專利名稱：電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種電子設(shè)備、即應(yīng)用電子工學(xué)技術(shù)的電氣產(chǎn)品。本發(fā)明的電子設(shè)備中，當(dāng)然包括在基板上配置了電子部件的一般的電子設(shè)備，而且還包括太陽電池、太陽能發(fā)電裝置、使用發(fā)光二極管的發(fā)光裝置、照明裝置、信號燈等的電子設(shè)備等。
背景技術(shù)：
周知，電子設(shè)備是在基板的一面上形成具有規(guī)定的圖形的布線圖形、在該布線圖形上釬焊有源部件及無源部件等的電子部件而成。布線圖形通過在基板上預(yù)先形成的Cu箔上涂敷抗蝕劑之后、將Cu箔通過光刻エ序進行圖形化而得到。在基板上形成由熱硬化性環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的阻焊劑皮膜，使得在布線圖形之中，只有需要釬焊電子部件的部分的Cu箔露出，在不需要釬焊的部分不沾上焊料。并且，在露出的Cu箔上釬焊電子部件。

這樣，在以往的電子設(shè)備中，必須通過覆銅箔基板的準(zhǔn)備、抗蝕劑涂敷エ序、光刻エ序、阻焊劑涂敷エ序以及部件安裝エ序這樣的多個エ序來制造。因此，在降低成本及提高批量生產(chǎn)率方面有限。與上述方法不同，有時采用在基板上直接將導(dǎo)電膏進行絲網(wǎng)印刷的方法。此時使用的導(dǎo)電膏是將作為導(dǎo)電成分的金屬粉末或合金粉末分散到有機展色料中而成的。有機展色料包含熱硬化性絕緣樹脂、或熱可塑性絕緣樹脂等的絕緣樹脂及溶剤。根據(jù)情況，有時為了提高金屬粉末的分散性或確保不易燃燒性而添加第3成分。這樣得到的布線圖形為金屬粉末分散在絕緣樹脂中的結(jié)構(gòu)。因此，與基于金屬導(dǎo)體本身的情況相比，導(dǎo)電性變差。因此，為了提高導(dǎo)電性，考慮使用粒徑小的金屬粉末來増加填充率。但是，金屬粉末的粒徑越小越容易凝聚，因此在導(dǎo)電性膏中難以均勻分散，而且相鄰的金屬粒子間的接觸部分増加而連接電阻增加，因此無法得到與填充率的増加相應(yīng)的導(dǎo)電性提高的效果。此外，可知若使用銀粉或Cu粉作為上述金屬粉末，則得到導(dǎo)電性良好的布線。但是，含有銀粉的導(dǎo)電性膏若在高溫多濕的環(huán)境下被施加電場，則產(chǎn)生如下缺點在電氣電路或電極產(chǎn)生叫作遷移的銀的電析，在通過布線圖形形成的電極間或布線間發(fā)生短路現(xiàn)象。作為防止該遷移的對策手段，已知例如在銀粉的表面涂敷防濕塗料的方法、對導(dǎo)電性膏添加氮化合物等的腐蝕抑制劑的方法等，但并不能得到充分的效果(參照日本特開2001-189107號公報)。此外，為了得到導(dǎo)電性高的導(dǎo)體，必須增加銀粉的配合量，由于銀粉較貴，因此存在電子設(shè)備成為高價的缺點。此外，由于含有Cu粉的導(dǎo)電性膏在加熱硬化后的Cu的氧化性高，因此在空氣中及粘合劑(binder)中包含的氧氣和Cu粉反應(yīng)，在其表面形成氧化膜，顯著降低導(dǎo)電性。作為其對策，在日本特開平5-212579號公報中公開了添加各種添加劑而防止Cu粉的氧化，并使導(dǎo)電性穩(wěn)定的Cu膏。但是，該導(dǎo)電性不涉及銀膏，并且在保存、穩(wěn)定性上也存在缺點。為了改善遷移，并得到便宜的導(dǎo)電性膏，提出了使用鍍銀Cu粉的導(dǎo)電性膏(參照日本特開平7-138549號公報、日本特開平10-134636號公報)。但是，若將銀均勻且較厚地形成膜，則存在無法充分得到遷移的改善效果的情況。相反，若較薄地形成膜，則為了確保良好的導(dǎo)電性，需要増加導(dǎo)電粉的填充量，其結(jié)果，隨著粘合劑成分相對減少，有時引起粘接力(粘接強度)下降的問題。進而，在屋外使用的電子設(shè)備、例如太陽電池中，要求長期間經(jīng)受嚴(yán)峻的環(huán)境變動的耐久性。特別是，在太陽電池設(shè)置于日照時間長的砂漠等中的情況下，設(shè)置場所的溫度變動幅度有時超過100°C。但是，對于通過上述技術(shù)形成了電極的以往的太陽電池而言，在置于這樣的嚴(yán)酷的自然環(huán)境中的情況下，存在幾年左右就電極劣化、產(chǎn)生剝離等的問題。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明的目的是提供ー種電子設(shè)備，具有如下金屬化布線，該金屬化布線是導(dǎo)電性、電化學(xué)的穩(wěn)定性、防氧化性、填充性、細致性、機械及物理強度良好，而且對基板的粘接力、粘附カ聞的聞品質(zhì)、聞可Φ性的金屬化布線。用于解決技術(shù)問題的手段為了解決上述問題，本發(fā)明的電子設(shè)備包括基板和電子部件。上述基板具有金屬化布線，上述電子部件在上述基板上與上述金屬化布線電連接。上述金屬化布線包括金屬化層和絕緣層。上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分以及上述低熔點金屬成分相互擴散接合。上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，構(gòu)成覆蓋上述金屬化層的外面的保護膜。如上所述，在本發(fā)明中，由于金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，因此能夠通過低熔點金屬成分所具有的低熔點，在高熔點金屬成分和低熔點金屬成分之間引起擴散接合。如上所述，由于高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合，因此能夠?qū)崿F(xiàn)如下電子設(shè)備，該電子設(shè)備具有電氣化學(xué)穩(wěn)定性、耐氧化性良好，且難以引起遷移或氧化膜等的金屬化層。此外，通過高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分的擴散接合，成為幾乎沒有氣孔或斷線的連續(xù)的金屬化層，因此能夠得到具有金屬化層的填充度、細致性提高、導(dǎo)電性高、機械及物理強度高的金屬化層的電子設(shè)備。而且，由于包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，因此通過其材料選定，能夠得到具有導(dǎo)電性高的金屬化層的電子設(shè)備。