專(zhuān)利名稱(chēng)：電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)驅(qū)動(dòng)類(lèi)似有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件等電流型被驅(qū)動(dòng)器件 的晶體管的特性差異進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膯卧娐?、電子電路、電子裝置、電光 學(xué)裝置、驅(qū)動(dòng)方法及電子機(jī)器。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為替代現(xiàn)有的LCD (Liquid Crystal Display)器件的新一 代發(fā)光裝置，有機(jī)EL (Electronic Luminescence)器件受到注目。由于有 機(jī)EL器件是自發(fā)光型，所以受視角影響較小，另外，因不需要背光源和 反射光而電力消耗少等，因而作為顯示屏具有出色的特性。
作為用于驅(qū)動(dòng)這種有機(jī)EL器件的現(xiàn)有的電路，例如，可以舉出圖 14所示的構(gòu)成。在該電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的漏極，經(jīng)空穴注入用電 極，與電流型被驅(qū)動(dòng)器件L (有機(jī)EL器件)連接。開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的柵 極與掃描線(xiàn)S、源極與數(shù)據(jù)線(xiàn)D、漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極和電容元 件C的一端分別連接。電容元件C的另一端與電源線(xiàn)V連接。開(kāi)關(guān)晶體 管Tr3，由來(lái)自?huà)呙杈€(xiàn)S供給到柵極的選擇電位的控制而導(dǎo)通'截止，并 在該導(dǎo)通期間由來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)D所供給的信號(hào)電壓向電容元件中積蓄電 荷。
并且，通過(guò)由該電荷所產(chǎn)生的電容元件C的端子間電壓，向驅(qū)動(dòng)晶 體管Trl的柵極施加電壓，從而使對(duì)應(yīng)該電壓量的電流Ids由電源線(xiàn)V供 給被驅(qū)動(dòng)器件L。另外，相應(yīng)施加在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極上的電壓而使 驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極-漏極間的電導(dǎo)受到控制，因而可以確定作為被驅(qū) 動(dòng)器件的有機(jī)EL器件的亮度。
但是，在應(yīng)用上述電路的顯示屏制造過(guò)程中，對(duì)于構(gòu)成像素的被驅(qū) 動(dòng)器件L的特性，可以使整個(gè)顯示屏的各像素得到相對(duì)平均的狀態(tài)，而 對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的特性，因受到半導(dǎo)體膜的膜質(zhì)、或膜厚、雜質(zhì)濃度
或擴(kuò)散區(qū)域、柵極絕緣膜等的材質(zhì)、或膜厚、動(dòng)作溫度等各種條件的影 響，很難使整個(gè)顯示屏的各像素具有均勻的特性。
在此，當(dāng)通過(guò)薄膜晶體管構(gòu)成上述電路的各晶體管時(shí)，容易引起各 晶體管特性的不均一，特別是在用上述電路構(gòu)成顯示屏?xí)r，會(huì)造成對(duì)應(yīng)
驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極電壓的漏極-源極間電流特性的不均一的問(wèn)題。也 就是說(shuō)，即使在各像素的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極上施加相同的電壓，由于 流過(guò)有機(jī)EL器件的電流量，因所述不均一的存在而使每一像素不同，所 以造成各像素的發(fā)光亮度差異，因而明顯降低了顯示屏的圖像質(zhì)量。
由于上述原因，所以需要用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)電流型被驅(qū)動(dòng)器件的驅(qū)動(dòng)晶 體管的不均一的電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述原因而提出的，其目的在于，提供一種不易受驅(qū) 動(dòng)晶體管特性差異的影響，可以向類(lèi)似有機(jī)EL器件等電流型被驅(qū)動(dòng)器 件，供給目標(biāo)電流的單元電路、電子電路、電光學(xué)裝置、驅(qū)動(dòng)方法、以 及電子機(jī)器。
為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明的特征在于，包括被驅(qū)動(dòng)器件；控制 流向所述被驅(qū)動(dòng)器件的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管；與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極 連接的電容元件；以及與所述柵極直接連接、并構(gòu)成二極管連接的補(bǔ)償 晶體管，相應(yīng)通過(guò)所述補(bǔ)償晶體管的、作為數(shù)據(jù)信號(hào)所供給的數(shù)據(jù)電流， 設(shè)定所述驅(qū)動(dòng)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)這一構(gòu)成，例如，由于補(bǔ)償晶體 管與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極直接連接，所以使這兩個(gè)晶體管相互接近設(shè)置的 結(jié)果，可以對(duì)使這兩個(gè)晶體管的特性趨于一致，和調(diào)整特性比變得容易。 另外，流過(guò)補(bǔ)償晶體管的數(shù)據(jù)電流，直接反映到由驅(qū)動(dòng)晶體管所控制的 電流量上。在此，最好使其構(gòu)成為包括所述補(bǔ)償晶體管、和通過(guò)源極 或漏極中的一個(gè)極被串聯(lián)連接的第1開(kāi)關(guān)晶體管，所述第1開(kāi)關(guān)晶體管 的源極或漏極中的另一個(gè)極，與信號(hào)線(xiàn)連接，并當(dāng)通過(guò)所述第1開(kāi)關(guān)晶 體管使所述信號(hào)線(xiàn)與所述補(bǔ)償晶體管電連接時(shí)，所述數(shù)據(jù)電流流過(guò)所述 補(bǔ)償晶體管。
另外，為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明是，包括被驅(qū)動(dòng)器件；控制流
向所述被驅(qū)動(dòng)器件的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管；與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連 接的電容元件；與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的第1開(kāi)關(guān)晶體管；與所 述第1開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接的第1信號(hào)線(xiàn)；與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的 源極或漏極中的一個(gè)極連接的第2信號(hào)線(xiàn)；以及施加電源電壓的電源線(xiàn) 的單元電路，其特征在于，在所述電源線(xiàn)與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極 或漏極中的另一個(gè)極之間，具有串聯(lián)連接的補(bǔ)償晶體管及第2開(kāi)關(guān)晶體 管，所述補(bǔ)償晶體管構(gòu)成二極管連接，所述第2開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與不
同于所述第1信號(hào)線(xiàn)的第3信號(hào)線(xiàn)連接。另外，本發(fā)明是，包括受電 流驅(qū)動(dòng)的被驅(qū)動(dòng)器件；控制流向所述被驅(qū)動(dòng)器件的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管； 與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件；與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連 接的第1開(kāi)關(guān)晶體管；與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接的第1信號(hào)線(xiàn)； 與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的一個(gè)極連接的第2信號(hào)線(xiàn)；以 及施加電源電壓的電源線(xiàn)的單元電路，其特征在于，在所述電源線(xiàn)與所 述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極之間，串聯(lián)地連接有補(bǔ)償 晶體管及第2開(kāi)關(guān)晶體管，所述補(bǔ)償晶體管構(gòu)成二極管連接，所述第2 開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述第1信號(hào)線(xiàn)連接。無(wú)論哪種構(gòu)成，均可以補(bǔ)償 驅(qū)動(dòng)晶體管的不均一。在此，若對(duì)前一構(gòu)成和后一構(gòu)成進(jìn)行比較時(shí)，在 后一構(gòu)成中，由于第1及第2開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與同一信號(hào)線(xiàn)連接，所 以不需要第3信號(hào)線(xiàn)，因而可以減少布線(xiàn)數(shù)量。另外，所謂構(gòu)成二極管 連接的晶體管，就是其源極或漏極中的一個(gè)極，處于與柵極連接的狀態(tài) 的晶體管。另外，在前一構(gòu)成中，最好使其構(gòu)成為設(shè)有使所述第1開(kāi)關(guān) 晶體管及所述第2開(kāi)關(guān)晶體管都成為導(dǎo)通狀態(tài)的期間。
在此，在前一構(gòu)成及后一構(gòu)成中，最好構(gòu)成為使所述第2信號(hào)線(xiàn)， 是供給作為數(shù)據(jù)信號(hào)的電流的數(shù)據(jù)線(xiàn)。
另外，也可以構(gòu)成為使對(duì)應(yīng)流過(guò)所述補(bǔ)償晶體管的電流量的電荷， 蓄積在所述電容元件中。
雖然在所述驅(qū)動(dòng)晶體管與所述補(bǔ)償晶體管中，也希望相對(duì)于柵極電 壓的源極-漏極間的電流特性大致相同，但也可以構(gòu)成為使流過(guò)所述補(bǔ)償 晶體管的電流量，大于由所述驅(qū)動(dòng)晶體管所控制的電流量。
再有，最好使所述被驅(qū)動(dòng)器件為有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件。
另外，最好使所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第1及第2開(kāi)關(guān)晶體管、以及 所述補(bǔ)償晶體管，分別為薄膜晶體管，而對(duì)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管，最好是 隨使用期間變化小的P溝道型。
為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明的特征在于，包括相應(yīng)供給到第1掃 描線(xiàn)上的掃描信號(hào)而導(dǎo)通或截止、并且源極或漏極中的一個(gè)極與數(shù)據(jù)線(xiàn) 連接的第1開(kāi)關(guān)晶體管；在施加電源電壓的電源線(xiàn)與所述第1開(kāi)關(guān)晶體
管的源極或漏極中的另一個(gè)極之間串聯(lián)連接的補(bǔ)償晶體管及第2開(kāi)關(guān)晶 體管中起二極管作用的補(bǔ)償晶體管；相應(yīng)供給到與所述第1掃描線(xiàn)不同 的第2掃描線(xiàn)上的掃描信號(hào)而導(dǎo)通或截止的第2開(kāi)關(guān)晶體管；柵極與所
述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極連接、驅(qū)動(dòng)被驅(qū)動(dòng)器件的
