專利名稱：一種直拉單晶爐晶棒托架的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及一種直拉單晶爐晶棒托架，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設備領域。
背景技術(shù)：
單晶硅作為一種半導體材料，一般用于制造集成電路和其他電子元件，目前單晶硅的生長技術(shù)有兩種區(qū)熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法制造單晶硅時，多晶硅在石英坩堝內(nèi)加熱熔化，然后對熔融的硅略微降溫，給予一定的過冷度， 把一支具有特定晶向的硅單晶體(稱作籽晶)與熔融的硅接觸，通過調(diào)整熔融硅的溫度和籽晶的向上提升速度，使籽晶體長大至目標直徑，然后提高提升速度，使單晶體近恒直徑生長，在生長過程尾期，此時通過增加晶體的提升速度和調(diào)整向坩堝的供熱量將晶體直徑漸漸減小而形成一個尾部錐體，當錐體的尖足夠小時，晶體就會與熔體脫離，從而完成晶體生長過程。晶體生長結(jié)束后要將晶棒提升至副爐內(nèi)，然后旋轉(zhuǎn)副爐至單晶爐的一側(cè)，然后下降晶棒至副爐外，從而取出晶棒。在本實用新型做出之前，由于懸在副爐中的晶棒與籽晶夾頭之間有一段是614mm的籽晶，其破裂強度與抗拉強度均較小，且晶棒在下降過程中存在一定的晃動，因此晶棒很容易出現(xiàn)斷裂，存在極大的安全隱患。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種無安全隱患，使用方便的直拉單晶爐晶棒托架。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的一種直拉單晶爐晶棒托架，其特點是它包括固定板、導柱和托架板，所述導柱下部設置有一凸臺，所述托架板兩端均開有通孔，所述固定板的一端與導柱頂部相連接，固定板另一端通過螺栓固定在副爐下法蘭上，所述托架板一端通孔套裝在導柱上，托架板另一端通孔上設置有擋圈，所述擋圈通過壓片與螺栓固定在托架板上。所述擋圈與托架板上通孔的中心線重合。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是本實用新型一種直拉單晶爐晶棒托架，在晶棒生長結(jié)束后的取出過程中旋轉(zhuǎn)至晶棒下部對晶棒起支撐作用，其使用方便，且無安全隱患，避免了晶棒易受外部沖擊力折斷墜落對人身造成傷害和產(chǎn)品造成損失的風險。

圖1為本實用新型一種直拉單晶爐晶棒托架的結(jié)構(gòu)示意圖。其中固定板1、導柱2、螺栓3、擋圈4、壓片5、托架板6、副爐下法蘭7。
具體實施方式
參見圖1，本實用新型涉及一種直拉單晶爐晶棒托架，它包括固定板1、導柱2和托架板6，所述導柱2下部有一凸臺，托架板6兩端均開有通孔，托架板6 —端套裝在導柱2上， 可繞導柱2進行旋轉(zhuǎn)，導柱2上部與固定板1 一端相連接，固定板1另一端通過螺栓3固定在副爐下法蘭7上，托架板6另一端通孔上設置有擋圈4，擋圈4通過壓片5與螺栓3固定在托架板6上，擋圈4與通孔的中心線重合。晶體生長結(jié)束后被提升至副爐內(nèi)，旋轉(zhuǎn)副爐至單晶爐一側(cè)，旋轉(zhuǎn)托架板6對準晶棒，緩慢下降晶棒使其尾部錐體部分落入擋圈4內(nèi)，避免晶棒在取出過程中由于意外沖擊力折斷墜落而造成人身傷害和產(chǎn)品損失。
權(quán)利要求1.一種直拉單晶爐晶棒托架，其特征在于它包括固定板(1)、導柱(2)和托架板(6)， 所述導柱( 下部設置有一凸臺，所述托架板(6)兩端均開有通孔，所述固定板(1)的一端與導柱( 頂部相連接，所述托架板(6) —端通孔套裝在導柱( 上，托架板(6)另一端通孔上設置有擋圈G)，所述擋圈(4)通過壓片( 與螺栓(3)固定在托架板(6)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶爐晶棒托架，其特征在于所述擋圈(4)與托架板(6)上通孔的中心線重合。
專利摘要本實用新型涉及一種直拉單晶爐晶棒托架，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設備領域。它包括固定板(1)、導柱(2)和托架板(6)，所述導柱(2)下部設置有一凸臺，所述托架板(6)兩端均開有通孔，所述固定板(1)的一端與導柱(2)頂部相連接，所述托架板(6)一端通孔套裝在導柱(2)上，托架板(6)另一端通孔上設置有擋圈(4)，所述擋圈(4)通過壓片(5)與螺栓(3)固定在托架板(6)上。本實用新型一種直拉單晶爐晶棒托架，具有無安全隱患，使用方便的優(yōu)點。
文檔編號C30B15/00GK201942780SQ201020666410
公開日2011年8月24日 申請日期2010年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月18日
發(fā)明者施宇峰, 査如德, 査建洪 申請人:江陰市華英光伏科技有限公司