專利名稱：平板顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示裝置，更具體地涉及有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法，該裝置具有防止氧和/或濕氣滲透的陰極電極。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光裝置是一種平板顯示裝置，其是一種其中的有機(jī)化合物受電激發(fā)而發(fā)光的發(fā)射型顯示裝置。該有機(jī)化合物具有諸如低驅(qū)動(dòng)電壓和薄型的特性。此外，由于有機(jī)發(fā)光裝置具有諸如寬視角、快速響應(yīng)時(shí)間等特征，這些特征是作為平板顯示裝置的液晶顯示器所需的，所以有機(jī)發(fā)光裝置作為下一代顯示裝置吸引了人們的注意。
對(duì)于有機(jī)發(fā)光裝置，問(wèn)題在于裝置的壽命取決于鈍化方法。為了解決此問(wèn)題，日本專利公告第4-334895號(hào)例如公開(kāi)了一種用于長(zhǎng)壽命顯示裝置的雙重鈍化方法。
圖1示出了以傳統(tǒng)雙重鈍化方法制造的平板顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖1，在傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光裝置內(nèi)，有機(jī)發(fā)光(以下稱為“有機(jī)EL”)元件20具有層疊在玻璃基板10上的陽(yáng)極電極21、有機(jī)薄膜層22和陰極電極23。無(wú)機(jī)包封層30形成為覆蓋有機(jī)EL元件20，且有機(jī)EL元件20和無(wú)機(jī)包封層30被包封基板(encapsulating substrate)50所包封。此處，包封基板50利用諸如光固型粘接劑的具有低吸濕特性的粘接樹(shù)脂層40包封，以防止?jié)駳鉂B透。
傳統(tǒng)顯示裝置使用無(wú)機(jī)包封層30來(lái)鈍化有機(jī)EL元件20。無(wú)機(jī)包封層30利用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法或物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)法形成，其中作為下層的有機(jī)薄膜易受熱和機(jī)械應(yīng)力的影響。這樣，無(wú)機(jī)包封層30不具有良好的膜質(zhì)量。此外，無(wú)機(jī)包封層30具有多孔結(jié)構(gòu)特性，使得無(wú)機(jī)包封層30易受濕氣滲透。于是，不能進(jìn)行良好的保護(hù)。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，僅利用無(wú)機(jī)包封層30不能確保裝置的壽命，使得存在必須用粘接樹(shù)脂和包封基板來(lái)進(jìn)行第二次鈍化的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種平板顯示裝置及其制造方法，該裝置通過(guò)形成具有致密薄膜結(jié)構(gòu)的鋁膜而具有帶鈍化層功能的的陰極電極。
本發(fā)明的另一個(gè)方面是提供一種可延長(zhǎng)壽命的平板顯示裝置及其制造方法。
本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明中部分提及，而一部分將由敘述而變得清楚，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而領(lǐng)會(huì)到。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上和/或其它方面，本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括連續(xù)地形成在基板上的下電極、有機(jī)薄膜層、以及上電極，其中該上電極包括至少兩層薄膜，且兩層膜中的每一層具有不同的相應(yīng)晶粒密度。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種有機(jī)發(fā)光裝置包括接連形成在基板上的下電極、有機(jī)薄膜層、以及上電極，其中該上電極包括至少兩層薄膜，且該兩層膜中的每一層具有相應(yīng)的不同晶粒尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種有機(jī)發(fā)光裝置包括一發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括接連形成在基板上的下電極、至少一個(gè)有機(jī)薄膜層和上電極，其中該上電極具有一導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料具有作為距基板距離的函數(shù)的增加的晶粒密度和減小的晶粒尺寸，該導(dǎo)電材料作為向該有機(jī)薄膜層施加預(yù)定電壓的電極以及防止?jié)駳夂?