?2. 40。
[0018] 在本發(fā)明的表面處理銅箔的一實(shí)施形式中，上述MD的60度光澤度為90?250%。
[0019] 在本發(fā)明的表面處理銅箔的另一實(shí)施形式中，上述TD的平均粗糙度Rz為0. 30? 0. 60um〇
[0020] 在本發(fā)明的表面處理銅箔的又一實(shí)施形式中，上述A/B為2. 00?2. 20。
[0021] 在本發(fā)明的表面處理銅箔的又一實(shí)施形式中，粗化處理表面的MD的60度光澤度 與TD的60度光澤度之比C(C= (MD的60度光澤度V(TD的60度光澤度））為0. 80? 1. 40。
[0022] 在本發(fā)明的表面處理銅箔的又一實(shí)施形式中，粗化處理表面的MD的60度光澤度 與TD的60度光澤度之比C(C= (MD的60度光澤度V(TD的60度光澤度））為0. 90? 1. 35。
[0023] 在本發(fā)明的表面處理銅箔的又一實(shí)施形式中，將上述銅箔自粗化處理表面?zhèn)荣N合 于厚度50ym的樹(shù)脂基板的兩面后，經(jīng)蝕刻除去上述兩面的銅箔時(shí)，上述樹(shù)脂基板的霧值 成為20?70%。
[0024] 本發(fā)明另一形式為一種表面處理銅箔，其銅箔表面通過(guò)粗化處理而形成粗化粒 子，將上述銅箔自粗化處理表面?zhèn)荣N合于厚度50ym的樹(shù)脂基板的兩面后，經(jīng)蝕刻除去上 述兩面的銅箔時(shí)，上述樹(shù)脂基板的霧值為20?70%。
[0025] 本發(fā)明于又一形式為一種積層板，為積層本發(fā)明的表面處理銅箔與樹(shù)脂基板而構(gòu) 成。
[0026] 本發(fā)明于又一形式為一種粗化處理前的銅箔，是用于本發(fā)明的表面處理銅箔。
[0027] 本發(fā)明的粗化處理前的銅箔在一實(shí)施形式中，MD的60度光澤度為500?800%。
[0028] 本發(fā)明于又一形式為一種銅箔，其中，MD的60度光澤度為501?800%。
[0029] 本發(fā)明于又一形式為一種印刷配線板，其使用本發(fā)明的表面處理銅箔。
[0030] 本發(fā)明于又一形式為一種電子機(jī)器，其使用本發(fā)明的印刷配線板。
[0031] 本發(fā)明于又一形式為一種連接有2件以上印刷配線板的印刷配線板的制造方法， 其連接2件以上本發(fā)明的印刷配線板。
[0032] 本發(fā)明于又一形式為一種連接有2件以上印刷配線板的印刷配線板的制造方法， 其包含如下步驟：將至少1件本發(fā)明的印刷配線板與另一件本發(fā)明的印刷配線板或不相當(dāng) 于本發(fā)明的印刷配線板的印刷配線板加以連接的步驟。
[0033] 本發(fā)明于又一形式為一種電子機(jī)器，其使用1件以上連接有至少1件本發(fā)明的印 刷配線板的印刷配線板。
[0034] 本發(fā)明于又一形式為一種印刷配線板的制造方法，其至少包含連接本發(fā)明的印刷 配線板與零件的步驟。
[0035] 本發(fā)明于又一形式為一種連接有2件以上印刷配線板的印刷配線板的制造方法， 其至少包含如下步驟：將至少1件本發(fā)明的印刷配線板與另一件本發(fā)明的印刷配線板或不 相當(dāng)于本發(fā)明的印刷配線板的印刷配線板加以連接的步驟；及將本發(fā)明的印刷配線板或本 發(fā)明的連接有2件以上印刷配線板的印刷配線板與零件加以連接的步驟。
[0036][發(fā)明的效果]
[0037] 根據(jù)本發(fā)明，可提供一種與樹(shù)脂良好地接著、且經(jīng)蝕刻除去銅箔后的樹(shù)脂的透明 性優(yōu)異的表面處理銅箔及使用其的積層板。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0038] 圖la為Rz評(píng)價(jià)時(shí)（a)比較例1的銅箔表面的SEM觀察照片。
[0039] 圖lb為Rz評(píng)價(jià)時(shí)（b)比較例2的銅箔表面的SEM觀察照片。
[0040] 圖lc為Rz評(píng)價(jià)時(shí)（c)比較例3的銅箔表面的SEM觀察照片。
[0041] 圖Id為Rz評(píng)價(jià)時(shí)⑷比較例4的銅箔表面的SEM觀察照片。
[0042] 圖le為Rz評(píng)價(jià)時(shí)（e)實(shí)施例1的銅箔表面的SEM觀察照片。
[0043] 圖If為Rz評(píng)價(jià)時(shí)（f)實(shí)施例2的銅箔表面的SEM觀察照片。

【具體實(shí)施方式】
[0044][表面處理銅箔的形式及制造方法]
[0045] 本發(fā)明所使用的銅箔對(duì)使用通過(guò)與樹(shù)脂基板接著而制作積層體并經(jīng)蝕刻除去的 銅箔而言有用。
[0046] 本發(fā)明所使用的銅箔可為電解銅箔或壓延銅箔中任一種。通常，以提高于銅箔的 與樹(shù)脂基板接著的面、即粗化面的積層后銅箔的剝離強(qiáng)度為目的，而實(shí)施對(duì)脫脂后的銅箔 表面進(jìn)行鼓包狀的電鍍的粗化處理。電解銅箔在制造時(shí)具有凹凸，但通過(guò)粗化處理會(huì)增強(qiáng) 電解銅箔的凸部并進(jìn)一步增大凹凸。本發(fā)明中，該粗化處理可通過(guò)鍍敷銅_鈷-鎳合金或 鍍敷銅-鎳-磷合金等進(jìn)行。會(huì)有進(jìn)行普遍的鍍銅等作為粗化前的預(yù)處理的情況，亦會(huì)有 為防止電鍍物的脫落而進(jìn)行普遍的鍍銅等作為粗化后的加工處理的情況。亦會(huì)有對(duì)于壓延 銅箔與電解銅箔的處理內(nèi)容稍微不同的情況。本發(fā)明中亦包含如上所述的預(yù)處理及加工處 理、并且視需要而包含與銅箔粗化相關(guān)的公知處理，這些總稱為粗化處理。