進而，由于絕緣層構(gòu)成覆蓋金屬化層的外面的保護膜，因此不僅能夠避免金屬化層的外部的損傷，而且能夠提高耐氧化性、耐久性、耐氣候性。并且，除了對基板的金屬化層自身的粘附力、粘接力之外，還產(chǎn)生由絕緣層引起的粘附力、粘接力，因此提高作為金屬化布線的整體的粘附力、粘接力。此外，由于絕緣層與金屬化層同時形成，因此與將金屬化層和絕緣層不同時形成的結(jié)構(gòu)不同，金屬化層不會接觸到空氣。因此，能夠得到具有不被氧化的高品質(zhì)的金屬化層的電子設(shè)備。作為上述作用效果的綜合，能夠得到如下電子設(shè)備，該電子設(shè)備具有導(dǎo)電性、電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧化性、填充性、細致性、機械及物理強度良好，且對基板的粘接力、粘附力聞的聞品質(zhì)、聞可Φ性的金屬化布線。
金屬化布線也可以形成在Cu膜(Cu箔)等金屬或合金膜之上。若將由高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分構(gòu)成的金屬化布線形成在Cu膜之上，則能夠在Cu箔的厚度保持不變的狀態(tài)下、增大作為金屬化布線整體的截面積，減小電氣電阻。此外，能夠在使Cu箔變薄的狀態(tài)下、增大作為金屬化布線整體的截面積，減小電氣電阻。在本發(fā)明中，電子設(shè)備能夠包含應(yīng)用電子工學(xué)技術(shù)的所有電氣產(chǎn)品。在本發(fā)明中，公開其中的計算機、便攜電話機、層疊電子裝置、電子設(shè)備、電子部件、太陽電池、發(fā)光二極管、發(fā)光裝置、照明裝置、信號燈以及液晶顯示器。這些由具體的名稱確定，但在是應(yīng)用電子工學(xué)技術(shù)的電氣產(chǎn)品這一點上，包含于本發(fā)明中的電子設(shè)備的范疇。發(fā)明效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有如下金屬化布線的電子設(shè)備，該金屬化布線是電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧化性、填充性、細致性、導(dǎo)電性、機械及物理強度良好，并且對基板的粘接力、粘附カ高的高品質(zhì)、高可靠性的金屬化布線。本發(fā)明可以通過下述的詳細說明和附圖而更好地理解，這些說明和附圖只是解釋 性的說明，因此不能認(rèn)為是限制本發(fā)明。


圖I是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的一例的圖。圖2是表示圖I所示的電子設(shè)備中使用的金屬化布線的一部分的剖視圖。圖3是圖2的3-3線剖視圖。圖4是圖I所示的電子設(shè)備中使用的金屬化布線的其他位置上的剖視圖。圖5是表示金屬化布線形成用導(dǎo)電膏的圖。圖6是表示圖5所示的導(dǎo)電膏的涂敷狀態(tài)的圖。圖7是表示金屬化布線形成用導(dǎo)電膏的其他例的圖。圖8是表示本發(fā)明的電子設(shè)備中使用的金屬化布線的其他例的剖視圖。圖9是圖8的9-9線剖視圖。圖10是本發(fā)明的電子設(shè)備的金屬化布線的截面照片。圖11是比較例的金屬化布線的截面照片。圖12是表示作為本發(fā)明的電子設(shè)備的一例的計算機的結(jié)構(gòu)的圖。圖13是表示作為本發(fā)明的電子設(shè)備的其他例的便攜電話機的結(jié)構(gòu)的圖。圖14是表示作為本發(fā)明的電子設(shè)備的一例的層疊電子裝置的圖。圖15是表示圖14所示的層疊電子裝置的制造エ序的圖。圖16是作為本發(fā)明的電子設(shè)備的其他例的太陽電池的俯視圖。圖17是圖16所示的太陽電池的仰視圖(與光入射側(cè)相反側(cè))。圖18是表示太陽電池的另一例的剖視圖。圖19是圖16 圖18所示的太陽能發(fā)電裝置的框圖。圖20是作為本發(fā)明的電子設(shè)備的其他例的發(fā)光二極管的剖視圖。圖21是表示使用了圖20所示的發(fā)光二極管的發(fā)光裝置、照明裝置或信號燈的圖。圖22是將圖20所示的發(fā)光二極管作為背光燈來使用的液晶顯示器的部分剖視圖。
具體實施例方式參照圖I，本發(fā)明的電子設(shè)備包括基板11以及電子部件141 146。這些一般配置在外包裝體2的內(nèi)部。基板11具備具有規(guī)定的圖形的金屬化布線12?；?1既可以是有機基板，也可以是無機基板。此外，也可以是能夠構(gòu)成半導(dǎo)體電路的基板，例如可以是Si基板，也可以是單純的絕緣基板。電子部件141 146在基板11上與金屬化布線12電連接。圖I中對電子部件141 146附加作為群來表示的參照符號14。電子部件141 146是有源部件、無源部件或它們的復(fù)合部件，其個數(shù)、種類、形狀等根據(jù) 電子設(shè)備的功能、設(shè)計而變化。電子部件141 146在電子系統(tǒng)內(nèi)以規(guī)定的形式對電子的運動或與其有關(guān)的カ場帶來影響，起到系統(tǒng)預(yù)計的功能。電子部件141 146通過金屬化布線12相互連接，構(gòu)成具有指定的功能的電子電路。電子部件141 146有單獨被封裝的情況、和以集成電路的形式復(fù)合地封裝并模塊化的情況。進而，作為本發(fā)明的電子設(shè)備中包括的結(jié)構(gòu)，還有不具有基板11與電子部件141 146的明確的劃分、基板11承擔(dān)作為電子部件141 146的功能的電子設(shè)備，例如太陽電池等。金屬化布線12如圖2及圖3所示，包括金屬化層121以及絕緣層122。金屬化層121包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，高熔點金屬成分及低熔點金屬成分相互擴散接合，構(gòu)成填充密度高的一連串的連續(xù)的金屬層。高熔點金屬成分能夠包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si、或Ni的組中選擇的至少I種，低熔點金屬成分能夠包含從Sn、In、Bi或Ga的組中選擇的至少ー種。金屬化層121也可以包含碳納米管。