或氧滲透入該有機(jī)薄膜層內(nèi)的鈍化層。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法包括在絕緣基板上形成下電極；在該下電極上形成有機(jī)薄膜層；以及通過(guò)在該有機(jī)薄膜層上接連形成至少兩層薄膜來(lái)形成上電極，其中該兩層薄膜中的每一層具有不同的相應(yīng)晶粒密度。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，具有該兩層薄膜中的最大晶粒密度或最小晶粒尺寸的一層薄膜形成為離基板最遠(yuǎn)的最上層，且作為防止?jié)駳夂?或氧滲透的鈍化層。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，構(gòu)成上電極的該至少兩層薄膜因晶粒密度或晶粒尺寸的不同而在該些薄膜之間具有邊界面，或者因晶粒密度或晶粒尺寸的逐漸變化而在該些薄膜之間沒(méi)有邊界面。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，構(gòu)成上電極的該至少兩層薄膜具有相同的材料，其中該至少兩層薄膜中的下層膜具有第一Al薄膜，其具有低的晶粒密度和大的晶粒尺寸；該至少兩層膜中的上層膜具有第二Al薄膜，其具有與第一Al薄膜相比相對(duì)高的晶粒密度和更小的晶粒尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，該第一Al薄膜具有10nm至1μm的晶粒尺寸，且晶粒間隙為1至100nm；而該第二Al薄膜具有低于100nm的晶粒尺寸，且晶粒間隙小于5nm。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，該第一Al薄膜的表面粗糙度為60至70，而該第二Al薄膜的表面粗糙度為10至50。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，該第一Al薄膜通過(guò)熱蒸發(fā)法或離子蒸發(fā)法沉積，而該第二Al薄膜通過(guò)利用離子束輔助束方法(ion beam assisted beam method)的沉積法沉積。


通過(guò)結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施例，本發(fā)明的以上和/或其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將更顯然并更容易理解，其中圖1是傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖；圖2是封裝前根據(jù)本發(fā)明一方面的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖；圖3是封裝后根據(jù)本發(fā)明一方面的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖；以及圖4A～4B和圖5A～5B是兩組照片，分別示出用于根據(jù)本發(fā)明一方面的有機(jī)發(fā)光裝置的陰極電極的熱蒸發(fā)Al膜和離子束輔助Al膜的晶粒密度。
具體實(shí)施例方式
以下將參照示出本發(fā)明具體實(shí)施例的附圖更充分地說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。但是，本發(fā)明可以以不同的形式實(shí)施，且不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是限于此處所提及的實(shí)施例。更恰當(dāng)?shù)?，這些實(shí)施例被提供來(lái)使得本公開(kāi)更徹底和完整，且充分地將本發(fā)明的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。附圖中，層的厚度和區(qū)域?yàn)榱饲宄豢浯?。在本說(shuō)明書(shū)中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。參見(jiàn)圖2，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置200具有一種結(jié)構(gòu)，即陽(yáng)極電極220、有機(jī)薄膜層230和陰極電極240接連形成在絕緣基板210上。根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)方面，有機(jī)薄膜層230包括有機(jī)發(fā)光層，該有機(jī)發(fā)光層具有空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、空穴阻擋層、電子輸運(yùn)層、和/或電子注入層中的至少一個(gè)。