專利名稱：布線電路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及布線電路基板，具體涉及具備通過熔融金屬與外部端子連接的端子部的布線電路基板。
背景技術(shù)：
布線電路基板中，與外部端子連接的端子部通常作為導(dǎo)體圖形的一部分設(shè)置。
為了將外部端子連接在這樣的端子部，例如使用焊球等熔融金屬，在端子部的表面設(shè)置焊球，通過將焊球熔融與外部端子進(jìn)行連接。
可是，如果端子部的表面是平坦的，則焊球會(huì)滾動(dòng)，因此，例如提出在形成在基板上電極(端子部)的中央設(shè)置空穴部，能夠穩(wěn)定地搭載焊球的方案(例如，參考日本特許公開公報(bào)平11-266066號(hào))。
還有一種方案，即在這種形成環(huán)狀的電極上鍍焊錫，層疊環(huán)狀的焊錫鍍層，確保焊球的大的連接面積(例如，參考日本特許公開公報(bào)平11-266066號(hào)公報(bào))。
可是，在日本特許公開公報(bào)平11-266066號(hào)公報(bào)中記載的環(huán)狀電極中，基板從空穴部的下端露出，因此，即使在空穴部設(shè)置焊球，也只能確保和該空穴部的周圍的電極電氣連接的面積，往往連接面積不夠。
此外，雖然在形成環(huán)狀的電極上如層疊環(huán)狀的焊錫鍍層，就能確保更大的連接面積，但焊錫鍍層隨著焊球的熔融而熔融，尤其在導(dǎo)體圖形是微細(xì)時(shí)，常常會(huì)由于焊錫流出，導(dǎo)致電極之間發(fā)生短路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具備能夠在防止端子部之間的短路的同時(shí)，確保大的連接面積，并且能夠通過熔融金屬與外部端子切實(shí)連接的端子部的布線電路基板。
本發(fā)明的布線電路基板的特征是，在具備絕緣層和在前述絕緣層上形成的導(dǎo)體圖形的布線電路基板中，前述導(dǎo)體圖形包含通過熔融金屬與外部端子連接用的端子部，在前述端子部，接受上述熔融金屬的凹部與上述導(dǎo)體圖形形成為一體。
在本發(fā)明的布線電路基板中，較好是在絕緣層的與設(shè)置有上述導(dǎo)體圖形的一面相對(duì)一側(cè)的另一面上，設(shè)置有金屬支持層。
在本發(fā)明的布線電路基板中，在端子部，接受熔融金屬的凹部與導(dǎo)體圖形一體形成。因此，如將熔融金屬設(shè)置在凹部，就能夠利用凹部保持熔融金屬，同時(shí)通過凹部的內(nèi)周面、連接在該內(nèi)周面的下端的底面確保與熔融后的熔融金屬的電氣連接面積。其結(jié)果是，能夠確保大的連接面積。另外，因凹部與導(dǎo)體圖形一體形成，可防止隨著熔融金屬的熔融而熔融。其結(jié)果是，能夠防止端子部之間的短路。


圖1是顯示本發(fā)明的布線電路基板的一實(shí)施方式的的帶電路懸置式基板的立體圖。
圖2是顯示圖1所示的帶電路懸置式基板的制造方法的一實(shí)施方式的工序圖，(a)是準(zhǔn)備支持基板的工序圖；(b)是在支持基板上，按照規(guī)定圖形形成基礎(chǔ)絕緣層的工序圖；(c)是在基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖形的工序圖；(d)是在基礎(chǔ)絕緣層上，按照規(guī)定圖形形成覆蓋絕緣層的工序圖；(e)是在各磁頭側(cè)連接端子部和各外部側(cè)連接端子部形成電鍍層的工序圖。
圖3是在圖2所示的支承板上形成基礎(chǔ)絕緣層的詳細(xì)工序圖，(a)是在支承基板的整個(gè)面上形成感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體的表面表面薄膜的工序圖；(b)是通過光掩膜使表面表面薄膜曝光的工序圖；(c)是使表面表面薄膜顯影的工序圖；(d)是使表面薄膜固化，形成聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的基礎(chǔ)絕緣層的工序圖。
圖4是在圖2所示的基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖形的詳細(xì)工序圖，(a)是在從基礎(chǔ)絕緣層露出的支持基板的表面和基礎(chǔ)絕緣層的整個(gè)面上形成金屬薄膜的工序圖；(b)是在金屬薄膜表面，按照導(dǎo)體圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍層的工序圖；(c)是在從抗鍍層露出的金屬薄膜的表面上形成導(dǎo)體圖形的工序圖；(d)是除去抗鍍層的工序圖；(e)是除去從導(dǎo)體圖形露出的金屬薄膜的工序圖。