驅(qū)動(dòng)晶體管；以及保持所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的電容元件。
另外，本發(fā)明的特征在于，包括相應(yīng)供給到第1掃描線(xiàn)上的掃描
信號(hào)而導(dǎo)通或截止、并且源極或漏極中的一個(gè)極與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的第1開(kāi)
關(guān)晶體管；在施加電源電壓的電源線(xiàn)與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏 極中的另一個(gè)極之間串聯(lián)連接的補(bǔ)償晶體管及第2開(kāi)關(guān)晶體管中起二極 管作用的補(bǔ)償晶體管；相應(yīng)供給到所述第1掃描線(xiàn)上的掃描信號(hào)而導(dǎo)通 或截止的第2開(kāi)關(guān)晶體管；柵極與所述第1開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中 的另一個(gè)極連接、驅(qū)動(dòng)被驅(qū)動(dòng)器件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及保持所述驅(qū)動(dòng)晶 體管的柵極電壓的電容元件。無(wú)論哪種構(gòu)成，均可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的 不均一。在此，若對(duì)前一構(gòu)成和后一構(gòu)成進(jìn)行比較時(shí)，在后一構(gòu)成中， 由于第1及第2開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與同一信號(hào)線(xiàn)連接，所以不需要第2 信號(hào)線(xiàn)，因而可以減少布線(xiàn)數(shù)量。
為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明的特征在于，包括相應(yīng)供給到掃描線(xiàn) 上的掃描信號(hào)而導(dǎo)通或截止、源極或漏極中的一個(gè)極與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的開(kāi) 關(guān)晶體管；在所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通期間中的至少一部分或全部期間內(nèi)
施加第1電源電壓的第1電源線(xiàn)與所述開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另 一個(gè)極之間起二極管作用的補(bǔ)償晶體管；柵極與所述開(kāi)關(guān)晶體管的源極 或漏極中的另一個(gè)極連接、自身的源極或漏極中的一個(gè)極與施加第2電 源電壓的第2電源線(xiàn)連接、并驅(qū)動(dòng)被驅(qū)動(dòng)器件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及保持 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的電容元件。
另外，本發(fā)明的特征在于，包括柵極與供給掃描信號(hào)的掃描線(xiàn)連 接、源極或漏極中的一個(gè)極與數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的開(kāi)關(guān)晶體管；在柵極與源極 或漏極連接的補(bǔ)償晶體管中，源極或漏極中的一個(gè)極，與相應(yīng)所述掃描 信號(hào)在所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通期間中的至少一部分或全部期間內(nèi)、施加 第1電源電壓的第1電源線(xiàn)連接，自身的源極或漏極中的另一個(gè)極，與 所述開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極連接的補(bǔ)償晶體管；柵極與 所述開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極中的另一個(gè)極連接的同時(shí)、自身的源極或 漏極中的一個(gè)極與施加第2電源電壓的第2電源線(xiàn)連接、并驅(qū)動(dòng)被驅(qū)動(dòng) 器件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及保持所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的電容元件。 無(wú)論哪種構(gòu)成，均可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的不均一，并可減少一個(gè)晶體管。
在此，最好使所述第1電源電壓與所述第2電源電壓大致相等。
另外，也可以至少用一個(gè)所述的單元電路，構(gòu)成電光學(xué)裝置、存儲(chǔ) 裝置、及傳感裝置等各種電子裝置。例如，若將所述單元電路用作像素 電路可以構(gòu)成電光學(xué)裝置。也可以將這種電光學(xué)裝置安裝于電子機(jī)器。
為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明的特征在于，具有多個(gè)單元電路，所述 多個(gè)單元電路中的每一個(gè)電路，包括具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng) 晶體管；具有第3端子及第4端子、所述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的 柵極連接的補(bǔ)償晶體管；具有第5端子及第6端子、所述第5端子與所 述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及所述第3端子連接的開(kāi)關(guān)晶體管；保持對(duì)應(yīng)流經(jīng) 所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管的電流的電荷量，并且其一端與所述 驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件，所述第4端子，與所述多個(gè)單元電 路中其它單元電路的所述第4端子一起，與第1電源線(xiàn)連接，所述第2 端子與第2電源線(xiàn)連接，并具有將所述第1電源線(xiàn)設(shè)定在多種電位、并 且，控制所述第1電源線(xiàn)與電源電位斷開(kāi)與接通的控制電路。根據(jù)這一 構(gòu)成，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的構(gòu)成補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。
在該電子電路中的所述單元電路的每一個(gè)電路中，不存在除了所述 驅(qū)動(dòng)晶體管、所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管之外的晶體管。因此， 不但可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，與現(xiàn)有的電路相比還可以減少一 個(gè)所使用的晶體管的個(gè)數(shù)。
在該電子電路中，所述補(bǔ)償晶體管的柵極與所述第3端子連接。因
此，可以通過(guò)充入電容元件的電壓，控制流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流。
在該電子電路中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管與所述補(bǔ)償晶體管的導(dǎo)電類(lèi)型相
同。因而，可以方便地對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管進(jìn)行補(bǔ)償。
在該電子電路中，在所述第1端子上連接有電子器件。由于驅(qū)動(dòng)晶
體管的閾值電壓受到補(bǔ)償，所以可以高精度地控制流過(guò)電子器件的電流
值。另外，電子器件是受電流驅(qū)動(dòng)的被驅(qū)動(dòng)器件。
在該電子電路中，所述控制電路，是包括第7端子及第8端子的晶
體管，所述第7端子與電源連接，而所述第8端子與所述第1電源線(xiàn)連
接。這樣，可以方便地構(gòu)成控制電路。
在該電子電路中，在電流流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管的
期間，至少使所述第1電源線(xiàn)及所述第2電源線(xiàn)的電位實(shí)質(zhì)上為同電位。
這樣，可以將通過(guò)補(bǔ)償晶體管生成的與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓近似相等 的電壓，可靠地供給到該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極上。
在該電子電路中，所述第1電源線(xiàn)和所述第2電源線(xiàn)可以與具有相 同電位的電源電連接。這樣，可以方便地使供給到第1電源線(xiàn)和第2電 源線(xiàn)上的電壓近似相等。
在該電子電路中，將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓設(shè)定為不高于所述 補(bǔ)償晶體管的閾值電壓。這樣，可以可靠地對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn) 行補(bǔ)償。
在該電子電路中，最好使流過(guò)所述補(bǔ)償晶體管的電流量，大于由所 述驅(qū)動(dòng)晶體管所控制的電流量。根據(jù)這一構(gòu)成，當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通時(shí)， 可以使對(duì)應(yīng)流過(guò)該開(kāi)關(guān)晶體管及補(bǔ)償晶體管的電流量的電荷迅速蓄積到 電容元件中。
也可以至少用一個(gè)所述電子電路，構(gòu)成例如電光學(xué)裝置、存儲(chǔ)裝置、 及傳感裝置等各種電子裝置。
另外，本發(fā)明的特征在于，具有多個(gè)單元電路，所述多個(gè)單元電路 中的每一個(gè)電路，包括具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng)晶體管；具有 第3端子及第4端子、所述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的補(bǔ) 償晶體管；具有第5端子及第6端子、所述第5端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管 的柵極及所述第3端子連接的開(kāi)關(guān)晶體管；與所述第1端子連接的電光
學(xué)器件；保持對(duì)應(yīng)流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管的電流的電荷 量，并且其一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件，與所述第4 端子連接的第1電源線(xiàn)，也與所述多個(gè)單元電路中至少一個(gè)其它單元電 路的所述第4端子共同連接，所述第2端子與第2電源線(xiàn)連接，并具有 將所述第1電源線(xiàn)設(shè)定在多種電位、并且，控制所述第1電源線(xiàn)與電源 電位斷開(kāi)與接通的控制電路。這樣，不但可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電 壓，與現(xiàn)有的電路相比可以減少一個(gè)所使用的晶體管，因而，可以提高 開(kāi)口率，提高顯示質(zhì)量。另外，由于與現(xiàn)有的電路相比可以減少一個(gè)構(gòu) 成單元電路的晶體管的個(gè)數(shù)，所以可以提高成品率。
在該電光學(xué)裝置中，所述電光學(xué)器件為有機(jī)EL器件。這樣，與現(xiàn)有 的電路相比通過(guò)減少一個(gè)所使用的晶體管，可以提高開(kāi)口率，并且，可 以高精度地控制有機(jī)EL期間的亮度等級(jí)。
在該電光學(xué)裝置中，所述控制電路，是包括第7端子及第8端子的 晶體管，所述第7端子與電源連接，而所述第8端子與所述第1電源線(xiàn) 連接。這樣，不但可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，與現(xiàn)有的電路相比 還可以方便地構(gòu)成減少一個(gè)所使用的晶體管的單元電路。