[0047] 再者，本發(fā)明的壓延銅箔中亦包含含有Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、 Cr、Nb、V等元素的一種以上的銅合金箔。若上述元素的濃度升高（例如合計(jì)為10質(zhì)量％ 以上），則存在導(dǎo)電率降低的情況。壓延銅箔的導(dǎo)電率較佳為50%IACS以上，更佳為60% IACS以上，進(jìn)而較佳為80%IACS以上。
[0048] 粗化處理的鍍敷銅-鈷-鎳合金可通過(guò)電解鍍敷，以形成如附著量為15?40mg/ dm2的銅-100?3000iig/dm2的鈷-100?1500iig/dm2的鎳的3兀系合金層的方式來(lái)進(jìn) 行。若Co附著量未達(dá)100yg/dm2,則存在耐熱性變差、蝕刻性變差的情況。若Co附著量 超過(guò)3000yg/dm2,則在必須考慮磁性的影響時(shí)會(huì)不佳，并且產(chǎn)生蝕刻斑，另外，存在耐酸性 及耐化學(xué)品性變差的情況。若Ni附著量未達(dá)100yg/dm2,則存在耐熱性變差的情況。另 一方面，若Ni附著量超過(guò)1500yg/dm2,則存在蝕刻殘留變多的情況。較佳的Co附著量為 1000?2500iig/dm2,較佳的鎳附著量為500?1200iig/dm2。此處，所謂蝕刻斑，意指在以 氯化銅進(jìn)行蝕刻的情形時(shí)，Co未溶解而殘留的情況，并且，所謂蝕刻殘留，意指在以氯化銨 進(jìn)行堿蝕刻的情形時(shí)，Ni未溶解而殘留的情況。
[0049] 用于形成此種鍍敷3元系銅_鈷-鎳合金的一般的浴及鍍敷條件的一例如下所 述：
[0050]鍍?cè)〗M成：Cu10 ?20g/L、Co1 ?10g/L、Ni1 ?10g/L
[0051] pH:l ?4
[0052]溫度：30 ?50°C
[0053]電流密度Dk :20 ?30A/dm2
[0054] 鍍敷時(shí)間：1?5秒
[0055] 粗化處理后，可在粗化面上形成附著量為鈷200?3000iig/dm2-鎳100?700iig/ dm2的鈷-鎳合金鍍層。廣義而言，該處理可視為一種防銹處理。該鈷-鎳合金鍍層需進(jìn)行 到實(shí)質(zhì)上不降低銅箔與基板的接著強(qiáng)度的程度。若鈷附著量未達(dá)200yg/dm2,則存在耐熱 剝離強(qiáng)度降低、耐氧化性及耐化學(xué)品性變差的情況。另外，作為另一理由，若鈷量較少，則處 理表面會(huì)泛紅，故而欠佳。若鈷附著量超過(guò)3000yg/dm2,則在必須考慮磁性的影響時(shí)會(huì)不 佳，并且存在產(chǎn)生蝕刻斑的情況，另外，存在耐酸性及耐化學(xué)品性變差的情況。較佳的鈷附 著量為500?2500yg/dm2。另一方面，若鎳附著量未達(dá)100yg/dm2,則存在耐熱剝離強(qiáng)度 降低、耐氧化性及耐化學(xué)品性變差的情況。若鎳超過(guò)1300yg/dm2,則堿蝕刻性變差。較佳 的鎳附著量為200?1200iig/dm2。
[0056]另外，鍍敷鈷-鎳合金的條件的一例如下所述：
[0057]鍍?cè)〗M成：Co1 ?20g/L、Ni1 ?20g/L
[0058]pH: 1. 5 ?3. 5
[0059]溫度：30 ?80°C
[0060]電流密度Dk :1.0 ?2〇.OA/dm2
[0061] 鍍敷時(shí)間：0?5?4秒
[0062] 根據(jù)本發(fā)明，可在鍍鈷-鎳合金上進(jìn)而形成附著量為30?250yg/dm2的鍍鋅層。 若鋅附著量未達(dá)30yg/dm2,則存在耐熱劣化率改善效果消失的情況。另一方面，若鋅附著 量超過(guò)250yg/dm2,則存在耐鹽酸劣化率變得極差的情況。鋅附著量較佳為30?240yg/ dm2,更佳為 80 ?220iig/dm2。
[0063] 上述鍍鋅的條件的一例如下所述：
[0064]鍍?cè)〗M成：Zn100 ?300g/L
[0065]pH:3 ?4
[0066]溫度：50 ?60°C
[0067]電流密度Dk:0? 1?0? 5A/dm2
[0068] 鍍敷時(shí)間：1?3秒
[0069] 再者，亦可形成鍍鋅-鎳合金等鋅合金鍍層來(lái)代替鍍鋅層，進(jìn)而在最表面亦可通 過(guò)鉻酸鹽處理或硅烷偶聯(lián)劑的涂布等形成防銹層。
[0070][表面粗糙度Rz]
[0071] 本發(fā)明的表面處理銅箔在銅箔表面通過(guò)粗化處理而形成粗化粒子，且粗化處理表 面的TD的平均粗糙度Rz為0. 20?0. 80ym。通過(guò)此種構(gòu)成，剝離強(qiáng)度升高而與樹(shù)脂良好 地接著，且經(jīng)蝕刻除去銅箔后的樹(shù)脂的渾濁程度（霧值）會(huì)減小，透明性升高。結(jié)果介隔通 過(guò)該樹(shù)脂而視認(rèn)的定位圖案進(jìn)行的1C晶片搭載時(shí)的對(duì)位等會(huì)變得容易。若TD的平均粗糙 度Rz未達(dá)0. 20iim，則對(duì)用以制造超平滑的銅箔的制造成本產(chǎn)生擔(dān)心。另一方面，若TD的 平均粗糙度Rz超過(guò)〇. 80ym，則經(jīng)蝕刻除去銅箔后的樹(shù)脂表面的凹凸增大，其結(jié)果，樹(shù)脂的 霧值增大。粗化處理表面的TD的平均粗糙度Rz較佳為0. 30?0. 70ym，更佳為0. 35? 0? 60iim，進(jìn)而更佳為0? 35?0? 55iim，進(jìn)而更佳為0? 35?0? 50iim。
[0072] 再者，在將本發(fā)明的表面處理銅箔用于需減小Rz的用途時(shí)，粗化處理表面的TD 的平均粗糙度Rz較佳為0? 20?0? 70iim，更佳為0? 25?0? 60iim，進(jìn)而更佳為0? 30? 0? 55u m，進(jìn)而更佳為0? 30?0? 50u m。