此外，需要理解的是，根據(jù)本發(fā)明的一方面，當(dāng)陰極電極240和陽(yáng)極電極220的位置顛倒使得電極240為陽(yáng)極且電極220為陰極時(shí)，有機(jī)薄膜層230的各層的順序?qū)㈩嵉埂?br> 陰極電極240包括第一陰極薄膜241，其具有不致密的膜質(zhì)量。陰極電極240還包括第二陰極薄膜242，其具有與該第一陰極薄膜241的密度相比相對(duì)致密的膜質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的一方面，第一陰極薄膜241通過(guò)熱蒸發(fā)法或離子束沉積法沉積，以形成較不致密的第一Al薄膜。根據(jù)本發(fā)明的一方面，第二陰極薄膜242通過(guò)離子束輔助沉積(以下稱作“IBAD”)法沉積，以形成致密的第二Al薄膜。如圖所示，第二Al薄膜242通過(guò)熱蒸發(fā)法或采用輔助離子束(諸如Ar離子)的離子束沉積法沉積。但是，需要理解的是，其它方法可用于沉積膜241、242。
對(duì)于第一Al薄膜241，晶粒尺寸為10nm至1μm，且晶粒之間的寬度(即晶粒間隙)為1nm至100nm。對(duì)于第二Al薄膜242，晶粒尺寸小于100nm，且晶粒間隙小于5nm。但是，其它密度也是可以的。
此外，第一Al薄膜241的表面粗糙度為60至70的均方根(root meanssquare，以下稱作“RMS”)，而第二Al薄膜242具有10至50的RMS。此處，表面粗糙度利用諸如原子力顯微鏡(AFM)的分析儀測(cè)量。但是，其它表面粗糙度是可用的。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，陰極電極240具有兩層Al薄膜241和242。膜241、242中的每一個(gè)具有不同的相應(yīng)晶粒密度。此外，因?yàn)榫ЯＣ芏鹊牟町?即晶粒尺寸的不同)，在第一和第二Al薄膜241和242之間具有邊界面。就這一點(diǎn)而論，根據(jù)本發(fā)明的一方面，在陰極電極240內(nèi)部晶粒密度具有作為厚度的函數(shù)的非連續(xù)階梯函數(shù)。
但是，根據(jù)本發(fā)明的一方面，當(dāng)膜241、242形成為具有逐漸變化的晶粒密度時(shí)，在第一和第二Al薄膜241和242之間可以不形成邊界面。在此方面，陰極電極240可以是單一的Al薄膜，在離開(kāi)基板210的方向上其具有作為厚度的函數(shù)的可變晶粒密度，使得最靠近基板210的電極240部分具有較低的密度，且電極240的最遠(yuǎn)離基板210的部分具有較高的密度。該逐漸的變化可以是作為距基板210距離的函數(shù)的密度的連續(xù)函數(shù)，諸如線性變化、曲線變化、以及“S”形曲線，或者可以是非連續(xù)函數(shù)，諸如階梯變化，根據(jù)距基板210的距離而具有一個(gè)或多個(gè)密度的階梯狀增加。
此外，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，雖然陰極電極240具有兩層Al薄膜241和242，但是電極240可以由具有不同晶粒密度的多層Al薄膜形成。當(dāng)陰極電極240以多層Al薄膜形成時(shí)，其優(yōu)選以如下的方式形成，即層位于電極240越上方，則晶粒密度變得越高或晶粒尺寸變得越小，但此方式并非是必須的。但是，需要理解的是，根據(jù)本發(fā)明的一方面，電極240的最外面部分不必具有最高的晶粒密度或最小的晶粒尺寸。還需要理解的是，根據(jù)本發(fā)明的一方面，電極240的最靠近基板210的部分不必具有最小的晶粒密度或最大的晶粒尺寸。
圖4A至5B是照片，示出用于根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的陰極電極240的晶粒密度。圖4A和4B是關(guān)于陰極電極240的具有較低晶粒密度的第一Al膜241的照片。圖5A和5B是對(duì)于陰極電極240的具有較高晶粒密度的第二Al膜242的照片。在圖4A至5B中，第一Al薄膜241利用熱蒸發(fā)法沉積至具有1000的厚度。第二Al薄膜242利用IBAD(ionbeam assisted deposition，離子束輔助沉積)法沉積至1000的厚度?？梢钥闯?，第一Al薄膜241的晶粒31的尺寸為0.2μm，且第二Al薄膜242的晶粒41的尺寸為0.01μm。因此，可以看出，通過(guò)IBAD法沉積的第二Al薄膜242比通過(guò)熱蒸發(fā)法沉積的第一Al薄膜241形成得更致密。但是，需要理解的是，其它技術(shù)可以用于獲得Al薄膜241、242。
以下將參照?qǐng)D3說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有前述結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光裝置的方法。陽(yáng)極電極320形成在透明絕緣基板的玻璃基板310上。有機(jī)薄膜層330形成在陽(yáng)極電極320上。雖然圖3中未具體示出，但是有機(jī)薄膜層330包括發(fā)光層，該發(fā)光層具有空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、空穴阻擋層、電子輸運(yùn)層和電子注入層中的至少一個(gè)。此外，需要理解的是，根據(jù)本發(fā)明的一方面，當(dāng)陰極電極340和陽(yáng)極電極320的位置顛倒而使得電極340為陽(yáng)極且電極320為陰極時(shí)，有機(jī)薄膜層340的各層的順序?qū)㈩嵉埂?br> 接著，具有大晶粒尺寸和低晶粒密度的第一Al薄膜341利用通常的熱蒸發(fā)法或離子束沉積法沉積在有機(jī)薄膜層330上。具有小晶粒尺寸和高晶粒密度的第二Al薄膜342利用IBAD法沉積在第一Al薄膜341上。