絕緣層122由絕緣樹脂構(gòu)成，與金屬化層121同時形成，構(gòu)成覆蓋金屬化層121的外面的保護膜。絕緣層122如圖2及圖3所示，具有規(guī)定的厚度，將金屬化層121的表面、線寬方向的兩側(cè)面及長度方向的端面連續(xù)覆蓋。此外，電子部件141 146如圖4所示，其端子電極13穿過絕緣層122，進入其下側(cè)的金屬化層121，由此被連接。端子電極13的周圍被絕緣層122覆蓋。如上所述，金屬化層121包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，因此能夠利用低熔點金屬成分所具有的低熔點，在高熔點金屬成分和低熔點金屬成分之間引起擴散接合。這樣，由于高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合，因此能夠得到以下所述的作用效果。首先，由于高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合，因此能夠?qū)崿F(xiàn)具有如下金屬化層的電子設(shè)備，該金屬化層為電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧化性良好的金屬化層121。例如，在使用Ag作為高熔點金屬成分的情況下，在金屬化層121中，在Ag與低熔點金屬成分之間引起擴散接合，由此其電氣化學(xué)的穩(wěn)定性増加，可靠地防止Ag的遷移。在使用Cu作為高熔點金屬成分的情況下，也在Cu與低熔點金屬成分之間引起擴散接合，防止Cu的氧化。接著，通過高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分的擴散接合，成為沒有氣孔或斷線的連續(xù)的金屬化層121，因此金屬化層121的填充度、細致性提高，導(dǎo)電性變高，并且機械、物理強度增加。而且，由于包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，因此通過其材料選定，能夠得到具有導(dǎo)電性高的金屬化層121的電子設(shè)備。此外，由于絕緣層122構(gòu)成覆蓋金屬化層121的外面的保護膜，因此不僅能夠避免金屬化層121的外傷，而且提高耐氧化性、耐久性以及耐氣候性。并且，除了金屬化層121自身的粘附力、粘接力以外，還產(chǎn)生基于絕緣層122的粘附力、粘接力，因此提高作為金屬化布線12整體的粘附力、粘接力。進而，由于絕緣層122與金屬化層121同時形成，因此與使金屬化層121和絕緣層122不同時形成的情況不同，金屬化層121不會與空氣接觸。因此，能夠得到具有不被氧化的高品質(zhì)的金屬化層121的電子設(shè)備。作為上述的作用效果的綜合，能夠得到具有如下金屬化層的電子設(shè)備，該金屬化層是導(dǎo)電性、電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧化性、填充性、細致性、機械及物理強度良好，并且對基板的粘接力、粘附カ聞的聞品質(zhì)、聞可Φ性的金屬化層121。 金屬化層121及絕緣層122能夠使用包含絕緣樹脂、金屬成分以及溶劑的導(dǎo)電膏來形成。構(gòu)成絕緣層122的絕緣樹脂能夠由包含熱硬化性絕緣樹脂或熱可塑性絕緣樹脂的材料構(gòu)成。在使用熱硬化性絕緣樹脂的情況下，優(yōu)選的是，其硬化點比低熔點金屬成分的熔點高，比高熔點金屬成分的熔點低。優(yōu)選地是，絕緣樹脂包含從環(huán)氧絕緣樹脂、丙烯酸(acrylate)絕緣樹脂或苯酚(phenol)絕緣樹脂中選擇的至少I種。用于膏化的溶劑，能夠使用如丁基卡必醇(Butyl carbitol)、丁基卡必醇こ酸酯(butyl carbitol acetate)、こニ醇單丁醚(butylcellosolve)、甲基異丁基麗(methyl isobutyl ketone)、甲苯(toluene)或 ニ甲苯(xylene)那樣的公知的有機溶劑。金屬化層121及絕緣層122是利用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將導(dǎo)電膏如圖6所示涂敷在基板11上以成為規(guī)定的圖形，并進行熱處理來得到的，上述導(dǎo)電膏如圖5所示，包含由作為金屬粒子的高熔點金屬成分124以及作為金屬粒子的低熔點金屬成分123構(gòu)成的金屬成分、以及絕緣樹脂122。因此，不需要以往必須的覆銅箔基板的準(zhǔn)備、抗蝕劑涂敷エ序以及光刻エ序，能夠得到顯著的成本降低及批量生產(chǎn)率提高的效果。熱處理吋，優(yōu)選以比低熔點金屬成分123的熔點高、比高熔點金屬成分124的熔點低的溫度、例如100 300°C加熱。通過該熱處理，低熔點金屬成分123溶解，高熔點金屬成分124以及低熔點金屬成分123凝聚，得到高熔點金屬成分124相互間由溶解的低熔點金屬成分123填埋的填充構(gòu)造，并且在低熔點金屬成分123與高熔點金屬成分124之間引起擴散接合(金屬間結(jié)合)。通過該擴散接合，形成不含有絕緣樹脂的金屬化層121。金屬化層121由于其比重差而比絕緣樹脂層122更向下側(cè)下沉。由此，形成2層構(gòu)造的金屬化布線12，該2層構(gòu)造的金屬化布線12利用由絕緣樹脂構(gòu)成的保護膜122覆蓋了附著在基板11上的金屬化層121的外面(表面及側(cè)面)。絕緣層122構(gòu)成覆蓋金屬化層121的外面(表面、側(cè)面)的保護膜122，因此不需要用于涂敷保護膜122的其他エ序。此外，在使用Ag作為高熔點金屬成分的情況下，也在金屬化層121中、在Ag與低熔點金屬成分之間引起擴散接合，進而，在導(dǎo)電性組成物整體中，絕緣層122覆蓋金屬化層
