專利名稱:?jiǎn)尉t二次加料漏斗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明屬于冶金系統(tǒng)單晶爐冶煉裝置,特別涉及單晶爐冶煉加料時(shí)二次加料漏斗裝置。
背景技術(shù):
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冶金行業(yè)單晶爐是多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶硅工藝過(guò)程中的必備設(shè)備,而單晶硅又是光伏發(fā)電和半導(dǎo)體行業(yè)中的基礎(chǔ)原料,單晶硅作為現(xiàn)代信息社會(huì)的關(guān)鍵支撐材料,是目前世界上最重要的單晶材料之一,它不僅是發(fā)展計(jì)算機(jī)與集成電路的主要功能材料,也是光伏發(fā)電利用太陽(yáng)能的主要功能材料;單晶爐在硅單晶拉制完成后,使用二次加料裝置可向石英坩堝內(nèi)再次投入顆粒狀硅料,實(shí)現(xiàn)石英坩堝的再利用,降低第二根硅棒的拉制時(shí)間;一般的單晶爐二次加料裝置,都是采用緊固的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的,晶棒拉制過(guò)程中裝料少、坩堝利用率低,其結(jié)構(gòu)不靈活,沒(méi)有調(diào)節(jié)功能,容易造成投料時(shí)拉桿卡住等現(xiàn)象。發(fā)明內(nèi)容:
有鑒于此,有必要提供一種新結(jié)構(gòu)的單晶爐二次加料漏斗裝置。本發(fā)明單晶爐二次加料漏斗裝置,含有籽晶繩、拉桿、活動(dòng)法蘭、漏斗、底蓋、石英坩堝、單晶爐殼體和粒狀硅料組成;拉桿通過(guò)安裝在漏斗上端的定位孔安裝在漏斗內(nèi),底蓋套裝在拉桿上并由螺母定位在拉桿下端,拉桿上端連接籽晶繩;活動(dòng)法蘭固定套裝在漏斗外側(cè)壁上;漏斗由活動(dòng)法蘭掛裝在單晶爐殼體內(nèi);單晶爐殼體內(nèi)漏斗下部安裝石英坩堝;漏斗上部為圓柱狀,下部為圓錐狀,粒狀娃料裝在漏斗內(nèi)。作業(yè)時(shí),顆粒狀硅料盛放在漏斗內(nèi),通過(guò)提拉裝置帶動(dòng)籽晶繩下降,從而使得拉桿I下降,活動(dòng)法蘭的端面與爐體的法蘭接觸后,拉桿繼續(xù)下降,使得漏斗內(nèi)的顆粒狀硅料流入石英坩堝內(nèi)。本發(fā)明單晶爐二次加料漏斗裝置,可根據(jù)顆粒狀硅料的加料量和爐體的高低,隨時(shí)調(diào)節(jié)它與漏斗的定位,使得拉桿可以自由移動(dòng),不會(huì)受硅料的擠壓而無(wú)法上下移動(dòng)提高了坩堝的利用率,降低了晶棒成長(zhǎng)的時(shí)間,節(jié)約了成本。
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附圖是本發(fā)明單晶爐二次加料漏斗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:籽晶繩1、拉桿2、活動(dòng)法蘭3、漏斗4、底蓋5、石英坩堝6、單晶爐殼體7、粒狀硅料8。
具體實(shí)施方式
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本發(fā)明單晶爐二次加料漏斗裝置,含有籽晶繩1、拉桿2、活動(dòng)法蘭3、漏斗4、底蓋5、石英坩堝6、單晶爐殼體7和粒狀硅料8組成;拉桿2通過(guò)安裝在漏斗4上端的定位孔安裝在漏斗4內(nèi),底蓋5套裝在拉桿2上并由螺母定位在拉桿2下端,拉桿2上端連接籽晶繩I ;活動(dòng)法蘭3固定套裝在漏斗4外側(cè)壁上;漏斗4由活動(dòng)法蘭3掛裝在單晶爐殼體7內(nèi);單晶爐殼體7內(nèi)漏斗4下部安裝石英坩堝6 ;漏斗4上部為圓柱狀,下部為圓錐狀,粒狀硅料8裝在漏斗4內(nèi)。
權(quán)利要求
1.單晶爐二次加料漏斗裝置,其特征在于:含有籽晶繩(I)、拉桿(2)、活動(dòng)法蘭(3)、漏斗(4)、底蓋(5 )、石英坩堝(6 )、單晶爐殼體(7 )和粒狀硅料(8 )組成;拉桿(2 )通過(guò)安裝在漏斗(4)上端的定位孔安裝在漏斗(4)內(nèi),底蓋(5 )套裝在拉桿(2 )下端,底蓋(5 )套裝在拉桿(2)上并由螺母定位在拉桿(2)下端;活動(dòng)法蘭(3)固定套裝在漏斗(4)外側(cè)壁上;漏斗(4)由活動(dòng)法蘭(3)掛裝在單晶爐殼體(7)內(nèi);單晶爐殼體(7)內(nèi)漏斗(4)下部安裝石英坩堝(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述單晶爐二次加料漏斗裝置,其特征在于:漏斗(4)上部為圓柱狀,下部為圓錐狀,粒狀娃料(8)裝在漏 斗(4)內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明的單晶爐二次加料漏斗裝置屬于冶金系統(tǒng)單晶爐冶煉裝置,特別涉及單晶爐冶煉加料時(shí)二次加料漏斗裝置;拉桿通過(guò)安裝在漏斗上端的定位孔安裝在漏斗內(nèi),底蓋套裝在拉桿上并由螺母定位在拉桿下端,拉桿上端連接籽晶繩;活動(dòng)法蘭固定套裝在漏斗外側(cè)壁上;漏斗由活動(dòng)法蘭掛裝在單晶爐殼體內(nèi);單晶爐殼體內(nèi)漏斗下部安裝石英坩堝;漏斗上部為圓柱狀,下部為圓錐狀,粒狀硅料裝在漏斗內(nèi);可根據(jù)顆粒狀硅料的加料量和爐體的高低,隨時(shí)調(diào)節(jié)它與漏斗的定位,使得拉桿可以自由移動(dòng),不會(huì)受硅料的擠壓而無(wú)法上下移動(dòng)提高了坩堝的利用率,降低了晶棒成長(zhǎng)的時(shí)間,節(jié)約了成本。
文檔編號(hào)C30B15/02GK103215636SQ20121001709
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者吳學(xué)軍, 周凱平 申請(qǐng)人:寧夏日晶新能源裝備股份有限公司