專利名稱：防止?jié)崈羰异o電放電的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種于一具有層流(laminar flow)裝置的潔凈室(clean room)中去除靜電荷(electrostatic charges)，進(jìn)而防止?jié)崈羰异o電放電(electrostatic discharge)的方法。
而一般潔凈室防止靜電的方法，乃是利用靜電消除棒(ionization bar)或是靜電消除系統(tǒng)(ionization system)來中和(neutralize)靜電。前者利用鍺(germanium)或是100％鎢(tungsten)來作為發(fā)射管(或稱為發(fā)射極，emitter)，經(jīng)由通入壓縮干燥空氣(compressed dry air，CDA)以及施加一電壓于發(fā)射管之上，來產(chǎn)生中和靜電所用的電荷。而發(fā)射管可能不只一個(gè)，其均被絕緣的材質(zhì)包裹，以防止短路并符合安全規(guī)格，較適用于設(shè)備以及工作臺(tái)之內(nèi)。后者則將一組互相平行并分開(spaced apart)的發(fā)射管垂直裝設(shè)于一頂板之上，且該頂板被固定于潔凈室的天花板上，再將該頂板電連接至一系統(tǒng)控制器(system controller)，經(jīng)由通入壓縮干燥空氣(compressed dryair，CDA)以及施加一正電壓以及一負(fù)電壓于該組發(fā)射管之上，來產(chǎn)生正電荷以及負(fù)電荷，并順著潔凈室內(nèi)的層流(laminar flow)向下流動(dòng)以中和潔凈室內(nèi)的靜電荷。依照其運(yùn)作原理，事實(shí)上靜電消除棒以及靜電消除系統(tǒng)均可被稱為離子產(chǎn)生器(ionizer，ion generator)。
由于該頂板被電連接至一系統(tǒng)控制器，因此若干設(shè)定或調(diào)整可于系統(tǒng)控制器上執(zhí)行，或經(jīng)由一遙控發(fā)射器(remote controller transmitter)來執(zhí)行。此外，依照實(shí)際的需要，用以偵測(cè)正、負(fù)離子流(flow of ions)的感應(yīng)器(sensor)或是監(jiān)視器(monitor)，以及與其搭配的電路系統(tǒng)也常被使用，以確保正、負(fù)離子流的電場(chǎng)強(qiáng)度未過度衰減(decay)，以及正、負(fù)離子流的平衡(balance)。同時(shí)潔凈室內(nèi)許多的傳輸都是利用自動(dòng)化的軌道來傳輸，以盡量避免造成晶片污染的機(jī)會(huì)，而且因應(yīng)所欲傳輸?shù)哪康牡貦C(jī)臺(tái)設(shè)備(destination equipment)高度不同，其亦可被設(shè)計(jì)成具有不同高度的軌道。
請(qǐng)參考

圖1，圖1為習(xí)知于潔凈室中防止靜電10的方法示意圖。如圖1所示，習(xí)知于潔凈室中防止靜電10的方法于潔凈室(未顯示)的天花板12上裝設(shè)有靜電消除系統(tǒng)A14以及靜電消除系統(tǒng)B16，其中靜電消除系統(tǒng)A14的發(fā)射管18的輸出端(output tip)22距離天花板12的垂直距離約為84CM，而靜電消除系統(tǒng)B16的發(fā)射管18的輸出端22距離天花板12的垂直距離約為30CM。而且靜電消除系統(tǒng)A14以及靜電消除系統(tǒng)B16的發(fā)射管18的輸出端(output tip)22正對(duì)于潔凈室(未顯示)的地板24。同時(shí)，壓縮干燥空氣(未顯示)被通入發(fā)射管18之內(nèi)。
潔凈室(未顯示)中另設(shè)置有自動(dòng)傳輸軌道A26以及自動(dòng)傳輸軌道B28，此二自動(dòng)傳輸軌道屬于一高架式傳輸(over head transport，OHT)系統(tǒng)。自動(dòng)傳輸軌道A26通常設(shè)置于潔凈室(未顯示)的中間走道(即隧道與隧道間的走道)，其距離天花板12的垂直距離約為86CM，自動(dòng)傳輸軌道B28通常設(shè)置于潔凈室(未顯示)的隧道內(nèi)，且其距離天花板12的垂直距離約為36CM。此外，潔凈室(未顯示)的地板24上，另設(shè)置有舊式的推車(cart)32，其以人工推動(dòng)的方式被推動(dòng)。而潔凈室(未顯示)的高度(即天花板至地板的距離)約為3M。自動(dòng)傳輸軌道A26以承載的方式運(yùn)輸一載具(carrier)34，自動(dòng)傳輸軌道B28以懸吊的方式運(yùn)輸一載具34。其中，載具34可為一晶片載具(wafercarrier)、一光罩(reticle)載具或是其他載具，因此自動(dòng)傳輸軌道A26以及自動(dòng)傳輸軌道B28亦可為一晶圓傳輸系統(tǒng)(wafer transportation system)統(tǒng)、一光罩(reticle)傳輸系統(tǒng)(reticle transportation system)或是其他傳輸系統(tǒng)。同理，推車32上也有用來運(yùn)輸晶圓、光罩的載具34或其他物品。