121。通過該結(jié)構(gòu)，能夠可靠地防止Ag的遷移。同樣，使用Cu作為高熔點金屬成分的情況下，也在Cu與低熔點金屬成分之間引起擴散接合，進而，由于金屬化層121被絕緣層122覆蓋，因此防止Cu的氧化。作為導(dǎo)電膏的其他例，如圖7所示，既可以是使用以低熔點金屬膜123覆蓋高熔點金屬粒子124的表面的金屬粒子而成的結(jié)構(gòu)，或者相反，也可以是使用以高熔點金屬膜覆蓋低熔點金屬粒子的表面的金屬粒子而成的結(jié)構(gòu)。由高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分構(gòu)成的金屬化布線12如圖8及圖9所示，也可以形成在Cu膜等的金屬膜125之上。若將由高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分構(gòu)成的金屬化層121形成在Cu膜125 (Cu箔)之上，則在Cu膜125的厚度保持不變的狀態(tài)下，能夠使作為金屬化布線12整體的截面積増大，減小電氣電阻。或者，通過使Cu膜125的厚度較薄、并且使附著在其上的由高熔點金屬成 分以及低熔點金屬成分構(gòu)成的金屬化層121較厚地形成，從而能夠使作為金屬化布線12整體的截面積増大，減小電氣電阻。圖10是本發(fā)明的金屬化布線12的截面照片。金屬化布線12是包含Sn、Bi、Ag的類，分為絕緣層122、金屬化層121這2層，絕緣層122覆蓋金屬化層121的表面。若觀察圖10則可知，金屬化層121中沒有間隙或斷線等。圖11是使用由銀粒子以及環(huán)氧絕緣樹脂構(gòu)成的導(dǎo)電性膏而得到的比較例中的布線的截面照片。通過該截面照片可知，銀粒子其表面未被覆蓋而單獨存在。此外，能看見斷線部。進而，在本發(fā)明的金屬化布線12中，如圖10所示，分為絕緣樹脂層和金屬化層121這2層，因此絕緣樹脂層覆蓋著絕緣層122的表面。相對于此，在比較例中，如圖11的截面照片所示，可知銀粒子其表面未被覆蓋而單獨存在，引起了銀遷移。在圖11的中間部出現(xiàn)的暗色部分表示由銀遷移產(chǎn)生的斷線部分。接著，關(guān)于具有本發(fā)明的金屬化布線的PET薄膜、和具有上述的比較例的銀布線的PET薄膜，進行了測定彎曲幾次后是否引起斷線的強度試驗。施加的負(fù)荷、涂敷的厚度、室溫等的實驗條件相同。具有比較例的銀布線的PET薄膜通過50次左右的彎曲操作，引起斷線，相對于此，具有本發(fā)明的金屬化布線的PET薄膜通過超過5000次的彎曲才開始出現(xiàn)斷線。本發(fā)明的電子設(shè)備中能夠包括應(yīng)用電子工學(xué)技術(shù)的所有電氣產(chǎn)品。若代表性地例示，例如有計算機，移動信息設(shè)備、計算機周邊終端裝置、OA設(shè)備、通信設(shè)備、業(yè)務(wù)用信息終端·自動識別裝置、汽車電子設(shè)備、產(chǎn)業(yè)用機械、娛樂設(shè)備、音響設(shè)備、影像設(shè)備或家庭用電氣設(shè)備等。作為其具體例，能夠例示液晶顯示器、個人計算機、汽車導(dǎo)航、便攜電話機、層疊電子裝置、太陽電池，太陽能發(fā)電裝置、發(fā)光二極管、發(fā)光裝置、照明裝置、信號燈、游戲機、數(shù)字照相機、電視機、DVD播放器、電子手冊、電子詞典、硬盤記錄機、便攜信息終端(PDA)、視頻攝像機、打印機、等離子顯示器、收音機等，但不限于此。由于篇幅有限，因此作為上述的電子設(shè)備的一例，以計算機、便攜電話機、層疊電子裝置、太陽電池、太陽能發(fā)電裝置、發(fā)光二極管、發(fā)光裝置、照明裝置、信號燈以及液晶顯示器為例進行說明。<個人計算機>多數(shù)個人計算機例如如圖12所示，具有如下基本結(jié)構(gòu)以CPU (CentralProcessing Unit,中央處理單元)141、以及DRAM等的主存儲器143作為中心,并對此附加了硬盤控制器146、圖形控制器145等。各結(jié)構(gòu)部分由作為通信路徑的CPU總線12B1、存儲器總線12B2、內(nèi)部總線12B3、12B4等連結(jié)，這些總線12B1 12B4由芯片組144結(jié)合。CPU141在多數(shù)情況下包括存儲器功能的一部分(高速緩沖存儲器)142，主存儲器143保持?jǐn)?shù)據(jù)和程序的信息。進而，作為周邊裝置4，具備輸入裝置43 (鍵盤、鼠標(biāo)、掃描器等)、輸出裝置41 (液晶顯示器、揚聲器等)、二次存儲裝置(硬盤驅(qū)動器等)42以及通信裝置(調(diào)制解調(diào)器，網(wǎng)絡(luò)接ロ等)。本發(fā)明的金屬化布線除了能夠適用于CPU總線12B1、存儲器總線12B2、內(nèi)部總線12B3U2B4以外，還能夠適用于各結(jié)構(gòu)部分141 146、4與總線12B1 12B4之間的布線12A。即，在板(基板)上形成總線12B1 12B4、結(jié)構(gòu)部分141 146、4與總線12B1 12B4之間的布線12A的情況下，將這些布線作為本發(fā)明的金屬化布線。金屬化布線如圖2 圖4所示，包括金屬化層121和絕緣層122。金屬化層121包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合，構(gòu)成連續(xù)的ー連串的層。絕緣層122與金屬化層121同時形成，構(gòu)成覆蓋金屬化層121的外面的保護膜。關(guān)于各結(jié)構(gòu)部分與 總線12B1 12B4之間的布線12A也同樣。由此，能夠得到具有如下總線以及布線的個人計算機，該總線以及布線是導(dǎo)電性、電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧化性、填充性、細致性、機械及物理強度良好，而且對基板的粘接力、粘附カ聞的聞品質(zhì)、聞可·性的總線12B1 12B4以及布線12A?！幢銛y電話機〉接著，便攜電話機例如如圖13所示，具有天線154、前端模塊141、功率放大電路142、收發(fā)機IC140以及數(shù)字基帶147等。收發(fā)機IC具有發(fā)送電路143、接收電路148、進行基帶處理的模擬電路145以及輸入輸出接ロ 1/0146等。模擬電路145包括A/D變換電路151以及D/A變換電路152等。本發(fā)明的金屬化布線能夠適用于天線154、前端模塊141、功率放大電路142、收發(fā)機IC140以及數(shù)字基帶147之間的布線12A，還能夠適用于各結(jié)構(gòu)部分141 154的內(nèi)部布線。由此，能夠得到具有如下布線及內(nèi)部布線的便攜電話機，該布線及內(nèi)部布線是導(dǎo)電性、電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧化性、填充性、細致性、機械及物理強度良好，而且對基板的粘接力、粘附カ聞的聞品質(zhì)、聞可Φ性的布線12A及內(nèi)部布線?！