[0073][光澤度]
[0074] 表面處理銅箔的粗化面在壓延方向（MD)的入射角60度的光澤度會(huì)對(duì)上述樹(shù)脂的 霧值造成較大影響。即，粗化面的光澤度越大的銅箔，上述樹(shù)脂的霧值越小。因此，本發(fā)明 的表面處理銅箔的粗化面的光澤度為76?350 %，較佳為80?350 %，更佳為90?300 %， 更佳為90?250%，更佳為100?250%。
[0075] 此處，為了進(jìn)一步提高本發(fā)明的視認(rèn)性效果，預(yù)先控制表面處理前銅箔的處理側(cè) 表面的TD的粗糙度（Rz)及光澤度方面亦為重要。具體而言，表面處理前銅箔的TD的表面 粗糙度（Rz)為0? 30?0? 80iim，較佳為0? 30?0? 50iim，在壓延方向（MD)的入射角60度 的光澤度為350?800%，較佳為500?800%，進(jìn)而若使電流密度高于先前的粗化處理而 縮短粗化處理時(shí)間，則進(jìn)行表面處理后的表面處理銅箔在壓延方向（MD)的入射角60度的 光澤度成為76?350%。作為此種銅箔，可通過(guò)調(diào)整壓延油的油膜當(dāng)量來(lái)進(jìn)行壓延（高光 澤壓延）、或通過(guò)如化學(xué)蝕刻的化學(xué)研磨或磷酸溶液中的電解研磨來(lái)制作。如上所述，通過(guò) 將處理前銅箔的TD的表面粗糙度（Rz)與光澤度設(shè)于上述范圍內(nèi)，可容易控制處理后的銅 箔的表面粗糙度（Rz)及表面積。
[0076] 再者，在欲進(jìn)一步減小表面處理后的表面粗糙度（Rz)、（例如Rz= 0. 20iim)的情 形時(shí)，使表面處理前銅箔的處理側(cè)表面的TD的粗糙度（Rz)成為0. 18?0. 80iim，較佳為 0.25?0.50iim，在壓延方向（MD)的入射角60度的光澤度為350?800%，較佳為500? 800 %，進(jìn)而使電流密度高于先前的粗化處理而縮短粗化處理時(shí)間。
[0077]另外，粗化處理前的銅箔較佳為MD的60度光澤度為500?800%，更佳為501? 800%，進(jìn)而更佳為510?750%。若粗化處理前銅箔的MD的60度光澤度未達(dá)500%，則霧 值會(huì)有比500%以上時(shí)來(lái)得高的顧慮，若超過(guò)800%，則有產(chǎn)生難以制造的問(wèn)題的顧慮。[0078] 再者，高光澤壓延可通過(guò)將以下公式所規(guī)定的油膜當(dāng)量設(shè)為13000以上?24000 以下而進(jìn)行。再者，在欲進(jìn)一步減小表面處理后的表面粗糙度（Rz)、（例如Rz= 0.20ym) 的情形時(shí)，通過(guò)將以下公式所規(guī)定的油膜當(dāng)量設(shè)為12000以上?24000以下來(lái)進(jìn)行高光澤 壓延。
[0079]油膜當(dāng)量={(壓延油粘度[cSt]) X(通過(guò)速度[mpm]+棍周速度[mpm])}/{(棍 的咬入角[rad])X(材料的降伏應(yīng)力[kg/mm2])}
[0080] 壓延油粘度[cSt]為40°C下的動(dòng)粘度。
[0081] 為將油膜當(dāng)量設(shè)為12000?24000,使用利用低粘度的壓延油、或減慢通過(guò)速度等 公知的方法即可。
[0082] 化學(xué)研磨是利用硫酸_過(guò)氧化氫-水系或氨_過(guò)氧化氫-水系等蝕刻液，使?jié)舛?低于通常情況，歷經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間而進(jìn)行。
[0083] 粗化處理表面的MD的60度光澤度與TD的60度光澤度之比C(C= (MD的60度 光澤度）ATD的60度光澤度））較佳為0. 80?1. 40。若粗化處理表面的MD的60度光澤 度與TD的60度光澤度之比C未達(dá)0. 80,則霧值會(huì)有比0. 80以上時(shí)來(lái)得高的顧慮。另外， 若該比C超過(guò)1. 40,則霧值會(huì)有比1. 40以下時(shí)來(lái)得高的顧慮。該比C更佳為0. 90?1. 35， 進(jìn)而更佳為1.00?1.30。
[0084][霧值]
[0085] 如上所述，為控制粗化處理表面的平均粗糙度Rz及光澤度，將本發(fā)明的表面處理 銅箔貼合于樹(shù)脂基板后，減小經(jīng)除去銅箔部分的樹(shù)脂基板的霧值。此處，霧值（％)是通過(guò) (漫透射率）八總透光率）\1〇〇所算出的值。具體而言，將本發(fā)明的表面處理銅箔自粗化 處理表面?zhèn)荣N合于厚度50i!m的樹(shù)脂基板兩面后，在經(jīng)蝕刻除去該銅箔時(shí)，樹(shù)脂基板的霧 值較佳為20?70 %，更佳為30?55 %。
[0086][粒子的表面積]
[0087] 粗化粒子的表面積A與自銅箔表面?zhèn)雀┮暣只Ｗ訒r(shí)所得的面積B之比A/B會(huì)對(duì) 上述的樹(shù)脂的霧值造成較大影響。即，若表面粗糙度Rz相同，則比A/B越小的銅箔，上述樹(shù) 脂的霧值越小。因此，本發(fā)明的表面處理銅箔的該比A/B為1.90?2. 40,較佳為2. 00? 2. 20。
[0088] 通過(guò)控制粒子形成時(shí)的電流密度與鍍敷時(shí)間，可確定粒子的形態(tài)或形成密度，并 且控制上述表面粗糙度Rz、光澤度及粒子的面積比A/B。