圖5是在圖2所示的基礎(chǔ)絕緣層上，按照規(guī)定圖形形成覆蓋絕緣層的詳細(xì)工序圖，(a)是在含有導(dǎo)體圖形的基礎(chǔ)絕緣層和支持基板的整個(gè)面上形成感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體的表面薄膜的工序圖；(b)是通過光掩膜使表面薄膜曝光的工序圖；(c)是使表面薄膜顯影的工序圖；(d)是使表面薄膜固化，形成由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層的工序圖。
圖6是圖1所示的帶電路懸置式基板的外部側(cè)連接端子部放大截面圖。
圖7是顯示本發(fā)明的布線電路基板的一實(shí)施方式的單面撓性布線電路基板的的截面圖。
圖8是顯示比較例1的帶電路懸置式基板制造方法的工序圖，(a)是準(zhǔn)備支持基板的工序；(b)是在支持基板上，以規(guī)定圖形形成基礎(chǔ)絕緣層的工序；(c)是在基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖形的工序；(d)是在基礎(chǔ)絕緣層上，按照規(guī)定圖形形成覆蓋絕緣層的工序；(e)是在各磁頭側(cè)的連接端子部和各外部側(cè)連接端子部形成電鍍層的工序。
圖9是顯示比較例2的帶電路懸置式基板制造方法的工序圖，(a)是準(zhǔn)備支持基板的工序；(b)是在支持基板上，按照規(guī)定圖形形成基礎(chǔ)絕緣層的工序；(c)是在基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖形的工序；(d)是在基礎(chǔ)絕緣層上，按照規(guī)定圖形形成覆蓋絕緣層的工序；(e)是在各磁頭側(cè)的連接端子部和各外部側(cè)連接端子部形成電鍍層的工序圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是顯示本發(fā)明的布線電路基板的一實(shí)施方式的帶電路懸置式基板的立體圖。
在圖1中，該帶電路懸置式基板1是，安裝驅(qū)動(dòng)硬盤用的磁頭(未圖示)，承受該磁頭與磁盤相對(duì)移動(dòng)時(shí)的氣流，在磁頭與磁盤之間保持微小間隔，支持磁頭的部件，磁頭與讀·寫基板連接用的導(dǎo)體圖形4一體形成。
該帶電路懸置式基板1中，在作為金屬支持層的支持基板2上形成作為絕緣層的基礎(chǔ)絕緣層3，在該基礎(chǔ)絕緣層3上形成導(dǎo)體圖形4。
支持基板2，由縱向伸長(zhǎng)的薄板構(gòu)成，在其前端部形成安裝磁頭用的萬向架5，并且，在其后端部，按照在寬度方向(支持基板2的縱向正交的方向)一方側(cè)外突那樣，形成端子配置部6，其用于沿著支持基板2縱向配置后述的各外部側(cè)連接端子8。
基礎(chǔ)絕緣層3，是以包括在支持基板2形成的導(dǎo)體圖形4的部分在內(nèi)的規(guī)定的圖形形成的。
導(dǎo)體圖形4，整體設(shè)置多條布線4a、4b、4c、4d、磁頭側(cè)連接端子7、作為端子部的外部側(cè)連接端子8。多條布線4a、4b、4c、4d沿著支持基板2的縱向伸長(zhǎng)，在其寬度方向相互間隔并列配置。
磁頭側(cè)連接端子7，配置在支持基板2的前端部，對(duì)應(yīng)各布線4a、4b、4c、4d分別設(shè)置的。各磁頭側(cè)連接端子7從各布線4a、4b、4c、4d的尖端部連續(xù)、一體形成的，沿著支持基板2的寬度方向相互隔開間隔配置，在該磁頭側(cè)的連接端子7安裝磁頭(未圖示)。
外部側(cè)連接端子8，是支持基板2的后端部，配置在端子配置部6，對(duì)應(yīng)各布線4a、4b、4c、4d分別設(shè)置。各外部側(cè)連接端子8是從各布線4a、4b、4c、4d的后端部連續(xù)、一體形成的，沿著支持基板2的縱向方向相互間隔配置的。在該外部側(cè)連接端子8，通過作為熔融金屬的焊球21(參照?qǐng)D6)與作為外部端子的讀·寫基板的連接端子(未圖示)連接。
各外部側(cè)連接端子8，俯視呈近正方形，形成作為接受焊球21的凹部的導(dǎo)體凹部9。該導(dǎo)體凹部9，俯視呈近圓形，與導(dǎo)體圖形4一體形成。
另外，在圖1中，未圖示，但在基礎(chǔ)絕緣層層3上，按照覆蓋導(dǎo)體圖形4那樣，以規(guī)定的圖形形成覆蓋絕緣層10(參照?qǐng)D2(d))。