磳盈B電子裝置〉接著，參照圖14，圖示了將第一芯片部件14A、第二芯片部件14B以及第三芯片部件14C層疊而成的層疊電子裝置。第一芯片部件14A及第三芯片部件14C在例如圖12所示的計算機中為主存儲器143的芯片以及與其連接的邏輯IC芯片等。第2芯片部件14B例如是插入機構(gòu)(interposer),在構(gòu)成主存儲器芯片的第一芯片部件14A與構(gòu)成邏輯IC芯片的第三芯片部件14C的兩者之間形成規(guī)定的布線。在第二芯片部件14B與第三芯片部件14C之間，以及在第二芯片部件14B與第一芯片部件14A之間，形成有具有規(guī)定的圖形的金屬化布線12。金屬化布線12涉及本發(fā)明，包括金屬化層121和絕緣層122。金屬化層121包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合，形成一連串的連續(xù)的金屬化層121。絕緣層122由絕緣樹脂構(gòu)成，與金屬化層121同時形成，構(gòu)成覆蓋金屬化層121的外面的保護膜。
由此，能夠得到具有如下金屬化布線的層疊電子裝置，該金屬化布線是導(dǎo)電性、電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧性、填充性、細致性、機械及物理強度良好，而且對基板相互間的粘接カ聞的聞品質(zhì)、聞可Φ性的金屬化布線12。為了得到圖14所示的三維層疊電子裝置，如圖15所示，在第二芯片部件14B的單面或兩面涂敷本發(fā)明的導(dǎo)電性膏12，在涂敷之后實施熱處理。導(dǎo)電性膏12包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，因此在熱處理時，以比低熔點金屬成分的熔點高、比高熔點金屬成分的熔點低的溫度、例如100 300°C進行加熱。通過該熱處理，低熔點金屬成分熔解。由此，高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分凝聚，高熔點金屬成分之間由熔解的低熔點金屬成分填埋而形成填充構(gòu)造，并且在低熔點金屬成分與高熔點金屬成分之間引起擴散接合。低熔點金屬成分以及高熔點金屬成分朝向第一芯片部件14A的端子電極13和第2芯片部件14B的端子電極125、以及第二芯片部件14B的端子電極13和第三芯片部件14C的端子電極125凝聚，因此形成連接第一芯片部件14A的端子電極13和第二芯片部件14B的端子電極125的金屬化層121、以及連接第二芯片部件14B的端子電極13和第三芯片部件14C的端子電極125的金屬化層121。金屬化層121的外面(表面及側(cè)面)被由絕緣樹 脂構(gòu)成的保護層122覆蓋。 在第二芯片部件14B為插入機構(gòu)的情況下，優(yōu)選使用所謂的TSV (ThroughSiliconn Via :娃通孔)技術(shù),在厚度方向上形成了貫通電極的結(jié)構(gòu)。由此,實現(xiàn)三維電路配置構(gòu)造，通過與線寬的微細化不同的方法，使得能夠有助于大容量化、傳輸速度的高速化、高頻特性的改善。在TSV構(gòu)造的實現(xiàn)中，承擔(dān)中心作用的縱導(dǎo)體優(yōu)選為通過熔融金屬填充法形成的熔融凝固導(dǎo)體。為了通過熔融金屬填充法形成由熔融凝固體構(gòu)成的縱導(dǎo)體(貫通電極)，例如預(yù)先向在基板上開出的微細孔內(nèi)填充熔融金屬，在對填充的熔融金屬施加了使用了按壓板的按壓(press)、注射射出壓或碾壓的狀態(tài)下，進行冷卻，使其硬化。通過該熔融金屬填充法，與電鍍等比較，能夠在極短時間內(nèi)形成沒有空洞等的高品質(zhì)的縱導(dǎo)體(貫通電極)。因而，通過與線寬的微細化不同的方法，實現(xiàn)謀求大容量化、傳輸速度的高速化、高頻特性的改善等的高品質(zhì)的三維構(gòu)造的電子設(shè)備。作為其他形態(tài)，也可以對存儲器或邏輯IC等電子部件141 146本身使用TSV技術(shù)來實現(xiàn)三維構(gòu)造。在圖13所示的便攜電話機中，也可以對主要的結(jié)構(gòu)部件使用TSV技木?！刺栯姵亍祬⒄請D16及圖17，為了進行硅基板11的背面(與光入射面為相反側(cè))的P+半導(dǎo)體層14P以及n+半導(dǎo)體層14η的電連接，將在硅基板11的背面形成的鈍化膜126去除為希望的圖形形狀，與鈍化膜126被去除的部分對應(yīng)地在P+半導(dǎo)體層14Ρ上形成P電極接頭15ρ,并且在η+半導(dǎo)體層14η上形成η電極接頭15ρ。此外,在鈍化膜126以及η電極接頭15η之上,形成η金屬化布線12η,并且在鈍化膜126以及ρ電極接頭15ρ之上,形成ρ金屬化布線12ρ。ρ金屬化布線12Ρ以及η金屬化布線12η是收集主要在太陽電池單元中產(chǎn)生的電流的電極，它們形成為叉指(InterDigital)電極。在一片硅基板11上排列多個太陽電池單元的情況下，能夠使P金屬化布線12ρ以及η金屬化布線12η中的某一方承擔(dān)作為連接太陽電池単元間的總線電極的作用。這里，ρ金屬化布線12ρ包括金屬化層121ρ和絕緣層122ρ。金屬化層121ρ包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分。高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合。絕緣層122p與金屬化層121p同時形成，構(gòu)成覆蓋金屬化層121p的外面的保護膜。η金屬化布線12η也同樣,包括金屬化層121η和絕緣層122η。金屬化層121η包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分。高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合，構(gòu)成金屬化層121η。絕緣層122η與金屬化層121η同時形成，構(gòu)成覆蓋金屬化層121η的外面的保護膜。其形成方法如以上所述。接著，參照圖18，在設(shè)置于硅基板11的一面的鈍化膜126上，形成與η+半導(dǎo)體層14η電連接的η電極接頭15η、以及與ρ+半導(dǎo)體層14ρ電連接的P電極接頭15Ρ。