[0089] 以上述方式，將本發(fā)明的表面處理銅箔的粗化粒子的表面積A與自銅箔表面?zhèn)雀?視粗化粒子時(shí)所得的面積B之比A/B控制于1. 90?2. 40內(nèi)，表面的凹凸會(huì)較大。另外，由 于將粗化處理表面的TD的平均粗糙度Rz控制于0. 20?0. 80ym內(nèi)，故表面不存在極粗的 部分。另一方面，粗化處理表面的光澤度較高而為76?350%。若考慮這些，則會(huì)明了本 發(fā)明的表面處理銅箔將粗化處理表面中的粗化粒子的粒徑控制為較小。該粗化粒子的粒徑 會(huì)對(duì)蝕刻除去銅箔后的樹(shù)脂透明性造成影響，但本發(fā)明的表面處理銅箔以上述方式將與樹(shù) 脂基板接著一側(cè)的表面平均粗糙度Rz、光澤度、及粗化粒子的表面積與自銅箔表面?zhèn)雀┮?粗化粒子時(shí)所得的面積比控制于本發(fā)明的范圍，意指使粗化粒子的粒徑減小而在適當(dāng)?shù)姆?圍，因此蝕刻除去銅箔后的樹(shù)脂透明性變得良好，且剝離強(qiáng)度亦變得良好。
[0090] [蝕刻因數(shù)]
[0091] 在使用銅箔形成電路時(shí)的蝕刻因數(shù)值較大時(shí)，由于蝕刻時(shí)產(chǎn)生的電路底部的裙?fàn)?部分變小，故可縮窄電路間的空間。因此，蝕刻因數(shù)的值較大者適于利用精細(xì)圖案的電路形 成，故而較佳。本發(fā)明的表面處理銅箔例如蝕刻因數(shù)的值較佳為1. 8以上，更佳為2. 0以上， 進(jìn)而更佳為2. 2以上，進(jìn)而更佳為2. 3以上，進(jìn)而更佳為2. 4以上。
[0092] 再者，印刷配線板或銅箔積層板中，通過(guò)溶解樹(shù)脂而除去，關(guān)于銅電路或銅箔表 面，可測(cè)定上述表面粗糙度（Rz)、粒子的面積比（A/B)及光澤度。
[0093][傳輸損耗]
[0094] 在傳輸損耗小時(shí)，為抑制以高頻進(jìn)行信號(hào)傳輸時(shí)的信號(hào)的衰減，可在以高頻進(jìn) 行信號(hào)傳輸?shù)碾娐分羞M(jìn)行穩(wěn)定的信號(hào)傳輸。因此，傳輸損耗的值較小者適用于以高頻 進(jìn)行信號(hào)的傳輸?shù)碾娐酚猛荆识^佳。在將表面處理銅箔與市售的液晶聚合物樹(shù)脂 (KURARAY(股）制造的VecstarCTZ-50iim)貼合后，通過(guò)蝕刻以特性阻抗達(dá)到50Q的方式 形成微帶（microstrip)線路，使用HP公司制造的網(wǎng)路分析儀（networkanalyzer)HP8720C 測(cè)定透射系數(shù)，求出在頻率20GHz及頻率40GHz下的傳輸損耗時(shí)，頻率20GHz下的傳輸損耗 較佳為未達(dá)5. 0dB/10cm，更佳為未達(dá)4.ldB/10cm，進(jìn)而更佳為未達(dá)3. 7dB/10cm。
[0095] 可將本發(fā)明的表面處理銅箔自粗化處理面?zhèn)荣N合于樹(shù)脂基板以制造積層體。樹(shù)脂 基板只要為具有可適用于印刷配線板等的特性，則并不受特別限制，例如剛性PWB(printed wireboard)用可使用紙基材酚樹(shù)脂、紙基材環(huán)氧樹(shù)脂、合成纖維布基材環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃 布-紙復(fù)合基材環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布-玻璃無(wú)紡布復(fù)合基材環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃布基材環(huán)氧樹(shù)脂 等，F(xiàn)PC用可使用聚酯膜或聚酰亞胺膜、液晶聚合物（LCP)膜、氟樹(shù)脂等。再者，在使用液晶 聚合物（LCP)膜或氟樹(shù)脂膜的情形時(shí)，與使用聚酰亞胺膜的情形相比，有該膜與表面處理 銅箔的剝離強(qiáng)度變小的傾向。因此，在使用液晶聚合物（LCP)膜或氟樹(shù)脂膜的情形時(shí)，形成 銅電路后通過(guò)以覆蓋層覆蓋銅電路，可使該膜與銅電路難以剝離，防止因剝離強(qiáng)度的降低 導(dǎo)致的該膜與銅電路的剝離。
[0096] 再者，由于液晶聚合物（LCP)膜或氟樹(shù)脂膜的介電損耗正切小，故使用液晶聚合 物（LCP)膜或氟樹(shù)脂膜與本發(fā)明的表面處理銅箔的銅箔積層板、印刷配線板、印刷電路板 適用于高頻電路（以高頻進(jìn)行信號(hào)傳輸?shù)碾娐罚┯猛?。另外，本發(fā)明的表面處理銅箔的表 面粗糙度Rz小，光澤度高，故表面較為平滑，亦適用于高頻電路用途。
[0097] 關(guān)于貼合的方法，在為剛性PWB用的情形時(shí)，準(zhǔn)備使樹(shù)脂含浸于玻璃布等基材中、 將樹(shù)脂硬化至半硬化狀態(tài)而成的預(yù)浸體?？赏ㄟ^(guò)自被覆層相反側(cè)的面使銅箔重疊于預(yù)浸體 上并加熱加壓來(lái)進(jìn)行。在為FPC的情形時(shí)，可經(jīng)由接著劑、或不使用接著劑而于高溫高壓下 使銅箔積層接著于聚酰亞胺膜等基材上，或涂布聚酰亞胺前驅(qū)物并將其干燥、硬化等，由此 可制造積層板。
[0098] 本發(fā)明的積層體可用于各種印刷配線板（PWB)，并無(wú)特別限制，例如，就導(dǎo)體圖案 的層數(shù)的觀點(diǎn)而言，可應(yīng)用于單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上），就絕緣基板材料的種 類的觀點(diǎn)而言，可應(yīng)用于剛性PWB、撓性PWB(FPC)、剛性-撓性PWB。
[0099][積層板及使用其的印刷配線板的定位方法]
