技術(shù)編號：8166180
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領域本實用新型涉及半導體硅外延生長技術(shù)領域，特別是涉及一種基座支撐裝置。背景技術(shù)硅外延產(chǎn)品是制備各種電子器件的重要材料，隨著5寸外延產(chǎn)品的需求不斷擴大，進一步提高5寸外延片厚度均勻性，提高產(chǎn)品質(zhì)量，也變得越來越重要。目前LPE (Liquid Phase Epitaxial,液相外延)外延爐生產(chǎn)的5寸外延片存在第三層外延片厚度均勻性較差的問題。在做該尺寸產(chǎn)品過程中發(fā)現(xiàn)厚度均勻性偏差一般都在 2%以上，有時會出現(xiàn)3%的情況。表I是4、5、6寸外延片不同位置外延片的厚度數(shù)據(jù)。表I不同尺寸外延片厚度數(shù)據(jù)夕t延^ 位置...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。