在η電極接頭15η以及鈍化膜126之上,形成η金屬化布線 12η,進而,形成ρ金屬化布線12ρ,使其覆蓋η金屬化布線12η的表面,并且露出于ρ電極接頭15ρ的表面。η金屬化布線12η的金屬化層121η包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合。絕緣層122η與金屬化層121η同時形成，覆蓋金屬化層121η的外面。金屬化層121η與η電極接頭15η連接。P金屬化布線12ρ的金屬化層121ρ包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合。絕緣層122ρ與金屬化層121ρ同時形成，構(gòu)成覆蓋金屬化層121ρ的外面的保護膜。金屬化層121ρ與ρ電極接頭15ρ連接。在基板11的太陽光入射面附著有反射防止膜129。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，從上述內(nèi)容可知，能夠得到具有如下金屬化層的太陽電池，該金屬化層是導(dǎo)電性、電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧化性、填充性、細致性、機械及物理強度良好，并且對基板的粘接力、粘附カ聞的聞品質(zhì)、聞可Φ性的金屬化層12Ip、121η。并且，該本發(fā)明的效果在如下這點上極其有用，即在太陽電池設(shè)置于砂漠等自然環(huán)境嚴(yán)峻的場所中的情況下，也能夠經(jīng)受大的溫度變動，使得長期穩(wěn)定地動作。本發(fā)明的金屬化布線不僅適用于圖示的太陽電池，還能夠適用于其他類型的太陽電池。例如是在太陽光入射側(cè)具有ITO等的透明電極的太陽電池中形成透明電極的情況、或在色素增感型太陽電池中形成電極的情況等?！刺柲馨l(fā)電裝置〉參照圖19，圖示了使用了太陽電池的太陽能發(fā)電裝置6。圖示的太陽能發(fā)電裝置通過電カ變換裝置62將從太陽電池61輸出的直流電カ變換為交流，將變換后的交流電カ經(jīng)由分電裝置63提供給負(fù)荷65，并且將剩余電カ賣給商用交流系統(tǒng)7。電カ變換裝置62以及分電裝置63由控制裝置64控制。太陽電池61是將圖16 圖18所示的太陽電池集合多個而成的?！窗l(fā)光二極管〉接著，參照圖20，圖示了本發(fā)明的發(fā)光二極管。圖20例示的發(fā)光二極管包括發(fā)光元件14、η金屬化布線(第I金屬化布線)12η以及ρ金屬化布線(第2金屬化布線)12ρ。發(fā)光元件14層疊于透明結(jié)晶基板161。透明結(jié)晶基板161由藍寶石等構(gòu)成，表面為光出射面，發(fā)光元件14層疊于透明結(jié)晶基板2的與光出射面相反側(cè)的另一面。發(fā)光元件14是在層疊于透明結(jié)晶基板161的緩沖層162之上，形成η型半導(dǎo)體層14η，在η型半導(dǎo)體層14η之上，經(jīng)由活性層14a而層疊有ρ型半導(dǎo)體層14ρ的構(gòu)造。位于透明結(jié)晶基板161 —側(cè)的η型半導(dǎo)體層14η具有與P型半導(dǎo)體層14Ρ不重疊的部分164，該部分164的階差被金屬導(dǎo)電層165填補。η金屬化布線12η與η型半導(dǎo)體層14η連接，ρ金屬化布線12ρ與ρ型半導(dǎo)體層14ρ連接。η金屬化布線12η包括金屬化層121η和絕緣層122η,金屬化層121η與金屬導(dǎo)電層165的表面接合。ρ金屬化布線12ρ的金屬化層121ρ設(shè)置在與η金屬化布線12η相同側(cè)的面，經(jīng)由反射膜163與ρ型半導(dǎo)體層14ρ連接。金屬化層121η以及金屬化層121ρ與貫通支承基板11及絕緣層122η、122ρ的第I及第2貫通電極17ΝΤ、17ΡΤ連接。η金屬化布線12η是使用包含絕緣樹脂和金屬成分的同一導(dǎo)電膏同時形成的。金屬成分包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合而構(gòu)成金屬化層121η。絕緣層122η由絕緣樹脂構(gòu)成，覆蓋金屬化層121η的外面。金屬化層121η與η電極接頭15η連接。P金屬化布線12ρ也是使用包含絕緣樹脂和金屬成分的同一導(dǎo)電膏同時形成的。 金屬成分包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，高熔點金屬成分124以及低熔點金屬成分123相互擴散接合而構(gòu)成金屬化層121ρ。絕緣層122ρ由絕緣樹脂構(gòu)成，構(gòu)成覆蓋金屬化層121ρ的外面的保護膜。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，顯然能夠得到具有如下金屬化層的發(fā)光二極管，該金屬化層是導(dǎo)電性、電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧化性、填充性、細致性、機械及物理強度良好，而且對基板的粘接力、粘附カ聞的聞品質(zhì)、聞可Φ性的金屬化層12Ip、121η。另外，本發(fā)明的金屬化布線不僅適用于圖示的發(fā)光二極管，還能夠適用于其他類型的發(fā)光二極管。例如，在光出射側(cè)具有ITO等透明電極的發(fā)光二極管池中形成透明電極的情況等。<發(fā)光裝置、照明裝置或信號燈>參照圖21，圖示了具有m個發(fā)光二極管LEDl LEDm的發(fā)光裝置。發(fā)光二極管LEDl LEDm如圖20所示,包括發(fā)光元件14、η金屬化布線(第I金屬化布線)12η以及ρ金屬化布線(第2金屬化布線)12ρ。發(fā)光二極管LEDl LEDm的具體構(gòu)造如參照圖20詳細說明的那樣。發(fā)光二極管LEDl LEDm能夠以單列、或者多列配置。此外，也可以是，基板在發(fā)光二極管LEDl LEDm中共用。進而，也可以是R、G、B的發(fā)光二極管的排列，也可以是排列単色光的發(fā)光二極管而成的結(jié)構(gòu)。圖21所示的發(fā)光裝置也能夠作為照明裝置使用，也能夠作為交通信號的信號燈使用。從以上說明明顯可知，這些發(fā)光裝置、照明裝置或信號燈成為高品質(zhì)、且可靠性變高?！匆壕э@示器〉圖22是表示液晶顯示器的圖，是將液晶面板8和背光燈9組合而成的構(gòu)造。背光燈9是將圖20所示的m個發(fā)光二極管LEDl LEDm排列成行列狀的結(jié)構(gòu)。從以上說明明顯可知，該液晶顯示器為高品質(zhì)、并且可靠性高的裝置。雖然根據(jù)上述實施方式對本發(fā)明進行了詳細的描述和說明，但應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神、范圍和教導(dǎo)的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出各種修改和變更。符號說明11 基板12金屬化布線