[0100] 對(duì)進(jìn)行本發(fā)明的表面處理銅箔與樹(shù)脂基板的積層板的定位方法進(jìn)行說(shuō)明。首先， 準(zhǔn)備表面處理銅箔與樹(shù)脂基板的積層板。作為本發(fā)明的表面處理銅箔與樹(shù)脂基板的積層板 的具體例，可列舉以如下方法制作的積層板：由本體基板、附屬的電路基板以及用于將所述 電性連接的聚酰亞胺等樹(shù)脂基板的至少一個(gè)表面形成有銅配線的撓性印刷基板構(gòu)成的電 子機(jī)器中，準(zhǔn)確地定位撓性印刷基板并將其壓接于該本體基板及附屬的電路基板的配線端 部。即，若為該情形，則積層板成為通過(guò)壓接將撓性印刷基板及本體基板的配線端部貼合而 成的積層體，或通過(guò)壓接將撓性印刷基板及電路基板的配線端部貼合而成的積層板。積層 板具有由該銅配線的一部分或其他材料形成的標(biāo)記。關(guān)于標(biāo)記的位置，只要為利用C⑶攝 影機(jī)（charge-coupleddevicecamera，電荷稱合攝影機(jī)）等攝影手段可隔著構(gòu)成該積層板 的樹(shù)脂而進(jìn)行攝影的位置，則并無(wú)特別限定。此處，所謂標(biāo)記，是指用于檢測(cè)積層板或印刷 配線板等的位置、或進(jìn)行定位、或進(jìn)行對(duì)位的記號(hào)。
[0101] 在以上述方式準(zhǔn)備的積層板中，若隔著樹(shù)脂利用攝影手段對(duì)上述標(biāo)記進(jìn)行攝影， 則可良好地檢測(cè)出上述標(biāo)記的位置。并且，以上述方式檢測(cè)出上述標(biāo)記的位置，可基于上述 檢測(cè)出的標(biāo)記位置而良好地進(jìn)行表面處理銅箔與樹(shù)脂基板的積層板的定位。另外，使用印 刷配線板作為積層板的情形亦相同，通過(guò)此種定位方法，攝影手段能良好地檢測(cè)出標(biāo)記的 位置，并且更準(zhǔn)確地進(jìn)行印刷配線板的定位。
[0102] 因此，一般認(rèn)為，在連接一件印刷配線板與另一件印刷配線板時(shí)，連接不良會(huì)降 低且良率提高。再者，作為連接一件印刷配線板與另一件印刷配線板的方法，可使用經(jīng)由 焊接或異向性導(dǎo)電膜（anisotropicconductivefilm,ACF)的連接、經(jīng)由異向性導(dǎo)電糊 (anisotropicconductivepaste,ACP)的連接或經(jīng)由具有導(dǎo)電性的接著劑的連接等公知 的連接方法。再者，本發(fā)明中，"印刷配線板"中亦包含安裝有零件的印刷配線板、印刷電路 板及印刷基板。另外，可連接2件以上本發(fā)明的印刷配線板而制造連接有2件以上印刷配 線板的印刷配線板，另外，可連接至少1件本發(fā)明的印刷配線板與另一件本發(fā)明的印刷配 線板或不相當(dāng)于本發(fā)明的印刷配線板的印刷配線板，使用此種印刷配線板亦可制造電子機(jī) 器。再者，本發(fā)明中，"銅電路"中亦包含銅配線。進(jìn)而，亦可將本發(fā)明的印刷配線板與零件連 接而制造印刷配線板。另外，連接至少1件本發(fā)明的印刷配線板與另一件本發(fā)明的印刷配 線板或不相當(dāng)于本發(fā)明的印刷配線板的印刷配線板，進(jìn)而，將本發(fā)明的連接有2件以上印 刷配線板的印刷配線板與零件連接，由此亦可制造連接有2件以上印刷配線板的印刷配線 板。此處，作為"零件"，可列舉：連接器或LCD(liquidcrystaldisplay)、用于LCD的玻璃 基板等電子零件，包含IC(integratedcircuit)、LSI(largescaleintegratedcircuit)、 VLSI(verylargescaleintegratedcircuit)、ULSI(ultra-largescaleintegration) 等半導(dǎo)體集成電路的電子零件（例如IC晶片、LSI晶片、VLSI晶片、ULSI晶片），用于遮罩 電子電路的零件及于印刷配線板上固定外罩等所必需的零件等。
[0103] 再者，本發(fā)明的實(shí)施形式的定位方法亦可包含使積層板（包含銅箔與樹(shù)脂基板的 積層板或印刷配線板）移動(dòng)的步驟。移動(dòng)步驟中例如可通過(guò)帶式輸送機(jī)或鏈?zhǔn)捷斔蜋C(jī)等輸 送機(jī)使其移動(dòng)，亦可通過(guò)具備臂機(jī)構(gòu)的移動(dòng)裝置使其移動(dòng)，亦可通過(guò)使用氣體使積層板懸 浮而使其移動(dòng)的移動(dòng)裝置或移動(dòng)手段來(lái)使其移動(dòng)，亦可通過(guò)使略呈圓筒形等物體旋轉(zhuǎn)而使 積層板移動(dòng)的移動(dòng)裝置或移動(dòng)手段（包含輥或軸承等）、以油壓作為動(dòng)力源的移動(dòng)裝置或 移動(dòng)手段、以氣壓作為動(dòng)力源的移動(dòng)裝置或移動(dòng)手段、以馬達(dá)作為動(dòng)力源的移動(dòng)裝置或移 動(dòng)手段、具有支架（gantry)移動(dòng)型線性導(dǎo)軌載臺(tái)（linearguidestage)、支架移動(dòng)型空氣 導(dǎo)軌載臺(tái)（airguidestage)、堆疊式（stackstyle)線性導(dǎo)軌載臺(tái)、線性馬達(dá)驅(qū)動(dòng)載臺(tái)等 載臺(tái)的移動(dòng)裝置或移動(dòng)手段等來(lái)使其移動(dòng)。另外，亦可通過(guò)公知的移動(dòng)設(shè)備進(jìn)行移動(dòng)步驟。 上述使積層板移動(dòng)的步驟中，可使積層板移動(dòng)而進(jìn)行對(duì)位。并且認(rèn)為，通過(guò)進(jìn)行對(duì)位，在連 接一件印刷配線板與另一件印刷配線板或零件時(shí)，連接不良得以降低并且良率得以提高。