接著，參照?qǐng)D2～圖5說明該帶電路懸置式基板1的制造方法。在圖2～圖5中，以沿著支持基板2的縱向的截面表示支持基板2的端子配置部6。
在該方法中，首先如圖2(a)所示那樣，準(zhǔn)備支持基板2。支持基板2采用金屬箔或金屬薄板，金屬箔或金屬薄板的金屬，使用例如不銹鋼、42合金、鋁、銅-鈹、磷青銅等。從剛性、耐蝕性及加工性的觀點(diǎn)來說，較好的是采用不銹鋼。并且，支持基板2的厚度，例如是10～100μm，較好的是18～30μm，其寬度，例如是50～500mm，較好的是125～300mm。
接著，在該方法中，如圖2(b)所示那樣，在支持基板2上，按照規(guī)定的圖形形成基礎(chǔ)絕緣層3。
對(duì)形成絕緣層3用的絕緣材料，不特別限制，例如使用聚酰亞胺樹脂、聚酰胺亞胺樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等的合成樹脂。這些樹脂中，從耐熱性和耐化學(xué)腐蝕性的觀點(diǎn)來說，使用聚酰亞胺樹脂較好。從圖形的微細(xì)加工性來說，較好的是使用感光性合成樹脂，更好的是使用感光性聚酰亞胺樹脂。
例如，使用感光性聚酰亞胺樹脂，在支持基板2上按照規(guī)定的圖形形成基礎(chǔ)絕緣層3時(shí)，首先，如圖3(a)所示那樣，將感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體(感光性聚酰胺酸樹脂)的溶液涂敷在支持基板2的整個(gè)面后，例如在60～150℃加熱，較好的是在80～120℃加熱，形成感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體的表面薄膜11。
接著，如圖3(b)所示那樣，將該表面薄膜11通過光掩膜12進(jìn)行曝光。光掩膜12按照規(guī)定的圖形具備遮光部分12a、全光透過部分12b、及光半透過部分12c。遮光部分12a使光完全不透過，全光透過部分12b，使光全部透過，光半透過部分12c，相對(duì)光全透過100％，以10～90％的范圍適當(dāng)選擇的透過率使光透過，較好的是從30～60％的范圍適當(dāng)選擇的透過率使光透過。
然后，按照對(duì)支持基板2上的不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分，遮光部分12a對(duì)向，對(duì)支持基板2上的形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分，光全透過部分12b對(duì)向，而且，對(duì)形成各外部側(cè)連接端子8的導(dǎo)體凹部9的部分，光半透過部分12c對(duì)向那樣，對(duì)表面薄膜11對(duì)向配置光掩膜12。
通過光掩膜12照射的光(照射光)，其曝光波長(zhǎng)例如是300～450nm，較好的是350～420nm，其曝光累計(jì)光量是100～2000mJ/cm2。
接著，如圖3(c)所示那樣，對(duì)經(jīng)曝光的表面薄膜11根據(jù)需要加熱到規(guī)定溫度后進(jìn)行顯影。經(jīng)照射的表面薄膜11的曝光部分，例如，加熱130℃以上，但不到150℃，因此，在下一顯影工序中可以溶化(正型)，而例如在150℃以上、200℃以下加熱，則在下一顯影中不溶化(負(fù)型)。
在顯影中，例如使用堿顯影溶液等眾所周知的顯影溶液，并使用浸漬法、噴涂法等眾所周知的方法。另外，在該方法中，以負(fù)型形成圖形較好，在圖3中，以負(fù)型形成圖形。
通過顯影，表面薄膜11按照光掩膜12的遮光部分12a對(duì)向的周緣部分溶解，支持基板2的周緣部露出，并且，形成光掩膜12的光半透過部分12c對(duì)向的導(dǎo)體凹部9的部分一部分溶解，形成該部分的厚度比光全透過部分12b對(duì)向的部分的厚度還要薄那樣，形成為規(guī)定的圖形。
而且，如圖3(d)所示那樣，將形成規(guī)定圖形的表面薄膜11最終加熱到例如250℃以上，使之固化(酰亞胺化)。由此，由聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層3，形成為露出支持基板2的周緣部分，并且，在形成導(dǎo)體凹部9的部分，形成厚度比其它部分薄的絕緣凹部13那樣的規(guī)定的圖形。另外，絕緣凹部13分別與形成各導(dǎo)體凹部9的部分對(duì)應(yīng)，形成為俯視近似圓形的形狀。
不使用感光性合成樹脂時(shí)，例如，在支持基板2上，按照前述的圖形涂敷合成樹脂，或根據(jù)需要通過粘接劑層粘貼著預(yù)先加工成前述圖形的干膜。
這樣形成的基礎(chǔ)絕緣層3的厚度，例如是5～20μm，較好的是7～15μm。