在該電光學(xué)裝置中，在電流流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管 的期間，至少使所述第1電源線(xiàn)及所述第2電源線(xiàn)的電位實(shí)質(zhì)上為同電 位。這樣，可以將由補(bǔ)償晶體管所生成的與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓近似 相等的電壓可靠地供給到該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極上。
在該電光學(xué)裝置中，所述第1電源線(xiàn)和所述第2電源線(xiàn)可以與具有 相同電位的電源電連接。這樣，可以方便的使供給到第1電源線(xiàn)和第2 電源線(xiàn)上的電壓近似相等。
在該電光學(xué)裝置中，將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓設(shè)定為不高于所 述補(bǔ)償晶體管的閾值電壓。這樣，可以可靠地對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓
進(jìn)行補(bǔ)償。因此，可以高精度地控制電光學(xué)器件的亮度等級(jí)。
本發(fā)明是一種電光學(xué)裝置，包括多條掃描線(xiàn)；多條數(shù)據(jù)線(xiàn)；對(duì)應(yīng) 所述多條掃描線(xiàn)與所述多條數(shù)據(jù)線(xiàn)的各交叉部分別設(shè)置的單元電路；以 及多條第l電源線(xiàn)，其特征在于，所述單元電路中的每一個(gè)電路，包括: 具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng)晶體管；具有第3端子及第4端子、所
述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的補(bǔ)償晶體管；具有第5端子
及第6端子、所述第5端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及所述第3端子連 接的開(kāi)關(guān)晶體管；與所述第1端子連接的電光學(xué)器件；保持對(duì)應(yīng)流經(jīng)所 述補(bǔ)償晶體管及所述開(kāi)關(guān)晶體管的電流的電荷量，并且其一端與所述驅(qū) 動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件， 一連串單元電路中的開(kāi)關(guān)晶體管的柵 極與一條掃描線(xiàn)共同連接，所述一連串單元電路的第4端子與一條第1 電源線(xiàn)共同連接，并具有將所述第1電源線(xiàn)中的每一條設(shè)定在多種電位、 并且，控制所述第1電源線(xiàn)與電源電位斷開(kāi)與接通的控制電路。這樣， 不但可以對(duì)設(shè)置在單元電路內(nèi)的所有的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ) 償，與現(xiàn)有的電路相比還可以減少一個(gè)所使用的晶體管，因而，可以提 高開(kāi)口率和顯示質(zhì)量。另外，由于與現(xiàn)有的電路相比可以減少一個(gè)構(gòu)成 單元電路的晶體管的個(gè)數(shù)，所以可以提高成品率。
在該電光學(xué)裝置中，所述一連串的單元電路的第2端子，與一條第2 電源線(xiàn)共同連接。這樣，可以提高顯示質(zhì)量。
在該電光學(xué)裝置中，所述補(bǔ)償晶體管的柵極，與其自身的第3端子 連接。這樣，可以將由補(bǔ)償晶體管所生成的與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓近 似相等的電壓可靠地供給到該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極上。
在該電光學(xué)裝置中，所述電光學(xué)器件為有機(jī)EL器件。這樣，可以高 精度地控制有機(jī)EL器件的亮度等級(jí)。
在該電光學(xué)裝置中，沿所述掃描線(xiàn)，設(shè)置同色的電光學(xué)器件。這樣， 可以進(jìn)一步提高開(kāi)口率。
本發(fā)明是具有多個(gè)包括具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng)晶體管； 具有第3端子及第4端子、所述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接 的補(bǔ)償晶體管；具有第5端子及第6端子、所述第5端子與所述驅(qū)動(dòng)晶 體管的柵極及所述第3端子連接的開(kāi)關(guān)晶體管；以及一端與所述驅(qū)動(dòng)晶 體管的柵極連接的電容元件的單元電路， 一連串單元電路的第4端子與 第1電源線(xiàn)共同連接，其特征在于，具有通過(guò)使所述一連串單元電路 的第4端子的每一個(gè)與所定電位電連接，并且，使所述一連串單元電路 中的開(kāi)關(guān)晶體管的每一個(gè)都成為導(dǎo)通狀態(tài)，而將對(duì)應(yīng)流經(jīng)所述補(bǔ)償晶體 管的電流的電荷量保持在電容元件中，從而通過(guò)對(duì)所述驅(qū)動(dòng)晶體管施加
對(duì)應(yīng)所述電荷量的電壓，設(shè)定所述第1端子與所述第2端子之間的導(dǎo)通 狀態(tài)的步驟；和將所述一連串單元電路的第4端子的每一個(gè)從所述所定 電位上實(shí)施電分離的步驟。這樣，可以對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ) 償后驅(qū)動(dòng)電子電路。
本發(fā)明是對(duì)應(yīng)多條掃描線(xiàn)與多條數(shù)據(jù)線(xiàn)的各交叉部，分別設(shè)置有包 括具有第1端子及第2端子的驅(qū)動(dòng)晶體管；具有第3端子及第4端子、 所述第3端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的補(bǔ)償晶體管；具有第5端
子及第6端子、所述第5端子與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及所述第3端子 連接的開(kāi)關(guān)晶體管；與所述第1端子連接的電光學(xué)器件；以及一端與所 述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的電容元件的單元電路， 一連串單元電路中的 開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與一條掃描線(xiàn)共同連接，所述一連串單元電路的第4 端子與一條第1電源線(xiàn)共同連接，其特征在于，具有通過(guò)使所述一連 串單元電路的第4端子的每一個(gè)與所定電位電連接，并且，分別向所述 一連串單元電路中的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極供給掃描信號(hào)使其成為導(dǎo)通狀 態(tài)，從而在與所述多條數(shù)據(jù)線(xiàn)中對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)電連接的期間，將對(duì)應(yīng)流 經(jīng)所述補(bǔ)償晶體管的電流的電流電平的電荷量保持在電容元件中，從而 通過(guò)對(duì)所述第1柵極施加對(duì)應(yīng)所述電荷量的電壓，設(shè)定所述第1端子與 所述第2端子之間的導(dǎo)通狀態(tài)的步驟；將所述一連串單元電路的第4端 子的每一個(gè)從所述所定電位上實(shí)施電分離的步驟。這樣，可以對(duì)驅(qū)動(dòng)晶 體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償后驅(qū)動(dòng)電光學(xué)裝置。
本發(fā)明的電子機(jī)器，由于安裝有所述電子電路或所述電光學(xué)裝置， 所以不但可以對(duì)電路內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償，與現(xiàn)有的電 路相比還可以減少一個(gè)所使用的晶體管，因而可以提高電子機(jī)器的成品 率。


圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例1的單元電路的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的
方框圖。
圖2 (a)、 (b)是分別表示作為單元電路的像素電路的構(gòu)成的圖。 圖3是用于說(shuō)明該像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。
圖4 (a) ~ (d)是分別表示該電光學(xué)裝置的制造過(guò)程的局部的圖。 圖5 (a)、 (b)是分別表示該電光學(xué)裝置的制造過(guò)程的局部的圖。 圖6是表示應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例2的單元電路的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的 方框圖。
圖7是表示該電光學(xué)裝置的顯示屏等構(gòu)成的圖。
圖8是表示作為該單元電路的像素電路的構(gòu)成的圖。
圖9是用于說(shuō)明該像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。
圖10是表示在實(shí)施例2的應(yīng)用例的電光學(xué)裝置中的顯示屏等構(gòu)成的圖。
圖11是表示應(yīng)用具有實(shí)施例的單元電路的電光學(xué)裝置的便攜式個(gè)人
計(jì)算機(jī)的構(gòu)成的立體圖。
圖12是表示應(yīng)用該電光學(xué)裝置的攜帶電話(huà)的構(gòu)成的立體圖。 圖13是表示應(yīng)用該電光學(xué)裝置的數(shù)碼照相機(jī)的構(gòu)成的立體圖。 圖14是表示現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)電流型被驅(qū)動(dòng)器件的單元電路一例的圖。 其中C一電容器；L一被驅(qū)動(dòng)器件；Trl一驅(qū)動(dòng)晶體管；Tr2—開(kāi)關(guān)
晶體管(第2開(kāi)關(guān)晶體管)；Tr3—開(kāi)關(guān)晶體管(第1開(kāi)關(guān)晶體管)；Tr4
一補(bǔ)償晶體管；V—電源線(xiàn);D"數(shù)據(jù)線(xiàn)；S—掃描線(xiàn)。
具體實(shí)施例方式
下面，結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。 (實(shí)施例1)
首先，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例1進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例1 的單元電路的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的圖。如該圖所示，在該電光學(xué)裝置中， 相互交叉地布設(shè)有多條掃描線(xiàn)(Sl、 S2、 S3、……)以及多條數(shù)據(jù)線(xiàn)(Dl、 D2、 D3、……)，并且在其交叉的各處，矩陣狀地分別設(shè)置有作為本實(shí)施 例的單元電路一例的像素電路20。
掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路130，以所定的時(shí)刻分別向掃描線(xiàn)Sl、 S2、 S3、…… 施加選擇電位Vsel。數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路140，分別向數(shù)據(jù)線(xiàn)D1、D2、D3、…… 供給作為數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)電流Idata。
另外，在圖1中省略了后面將敘述的電源線(xiàn)V。另外，在該說(shuō)明中，
有時(shí)將矩陣狀地布設(shè)有像素電路20的部分也稱(chēng)為顯示屏。在本實(shí)施例中，
應(yīng)顯示的一個(gè)像素對(duì)應(yīng)一個(gè)像素電路20，但也可以構(gòu)成為用多個(gè)子像素
顯示一個(gè)像素。
圖2 (a)是表示作為本實(shí)施例的單元電路的像素電路20的具體構(gòu)成 的電路圖。另外，該圖中的像素電路，是對(duì)應(yīng)一般的掃描線(xiàn)S與數(shù)據(jù)線(xiàn)D 的交叉方式的一種。