[0104] 再者，本發(fā)明的實(shí)施形式的定位方法亦可用于表面構(gòu)裝機(jī)或晶片貼片機(jī)（Chip mounter)〇
[0105] 另外，本發(fā)明中所定位的表面處理銅箔與樹(shù)脂基板的積層板可為具有樹(shù)脂板及設(shè) 置于上述樹(shù)脂板之上的電路的印刷配線板。另外，在該情形時(shí)，上述標(biāo)記亦可為上述電路。
[0106] 本發(fā)明中所謂"定位"包含"檢測(cè)標(biāo)記或物體的位置"。另外，本發(fā)明中，所謂"對(duì) 位"，包含"在檢測(cè)出標(biāo)記或物體的位置后，基于上述檢測(cè)出的位置，將該標(biāo)記或物體移動(dòng)至 規(guī)定的位置"。
[0107] [實(shí)施例]
[0108] 作為實(shí)施例1?24及比較例1?13,準(zhǔn)備各種銅箔，在表1?8所記載的條件下 對(duì)其中一個(gè)表面進(jìn)行作為粗化處理的鍍敷處理。
[0109] 進(jìn)行上述粗化鍍敷處理后，對(duì)實(shí)施例1?13、15?20、22?24、比較例2、4、7? 10進(jìn)行以下的用于形成耐熱層及防銹層的鍍敷處理。
[0110] 耐熱層1的形成條件如以下所示。
[0111] 液體組成：鎳5?20g/L、鈷1?8g/L
[0112] pH:2 ?3
[0113] 液溫：40 ?60°C
[0114] 電流密度：5?20A/dm2
[0115] 庫(kù)侖量：10 ?20As/dm2
[0116] 在已施加上述耐熱層1的銅箔上形成耐熱層2。對(duì)于比較例3、5、6,不進(jìn)行粗化鍍 敷處理，在所準(zhǔn)備的銅箔直接形成該耐熱層2。耐熱層2的形成條件如以下所示。
[0117] 液體組成：鎳2?30g/L、鋅2?30g/L
[0118] pH:3 ?4
[0119] 液溫：30 ?50°C
[0120] 電流密度：1?2A/dm2
[0121] 庫(kù)侖量：1 ?2As/dm2
[0122] 在已施加上述耐熱層1及2的銅箔上進(jìn)而形成防銹層。防銹層的形成條件如以下 所示。
[0123] 液體組成：重鉻酸鉀1?10g/L、鋅0?5g/L
[0124] pH:3 ?4
[0125] 液溫：50 ?60°C
[0126] 電流密度：0?2A/dm2 (用于浸漬鉻酸鹽處理）
[0127] 庫(kù)侖量：0?2As/dm2 (用于浸漬鉻酸鹽處理）
[0128] 在已施加上述耐熱層1、2及防銹層的銅箔上進(jìn)而形成耐候性層。形成條件如以下 所示。
[0129]作為具有胺基的娃燒偶聯(lián)劑，使用N_2_(胺基乙基）_3_胺基丙基二甲氧基娃燒 (實(shí)施例17)、N-2-(胺基乙基）-3-胺基丙基三乙氧基硅烷（實(shí)施例1?13、15、16、24)、 N-2_(胺基乙基）_3_胺基丙基甲基二甲氧基娃燒（實(shí)施例18)、3_胺基丙基二甲氧基娃燒 (實(shí)施例19)、3-胺基丙基三乙氧基硅烷（實(shí)施例20)、3-三乙氧基硅烷基-N-(l，3-二甲 基-亞丁基）丙胺（實(shí)施例22)、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基硅烷（實(shí)施例23)，進(jìn)行涂 布、干燥，從而形成耐候性層。亦可將所述硅烷偶聯(lián)劑組合2種以上而使用。
[0130] 再者，壓延銅箔是以如下的方式制造。制造如表9所示的組成的銅錠并進(jìn)行熱壓 延后，反復(fù)進(jìn)行300?800°C的連續(xù)退火系列的退火與冷壓延而獲得1?2mm厚的壓延板。 以300?800°C的連續(xù)退火系列對(duì)該壓延板進(jìn)行退火并使其再結(jié)晶，進(jìn)行最終冷壓延直至 表9的厚度，從而獲得銅箔。表9的"種類" 一欄的"精銅"表示JISH3100C1100所規(guī)定 的精銅，"無(wú)氧銅"表示JISH3100C1020所規(guī)定的無(wú)氧銅。另外，"精銅+Ag:100ppm"是指 于精銅中添加100質(zhì)量ppm的Ag。
[0131] 電解銅箔使用JX日鉱日石金屬公司制造的電解銅箔HLP箔。在進(jìn)行電解研磨的 情形時(shí)，記載電解研磨后的板厚。
[0132] 再者，表9中記載有表面處理前的銅箔制作步驟的重點(diǎn)。"高光澤壓延"是指以記 載的油膜當(dāng)量的值進(jìn)行最終的冷壓延（最終的再結(jié)晶退火后的冷壓延）。"通常壓延"是指 以記載的油膜當(dāng)量的值進(jìn)行最終的冷壓延（最終的再結(jié)晶退火后的冷壓延）。"化學(xué)研磨"、 "電解研磨"是指在以下的條件下進(jìn)行。
[0133] "化學(xué)研磨"是使用H2S04為1?3質(zhì)量％、H202為0. 05?0. 15質(zhì)量％、剩余部分 為水的蝕刻液，研磨時(shí)間設(shè)為1小時(shí)。
[0134] "電解研磨"是在磷酸67%+硫酸10%+水23%的條件下，以電壓10V/cm2、表9 所記載的時(shí)間（若進(jìn)行10秒的電解研磨，則研磨量成為1?2pm)進(jìn)行。
[0135] 對(duì)于以上述方式制作的實(shí)施例及比較例的各樣品，按以下所述進(jìn)行各種評(píng)價(jià)。
[0136] (1)表面粗糙度（Rz)的測(cè)定；
[0137] 使用小阪研究所股份有限公司制造的接觸粗糙度計(jì)SurfcorderSE-3C，按照J(rèn)IS B0601-1994,測(cè)定粗化面的十點(diǎn)平均粗糙度。在測(cè)定基準(zhǔn)長(zhǎng)度0. 8mm、評(píng)價(jià)長(zhǎng)度4mm、截?cái)嘀?0. 25mm、進(jìn)給速度0.lmm/s的條件下以與壓延方向垂直的方式（沿TD，在為電解銅箔的情形 時(shí)為垂直于通箔方向的方式）改變測(cè)定位置進(jìn)行10次，求出10次的測(cè)定而得的值。