接著，在該方法中，如圖2(c)所示那樣，形成導(dǎo)體圖形4。形成導(dǎo)體圖形4的材料，不特別限制，例如使用銅、鎳、金、焊錫、或這些金屬的合金等，從導(dǎo)電性、廉價(jià)性及加工性來說，較好的是使用銅。
導(dǎo)體圖形4的形成，使用減層法、添加法等眾所周知的圖形制作法。為了以微小間距精細(xì)地形成導(dǎo)體圖形4，較好的是使用添加法。
使用添加法，首先，如圖4(a)所示那樣，在從基礎(chǔ)絕緣層3露出的支持基板2的表面和基礎(chǔ)絕緣層3的整個(gè)面，作為種膜，形成金屬薄膜14。形成金屬薄膜14用的金屬材料，例如使用鉻、鎳、銅及這些金屬的合金。金屬薄膜14的形成不作特別限制，例如使用濺射法法等的真空蒸鍍法。金屬薄膜14的厚度，例如是100～2000。金屬薄膜14，也能夠以例如依次用濺射法法形成鉻表面薄膜和銅表面薄膜等多層形成。
接著，在添加法中，如圖4(b)所示那樣，在金屬薄膜14的表面，按照導(dǎo)體圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍膜15。更加具體的說，抗鍍膜15，按照露出多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8對(duì)應(yīng)的部分的金屬薄膜14那樣，在支持基板2的表面和金屬薄膜14的表面形成。
抗鍍膜15，例如用干膜抗鍍層等，使用眾所周知的方法，以前述導(dǎo)體圖形的反轉(zhuǎn)圖形的形式形成。
接著，在添加法中，如圖4(c)所示那樣，在從抗鍍膜15露出的金屬薄膜14的表面形成導(dǎo)體圖形4。導(dǎo)體圖形4的形成，不作特別限制，例如使用電鍍，較好的是用電解銅鍍。
之后，如圖4(d)所示那樣，除去抗鍍膜15。抗鍍膜15的除去，例如用化學(xué)腐蝕(濕腐蝕)法等眾所周知腐蝕法，或者剝離。
然后，如圖4(e)所示那樣，除去從導(dǎo)體圖形4露出的金屬薄膜14。金屬薄膜14的除去，例如使用化學(xué)腐蝕(濕腐蝕)。
由此，作為導(dǎo)體圖形14，如圖1所示那樣，多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8一體形成。另外，在圖1中，圖4所示的金屬薄膜14省略。
導(dǎo)體圖形14的厚度，例如是5～20μm，較好的是7～15μm，各布線4a、4b、4c、4d的寬，例如是5～500μm，較好的是10～200μm，各布線4a、4b、4c、4d之間的間隔，例如是5～500μm，較好的是10～200μm。
各外部側(cè)連接端子部8的寬度(從沿著支持基板2的縱向的方向的覆蓋絕緣層10露出的部分的寬度)W1(參照?qǐng)D6)，例如是80～1100μm，較好的是120～540μm，各外部側(cè)連接端子部8之間的間隔W2(參照?qǐng)D6)，例如是80～1500μm，較好的是120～500μm。
在各外部側(cè)連接端子部8中，對(duì)應(yīng)各絕緣凹部13，形成向基礎(chǔ)絕緣層3凹下的導(dǎo)體凹部9。導(dǎo)體凹部9的直徑L(參照?qǐng)D6)，例如是50～1000μm，較好的是100～500μm，其深度D(從表面到最深部的深度)(參照?qǐng)D6)，相對(duì)基礎(chǔ)絕緣層3的厚度，例如是10～90％，較好的是20～60％。
另外，在導(dǎo)體圖形4的表面，以后利用化學(xué)鍍鎳形成鎳鍍層(未圖示)，以保護(hù)導(dǎo)體圖形4是合適的。
接著，在該方法中，如圖2(d)所示那樣，在基礎(chǔ)絕緣層3上，按照在導(dǎo)體圖形4內(nèi)覆蓋各布線4a、4b、4c、4d，并且，使各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8露出那樣，以規(guī)定的圖形形成覆蓋絕緣層10。
形成覆蓋絕緣層10用的絕緣材料，使用與絕緣層3同樣的絕緣材料，較好的是使用感光性聚酰亞胺樹脂。
然后，例如使用感光性聚酰亞胺樹脂，在基礎(chǔ)絕緣層3上以規(guī)定的圖形形成覆蓋絕緣層10時(shí)，首先如圖5(a)所示那樣，將感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體(感光性聚酰胺酸樹脂)的溶液涂敷在包括導(dǎo)體圖形4的基礎(chǔ)絕緣層3，以及支持基板2的整個(gè)面后，例如在60～150℃進(jìn)行加熱，較好的是在80～120℃進(jìn)行加熱，形成感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體的表面薄膜16。