在該圖中，被驅(qū)動(dòng)器件L，例如，是受電流驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL器件，在 該圖中是用二極管符號(hào)表示的。該單元電路，除了被驅(qū)動(dòng)器件L,還包括 驅(qū)動(dòng)晶體管Trl、開(kāi)關(guān)晶體管Tr2 (第2開(kāi)關(guān)晶體管)、幵關(guān)晶體管Tr3 (第 l開(kāi)關(guān)晶體管)、補(bǔ)償晶體管Tr4、以及積蓄電荷的電容元件C。其中，驅(qū) 動(dòng)晶體管Td、補(bǔ)償晶體管Tr4，都是抗時(shí)間老化強(qiáng)的P溝道型薄膜晶體 管(Thin Film Transistor: TFT)，而開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、 Tr3是N溝道型TFT。
另外，各晶體管究竟是選擇P溝道型還是N溝道型哪種導(dǎo)電類(lèi)型， 不局限于這里所表示情況。并且，開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、 Tr3的導(dǎo)電類(lèi)型(N 溝道型還是P溝道型)也可以相互不同。但是，如果使幵關(guān)晶體管Tr2、 Tr3的導(dǎo)電類(lèi)型相互不同時(shí)，需要在掃描線(xiàn)S的基礎(chǔ)上另外設(shè)置與其邏輯 電平相反的掃描線(xiàn)，并與選為P溝道型的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接。
被驅(qū)動(dòng)器件L的一端，經(jīng)圖中沒(méi)有表示的空穴注入用電極與驅(qū)動(dòng)晶 體管Trl的漏極連接，而被驅(qū)動(dòng)器件L的另一端與陰極E連接。
另外，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極與電源線(xiàn)V連接，而其柵極分別與電 容元件C的一端、開(kāi)關(guān)晶體管Tr4的漏極、以及晶體管Tr4的漏極連接。 電容元件C的另一端與電源線(xiàn)V連接。
補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極與其自身的柵極連接。因此，補(bǔ)償晶體管Tr4 為二極管式連接。
另外，補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極與柵極，與電容元件C的一端(驅(qū)動(dòng) 晶體管Trl的柵極、開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的漏極)連接，并且，補(bǔ)償晶體管 Tr4的源極，與開(kāi)關(guān)晶體管Tr2的源極連接。開(kāi)關(guān)晶體管Tr2的漏極與電 源線(xiàn)V連接。開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的源極與數(shù)據(jù)線(xiàn)D連接，開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、 Tr3的柵極分別與掃描線(xiàn)S連接。
下面，對(duì)圖2 (a)的單元電路的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、
Tr3，經(jīng)掃描線(xiàn)S受施加在各自柵極上的選擇電位VSEL控制而導(dǎo)通 截 止。在這里的本實(shí)施例中，由于開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、 Tr3都是N溝道型，所 以當(dāng)選擇電位VSEL為高電平時(shí)分別導(dǎo)通。當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、 Tr3為導(dǎo) 通狀態(tài)經(jīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)D供給數(shù)據(jù)電流Idata時(shí)，由于補(bǔ)償晶體管Tr4的柵極與 源極電位相等，所以對(duì)于補(bǔ)償晶體管Tr4而言，
Vgs (柵極與源極的電位差)=Vds (漏極與源極的電位差) 成立，因而對(duì)應(yīng)這一狀態(tài)的電荷被積蓄在電容元件C中，由此使電 容元件C的端子間電壓施加在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極上。也就是說(shuō)，通 過(guò)由數(shù)據(jù)線(xiàn)D所供給的數(shù)據(jù)電流Idata的量控制驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極電 壓，從而使驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的漏極-源極間的電流量受到控制，進(jìn)而使流 過(guò)被驅(qū)動(dòng)器件L的電流Ids的值受到控制。
在上述電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與補(bǔ)償晶體管Tr4，構(gòu)成了所謂的電 流鏡電路，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的漏極-源極間的電流Ids的值，也就是供給 被驅(qū)動(dòng)器件L的電流值，與補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極-源極間的電流量成正 比。
另夕卜，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的漏極-源極間的電流Ids，與流過(guò)補(bǔ)償晶體管 Tr4的漏極-源極間的數(shù)據(jù)電流Idata之比，取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與補(bǔ)償 晶體管Tr4的特性。因此，通過(guò)使作為驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與補(bǔ)償晶體管Tr4
的特性之一的增益常數(shù)(當(dāng)在晶體管的柵及源極上施加一定的電壓時(shí)流 過(guò)該晶體管的電流量) 一致，可以使流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的電流Ids，與 流過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的數(shù)據(jù)電流Idata—致。特別是在本實(shí)施例中，由于 補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極是與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極直接連接的，所以通過(guò) 補(bǔ)償晶體管Tr4的數(shù)據(jù)電流Idata，直接反映由驅(qū)動(dòng)晶體管Trl所控制的 電流Ids，從而可以提高二者的一致性。
因此，如果使驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與補(bǔ)償晶體管TM的增益常數(shù)一致地 構(gòu)成顯示屏?xí)r，即使對(duì)應(yīng)每個(gè)顯示屏的像素所形成的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl有差 異，也可以向顯示屏的各像素中所包含的被驅(qū)動(dòng)器件L供給相同大小的 電流Ids。因此，可以抑制因驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的特性不均一所引起的亮度 差異。
如眾所周知的那樣，在含有被驅(qū)動(dòng)器件L的顯示屏的制造過(guò)程中，
使臨近的晶體管的特性相互一致是比較容易的。在如上所述的本實(shí)施例
中，補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極接近到了直接連接的 程度。因此，在同一像素電路中，使驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與補(bǔ)償晶體管Tr4的 增益常數(shù)一致，并不困難，因而，制造亮度差異少的顯示屏比較容易。
另外，在本實(shí)施例中，雖然驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極電壓是相應(yīng)由數(shù) 據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路140所供給的數(shù)據(jù)電流Idata而設(shè)定的，但由于驅(qū)動(dòng)晶體管 Trl與補(bǔ)償晶體管Tr4構(gòu)成了所謂的電流鏡電路，所以可以抑制因溫度變 化等所引起的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的漏極-源極間的電流Ids的變動(dòng)，因而也 能起到穩(wěn)定電路的目的。
在圖2 (a)的電路中，使補(bǔ)償晶體管Tr4介于開(kāi)關(guān)晶體管Tr2與開(kāi) 關(guān)晶體管Tr3之間，但如圖2(b)所示，也可以使其介于開(kāi)關(guān)晶體管Tr2 與電源線(xiàn)V之間。另外，在該電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的漏極-源極間電 流Ids，也與圖2 (a)所示的電路同樣，取決于流過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的數(shù) 據(jù)電流Idata。
圖3是用于說(shuō)明圖2所示的單元電路動(dòng)作的時(shí)序圖。
首先，使掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路130供給掃描線(xiàn)S的選擇電位VSEL為高 電平，并使數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路140向數(shù)據(jù)線(xiàn)D供給數(shù)據(jù)電流Idata。
當(dāng)選擇電位VSEL為高電平時(shí)，由于開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、 Tr3均變?yōu)閷?dǎo) 通狀態(tài)，所以數(shù)據(jù)電流Idata，沿電源線(xiàn)V、開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、補(bǔ)償晶體管 Tr4、開(kāi)關(guān)晶體管Tr3、以及數(shù)據(jù)線(xiàn)D這一路徑流動(dòng)。
相應(yīng)該數(shù)據(jù)電流Idata，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極電壓被確定，從而由 電源線(xiàn)V供給相應(yīng)該柵極電壓的電流Ids使被驅(qū)動(dòng)器件L發(fā)光的同時(shí)， 該柵極電壓由電容元件C所保持。因此，即使選擇電位VSEL變?yōu)榈碗?平而使開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、 Tr3都變成截止?fàn)顟B(tài)，相應(yīng)所保持的柵極電壓的 電流Ids仍能繼續(xù)流入被驅(qū)動(dòng)器件L中，因而，被驅(qū)動(dòng)器件L的發(fā)光狀態(tài) 一直維持到下一次選擇電位VSEL再次成為高電平為止。
但是，構(gòu)成電流鏡電路的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與補(bǔ)償晶體管Tr4的增益 常數(shù)，并不局限于如上所述的使其一致的情況，可以相應(yīng)應(yīng)用該單元電 路的顯示屏的尺寸和掃描頻率等各種要求適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
例如，也可以構(gòu)成使補(bǔ)償晶體管Tr4的增益常數(shù)，大于驅(qū)動(dòng)晶體管
Trl的增益常數(shù)。根據(jù)這種構(gòu)成，由于流過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的電流Idata， 會(huì)大于流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的電流Ids，所以可以縮短在電容元件C中電 荷蓄積的所需的時(shí)間。因此，可以解決伴隨顯示屏的像素?cái)?shù)量的增加或 大尺寸化所需的掃描頻率的高頻率化。
與此相反，也可以構(gòu)成使補(bǔ)償晶體管Tr4的增益常數(shù)，小于驅(qū)動(dòng)晶 體管Trl的增益常數(shù)。根據(jù)這種構(gòu)成，由于取決于補(bǔ)償晶體管Tr4的數(shù)據(jù) 電流Idata，會(huì)小于取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的電流Ids，所以可以抑制在電 容元件C中的電荷蓄積時(shí)所消耗的電力。