[0138] 再者，對(duì)于表面處理前的銅箔，亦以相同的方式求出表面粗糙度（Rz)。
[0139] (2)粒子的面積比（A/B);
[0140] 粗化粒子的表面積是使用利用鐳射顯微鏡的測(cè)定方法。使用KEYENCE股份有限公 司制造的鐳射顯微鏡VK8500,測(cè)定粗化處理面的倍率2000倍時(shí)相當(dāng)于100X100ym的面積 B(活數(shù)據(jù)為9982. 52ym2)中的三次元表面積A，通過(guò)三次元表面積A+二次元表面積B= 面積比（A/B)的方法進(jìn)行設(shè)定。
[0141] (3)光澤度；
[0142] 使用依據(jù)JISZ8741的日本電色工業(yè)股份有限公司制造的光澤度計(jì)手持式光澤計(jì) PG-1，在壓延方向（MD，為電解銅箔的情形時(shí)為通箔方向）及與壓延方向呈直角的方向（TD， 為電解銅箔時(shí)為與通箔方向呈直角的方向）的各自的入射角60度下對(duì)粗化面進(jìn)行測(cè)定。
[0143] 再者，對(duì)于表面處理前的銅箔，亦以相同的方式求出光澤度。
[0144] (4)霧值；
[0145] 將銅箔貼合于附有層壓用熱硬化性接著劑的聚酰亞胺膜（厚度50ym，宇部興產(chǎn) 制造的Upilex)的兩面，并且經(jīng)蝕刻（氯化鐵水溶液）除去銅箔而制成樣品膜。使用依據(jù)JISK7136(2000)的村上色彩技術(shù)研究所制造的霧度計(jì)HM-150,測(cè)定樣品膜的霧值。
[0146] (5)視認(rèn)性（樹(shù)脂透明性）；
[0147] 將銅箔貼合于附有層壓用熱硬化性接著劑的聚酰亞胺膜（厚度50ym，宇部興產(chǎn) 制造的Upilex)的兩面，并且經(jīng)蝕刻（氯化鐵水溶液）除去銅箔而制成樣品膜。在所得的 樹(shù)脂層的一面貼附印刷物（直徑6cm的黑色圓），自相反面隔著樹(shù)脂層判定印刷物的視認(rèn) 性。印刷物的黑色圓的輪廓清晰可見(jiàn)圓周的90%以上的長(zhǎng)度者評(píng)價(jià)為「◎」，黑色的圓的輪 廓清晰可見(jiàn)圓周的80%以上且未達(dá)90%的長(zhǎng)度者評(píng)價(jià)為「〇」（以上合格），黑色的圓的輪 廓清晰可見(jiàn)圓周的0?未達(dá)80%的長(zhǎng)度者及輪廓變形者評(píng)價(jià)為「X」（不合格）。
[0148] (6)剝離強(qiáng)度（接著強(qiáng)度）；
[0149] 依據(jù)PC-TM-650,通過(guò)拉伸試驗(yàn)機(jī)Autograph100測(cè)定常態(tài)剝離強(qiáng)度，以上述常態(tài) 剝離強(qiáng)度為〇. 7N/mm以上作為可用于積層基板用途。
[0150] (7)焊料耐熱評(píng)價(jià)；
[0151] 將銅箔貼合于附有層壓用熱硬化性接著劑的聚酰亞胺膜（厚度50ym，宇部興產(chǎn) 制造的Upilex)的兩面。對(duì)于所得的兩面的積層板，制成依據(jù)JISC6471的附體試片（test coupon)。將所制成的附體試片在85°C、85%RH的高溫高濕下暴露48小時(shí)后，使其漂浮于 300°C的焊料槽中，對(duì)焊料耐熱特性進(jìn)行評(píng)價(jià)。在焊料耐熱試驗(yàn)后，將在銅箔粗化處理面與 聚酰亞胺樹(shù)脂接著面的界面，附體試片中的銅箔面積的5%以上的面積因膨脹界面發(fā)生變 色者評(píng)價(jià)為X(不合格），將未達(dá)5 %的面積的膨脹變色的情形評(píng)價(jià)為〇，將完全未發(fā)生膨 脹變色者評(píng)價(jià)為?。
[0152] (8)由蝕刻形成的電路形狀（精細(xì)圖案特性）
[0153] 將銅箔貼合于附有層壓用熱硬化性接著劑的聚酰亞胺膜（厚度50ym，宇部興產(chǎn) 制造的Upilex)的兩面。為形成精細(xì)圖案電路，需使銅箔厚度變得相同，此處以12iim銅箔 厚度作為基準(zhǔn)。即，在厚度厚于12ym的情形時(shí)，通過(guò)電解研磨使厚度減少至12iim。另一 方面，在厚度薄于12Um的情形時(shí)，通過(guò)鍍銅處理使厚度增加至12ym。對(duì)于所得的兩面的 積層板的單面?zhèn)?，通過(guò)在積層板的銅箔光澤面?zhèn)韧坎几泄庑怨庾鑴┘捌毓獠襟E而印刷精細(xì) 圖案電路，在下述條件下對(duì)銅箔的不要部分進(jìn)行蝕刻處理，而形成L/S= 20/20 的精細(xì) 圖案電路。此處電路寬度設(shè)為電路剖面的底部寬度（bottomwidth)達(dá)到20iim。
[0154](蝕刻條件）
[0155] 裝置：噴霧式小型蝕刻裝置
[0156]噴霧壓：0? 2MPa
[0157] 蝕刻液：氯化鐵水溶液（比重40波美）
[0158]液溫度：50°C
[0159] 在形成精細(xì)圖案電路后，使其浸漬于45°C的NaOH水溶液1分鐘而剝離感光性光阻 劑膜。
[0160] (9)蝕刻因數(shù)（Ef)的算出
[0161] 對(duì)于以上述方式獲得的精細(xì)圖案電路樣品，使用HitachiHigh-Technologies公 司制造的掃描式電子顯微鏡照片S4700,在2000倍的倍率下自電路上部進(jìn)行觀察，測(cè)定電 路上部的頂部寬度（topwidth，Wa)與電路底部的最低寬度（Wb)。銅箔厚度（T)設(shè)為12ym。 蝕刻因數(shù)（Ef)通過(guò)下式而算出。