接著，如圖5(b)所示那樣，將該表面薄膜16通過光掩膜17進(jìn)行曝光。光掩膜17按照規(guī)定的圖形具備遮光部分17a及光全透過部分17b。
然后，按照對(duì)在支持基板2的不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分，各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的對(duì)應(yīng)部分，遮光部分17a對(duì)向，在包含各布線4a、4b、4c、4d在內(nèi)的基礎(chǔ)絕緣層3中形成覆蓋絕緣層10的部分，光全透過部分17b對(duì)向那樣，對(duì)表面薄膜16對(duì)向配置光掩膜17。接著，與前述的表面薄膜11的曝光同樣進(jìn)行曝光。
接著，如圖5(c)所示那樣，與前述表面薄膜11顯影同樣，對(duì)被曝光的表面薄膜16進(jìn)行顯影。另外，在圖5中，用負(fù)片型形成圖形。
通過顯影，表面薄膜16形成為規(guī)定的圖形，即在光掩膜17的遮光部分17a對(duì)向的支持基板2的不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分、各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8對(duì)應(yīng)的部分溶解，形成為露出支持基板2的周緣部、各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的規(guī)定的圖形。
而且，如圖5(d)所示那樣，對(duì)形成規(guī)定圖形的表面薄膜16例如最終加熱到250℃以上，使之固化(亞胺化)。由此，將聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層10形成為覆蓋各布線4a、4b、4c、4d，并且，露出各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8那樣的、規(guī)定的圖形。
另外，在不使用感光性合成樹脂時(shí)，例如，在基礎(chǔ)絕緣層3上按照前述圖形涂敷合成樹脂，或者根據(jù)需要，通過粘接劑層貼著預(yù)先加工成前述規(guī)定圖形的干膜。
另外，覆蓋絕緣層10的厚度，例如是1～30μm，較好的是2～20μm。
之后，在該方法中，如圖2(e)所示那樣，在各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8，形成覆蓋保護(hù)這些表面用的電鍍層18。對(duì)形成電鍍層18用的電鍍材料不作特別限制，例如選用鎳、金等。
并且，電鍍層18的形成，例如使用電鍍或化學(xué)鍍。而且，電鍍層18，通過依次鍍鎳及鍍金，也能夠以多層形式形成。電鍍層18的厚度，例如，在是鍍鎳層時(shí)，例如是0.3～5μm，在是鍍金層時(shí)，例如是0.05～5μm。
在各外部側(cè)連接端子部8，對(duì)應(yīng)各導(dǎo)體凹部9，電鍍層18形成為向基礎(chǔ)絕緣層3側(cè)凹下樣子。
然后，對(duì)支持基板2使用化學(xué)腐蝕等眾所周知的方法，隨著萬向架5的切下進(jìn)行外形加工、清洗及干燥，就得到如圖1所示那樣的帶電路懸置式基板1。另外，支持基板2的外形加工，也可以在電鍍層18形成前進(jìn)行。
在這樣得到的帶電路懸置式基板1中，在各外部側(cè)連接端子部8中，如圖6所示那樣，導(dǎo)體凹部9與導(dǎo)體圖形4一體形成。因此，通過焊球21連接各外部側(cè)連接端子部8與讀·寫基板的連接端子(未圖示)時(shí)，如焊球21設(shè)置在導(dǎo)體凹部9內(nèi)，就能夠在該導(dǎo)體凹部9內(nèi)穩(wěn)定保持焊球21。而且，利用導(dǎo)體凹部9的內(nèi)周面19和連續(xù)到該內(nèi)周面19下端的底面20，就能夠確保與熔融的焊球21的電氣連接面積。其結(jié)果是，能夠確保大的連接面積。而且，導(dǎo)體凹部9與導(dǎo)體圖形4一體形成的，因此，能夠防止隨著焊球21的熔融而發(fā)生熔融。其結(jié)果是，即使以微小間距精細(xì)地形成導(dǎo)體圖形4，也能夠有效防止導(dǎo)體凹部9由于熔融流出，在各外部側(cè)連接端子部8間發(fā)生短路。
另外，各外部側(cè)連接端子部8與讀·寫基板的連接端子(未圖示)通過焊球21的連接，按照在各外部側(cè)連接端子部8的導(dǎo)體凹部9內(nèi)，設(shè)置焊球21，使讀·寫基板的連接端子(未圖示)與各外部側(cè)連接端子部8的導(dǎo)體凹部9對(duì)向配置，以與該焊球21接觸，例如，由于搬送引起的軟溶、或激光熱引起的熔融等，使焊球21熔融。