121金屬化層122絕緣層1 4電子部件
權(quán)利要求
1.ー種電子設(shè)備，包括基板和電子部件， 上述基板具有金屬化布線； 上述金屬化布線包括金屬化層和絕緣層； 上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分以及上述低熔點金屬成分相互擴散接合， 上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，覆蓋上述金屬化層的外面； 上述電子部件與上述金屬化層電連接。
2.如權(quán)利要求I記載的電子設(shè)備， 上述高熔點金屬成分包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中選擇的至少I種； 上述低熔點金屬成分包含從Sn、In、Bi或Ga的群中選擇的至少I種。
3.如權(quán)利要求I記載的電子設(shè)備， 上述金屬化布線包含碳納米管。
4.如權(quán)利要求I記載的電子設(shè)備， 上述金屬化布線形成在金屬膜之上，上述金屬化層附著于上述金屬膜之上。
5.如權(quán)利要求I記載的電子設(shè)備， 上述電子設(shè)備是從計算機、移動信息設(shè)備、計算機周邊終端裝置、OA設(shè)備、通信設(shè)備、業(yè)務(wù)用信息終端及自動識別裝置、汽車電子設(shè)備，產(chǎn)業(yè)用機械、娛樂設(shè)備、音響設(shè)備、影像設(shè)備或家庭用電氣設(shè)備的群中選擇的至少ー種。
6.一種電子部件，將多個芯片部件層疊而成， 上述多個芯片部件由金屬化布線接合； 上述金屬化布線包括金屬化層和絕緣層； 上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分以及上述低熔點金屬成分相互擴散接合； 上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，覆蓋上述金屬化層的外面； 上述芯片部件的端子電極與上述金屬化層電連接。
7.如權(quán)利要求6記載的電子部件， 上述高熔點金屬成分包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中選擇的至少I種； 上述低熔點金屬成分包含從Sn、In、Bi或Ga的群中選擇的至少I種。
8.如權(quán)利要求6記載的電子部件， 上述金屬化布線包含碳納米管。
9.ー種太陽電池，包括半導(dǎo)體基板、第I金屬化布線以及第2金屬化布線， 上述半導(dǎo)體基板具有η型半導(dǎo)體層以及P型半導(dǎo)體層； 上述第I金屬化布線與上述η型半導(dǎo)體層連接； 上述第2金屬化布線與上述P型半導(dǎo)體層連接； 上述第I金屬化布線包括金屬化層和絕緣層，上述第2金屬化布線包括金屬化層和絕緣層； 上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分及上述低熔點金屬成分相互擴散接合； 上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，覆蓋上述金屬化層的外面。
10.如權(quán)利要求9記載的太陽電池， 上述高熔點金屬成分包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中選擇的至少I種； 上述低熔點金屬成分包含從Sn、In、Bi或Ga的群中選擇的至少I種。
11.如權(quán)利要求9記載的太陽電池， 上述金屬化布線包含碳納米管。
12.—種太陽能發(fā)電裝置，包括太陽電池， 上述太陽電池包括半導(dǎo)體基板、第I金屬化布線以及第2金屬化布線； 上述半導(dǎo)體基板具有η型半導(dǎo)體層以及P型半導(dǎo)體層； 上述第I金屬化布線與上述η型半導(dǎo)體層連接； 上述第2金屬化布線與上述P型半導(dǎo)體層連接； 上述第I金屬化布線包括金屬化層和絕緣層，上述第2金屬化布線包括金屬化層和絕緣層； 上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分及上述低熔點金屬成分相互擴散接合； 上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，覆蓋上述金屬化層的外面。
13.如權(quán)利要求12記載的太陽能發(fā)電裝置， 上述高熔點金屬成分包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中選擇的至少I種； 上述低熔點金屬成分包含從Sn、In、Bi或Ga的群中選擇的至少I種。
14.如權(quán)利要求12記載的太陽能電池， 上述金屬化布線包含碳納米管。
15.—種發(fā)光二極管,包括發(fā)光兀件、第I金屬化布線以及第2金屬化布線， 上述發(fā)光元件包括將η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層層疊而成的構(gòu)造； 上述第I金屬化布線與上述η型半導(dǎo)體層連接； 上述第2金屬化布線與上述P型半導(dǎo)體層連接； 上述第I金屬化布線包括金屬化層和絕緣層，上述第2金屬化布線包括金屬化層和絕緣層； 上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分及上述低熔點金屬成分相互擴散接合； 上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，覆蓋上述金屬化層的外面。
16.如權(quán)利要求15記載的發(fā)光二極管， 上述高熔點金屬成分包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中選擇的至少I種； 上述低熔點金屬成分包含從Sn、In、Bi或Ga的群中選擇的至少I種。