通常，IBAD法在將Al自Al源(未示出)沉積到基板上的過(guò)程中添加Ar+離子作為輔助離子，從而通過(guò)Ar+離子制得沉積得更致密的Al膜。因此，通過(guò)IBAD法沉積的第二Al薄膜342的晶粒間隙減小，使得晶粒邊界處的多孔性也降低。根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)方面，IBAD法使用卡夫曼法(Kaffmanmethod)、恩德華法(Endhall method)或APS(Advanced Plasma Source，先進(jìn)等離子源)法的離子槍作為離子源。
用于陰極電極240的第一Al膜241在105至107乇的壓力下沉積，第二Al膜242在低于105乇的壓力下沉積。但是，需要理解的是，根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)方面，其它壓力可以使用。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，第一Al膜341和第二Al膜342或者可以在同樣的反應(yīng)室內(nèi)原位連續(xù)沉積，或者可以非連續(xù)地沉積。
在制造有機(jī)發(fā)光元件300之后，有機(jī)發(fā)光裝置300利用密封劑以包封基板(encapsulating substrate)350包封，以防止外界擦刮。此處，根據(jù)本發(fā)明的一方面，能夠吸收濕氣和氧的吸氣劑可以附著在包封基板350上。
根據(jù)上述的本發(fā)明實(shí)施例，Al膜利用輔助束沉積以具有致密結(jié)構(gòu)，使得陰極電極可以防止?jié)駳饣蜓鯘B透，從而提高鈍化性能并延長(zhǎng)裝置的壽命。此外，由于用作鈍化的傳統(tǒng)無(wú)機(jī)包封層可以略去，所以不需要昂貴的CVD設(shè)備或?yàn)R鍍?cè)O(shè)備，從而有利地降低了制造成本。
雖然以Al膜的形式進(jìn)行了說(shuō)明，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，其它導(dǎo)電材料可以與Al一起使用或取代Al，以形成陰極電極240。
雖然為了說(shuō)明性目的已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，在不脫離本發(fā)明的由所附權(quán)利要求及其等同物所公開(kāi)的范圍和精神的情況下，可以有各種變更、附加和替換。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括基板；該基板上的下電極；設(shè)置在該下電極上的至少一個(gè)有機(jī)薄膜層；以及設(shè)置在該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層上的、包括導(dǎo)電材料的上電極，該上電極至少包括第一薄膜和第二薄膜，該第一薄膜具有該導(dǎo)電材料的第一晶粒密度，該第二薄膜具有不同于該第一晶粒密度的該導(dǎo)電材料的第二晶粒密度。
2.如權(quán)利要求1的裝置，其中該第一和第二薄膜中具有該第一和第二晶粒密度中最大晶粒密度的一個(gè)薄膜被形成為最遠(yuǎn)離該基板，且具有該最大晶粒密度的該個(gè)薄膜用作鈍化層，以防止?jié)駳夂?或氧滲透過(guò)該個(gè)薄膜至所述至少一個(gè)有機(jī)薄膜層。
3.如權(quán)利要求2的裝置，其中該第一和第二薄膜因該第一和第二晶粒密度的不同而在其間形成邊界面。
4.如權(quán)利要求1的裝置，其中該上電極的該第一和第二薄膜具有相同的導(dǎo)電材料。
5.如權(quán)利要求1的裝置，其中該第一晶粒密度具有比該第二晶粒密度更低的晶粒密度，且該第一和第二薄膜接連形成在該有機(jī)薄膜層上。
6.如權(quán)利要求1的裝置，其中該第一和第二薄膜包括鋁薄膜。
7.一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括基板；設(shè)置在該基板上的下電極；設(shè)置在該下電極上的至少一個(gè)有機(jī)薄膜層；以及設(shè)置在該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層上的上電極，該上電極包括至少第一薄膜和第二薄膜，該第一薄膜具有具備第一晶粒尺寸的導(dǎo)電材料，該第二薄膜具有具備不同于該第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸的該導(dǎo)電材料。