另外，在上述說明中，將各外部側(cè)連接端子8形成為俯視呈近似正方形的形狀，將各導(dǎo)體凹部9形成為俯視近圓形，但這些各外部側(cè)連接端子8和各導(dǎo)體凹部9的形狀，不特別限制，能夠按照目的、用途適當(dāng)選擇。例如，也可以將各導(dǎo)體凹部9形成俯視呈略矩形，此時(shí)，一邊的長(zhǎng)度，例如是50～1000μm，較好的是100～500μm。
在上述說明中，本發(fā)明的布線電路基板是以帶電路懸置式基板1例示說明的，但在本發(fā)明的布線電路基板中，包含單面撓性布線電路基板、兩面撓性布線電路基板、多層撓性電路基板等。
在上述說明中，在基礎(chǔ)絕緣層3形成絕緣凹部13，將導(dǎo)體凹部9形成為與該絕緣凹部13對(duì)應(yīng)那樣，但也可以在基礎(chǔ)絕緣層3不形成絕緣凹部13，只形成導(dǎo)體凹部9。
例如，在圖7中，例示具備形成那樣導(dǎo)體凹部35的端子部33的單面撓性布線電路基板31。
在圖7中，該單面撓性布線電路基板31中，形成平板狀基礎(chǔ)絕緣層32、在該基礎(chǔ)絕緣層32上形成與導(dǎo)體圖形一體形成的多只端子部33，而且，按照覆蓋導(dǎo)體圖形、并露出各端子部33那樣，在基礎(chǔ)絕緣層32上形成覆蓋絕緣層34。
在各端子部33，形成向基礎(chǔ)絕緣層32側(cè)凹下的導(dǎo)體凹部35。這樣的導(dǎo)體凹部35，例如在添加法中，以2階段實(shí)施電解電鍍，或在減層法中，能夠利用半蝕法形成導(dǎo)體凹部35。
前述的帶電路懸置式基板1的制造方法，工業(yè)規(guī)模上，例如，能夠能夠利用輥對(duì)輥法等眾所周知的方法制造。
實(shí)施例以下，以實(shí)施例更加具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限制于任一實(shí)施例。
實(shí)施例1準(zhǔn)備由寬度300mm、厚度25μm的不銹鋼(SUS304)箔構(gòu)成的支持基板2(參照?qǐng)D2(a))。
接著，將感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體(感光性聚酰胺酸樹脂)的溶液涂敷在支持基板2的整個(gè)面后，在120℃加熱2分鐘，形成感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體組成的表面薄膜11(參照?qǐng)D3(a))。
之后，按照在支持基板2的不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分，遮光部分12a對(duì)向，在支持基板2的形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分，光全透過部分12b對(duì)向，而且，在形成各外部側(cè)連接端子8的導(dǎo)體凹部9的部分，光半透過部分12c對(duì)向那樣，對(duì)表面薄膜11對(duì)向配置光掩膜12。用紫外線(曝光累計(jì)光量720mJ/cm2))對(duì)表面薄膜11進(jìn)行曝光(參照?qǐng)D3(b))。
接著，曝光后對(duì)經(jīng)曝光的表面薄膜11加熱(160℃，加熱3分鐘)后，用堿性顯影液進(jìn)行顯影，使表面薄膜11形成露出支持基板2的周緣部、形成導(dǎo)體凹部9的部分比其它部分的厚度還薄的、規(guī)定的圖形，(參照?qǐng)D3(c))。之后，將表面薄膜11在420℃加熱，就形成由聚酰亞胺樹脂組成的、厚度10μm的基礎(chǔ)絕緣層3(參照?qǐng)D3(d))。
然后，在從基礎(chǔ)絕緣層3露出的支持基板2的表面、基礎(chǔ)絕緣層3的整個(gè)面，用濺射法依次形成鉻薄膜和銅薄膜，以形成厚度300～1000的金屬薄膜14(參照?qǐng)D4(a))。之后，在金屬薄膜14的表面層疊干膜抗鍍層，用紫外線(曝光累計(jì)光量235mJ/cm2))曝光后，用堿性顯影溶液進(jìn)行顯影，就形成導(dǎo)體圖形4的反轉(zhuǎn)圖形的抗鍍層15(參照?qǐng)D4(b))。
接著，在從抗鍍層15露出的金屬薄膜14的表面，通過電解銅鍍形成厚度10μm的導(dǎo)體圖形4后(參照?qǐng)D4(c))，將抗鍍層15剝離(參照?qǐng)D4(d))，接著，用化學(xué)腐蝕方法除去從導(dǎo)體圖形4露出的金屬薄膜14(參照?qǐng)D4(e)).