另外，在圖2 (a)或圖2 (b)中，同一行的像素電路20的開(kāi)關(guān)晶 體管Tr2、 Tr3的柵極，具有相互與同一掃描線(xiàn)S連接的構(gòu)成。但并不局 限于這種構(gòu)成，也可以構(gòu)成為設(shè)置與掃描線(xiàn)S不同的掃描線(xiàn)，也就是說(shuō)， 對(duì)應(yīng)每一行設(shè)置兩條掃描線(xiàn)，并使開(kāi)關(guān)晶體管Tr2、 Tr3的柵極與相互不 同的掃描線(xiàn)S連接。在此，若對(duì)兩種構(gòu)成進(jìn)行比較，前一構(gòu)成(對(duì)應(yīng)每 一行像素電路20具有一條掃描線(xiàn)的構(gòu)成)與后一構(gòu)成(對(duì)應(yīng)每一行像素 電路20具有兩條掃描線(xiàn)的構(gòu)成)相比，由于有較少的所需布線(xiàn)區(qū)域即可， 所以容易提高通過(guò)確保有效光學(xué)面積而決定的開(kāi)口率。
下面，對(duì)在上述像素電路20的制造過(guò)程中的TFT及像素的制造過(guò)程 進(jìn)行說(shuō)明。
首先，在玻璃基板上，通過(guò)用SiH4的PECVD或用Si2H6的LPCVD，
形成非晶硅的同時(shí)，通過(guò)激元激光等激光照射或固相生長(zhǎng)，使該非晶硅 多晶化，形成多晶硅層2 (參照?qǐng)D4 (a))。
將多晶硅層2圖形化，并形成柵極絕緣膜3后，進(jìn)而形成柵極4(參 照?qǐng)D4 (b))。
然后，把柵極4用作掩膜，通過(guò)自身整合將磷或硼等雜質(zhì)摻入多晶 硅層2，形成晶體管5a、 5b。另外，在這里，晶體管5a、 5b的導(dǎo)電型分 別為P型和N型。形成第1層間絕緣膜6后，開(kāi)結(jié)點(diǎn)孔，進(jìn)而形成源極 及漏極7 (參照?qǐng)D4 (c))。
然后，形成第2層間絕緣膜8后，開(kāi)結(jié)點(diǎn)孔，進(jìn)而形成由ITO(Indium Tin Oxide)形成的像素電極9 (參照?qǐng)D4 (d))。
通過(guò)形成緊貼層10使其覆蓋這樣形成的第2層間絕緣膜8及像素電
極9，對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域形成開(kāi)口部。進(jìn)而，形成層間層11，同樣對(duì)應(yīng)發(fā)光
區(qū)域形成開(kāi)口部(參照?qǐng)D5 (a))。
然后，通過(guò)氧等離子體或CF4等離子體等等離子處理，控制基板表 面的濕潤(rùn)性。然后，通過(guò)液相處理或真空處理分別形成空穴注入層12及 發(fā)光層13。另外，對(duì)于液相處理，可以舉出旋轉(zhuǎn)涂敷、橡膠滾軸涂敷、 噴墨處理等，而對(duì)于真空處理，可以舉出濺射和蒸鍍等。再接著，形成 含有鋁等金屬的陰極14。最后，形成密封層15，完成有機(jī)EL器件(參 照?qǐng)D5 (b))。
在此，緊貼層10的作用是提高基板與層間層11的接觸程度，和得 到正確的發(fā)光面積。另外，層間層ll的作用是，使陰極14遠(yuǎn)離柵極4、 源極及漏極7從而降低寄生電容，和通過(guò)液相處理形成空穴注入層12和 發(fā)光層13時(shí)，控制表面的濕潤(rùn)性使其能進(jìn)行正確的圖形形成。另外，也 可以在發(fā)光層13上設(shè)置電子輸送層(圖中沒(méi)有表示)。
(實(shí)施例2)
在上述實(shí)施例1中，例如，通過(guò)使驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與補(bǔ)償晶體管Tr4 的增益常數(shù)相同，可以使驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的漏極-源極間的電流Ids，與流 過(guò)補(bǔ)償晶體管Tr4的漏極-源極間的數(shù)據(jù)電流Idata—致。因此，即使在驅(qū) 動(dòng)晶體管Trl方面產(chǎn)生特性差異，也可以向所有像素的被驅(qū)動(dòng)器件L供 給相同大小的電流Ids，因而可以抑制因驅(qū)動(dòng)晶體管的特性差異所引起的 亮度不勻。
但是，在實(shí)施例l中，由圖2 (a)或圖2 (b)中可以看出，在一個(gè) 像素電路中共需要四個(gè)晶體管。因此，從顯示屏的角度出發(fā)，容易造成 相應(yīng)晶體管數(shù)量份的成品率下降和開(kāi)口率下降。
因此，下面對(duì)在抑制驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的特性差異所引起的亮度不均 勻的基礎(chǔ)上，可以減少一個(gè)像素中所需晶體管個(gè)數(shù)的實(shí)施例2進(jìn)行說(shuō)明。
圖6表示應(yīng)用實(shí)施例2的單元電路的有機(jī)EL顯示器的構(gòu)成的方框圖。
如該圖所示，有機(jī)EL顯示器100，包括信號(hào)生成電路110、顯示 屏部120、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路140、以及電源線(xiàn)控制 電路150。
有機(jī)EL顯示器100中的信號(hào)生成電路110、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路130、 數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路140、以及電源線(xiàn)控制電路150，也可以分別由單獨(dú)的電 子零件構(gòu)成。例如，信號(hào)生成電路IIO、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū) 動(dòng)電路140、以及電源線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路150，也可以分別由單片半導(dǎo)體集成電 路裝置構(gòu)成。另外，信號(hào)生成電路IIO、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū) 動(dòng)電路140、及電源線(xiàn)控制電路150中的全部或一部分，也可以由可編程 IC芯片構(gòu)成，并通過(guò)寫(xiě)入該IC芯片的程序以軟件的方法實(shí)現(xiàn)其功能。
信號(hào)生成電路IIO，根據(jù)來(lái)自圖中沒(méi)有表示的外部裝置的圖像數(shù)據(jù)， 在顯示屏部120上作成用于顯示圖像的掃描控制信號(hào)及數(shù)據(jù)控制信號(hào)。 并且，信號(hào)生成電路IIO，向掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路130輸出所述掃描控制信號(hào) 的同時(shí)，向數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路140輸出所述數(shù)據(jù)控制信號(hào)。另外，信號(hào)生 成電路110 ，向電源線(xiàn)控制電路150輸出定時(shí)控制信號(hào)。
圖7是表示顯示屏部120及數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路140內(nèi)部構(gòu)成的圖。如 該圖所示，顯示屏部120，在對(duì)應(yīng)沿列方向延伸的M條數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm (m = 1~M; m為整數(shù))，與沿行方向延伸的N條掃描線(xiàn)Yn (n == 1 N; n為整 數(shù))的交叉部的位置，分別具有作為單元電路的像素電路200。也就是說(shuō)， 各像素電路200，通過(guò)分別與沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm，和沿行方向延 伸的掃描線(xiàn)Yn連接，排列成矩陣狀構(gòu)成電子電路。
另外，在每行中，分別沿行方向(掃描線(xiàn)的延設(shè)方向)設(shè)有第1電 源線(xiàn)L1和第2電源線(xiàn)L2。
像素電路200，包括與實(shí)施例1中的被驅(qū)動(dòng)器件L同樣的有機(jī)EL器 件210。 1行份的像素電路200，與對(duì)應(yīng)該行的第1電源線(xiàn)Ll及第2電源 線(xiàn)L2連接。也就是說(shuō)，l行份的像素電路200，相互共用第1電源線(xiàn)L1 及第2電源線(xiàn)L2。
在此，各行的第l電源線(xiàn)L1，經(jīng)晶體管Q分別間接地與電壓供給線(xiàn) VL連接，而各行的第2電源線(xiàn)L2，分別直接地與電壓供給線(xiàn)VL連接， 從而構(gòu)成向像素電路200供給驅(qū)動(dòng)電壓Vdd。
掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路130，相應(yīng)由信號(hào)生成電路IIO所輸出的掃描控制信 號(hào)，在多條掃描線(xiàn)Yn中按順序一條條選擇掃描線(xiàn)，并對(duì)所選擇的掃描線(xiàn)
供給代表這一選擇的掃描信號(hào)。
數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路140，具有對(duì)應(yīng)每一條數(shù)據(jù)線(xiàn)的線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器230， 一個(gè) 線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器230，與與其對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)的一端連接。在此，線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器230， 根據(jù)由信號(hào)生成電路IIO所輸出的數(shù)據(jù)控制信號(hào)，生成數(shù)據(jù)電流Idata， 并供給所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)。
一般來(lái)說(shuō)，第m列的線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器230，在選擇第n行的掃描線(xiàn)Yn時(shí)， 向第m列的數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm中，供給指示包含位于n行m列的像素電路200 的有機(jī)EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata。
另外，在像素電路200中，如后面將要敘述的那樣，當(dāng)相應(yīng)供給在 對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)上的數(shù)據(jù)電流Idata設(shè)定內(nèi)部狀態(tài)時(shí)，構(gòu)成為相應(yīng)該內(nèi)部狀 態(tài)控制供給到有機(jī)EL器件210的驅(qū)動(dòng)電流Ids。
電源線(xiàn)控制電路150，分別向設(shè)在每一行的電源線(xiàn)控制線(xiàn)F供給電 源線(xiàn)控制信號(hào)，控制各行晶體管Q的導(dǎo)通*截止。具體而言，電源線(xiàn)控 制電路150，根據(jù)由信號(hào)生成電路110所輸出的掃描控制信號(hào)，生成某行 的電源線(xiàn)控制信號(hào)，使其與代表該行的掃描線(xiàn)的選擇的掃描信號(hào)完全一 致，并且，使其選擇狀態(tài)在時(shí)間上有部分重復(fù)，并供給對(duì)應(yīng)該行的電源 線(xiàn)控制線(xiàn)F。
圖8是表示作為實(shí)施例2的單元電路的像素電路200的具體構(gòu)成的 電路圖。在該圖中，示出了各像素電路200中，對(duì)應(yīng)第n行的掃描線(xiàn)Yn 與第m列的數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm的交叉處。
如圖8所示，像素電路200，包括三個(gè)晶體管和一個(gè)電容元件。具體 地說(shuō)，像素電路200，包括驅(qū)動(dòng)晶體管Trd、補(bǔ)償晶體管TrC、開(kāi)關(guān)晶體 管Trs、以及作為電容元件的保持用電容器C1。
另外，在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd及補(bǔ)償晶體管TrC的導(dǎo)電類(lèi) 型分別為P型(P溝道)，而開(kāi)關(guān)晶體管Trs的導(dǎo)電類(lèi)型為N型(N溝道)， 但對(duì)于這些導(dǎo)電類(lèi)型的選擇，并不局限于這里所示的情況。另外，像素 電路200中的晶體管，通常由TFT (薄膜晶體管)形成。
驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的漏極(第l端子)，與由及EL器件210的陽(yáng)極連 接。有機(jī)EL器件210的陰極接地。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極(第2端子)， 與第2電源線(xiàn)L2連接。第2電源線(xiàn)L2，與設(shè)置在顯示屏部120的右端
的電壓供給線(xiàn)VL連接。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極(第1柵極)，與接點(diǎn)N 連接。另外，接點(diǎn)N指的是，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極、保持用電容器C1 的一端、開(kāi)關(guān)晶體管Trs的漏極、以及補(bǔ)償晶體管TrC的漏極的連接點(diǎn)。 保持用電容器C1的另一端，與驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極，也就是第2電源 線(xiàn)L2連接。
開(kāi)關(guān)晶體管Trs的漏極(第6端子)，與數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm連接，其漏極(第 5端子)，與接點(diǎn)N連接。另外，幵關(guān)晶體管Trs的柵極，與掃描線(xiàn)Yn 連接。因此，當(dāng)向掃描線(xiàn)Yn中，供給代表該掃描線(xiàn)Yn被選擇的掃描信 號(hào)時(shí)(成為高電平時(shí))，開(kāi)關(guān)晶體管Trs成為導(dǎo)通狀態(tài)。
在接點(diǎn)N上，不僅連接有補(bǔ)償晶體管TrC的漏極(第3端子)，還連 接有它的柵極。另外，補(bǔ)償晶體管TrC的源極(第4端子)，與第l電源 線(xiàn)Ll連接。因此，補(bǔ)償晶體管TrC，起到了把從第1電源線(xiàn)Ll到接點(diǎn)N 作為通過(guò)方向的二極管的作用。
另外，在各像素電路200內(nèi)所布置形成的晶體管，通常由TFT (薄
膜晶體管)形成。
第1電源線(xiàn)L1，經(jīng)作為控制電路的晶體管Q與電壓供給線(xiàn)VL連接。
而且，第1電源線(xiàn)Ll與第2電源線(xiàn)L2構(gòu)成電源線(xiàn)L。
晶體管Q的柵極，與電源線(xiàn)控制線(xiàn)F連接。晶體管Q，相應(yīng)經(jīng)電源 線(xiàn)控制線(xiàn)F、由電源線(xiàn)控制電路150所供給的電源線(xiàn)控制信號(hào)，成為電切 斷狀態(tài)(截止?fàn)顟B(tài))或電連接狀態(tài)(導(dǎo)通狀態(tài))中的一種狀態(tài)。由于晶 體管Q的導(dǎo)電類(lèi)型為P型(P溝道)，所以當(dāng)電源線(xiàn)控制信號(hào)為低電平時(shí)， 晶體管Q成為導(dǎo)通狀態(tài)。
其次，參照?qǐng)D9對(duì)有機(jī)EL顯示器100的像素電路200的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn) 行說(shuō)明。圖9是用于說(shuō)明這一驅(qū)動(dòng)方法時(shí)序圖。
首先，在數(shù)據(jù)寫(xiě)入期間TrP，當(dāng)通過(guò)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路130供給代表掃 描線(xiàn)Yn的選擇的掃描信號(hào)時(shí)(掃描線(xiàn)Yn為高電平時(shí))，開(kāi)關(guān)晶體管Trs 為導(dǎo)通狀態(tài)。配合這一掃描信號(hào)的供給，由于向電源線(xiàn)控制線(xiàn)F供給使 晶體管Q導(dǎo)通的低電平電源線(xiàn)控制信號(hào)，所以在數(shù)據(jù)寫(xiě)入期間TrP，晶體
管Q也成為導(dǎo)通狀態(tài)。
因此，電流沿電壓供給線(xiàn)VL、晶體管Q、第1電源線(xiàn)L1、補(bǔ)償晶
體管TrC、開(kāi)關(guān)晶體管Trs、以及數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm這一路徑流過(guò)。這時(shí)流過(guò)的 電流，就是由線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器230所生成的數(shù)據(jù)電流Idata，也就是指示n行m 列的像素電路200中有機(jī)EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata。
并且，在接點(diǎn)N上產(chǎn)生相應(yīng)這時(shí)流過(guò)的數(shù)據(jù)電流Idata的電壓VC1， 被保持用電容器C1所保持的同時(shí)，施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極。因此， 驅(qū)動(dòng)電流Ids流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，從而使有機(jī)EL器件210開(kāi)始發(fā)光。
然后，當(dāng)數(shù)據(jù)寫(xiě)入期間TrP結(jié)束，到達(dá)發(fā)光期間TEL時(shí)，掃描線(xiàn)Yn 變成低電平。因此，開(kāi)關(guān)晶體管Trs成為截止?fàn)顟B(tài)。配合這種掃描信號(hào)的 狀態(tài)變化，由于電源線(xiàn)控制信號(hào)變?yōu)楦唠娖?，所以晶體管Q也成為截止 狀態(tài)。即使開(kāi)關(guān)晶體管Trs及晶體管Q都成為截止?fàn)顟B(tài)，由于在驅(qū)動(dòng)晶 體管Trd的柵極上，施加有由保持用電容器C1所保持的電壓VC1，所以 有機(jī)EL器件210的發(fā)光狀態(tài)， 一直會(huì)維持到下一次掃描線(xiàn)Yn被再次選 擇為止(晶體管Q再次導(dǎo)通為止)。
并且，這一動(dòng)作，在對(duì)應(yīng)掃描線(xiàn)Yn的一行份的像素電路200的每一 電路中，也分別同時(shí)進(jìn)行。另外，從像素電路200整體來(lái)看，是按第l、 2、 3、……、N行的掃描線(xiàn)順序進(jìn)行。
另外，數(shù)據(jù)寫(xiě)入期間TrP和發(fā)光期間TEL構(gòu)成驅(qū)動(dòng)周期Tc。該驅(qū)動(dòng)
周期Tc，是指有機(jī)EL器件210的亮度一次接一次被更新的周期意思，
與所謂的幀期間(垂直掃描期間)意思相同。
為了簡(jiǎn)要地說(shuō)明上述像素電路的動(dòng)作機(jī)理，若考慮補(bǔ)償用晶體管TrC
的閾值電壓VTH2并進(jìn)行表示時(shí)，所述接點(diǎn)N的電位Vn，可以表示為產(chǎn) 生在保持用電容器Cl的電壓VC1，與由驅(qū)動(dòng)電壓Vdd中減去補(bǔ)償用晶 體管TrC的閾值電壓VTH2的值(Vn = Vdd — Vth2)之和補(bǔ)償用晶體 管TrC的閾值電壓VTH2的值(Vn = Vdd — Vth2)之和。也就是說(shuō)，
可以用下列式(1)表示。
Vg = VCl +Vdd — Vth2 ...... (1)
驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極-源極電壓Vgs，由于是其柵極電位Vg與驅(qū) 動(dòng)用晶體管Trd的源極電位Vs (等于Vdd)之差(Vg — Vs)，所以驅(qū) 動(dòng)晶體管柵極-源極間電壓Vgs，可以表示為下列式(2)。 Vgs = Vg — Vs ...... (2)
在該式(2)中，當(dāng)代入式(1)中所示的Vg及Vs (等于Vdd)時(shí)， 可以得到下列式(3)。
Vgs = VCl+Vdd — Vth2 — Vdd
=VC1 — Vth2 ...... (3)
在此，若如上所述使補(bǔ)償晶體管TrC的閾值電壓Vth2，與驅(qū)動(dòng)晶體 管Trd的閾值電壓Vthl近似相等時(shí)，式(3)中表示的柵極-源極間電壓 Vgs，可以表示為下列式(4)。
Vgs = VCl — Vthl ...... (4)
而流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極-漏極間的電流Ids,可以表示為下列式 (5)。
Ids= (1/2) P (— Vgs — Vthl) 2 ...... (5)
該式中的P為增益常數(shù)，可以表示為 P= ( y AW/L)。
其中，y為載流子遷移率，A為柵極電容，W為信道頻寬，L為信道長(zhǎng)。
將式(4)中的Vgs代入使(5)時(shí)，
Ids= (1/2) P (— VCl+Vthl — Vthl) 2
=(1/2) P (— VC1) 2 ...... (6)
從式(6)中可以看出，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極-漏極間的電流 Ids,僅取決于產(chǎn)生在保持用電容器Cl上的電壓VCl。
一般來(lái)說(shuō)，使相互靠近的晶體管的閾值特性等趨于一直比較容易。 因此，由于使類(lèi)似同一像素電路這種極其靠近的補(bǔ)償晶體管TrC與驅(qū)動(dòng) 晶體管Trd的閾值電壓特性趨于一致也比較容易，所以可以使流過(guò)有機(jī) EL器件210的電流Ids，不受驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓特性的影響，而 取決于數(shù)據(jù)電流Idata。
也就是說(shuō)，在實(shí)施例2中，由于補(bǔ)償晶體管TrC的漏極與驅(qū)動(dòng)晶體 管Trd的柵極直接連接，所以其靠近的結(jié)果，可以容易地使兩個(gè)晶體管的 特性趨于一致的同時(shí)，使通過(guò)補(bǔ)償晶體管的數(shù)據(jù)電流Idata，直接反映在 由驅(qū)動(dòng)晶體管Trd所控制的電流Ids中，并可以提高二者的一致性。
因此，在顯示屏部120中的每個(gè)像素電路200中，即使因不均一而
產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓不同，由于不會(huì)對(duì)流過(guò)有機(jī)EL器件210 的電流Ids產(chǎn)生影響，所以與所述實(shí)施例1同樣，也可以抑制由驅(qū)動(dòng)晶體 管的特性差異所引起的亮度不均勻。
再有，在實(shí)施例2中，形成在一個(gè)像素電路200中的晶體管是三個(gè)， 與實(shí)施例1的像素電路20的四個(gè)相比，可以減少一個(gè)。因此，根據(jù)實(shí)施 例2，除了可以抑制由驅(qū)動(dòng)晶體管的特性差異所引起的亮度不均勻這一點(diǎn) 之外，還可以防止由晶體管不良所引起的成品率下降，并通過(guò)確保相當(dāng) 于一個(gè)像素的開(kāi)口面積，從而可以提高開(kāi)口率。
另外，在實(shí)施例2中，也可以與實(shí)施例1同樣進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)定。例 如，也可以使補(bǔ)償晶體管TrC的增益常數(shù)，構(gòu)成為大于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd 的增益常數(shù)。根據(jù)這種構(gòu)成，由于流過(guò)補(bǔ)償晶體管TrC的電流Idata，大 于流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的電流Ids，所以可以縮短在電容元件C中積蓄電 荷的所需時(shí)間。因此，可以針對(duì)伴隨顯示屏的像素?cái)?shù)量的增加或大尺寸 化所需的掃描頻率的高頻率化。
與此相反，也可以使補(bǔ)償晶體管TrC的增益常數(shù)，構(gòu)成為小于驅(qū)動(dòng) 晶體管Trd的增益常數(shù)。根據(jù)這種構(gòu)成，由于取決于補(bǔ)償晶體管TrC的 數(shù)據(jù)電流Idata，小于取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的電流Ids，所以可以降低在 電容元件C的電荷積蓄時(shí)的電力消耗。
在實(shí)施例2中，雖然最好將開(kāi)關(guān)用晶體管Trs及晶體管Q設(shè)定為， 在數(shù)據(jù)寫(xiě)入期間TrP均為導(dǎo)通狀態(tài)，在發(fā)光期間TEL均為截止?fàn)顟B(tài)，但 并不特別限定于此。另外，雖然最好使驅(qū)動(dòng)電流Ids設(shè)定為，在數(shù)據(jù)寫(xiě)入 期間TrP不流過(guò)有機(jī)EL器件210，而在發(fā)光期間TEL流過(guò)，但并不特別 限定于此。
