專利名稱：一種基座支撐裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體硅外延生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基座支撐裝置。
背景技術(shù)：
硅外延產(chǎn)品是制備各種電子器件的重要材料，隨著5寸外延產(chǎn)品的需求不斷擴(kuò)大，進(jìn)一步提高5寸外延片厚度均勻性，提高產(chǎn)品質(zhì)量，也變得越來越重要。目前LPE (Liquid Phase Epitaxial,液相外延)外延爐生產(chǎn)的5寸外延片存在第三層外延片厚度均勻性較差的問題。在做該尺寸產(chǎn)品過程中發(fā)現(xiàn)厚度均勻性偏差一般都在 2%以上，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)3%的情況。表I是4、5、6寸外延片不同位置外延片的厚度數(shù)據(jù)。表I不同尺寸外延片厚度數(shù)據(jù)
夕t延^ 位置中心上 下左 右平均 std%At_________
T(F3,1) ~ 5.148 ~T002 5.19~ 5.11 ~ 5.122 5.116 ~Τ4 ~
4寸 T(F6,2) ~ 5.109 ~~4.993 5.076 5.101~ 5.047 5.065 ~ 0.931_ T(F10，3) ~ 5.168 1.073 5.167 5.198— 5.029 5.127 ~ 1.405
T(F1，1) ~ 5.102 —5.29 5.102 4.919— 5.143 5.111 ~ 2.59
5寸 T(F6，2) ~ 5.044 ~5.126 5.038 4.995— 5.042 5.049 ~ 0.945_ T(F3,3) — 5.212 —5.326 ~^085 5.035~ 4.953 5.122 ~ 2.878
~~ T(F6,1) — 5.567 —5.63 ~5.7 5.678~ 5.763 5.688 ~ 0.856
6T(F6,2) 5.683 5.693 5.653 5.518 5.61 5.632 1.267從數(shù)據(jù)中可以看出4寸、6寸外延片的厚度均勻性均小于2%。針對(duì)5寸外延片厚度均勻性偏差大的問題，我們對(duì)厚度數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)在一例中，最上面一點(diǎn)厚度最厚，最下面一點(diǎn)厚度最薄。針對(duì)5寸外延片厚度均勻性偏差大的問題，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的5寸外延片厚度數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)第三層外延片最上面一點(diǎn)厚度最厚，最下面一點(diǎn)厚度最薄。因此，現(xiàn)有技術(shù)中，存在5寸外延片厚度均勻性差的缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是一種基座支撐裝置，用以增加最底層外延片下邊的厚度，改善厚度均勻性。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種基座支撐裝置，所述支撐裝置由石英制成，安裝在桶式外延爐中所述支撐裝置為等徑空心圓柱結(jié)構(gòu)，上表面為平面，嵌入式地與基座底盤凹槽相連接；下表面設(shè)置有卡槽，與外延爐托盤上的石英盤相連接。進(jìn)一步，所述支撐裝置的高度為189. 5 193. 125mm。進(jìn)一步，所述支撐裝置從上表面到下表面設(shè)置有一條縫隙。進(jìn)一步，所述基座上設(shè)直有聞度可調(diào)的塾圈。[0014]進(jìn)一步，所述基座是5英寸以上硅單晶外延生長(zhǎng)中使用的基座。本實(shí)用新型有益效果如下本實(shí)施例裝置可以整體提高基座在腔內(nèi)的位置，相當(dāng)于提高了最底層外延片所處的溫區(qū)，同時(shí)可以通過調(diào)節(jié)墊圈高度來調(diào)整最上層外延片所處的溫區(qū)，做到不影響反應(yīng)腔內(nèi)流場(chǎng)的分布，達(dá)到增加最底層外延片下邊的厚度，改善厚度均勻性的目的。

圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例中4、5、6寸三種基座片坑不同位置的尺寸對(duì)比圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例中一種基座支撐裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2的仰視圖。
具體實(shí)施方式
為了解決現(xiàn)有技術(shù)外延片厚度均勻性差的問題，本實(shí)用新型提供了一種基座支撐裝置，
以下結(jié)合附圖以及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不限定本實(shí)用新型。從LPE外延爐結(jié)構(gòu)來看，影響最下面一點(diǎn)厚度偏薄的原因主要有主氫流量小和最下面一點(diǎn)的溫度低。主氫流量小生長(zhǎng)出的外延片的規(guī)律是最上面一片最厚，最下面一個(gè)最薄，中間一片在兩者之間，但通過產(chǎn)品的測(cè)試未發(fā)現(xiàn)有此規(guī)律。因此，分析認(rèn)為5寸片最下面一點(diǎn)薄的產(chǎn)生原因是最下面一點(diǎn)溫度低引起的。用紅外測(cè)溫儀測(cè)熱場(chǎng)溫度分布，數(shù)據(jù)見表2。表2 A腔熱場(chǎng)分布數(shù)據(jù)
權(quán)利要求1.一種基座支撐裝置，其特征在于，所述支撐裝置由石英制成，安裝在桶式外延爐中所述支撐裝置為等徑空心圓柱結(jié)構(gòu)，上表面為平面，嵌入式地與基座底盤凹槽相連接；下表面設(shè)置有卡槽，與外延爐托盤上的石英盤相連接。
2.如權(quán)利要求I所述的基座支撐裝置，其特征在于，所述支撐裝置的高度為189.5 193. 125mm。
3.如權(quán)利要求I所述的基座支撐裝置，其特征在于，所述支撐裝置從上表面到下表面設(shè)置有一條縫隙。
4.如權(quán)利要求I所述的基座支撐裝置，其特征在于，所述基座上設(shè)置有高度可調(diào)的墊圈。
5.如權(quán)利要求I所述的基座支撐裝置，其特征在于，所述基座是5英寸以上硅單晶外延生長(zhǎng)中使用的基座。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種基座支撐裝置，所述支撐裝置由石英制成，安裝在桶式外延爐中所述支撐裝置為等徑空心圓柱結(jié)構(gòu)，上表面為平面，嵌入式地與基座底盤凹槽相連接；下表面設(shè)置有卡槽，與外延爐托盤上的石英盤相連接。本實(shí)施例裝置可以整體提高基座在腔內(nèi)的位置，相當(dāng)于提高了最底層外延片所處的溫區(qū)，同時(shí)可以通過調(diào)節(jié)墊圈高度來調(diào)整最上層外延片所處的溫區(qū)，做到不影響反應(yīng)腔內(nèi)流場(chǎng)的分布，達(dá)到增加最底層外延片下邊的厚度，改善厚度均勻性的目的。
文檔編號(hào)C30B19/06GK202786500SQ20122027905
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月14日
發(fā)明者殷海豐, 王文林 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所