由此，作為2導(dǎo)體圖形4，多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭側(cè)連接端子部7，以及各外部側(cè)連接端子部8就一體形成。各外部側(cè)連接端子部8的寬度是300μm，各外部側(cè)連接端子部8之間的間隔是250μm。并且，在各外部側(cè)連接端子部8，形成導(dǎo)體凹部9。導(dǎo)體凹部9的直徑是150μm，其深度是5μm。
接著用鈀液使導(dǎo)體圖形4的表面活化后，在其表面用化學(xué)鍍鎳形成厚度0.05μm的鎳鍍層。之后，將感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體溶液涂敷在鎳鍍層及基礎(chǔ)絕緣層3的整個(gè)面后，在120℃加熱2分鐘，就形成感光性聚酰亞胺樹脂的前驅(qū)體組成的表面薄膜16(參照?qǐng)D5(a))。
之后，按照在支持基板2的不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分、各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的對(duì)應(yīng)部分，遮光部分17a對(duì)向，在包含各布線4a、4b、4c、4d的基礎(chǔ)絕緣層3的形成覆蓋絕緣層10的部分，光全透過部分17b對(duì)向那樣，對(duì)表面薄膜16對(duì)向配置光掩膜17。用紫外線(曝光累計(jì)光量720mJ/cm2))對(duì)表面薄膜16進(jìn)行曝光(參照?qǐng)D5(b))。
接著，曝光后對(duì)經(jīng)曝光的表面薄膜16加熱(160℃，加熱3分鐘)后，用堿性顯影液進(jìn)行顯影，使表面薄膜16形成覆蓋各布線4a、4b、4c、4d，并露出各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的、規(guī)定的圖形(參照?qǐng)D5(c))。之后，在420℃對(duì)表面薄膜16加熱，就形成由聚酰亞胺樹脂脂組成的、厚度4μm的覆蓋絕緣層10(參照?qǐng)D5(d))。
接著，各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8表面的鎳鍍層用化學(xué)腐蝕方法除去后，層疊干膜抗蝕層，用紫外線(曝光累積光量105mJ/cm2)曝光后，通過用堿性顯影溶液顯影，用干膜抗蝕層覆蓋帶電路懸置式基板1的外形，接著用氯化亞鐵溶液腐蝕支持基板2，隨著對(duì)萬向架5切下，對(duì)帶電路懸置式基板1的外形加工。
之后，在各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8通過化學(xué)鍍鎳和化學(xué)鍍金，形成由鎳鍍層和金鍍層構(gòu)成的厚度3.5μm的鍍層18(參照?qǐng)D2(e))。
比較例1準(zhǔn)備用寬度300μm、厚度25μm不銹鋼(SUS304)箔組成的支持基板2(參照?qǐng)D8(a))。
接著，用與實(shí)施例1同樣的方法形成由聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層3(參照?qǐng)D8(b))。另外，該基礎(chǔ)絕緣層3，在形成外部側(cè)連接端子部8的部分沒有下凹，以均一厚度形成。
然后，用與實(shí)施例1同樣的方法，在基礎(chǔ)絕緣層3上，形成一體設(shè)置多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的導(dǎo)體圖形4(參照?qǐng)D8(c))。另外，各外部側(cè)連接端子部8，不形成導(dǎo)體凹部9，形成中央部形成空洞部的環(huán)狀。
用與實(shí)施例1同樣的方法，在導(dǎo)體圖形4的表面形成厚度0.05μm的鎳鍍層后，在基礎(chǔ)絕緣層3上，形成覆蓋各布線4a、4b、4c、4d、并露出各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的、由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層(參照?qǐng)D8(d))。
接著，用與實(shí)施例1同樣的方法，將各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的表面的鎳鍍層除去后，隨著將萬向架5切下，對(duì)帶電路懸置式基板1的外形加工，之后，形成由鎳鍍層和金鍍層構(gòu)成的鍍層18(參照?qǐng)D8(e))。