通過(guò)使補(bǔ)償晶體管TrC的信道寬度等大于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的，與驅(qū) 動(dòng)晶體管Trd和補(bǔ)償晶體管TrC的尺寸相同使相比，由于在供給低灰度 的數(shù)據(jù)時(shí)作為數(shù)據(jù)電流Idata也可以利用相對(duì)高的電流，所以可以抑制由
寄生電容等引起的動(dòng)作延遲。
另外，在像素電路200中，最好將驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓VTHl 設(shè)定為大于補(bǔ)償晶體管TrC的閾值電壓VTH2，但并不特別限定于此。例 如，使有機(jī)EL器件210在數(shù)據(jù)寫(xiě)入期間TrP也發(fā)光時(shí)，也可以將驅(qū)動(dòng)晶
體管Trd的閾值電壓VTH1設(shè)定為小于補(bǔ)償晶體管TrC的閾值電壓 VTH2。
另外，供給電源線(xiàn)控制信號(hào)的期間與供給掃描信號(hào)的期間在時(shí)間上 設(shè)定為完全或部分地重疊。也就是，在與數(shù)據(jù)寫(xiě)入期間TrP幾乎相同的 期間將晶體管Q設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)。但是，通過(guò)在供給代表掃描線(xiàn)的選擇 的掃描信號(hào)之前供給使晶體管Q導(dǎo)通的電源線(xiàn)控制信號(hào)，有時(shí)可以得到 所期望的抑制由數(shù)據(jù)電流Idata所設(shè)定的驅(qū)動(dòng)用晶體管Trd的柵極電壓隨 驅(qū)動(dòng)電壓Vdd變化的情況。
另外，在圖7中，是將電壓供給線(xiàn)VL設(shè)置在顯示屏部120的右端， 但并不局限于此，例如，也可以設(shè)置在顯示屏部120的左端，另外，雖 然將晶體管Q及電壓供給線(xiàn)VL，與電源線(xiàn)控制電路150分開(kāi)單獨(dú)構(gòu)成， 但也可以設(shè)置在電源線(xiàn)控制電路150內(nèi)部。
再有，雖然將晶體管Q用作控制電路，但替代晶體管Q，也可以設(shè) 置能在低電位與高電位之間進(jìn)行切換的開(kāi)關(guān)。為了提高驅(qū)動(dòng)晶體管Trd 的驅(qū)動(dòng)能力，也可以采用包括緩沖電路或源極跟隨器電路的電壓輸出器 電路等，充分降低第2電源線(xiàn)L2或電壓供給線(xiàn)VL的阻抗。
(實(shí)施例2的應(yīng)用) 在圖7所示的顯示屏中，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，對(duì)用單色進(jìn)行灰度顯示的 例子進(jìn)行了說(shuō)明，但當(dāng)考慮作為實(shí)際的顯示屏的功能時(shí)，有時(shí)需要進(jìn)行 彩色顯示。因此，作為實(shí)施例2的應(yīng)用例，對(duì)用于彩色顯示的電光學(xué)裝 置進(jìn)行說(shuō)明。
圖10是表示該應(yīng)用例的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的方框圖。另外，圖10 中的電光學(xué)裝置，是采用作為電光學(xué)器件的有機(jī)EL器件的有機(jī)EL顯示 器，對(duì)于與圖7中相同的構(gòu)成部分使用了相同的符號(hào)，而省略其詳細(xì)說(shuō) 明。
在圖10中，顯示屏部120，由具有輻射紅色光的有機(jī)EL器件210 的紅用像素電路200R、具有輻射綠色光的有機(jī)EL器件210的綠用像素 電路200G、和具有輻射藍(lán)色光的有機(jī)EL器件210的藍(lán)用像素電路200B 構(gòu)成。
在此，在顯示屏部120中，第1行布設(shè)紅用像素電路200R，第2行 布設(shè)綠用像素電路200G，第3行布設(shè)藍(lán)用像素電路200B，第4行布設(shè)紅 用像素電路200R，之后，重復(fù)這一布設(shè)狀態(tài)。也就是說(shuō)，相同顏色的像 素電路，沿掃描線(xiàn)的延設(shè)方向布設(shè)一行份，并且， 一行份的同色像素電 路，兼用掃描線(xiàn)、第l電源線(xiàn)L1及第2電源線(xiàn)L2。
另外，各色的像素電路200R、 200G、 200B的電路構(gòu)成，分別與圖 8所示的像素電路200的電路構(gòu)成相同。
在該應(yīng)用例中的電壓供給線(xiàn)，為了供給每種顏色專(zhuān)用的驅(qū)動(dòng)電壓設(shè) 置有三條。也就是說(shuō)，電壓供給線(xiàn)VLR，供給紅用像素電路200R的驅(qū)動(dòng) 電壓VddR，電壓供給線(xiàn)VLG，供給綠用像素電路200G的驅(qū)動(dòng)電壓VddG， 電壓供給線(xiàn)VLB，供給藍(lán)用像素電路200B的驅(qū)動(dòng)電壓VddB。
另外，分別沿行方向，每行設(shè)置有第l電源線(xiàn)L1及第2電源線(xiàn)L2。 在此，對(duì)應(yīng)位于同一行的紅用像素電路200R的第1電源線(xiàn)L1，經(jīng)晶體 管QR間接地與電壓供給線(xiàn)VLR連接，當(dāng)該晶體管QR導(dǎo)通時(shí)供給驅(qū)動(dòng) 電壓VddR，而第2電源線(xiàn)L2，與電壓供給線(xiàn)VLR直接連接，常時(shí)供給 驅(qū)動(dòng)電壓VddR。
對(duì)于位于同一行的綠用像素電路200G和藍(lán)用像素電路200B，也分 別與紅用像素電路200R相同。也就是說(shuō)，對(duì)應(yīng)位于同一行的綠用像素電 路200G的第1電源線(xiàn)L1，當(dāng)該晶體管QG導(dǎo)通時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電壓VddG， 而第2電源線(xiàn)L2，常時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電壓VddG，另外，對(duì)應(yīng)位于同一行的 藍(lán)用像素電路200B的第1電源線(xiàn)Ll，當(dāng)該晶體管QB導(dǎo)通時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電 壓VddB，而第2電源線(xiàn)L2，常時(shí)供給驅(qū)動(dòng)電壓VddB。
下面，對(duì)在應(yīng)用例的電光學(xué)裝置中的像素電路200R、 200G、 200B 的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，當(dāng)選擇第1行的掃描線(xiàn)Yl并供給代表這一消息的掃描信號(hào)時(shí) (當(dāng)掃描線(xiàn)Y1為高電平時(shí))，在每個(gè)位于第1行的紅用像素電路200R中，
開(kāi)關(guān)晶體管Trs變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。配合這一掃描信號(hào)的供給，由于第1行的 電源線(xiàn)控制信號(hào)成為低電平，所以第1行的晶體管QR也變成導(dǎo)通狀態(tài)。 再有，配合這一掃描信號(hào)的供給，指示第1行的像素電路200R中的 有機(jī)EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata，分別供給到各列的數(shù)據(jù)線(xiàn)。
因此，在第1行的每個(gè)像素電路200R中，通過(guò)在保持用電容器C1 中積蓄對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電流Idata的電荷，可以保持驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極電壓。 因而，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，開(kāi)始向紅用有機(jī)EL器件210供給對(duì)應(yīng)該柵極電 壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids，從而使紅用有機(jī)EL器件210開(kāi)始發(fā)光。
然后，當(dāng)選擇第2行的掃描線(xiàn)Y2并供給代表這一消息的掃描信號(hào)時(shí) (當(dāng)掃描線(xiàn)Y2為高電平時(shí))，在每個(gè)位于第2行的綠用像素電路200G 中，開(kāi)關(guān)晶體管Trs變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。配合這一掃描信號(hào)的供給，由于第2 行的電源線(xiàn)控制信號(hào)成為低電平，所以第2行的晶體管QG也變成導(dǎo)通狀 態(tài)。
配合這一掃描信號(hào)的供給，指示第2行的像素電路200G中的有機(jī) EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata，分別供給到各列的數(shù)據(jù)線(xiàn)。
因此，在第2行的每個(gè)像素電路200G中，通過(guò)在保持用電容器C1 中積蓄對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電流Idata的電荷，可以保持驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極電壓。 因而，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，開(kāi)始向綠用有機(jī)EL器件210供給對(duì)應(yīng)該柵極電 壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids，從而使綠用有機(jī)EL器件210開(kāi)始發(fā)光。
另外，當(dāng)選擇第2行掃描線(xiàn)Y2時(shí)，在第1行的每個(gè)像素電路200R 中，雖然開(kāi)關(guān)晶體管Trs及晶體管QR都成為截止?fàn)顟B(tài)，但其驅(qū)動(dòng)晶體管 Trd，由于向紅用有機(jī)EL器件210供給相應(yīng)由保持用電容器Cl所保持的 柵極電壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids，所以紅用有機(jī)EL器件210的發(fā)光狀態(tài)將被維 持。
其次，當(dāng)選擇第3行的掃描線(xiàn)Y3并供給代表這一消息的掃描信號(hào)時(shí) (當(dāng)掃描線(xiàn)Y3為高電平時(shí))，在每個(gè)位于第3行的藍(lán)用像素電路200B中， 開(kāi)關(guān)晶體管Trs變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。配合這一掃描信號(hào)的供給，由于第3行的 電源線(xiàn)控制信號(hào)成為低電平，所以第3行的晶體管QB也變成導(dǎo)通狀態(tài)。
配合這一掃描信號(hào)的供給，指示第3行的像素電路200B中的有機(jī) EL器件210的亮度的數(shù)據(jù)電流Idata，分別供給到各列的數(shù)據(jù)線(xiàn)。
因此，在第3行的每個(gè)像素電路200B中，通過(guò)在保持用電容器C1 中積蓄對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電流Idata的電荷，可以保持驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極電壓。 因而，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd，開(kāi)始向藍(lán)用有機(jī)EL器件210供給對(duì)應(yīng)該柵極電 壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids，從而使藍(lán)用有機(jī)EL器件210開(kāi)始發(fā)光。
另外，當(dāng)選擇第3行掃描線(xiàn)Y3時(shí)，在第2行的每個(gè)像素電路200G 中，雖然開(kāi)關(guān)晶體管Trs及晶體管QG都成為截止?fàn)顟B(tài)，但其驅(qū)動(dòng)晶體管 Trd，由于向綠用有機(jī)EL器件210供給相應(yīng)由保持用電容器C1所保持的 柵極電壓的驅(qū)動(dòng)電流Ids,所以綠用有機(jī)EL器件210的發(fā)光狀態(tài)將被維持。
接下去，相同的動(dòng)作在第4、 5、 6、……、直到第N行為止按順序 重復(fù)進(jìn)行后，再次選擇第1行掃描線(xiàn)Y1，數(shù)據(jù)(對(duì)應(yīng)蓄積在保持用電容 器C1中的數(shù)據(jù)電流Idata的電荷)將被重寫(xiě)。
這種應(yīng)用例的有機(jī)EL顯示器100，也可以得到與實(shí)施例2同樣的效果。