[0162]蝕刻因數(shù)（Ef) = (2XT)AWb-Wa)
[0163] (10)傳輸損耗的測(cè)定
[0164] 對(duì)于18iim厚的各樣品，使其與市售的液晶聚合物樹(shù)脂（KURARAY(股）制造的 VecstarCTZ-50iim)貼合后，通過(guò)蝕刻以特性阻抗達(dá)到50Q的方式形成微帶線路，使用HP 公司制造的網(wǎng)路分析儀HP8720C測(cè)定透射系數(shù)，求出在頻率20GHz及頻率40GHz下的傳輸 損耗。作為頻率20GHz下的傳輸損耗的評(píng)價(jià)，將未達(dá)3. 7dB/10cm者評(píng)價(jià)為◎，將3. 7dB/10cm 以上且未達(dá)4.ldB/10cm者評(píng)價(jià)為〇，將4.ldB/10cm以上且未達(dá)5. 0dB/10cm者評(píng)價(jià)為A， 將5. 0dB/10cm以上者評(píng)價(jià)為X。
[0165] 將上述各試驗(yàn)的條件及評(píng)價(jià)示于表1?10。
[0166] [表1]

【權(quán)利要求】
1. 一種表面處理銅箔，所述銅箔表面通過(guò)粗化處理而形成粗化粒子，粗化處理表面的 TD的平均粗糙度Rz為0. 20?0. 80 μ m，粗化處理表面的MD的60度光澤度為76?350 %， 且 所述粗化粒子的表面積A與自所述銅箔表面?zhèn)雀┮曀龃只Ｗ訒r(shí)所得的面積B之比 A/B 為 1. 90 ?2. 40。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理銅箔，其中，所述MD的60度光澤度為90?250%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的表面處理銅箔，其中，所述TD的平均粗糙度Rz為0. 30? 0. 60 μ m〇
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，所述A/B為2. 00?2. 20。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，粗化處理表面的MD的60 度光澤度與TD的60度光澤度之比C(C = (MD的60度光澤度V(TD的60度光澤度））為 0. 80 ?1. 40。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面處理銅箔，其中，粗化處理表面的MD的60度光澤度與TD 的60度光澤度之比C(C = (MD的60度光澤度V(TD的60度光澤度））為0. 90?1. 35。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，將所述銅箔自粗化處理表 面?zhèn)荣N合于厚度為50 μ m的樹(shù)脂基板的兩面后，在經(jīng)蝕刻除去所述兩面的銅箔時(shí)，所述樹(shù) 脂基板的霧值為20?70%。
8. -種表面處理銅箔，所述銅箔表面通過(guò)粗化處理而形成粗化粒子，將所述銅箔自粗 化處理表面?zhèn)荣N合于厚度50 μ m的樹(shù)脂基板的兩面后，在經(jīng)蝕刻除去所述兩面的銅箔時(shí)， 所述樹(shù)脂基板的霧值為20?70%。
9. 一種積層板，其由權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔與樹(shù)脂基板積層而 構(gòu)成。
10. -種粗化處理前的銅箔，其用于權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的粗化處理前的銅箔，其中，MD的60度光澤度為500? 800%。
12. -種銅箔，其MD的60度光澤度為501?800%。
13. -種印刷配線板，其使用權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔。
14. 一種電子機(jī)器，其使用權(quán)利要求13所述的印刷配線板。
15. -種連接有2件以上印刷配線板的印刷配線板的制造方法，其連接2件以上權(quán)利要 求13所述的印刷配線板。
16. -種連接有2件以上印刷配線板的印刷配線板的制造方法，其包含如下步驟： 將至少1件權(quán)利要求13所述的印刷配線板與另一件權(quán)利要求13所述的印刷配線板或 不相當(dāng)于權(quán)利要求13所述的印刷配線板的印刷配線板加以連接的步驟。
17. -種電子機(jī)器，其使用1件以上連接有至少1件權(quán)利要求15或16所述的印刷配線 板的印刷配線板。
18. -種印刷配線板的制造方法，其至少包含連接權(quán)利要求13所述的印刷配線板與零 件的步驟。
19. 一種連接有2件以上印刷配線板的印刷配線板的制造方法，其至少包含如下步驟： 將至少1件權(quán)利要求13所述的印刷配線板與另一件權(quán)利要求13所述的印刷配線板或 不相當(dāng)于權(quán)利要求13所述的印刷配線板的印刷配線板加以連接的步驟，及 將權(quán)利要求13所述的印刷配線板或權(quán)利要求16所述的連接有2件以上印刷配線板的 印刷配線板與零件加以連接的步驟。
【文檔編號(hào)】H05K3/38GK104271813SQ201380024196
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2013年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月11日
【發(fā)明者】新井英太, 三木敦史 申請(qǐng)人:Jx日礦日石金屬株式會(huì)社