17.如權(quán)利要求15記載的發(fā)光二極管， 上述金屬化布線包含碳納米管。
18.一種發(fā)光裝置，具有發(fā)光二極管， 上述發(fā)光二極管包括發(fā)光元件、第I金屬化布線以及第2金屬化布線； 上述發(fā)光元件包括將η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層層疊而成的構(gòu)造； 上述第I金屬化布線與上述η型半導(dǎo)體層連接； 上述第2金屬化布線與上述P型半導(dǎo)體層連接； 上述第I金屬化布線包括金屬化層和絕緣層，上述第2金屬化布線包括金屬化層和絕緣層； 上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分及上述低熔點金屬成分相互擴散接合； 上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，覆蓋上述金屬化層的外面。
19.如權(quán)利要求18記載的發(fā)光裝置， 上述高熔點金屬成分包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中選擇的至少I種； 上述低熔點金屬成分包含從Sn、In、Bi或Ga的群中選擇的至少I種。
20.如權(quán)利要求18記載的發(fā)光裝置， 上述金屬化布線包含碳納米管。
21.ー種照明裝置，具有發(fā)光二極管， 上述發(fā)光二極管包括發(fā)光元件、第I金屬化布線以及第2金屬化布線； 上述發(fā)光元件包括將η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層層疊而成的構(gòu)造； 上述第I金屬化布線與上述η型半導(dǎo)體層連接； 上述第2金屬化布線與上述P型半導(dǎo)體層連接； 上述第I金屬化布線包括金屬化層和絕緣層，上述第2金屬化布線包括金屬化層和絕緣層； 上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分及上述低熔點金屬成分相互擴散接合； 上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，覆蓋上述金屬化層的外面。
22.如權(quán)利要求21記載的照明裝置， 上述高熔點金屬成分包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中選擇的至少I種； 上述低熔點金屬成分包含從Sn、In、Bi或Ga的群中選擇的至少I種。
23.如權(quán)利要求21記載的照明裝置， 上述金屬化布線包含碳納米管。
24.ー種信號燈，具有發(fā)光二極管， 上述發(fā)光二極管包括發(fā)光元件、第I金屬化布線以及第2金屬化布線， 上述發(fā)光元件包括將η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層層疊而成的構(gòu)造； 上述第I金屬化布線與上述η型半導(dǎo)體層連接； 上述第2金屬化布線與上述P型半導(dǎo)體層連接； 上述第I金屬化布線包括金屬化層和絕緣層，上述第2金屬化布線包括金屬化層和絕緣層；上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分及上述低熔點金屬成分相互擴散接合； 上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，覆蓋上述金屬化層的外面。
25.如權(quán)利要求24記載的信號燈， 上述高熔點金屬成分包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中選擇的至少I種； 上述低熔點金屬成分包含從Sn、In、Bi或Ga的群中選擇的至少I種。
26.如權(quán)利要求24記載的信號燈， 上述金屬化布線包含碳納米管。
27.ー種液晶顯示器，包括液晶面板和背光燈， 上述背光燈照射上述液晶面板，將多個發(fā)光二極管排列而成； 上述發(fā)光二極管包括發(fā)光元件、第I金屬化布線以及第2金屬化布線； 上述發(fā)光元件包括將η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層層疊而成的構(gòu)造； 上述第I金屬化布線與上述η型半導(dǎo)體層連接； 上述第2金屬化布線與上述P型半導(dǎo)體層連接； 上述第I金屬化布線包括金屬化層和絕緣層，上述第2金屬化布線包括金屬化層和絕緣層； 上述金屬化層包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，上述高熔點金屬成分及上述低熔點金屬成分相互擴散接合； 上述絕緣層與上述金屬化層同時形成，覆蓋上述金屬化層的外面。
28.如權(quán)利要求27記載的液晶顯示器， 上述高熔點金屬成分包含從Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中選擇的至少I種； 上述低熔點金屬成分包含從Sn、In、Bi或Ga的群中選擇的至少I種。
29.如權(quán)利要求27記載的液晶顯示器， 上述金屬化布線包含碳納米管。
全文摘要
提供一種電子設(shè)備，具有導(dǎo)電性、電氣化學(xué)的穩(wěn)定性、耐氧化性、填充性、細致性、機械及物理強度良好，而且對基板的粘接力、粘附力高的高品質(zhì)、高可靠性的金屬化布線。基板(11)具備具有規(guī)定的圖形的金屬化布線(12)。金屬化布線(12)包括金屬化層(121)和絕緣層(122)。金屬化層(121)包含高熔點金屬成分和低熔點金屬成分，高熔點金屬成分以及低熔點金屬成分相互擴散接合。絕緣層(122)與金屬化層(121)同時形成，覆蓋金屬化層(121)的外面。電子部件(14)與金屬化布線(12)的金屬化層(121)電連接。
文檔編號H05K1/09GK102686021SQ20121001674
公開日2012年9月19日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月8日
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