一般來(lái)說(shuō)，紅、綠、藍(lán)有機(jī)EL器件210的發(fā)光效率相互不同，對(duì)于 驅(qū)動(dòng)電壓，有時(shí)也需要針對(duì)每種顏色設(shè)定最佳值。在應(yīng)用例的構(gòu)成中， 由于將同一色的像素電路布設(shè)在同一行內(nèi)，并且，共用第1電源線(xiàn)L1及 第2電源線(xiàn)L2，按每種顏色供給驅(qū)動(dòng)電壓，所以比較容易針對(duì)每種顏色 設(shè)定最佳驅(qū)動(dòng)電壓。另外，因有機(jī)EL器件210長(zhǎng)期發(fā)光而造成劣化等， 也有需要針對(duì)每種顏色再次設(shè)定驅(qū)動(dòng)電壓的時(shí)候，但在應(yīng)用例中，這種 針對(duì)每種顏色的驅(qū)動(dòng)電壓的再設(shè)定也比較容易。
另外，在如上所述的實(shí)施例l、 2及其應(yīng)用例中，作為單元電路(電 子電路)舉了像素電路的例子，但也可以應(yīng)用于RAM等(特別是MRAM) 存儲(chǔ)裝置。另外，作為被驅(qū)動(dòng)器件舉出了有機(jī)EL器件的例子，但也可以 是無(wú)機(jī)EL器件也可以是LED或FED。甚至也可以是光檢測(cè)器件等傳感 器件。
(電子機(jī)器)
下面，對(duì)應(yīng)用包括實(shí)施例1、 2及其應(yīng)用例的單元電路的電光學(xué)裝置 的電子機(jī)器中的幾種情況進(jìn)行說(shuō)明。
圖11是表示應(yīng)用該電光學(xué)裝置的便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的立體圖。 如該圖所示，包括實(shí)施例的單元電路的電光學(xué)裝置300，被用作個(gè)人計(jì)算 機(jī)2100的顯示單元。另外，在個(gè)人計(jì)算機(jī)2100的主體2104上，具有鍵 盤(pán)2102。
圖12是表示應(yīng)用上述電光學(xué)裝置300的攜帶電話(huà)機(jī)構(gòu)成的立體圖。 在該圖中，攜帶電話(huà)機(jī)2200，除了具有多個(gè)操作按鈕2202之外，還具有 受話(huà)口 2204、送話(huà)口 2206，以及上面所述的電光學(xué)裝置300。
圖13是表示將上述電光學(xué)裝置300應(yīng)用于取景器的數(shù)碼照相機(jī)的構(gòu) 成的立體圖。銀鹽照相機(jī)，是通過(guò)被攝體的光像使膠片感光，而數(shù)碼照 相機(jī)2300，是通過(guò)CCD (Charge Coupled Device)等攝像器件對(duì)被攝體 進(jìn)行光電變換生成并存儲(chǔ)攝像信號(hào)。在此，在數(shù)碼照相機(jī)2300的主體2302 的背面，設(shè)置了如上所述的電光學(xué)裝置300。該電光學(xué)裝置300，因相應(yīng) 攝像信號(hào)進(jìn)行顯示，所以可以起到顯示被攝體的取景器的作用。另外， 在主體2302的前面(圖13中的背面)上，設(shè)置有包括光學(xué)鏡頭和CCD 等的受光單元2304。
當(dāng)攝影者確認(rèn)顯示在電光學(xué)裝置300中的被攝體像，并按下快門(mén) 2306時(shí)，對(duì)應(yīng)這一時(shí)刻的CCD攝像信號(hào)，就被輸送并存儲(chǔ)到電路板2308 的存儲(chǔ)器中。
另外，在該數(shù)碼照相機(jī)2300的外殼2302的側(cè)面上，設(shè)置有用于實(shí) 施外部顯示的視頻信號(hào)輸出端子2312、和數(shù)據(jù)通信用輸入輸出端子2314。
另外，作為應(yīng)用上述電光學(xué)裝置的電子機(jī)器，除了圖ll所示的個(gè)人 計(jì)算機(jī)、圖12所示的攜帶電話(huà)機(jī)、及圖13所示的數(shù)碼照相機(jī)之外，還 可以舉出液晶電視機(jī)、取景器型或監(jiān)視器型攝像機(jī)、汽車(chē)導(dǎo)航裝置、尋 呼機(jī)、電子筆記本、計(jì)算器、文字處理器、工作站、可視電話(huà)、電子收 款機(jī)系統(tǒng)終端、以及具有觸摸操作屏的機(jī)器等。并且，作為這些各種各 樣的電子機(jī)器的顯示部，毫無(wú)疑問(wèn)，都可以應(yīng)用實(shí)施例的電光學(xué)裝置。
綜上所述，通過(guò)本發(fā)明可以做到，不易受驅(qū)動(dòng)晶體管的差異的影響 地，向類(lèi)似有機(jī)EL器件等電流型被驅(qū)動(dòng)器件，供給作為目標(biāo)的電流。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，包括多條第一信號(hào)線(xiàn)；多條第二信號(hào)線(xiàn)；多條電源線(xiàn)；以及多個(gè)單元電路，所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)包括第一晶體管和第二晶體管；第一晶體管具有第一柵極、第一端子和第二端子；第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)確定通過(guò)第一晶體管提供給被驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)電壓中的至少之一的電平；以及所述多條電源線(xiàn)與所述多條第一信號(hào)線(xiàn)交叉；對(duì)第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)定包括根據(jù)從所述多條第二信號(hào)線(xiàn)的一條第二信號(hào)線(xiàn)提供的數(shù)據(jù)信號(hào)設(shè)定第一柵極的柵極電壓；以及根據(jù)流經(jīng)第一柵極和該一條第二信號(hào)線(xiàn)的數(shù)據(jù)電流的電流電平、通過(guò)第二晶體管來(lái)設(shè)定第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。
2. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其特征在于， 所述多條第一信號(hào)線(xiàn)是多條掃描線(xiàn)； 所述多條第二信號(hào)線(xiàn)是多條數(shù)據(jù)線(xiàn)；以及 所述被驅(qū)動(dòng)元件是電光元件。
3. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其特征在于， 對(duì)第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)定包括對(duì)第一晶體管的特性進(jìn)行補(bǔ)償。
4. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其特征在于， 所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)包括第二晶體管；以及. 根據(jù)流經(jīng)第一柵極和一條第二信號(hào)線(xiàn)的數(shù)據(jù)電流的電流電平、通過(guò)第二晶體管來(lái)設(shè)定第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。
5. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其特征在于， 所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)進(jìn)一步包括具有第二柵極、第三端子和第四端子的第二晶體管；以及 第二柵極被連接到所述多條第一信號(hào)線(xiàn)的一條第一信號(hào)線(xiàn)。
6. 如權(quán)利要求5所述的電子裝置，其特征在于，第二晶體管根據(jù)通過(guò)一條第一信號(hào)線(xiàn)提供的第一信號(hào)控制該一條第 一信號(hào)線(xiàn)和第一柵極之間的電連接。
7. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其特征在于， 還包括多個(gè)附加電源線(xiàn)；所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)包括具有第三柵極、第五端子和第六端 子的第三晶體管；以及第六端子被連接到所述多個(gè)附加電源線(xiàn)的一條附加電源線(xiàn)； 數(shù)據(jù)電流在一條附加電源線(xiàn)和一條信號(hào)線(xiàn)之間的流過(guò)；以及 根據(jù)數(shù)據(jù)電流的電流電平設(shè)定第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。
8. 如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，多條附加電源線(xiàn)的電勢(shì)可以被設(shè)定為多個(gè)電壓。
9. 如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述多條附加電源線(xiàn)能夠被設(shè)定為浮動(dòng)狀態(tài)。
10. —種電子裝置，包括 多條第一信號(hào)線(xiàn)； 多條第二信號(hào)線(xiàn)； 多條第一電源線(xiàn)；以及 多個(gè)單元電路；所述多個(gè)單元電路的每一個(gè)包括第一晶體管； 第一晶體管具有第一柵極、第一端子和第二端子；第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)對(duì)應(yīng)于提供給被驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)電壓的至少之一的電平；第二端子被連接到所述多條第一電源線(xiàn)的一條第一電源線(xiàn)； 對(duì)第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)定包括根據(jù)從所述多條第二信號(hào)線(xiàn)的一條第二信號(hào)線(xiàn)提供的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)對(duì)第一柵極的柵極電壓進(jìn)行設(shè)定；以及所述多條第一電源線(xiàn)的電勢(shì)可以被設(shè)定為多個(gè)電壓；以及 所述多條第一電源線(xiàn)中的一條第一電源線(xiàn)被連接到控制該一條第一 電源線(xiàn)的電勢(shì)的開(kāi)關(guān)元件。
11. 如權(quán)利要求10所述的電子裝置，其特征在于，對(duì)第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)定包括對(duì)第一晶體管的特性進(jìn)行補(bǔ)償。
12. 如權(quán)利要求10所述的電子裝置，其特征在于，根據(jù)流經(jīng)第一柵極和一條第二信號(hào)線(xiàn)的數(shù)據(jù)電流的電流電平、通過(guò) 第二晶體管來(lái)設(shè)定第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。
全文摘要
一種單元電路、電子電路、電子裝置、電光學(xué)裝置、驅(qū)動(dòng)方法及電子機(jī)器，在包括電流型被驅(qū)動(dòng)器件L；控制對(duì)其供給的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1；與其柵極連接的電容元件C；與驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的柵極連接的開(kāi)關(guān)晶體管Tr3；與開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的柵極連接的掃描線(xiàn)S；與開(kāi)關(guān)晶體管Tr3的源極或漏極連接的數(shù)據(jù)線(xiàn)D；經(jīng)開(kāi)關(guān)晶體管Tr3與信號(hào)線(xiàn)連接的電源線(xiàn)V的像素電路中，使構(gòu)成二極管連接的補(bǔ)償晶體管Tr4介于電源線(xiàn)V與開(kāi)關(guān)晶體管Tr3之間。從而補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管Tr1的特性不均一。
文檔編號(hào)H05B33/14GK101373577SQ20081016927
公開(kāi)日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2002年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月10日
發(fā)明者宮澤貴士 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社