8.如權(quán)利要求7的裝置，其中該第一和第二薄膜中具有該晶粒尺寸中較小晶粒尺寸的一個(gè)薄膜被形成為最遠(yuǎn)離該基板的薄膜，且具有該較小晶粒尺寸的該個(gè)薄膜用作鈍化層以防止?jié)駳夂?或氧滲透。
9.如權(quán)利要求7的裝置，其中該第一和第二薄膜因該第一和第二晶粒尺寸的不同而在其間形成邊界面。
10.如權(quán)利要求7的裝置，其中該至少第一和第二薄膜具有相同的導(dǎo)電材料。
11.如權(quán)利要求7的裝置，其中該第一薄膜具有比該第二薄膜的晶粒尺寸更大的晶粒尺寸，且該第一和第二薄膜接連形成在該有機(jī)薄膜層上。
12.如權(quán)利要求11的裝置，其中該第一薄膜具有10nm和1μm之間的晶粒尺寸，含10nm和1μm，且相鄰晶粒間的間隙在1nm和100nm之間，含1nm和100nm；以及，該第二薄膜具有等于或小于100nm的晶粒尺寸，且相鄰晶粒間的間隙等于或小于5nm。
13.如權(quán)利要求11的裝置，其中該第一薄膜具有60和70之間的表面粗糙度，含60和70；以及該第二薄膜具有10和50之間的表面粗糙度，含10和50。
14.如權(quán)利要求11的裝置，其中該第一薄膜和第二薄膜包括鋁薄膜。
15.一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括基板；該基板上的下電極；該下電極上的至少一個(gè)有機(jī)薄膜層；以及該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層上的上電極，該上電極包括導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料具有作為距該基板距離的函數(shù)的增加的晶粒密度和減小的晶粒尺寸，以用作向該有機(jī)薄膜層施加預(yù)定電壓的電極，及以便形成防止?jié)駳夂?或氧滲透進(jìn)入該有機(jī)薄膜層的鈍化層。
16.如權(quán)利要求15的裝置，其中該上電極的第一表面的晶粒尺寸在10nm和1μm之間，含10nm和1μm；第二表面的晶粒尺寸等于或小于100nm；且該第一表面設(shè)置在該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層附近且在該第二表面和該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層之間。
17.如權(quán)利要求15的裝置，其中該上電極包括具有該第一和第二表面的鋁薄膜。
18.一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法，包括在絕緣基板上形成下電極；在該下電極上形成有機(jī)薄膜層；以及在該有機(jī)薄膜上接連形成第一和第二薄膜以形成上電極，該第一薄膜具有與該第二薄膜的導(dǎo)電材料的第二晶粒密度不同的該導(dǎo)電材料的第一晶粒密度。
19.如權(quán)利要求18的方法，其中該第一晶粒密度小于該第二晶粒密度，且該第一和第二薄膜的接連形成包括通過(guò)熱蒸發(fā)法或離子束輔助沉積法沉積該第一薄膜；以及通過(guò)該離子束輔助沉積法使用離子輔助束來(lái)沉積該第二薄膜。
20.如權(quán)利要求19的方法，其中該第一薄膜是Al薄膜，其具有10nm至1μm的晶粒尺寸，相鄰晶粒間的間隙在1和100nm之間，含1和100nm，且表面粗糙度在60和70之間，含60和70；以及該第二薄膜是Al薄膜，其具有低于100nm的晶粒尺寸，相鄰晶粒間的間隙等于或小于5nm，且表面粗糙度在10和50之間，含10和50。
21.如權(quán)利要求2的裝置，其中該第一和第二薄膜包括作為厚度的函數(shù)的晶粒密度的相應(yīng)逐漸變化，使得該第一和第二薄膜的相鄰側(cè)基本上具有相同的晶粒密度。
22.如權(quán)利要求7的裝置，其中該第一和第二薄膜包括作為厚度的函數(shù)的晶粒尺寸的相應(yīng)逐漸變化，使得該第一和第二薄膜的相鄰側(cè)基本上具有相同的晶粒尺寸。
23.如權(quán)利要求15的裝置，其中在第一表面上相鄰晶粒間的間隙在1nm和100nm之間，含1nm和100nm，在第二表面上相鄰晶粒間的間隙等于或小于5nm，且該第一表面設(shè)置為與該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層相鄰且位于該第二表面和該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層之間。
24.一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括基板；該基板上的下電極；該下電極上的至少一個(gè)有機(jī)薄膜層；以及設(shè)置在第一表面和第二表面之間的、包括導(dǎo)電材料的上電極，該第一表面設(shè)置在該第二表面和該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層之間，其中在該第一表面上該導(dǎo)電材料的第一密度小于在該第二表面上該導(dǎo)電材料的第二密度，且該上電極的該第一和第二表面之間的密度在該第一和第二密度之間，含該第一和第二密度。