比較例2準(zhǔn)備用寬度300μm、厚度25μm不銹鋼(SUS304)箔組成的支持基板2(參照?qǐng)D9(a))。
接著，用與實(shí)施例1同樣的方法形成由聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層3(參照?qǐng)D9(b))。另外，該絕緣層3，在形成外部側(cè)連接端子部8的部分沒有下凹，以均一厚度形成。
然后，用與實(shí)施例1同樣的方法，在基礎(chǔ)絕緣層3上，形成一體設(shè)置多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的導(dǎo)體圖形4(參照?qǐng)D9(c))。另外，各外部側(cè)連接端子部8，不形成導(dǎo)體凹部9，以均勻厚度形成。
之后，用與實(shí)施例1同樣的方法，在導(dǎo)體圖形4的表面形成厚度0.05μm的鎳鍍層后，在基礎(chǔ)絕緣層3上，形成覆蓋各布線4a、4b、4c、4d、并露出各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的、由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層(參照?qǐng)D9(d))。
接著，用與實(shí)施例1同樣的方法，將各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的表面的鎳鍍層除去后，隨著將萬向架5切下，對(duì)帶電路懸置式基板1的外形加工，之后，形成由鎳鍍層和金鍍層構(gòu)成的鍍層18(參照?qǐng)D9(e))。
評(píng)價(jià)在實(shí)施例1和比較例1、2得到的帶電路懸置式基板的各外部側(cè)連接端子部8、讀·寫基板的連接端子部，通過焊球21進(jìn)行連接。實(shí)施例1的帶電路懸置式基板，能夠與讀·寫基板確實(shí)連接?？墒?，在比較例1的帶電路懸置式基板中，發(fā)生導(dǎo)通不良，并且，比較例2的帶電路懸置式基板中，焊球21塌落等，連接時(shí)的作業(yè)效率不高。
另外，前述說明是作為本發(fā)明的例示的實(shí)施方式提供的，這不過僅僅是例示，而不是限定性的解釋。由該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所作出的本發(fā)明的變形例，當(dāng)然包含在前述的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.布線電路基板，其特征在于，在具有絕緣層和形成在上述絕緣層上的導(dǎo)體圖形的布線電路基板中，上述導(dǎo)體圖形包含通過熔融金屬與外部端子連接用的端子部；在上述端子部，接受上述熔融金屬的凹部與上述導(dǎo)體圖形形成為一體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，在絕緣層的與設(shè)置有上述導(dǎo)體圖形的一面相對(duì)一側(cè)的另一面上，設(shè)置有金屬支持層。
全文摘要
為了提供具備能夠在防止端子部之間的短路的同時(shí)，確保大的連接面積，并且能夠通過熔融金屬與外部端子切實(shí)連接的端子部的布線電路基板，在支持基板2上，按照在形成外部側(cè)連接端子部8的部分形成絕緣凹部13的要求，形成基礎(chǔ)絕緣層3，在該基礎(chǔ)絕緣層3上，按照一體設(shè)置多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8，并且在各外部側(cè)連接端子部8形成導(dǎo)體凹部9的要求，形成導(dǎo)體圖形4。之后，在基礎(chǔ)絕緣層3上，按照露出各磁頭側(cè)連接端子部7及各外部側(cè)連接端子部8的要求，形成覆蓋絕緣層10。在該帶電路懸置式基板1中，即使通過焊球21將各外部側(cè)連接端子部8與讀·寫基板的連接端子連接，也能夠確保切實(shí)連接。
文檔編號(hào)H05K1/02GK1750738SQ20051010990
公開日2006年3月22日 申請(qǐng)日期2005年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月14日
發(fā)明者金川仁紀(jì), 大澤徹也, 大藪恭也 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社