25.如權(quán)利要求24的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該導(dǎo)電材料在該第一表面上的晶粒尺寸大于該導(dǎo)電材料在該第二表面上的晶粒尺寸。
26.如權(quán)利要求24的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該導(dǎo)電材料的密度作為距離的函數(shù)自該第一表面向該第二表面增加。
27.如權(quán)利要求26的有機(jī)發(fā)光裝置，其中密度變化的函數(shù)為階梯函數(shù)，其中在該上電極的在該第一和第二表面之間的部分處，密度增加一等于或小于該第一和第二密度之差的預(yù)定量。
28.如權(quán)利要求27的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該上電極包括第一層和第二層，該第一層包括具有該第一密度的該導(dǎo)電材料，該第二層包括具有該第二密度的該導(dǎo)電材料且與該第一層接觸，使得該預(yù)定量為該第一和第二密度之差。
29.如權(quán)利要求28的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該第一表面是該上電極的最接近該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層的最外層，該第二表面為該上電極的最遠(yuǎn)離該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層的最外層。
30.如權(quán)利要求26的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該密度變化的函數(shù)為漸變函數(shù)。
31.如權(quán)利要求30的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該漸變函數(shù)包括線性函數(shù)。
32.如權(quán)利要求30的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該漸變函數(shù)包括非線性函數(shù)。
33.如權(quán)利要求30的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該第一表面是該上電極的最接近該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層的最外層，該第二表面為該上電極的最遠(yuǎn)離該至少一個(gè)有機(jī)薄膜層的最外層。
34.如權(quán)利要求24的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該上電極包括該導(dǎo)電材料的晶粒，該導(dǎo)電材料的在該第一表面的第一晶粒的晶粒尺寸在10nm和1μm之間，含10nm和1μm，該導(dǎo)電材料的在該第二表面的第二晶粒的晶粒尺寸等于或小于100nm。
35.如權(quán)利要求24的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該導(dǎo)電材料包括鋁，使得該上電極包括鋁薄膜。
36.如權(quán)利要求24的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該上電極包括該導(dǎo)電材料的晶粒，該導(dǎo)電材料的在該第一表面處的相鄰晶粒之間的第一間隙在1nm和100nm之間，含1nm和100nm，且該導(dǎo)電材料的在該第二表面處的相鄰晶粒之間的第二間隙等于或小于5nm。
37.如權(quán)利要求24的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該第一表面的第一表面粗糙度在60和70均方根之間，含60和70，且該第二表面的第二表面粗糙度在10和50均方根之間，含10和50。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法，該裝置具有可防止氧或濕氣滲透的陰極電極。本發(fā)明的該有機(jī)發(fā)光裝置具有接連形成基板上的下電極、有機(jī)薄膜層和上電極。上電極具有至少兩層薄膜，所述至少兩層薄膜具有不同的晶粒密度和晶粒尺寸。該上電極的該至少兩層薄膜的下層薄膜具有第一Al薄膜，其具有比該至少兩層薄膜的上層薄膜更低的晶粒密度和更大的晶粒尺寸。該上層薄膜具有第二Al薄膜，其具有比該第一Al薄膜更高的晶粒密度和更小的晶粒尺寸。
文檔編號(hào)H05B33/14GK1575076SQ20041003534
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月28日
發(fā)明者樸鎮(zhèn)宇, 鄭昊均 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社