當(dāng)一正電壓以及一負(fù)電壓被施加于各組發(fā)射管18之上時(shí)，由于壓縮干燥空氣也被通入各組發(fā)射管18之內(nèi)，經(jīng)由解離(ionize)便產(chǎn)生正電荷以及負(fù)電荷，并順著潔凈室內(nèi)的層流向下流動(dòng)，成為正離子流(flow of positiveions)36以及負(fù)離子流(flow of negative ions)38，以中和位于自動(dòng)傳輸軌道A26、自動(dòng)傳輸軌道B28以及推車32內(nèi)的載具34上的靜電10。
而當(dāng)正、負(fù)離子流36、38在順著層流向下流動(dòng)時(shí)，會(huì)有一個(gè)所謂的分散角(divergent angle)42產(chǎn)生，分散角42不僅是對(duì)正、負(fù)離子流36、38所能涵蓋的范圍大小有明顯影響，也對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度(electric field strength)對(duì)距離(distance)的退化率(degeneration rate)有相當(dāng)顯著的影響。電場(chǎng)強(qiáng)度(相當(dāng)于離子密度)可以下列經(jīng)驗(yàn)式來表示F＝k(1/A)(1/Da)其中F為電場(chǎng)強(qiáng)度k為一常數(shù)
A為正負(fù)離子流的分散角D為至發(fā)射管輸出端的距離a為距離D的一指數(shù)(exponent)。
當(dāng)以習(xí)知方法于潔凈室中防止靜電10時(shí)，上列的經(jīng)驗(yàn)式中各參數(shù)(parameter)的數(shù)值分別如下分散角A約為15度(degree)，至發(fā)射管輸出端的距離D為1.5M～2.0M，距離D的指數(shù)a約為2。若以發(fā)射管輸出端的電場(chǎng)強(qiáng)度約為1KV為條件，并依據(jù)此經(jīng)驗(yàn)式來計(jì)算電場(chǎng)強(qiáng)度，當(dāng)靜電消除系統(tǒng)A14所產(chǎn)生的正離子流36以及負(fù)離子流38到達(dá)推車32時(shí)，其所具有的電場(chǎng)強(qiáng)度約為100～150V。而一般于潔凈室內(nèi)進(jìn)行靜電防護(hù)時(shí)，被防護(hù)區(qū)域(areaof protection)的電場(chǎng)強(qiáng)度規(guī)格(spec)為50～150V，因此，靜電消除系統(tǒng)A14所產(chǎn)生的正離子流36以及負(fù)離子流38不但可以有效地中和推車32內(nèi)的載具34上的靜電10，也不會(huì)因?yàn)槠渚哂械碾妶?chǎng)強(qiáng)度過大反而對(duì)推車32內(nèi)的載具34所攜的材料造成破壞(damage)。
然而如圖1所示，靜電消除系統(tǒng)A14卻無法對(duì)于自動(dòng)傳輸軌道A26、自動(dòng)傳輸軌道B28上的載具34作靜電防護(hù)。因此，自動(dòng)傳輸軌道A26以及自動(dòng)傳輸軌道B28上的載具34只能仰賴靜電消除系統(tǒng)B16所產(chǎn)生的正離子流36以及負(fù)離子流38來防護(hù)。由于一般靜電消除系統(tǒng)的放電量僅可以被微量調(diào)整，若以相同的條件以及經(jīng)驗(yàn)式來計(jì)算，因?yàn)殪o電消除系統(tǒng)B16的發(fā)射管18的輸出端22距離自動(dòng)傳輸軌道A26以及自動(dòng)傳輸軌道B28太近，所產(chǎn)生的正離子流36以及負(fù)離子流38于到達(dá)自動(dòng)傳輸軌道A26以及自動(dòng)傳輸軌道B28所運(yùn)輸?shù)妮d具34時(shí)，其具有的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)超過規(guī)格的上限(upperlimit)，不但無法達(dá)到靜電防護(hù)的功效，往往對(duì)自動(dòng)傳輸軌道A26以及自動(dòng)傳輸軌道B28上的載具34所攜的材料造成破壞。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種應(yīng)用于潔凈室內(nèi)的靜電放電防止方法，以避免因電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)超過規(guī)格的上限而對(duì)自動(dòng)傳輸軌道上的載具所攜的材料造成破壞。
在本發(fā)明的最佳實(shí)施例中，該潔凈室(clean room)中具有一層流(laminarflow)裝置，且該層流裝置設(shè)置于該潔凈室的天花板(ceiling)上。本發(fā)明先提供至少一設(shè)置于該層流的中具有一第一高度(first height)的離子產(chǎn)生器(ion generator)，該離子產(chǎn)生器包含有至少一發(fā)射管(emitter)，且各該發(fā)射管的至少一輸出端(output tip)正對(duì)于該天花板，然后再提供至少一設(shè)置于該層流的中且具有一第二高度(second height)的傳輸系統(tǒng)(transportation system)，用以傳送至少一載具(carrier)，最后利用至少一電壓源(voltage source)施加于各該發(fā)射管之上，以去除該潔凈室中的靜電荷。
本發(fā)明的主要特征在于將靜電消除系統(tǒng)的發(fā)射管的輸出端正對(duì)于潔凈室的天花板，以有效擴(kuò)大靜電消除系統(tǒng)所產(chǎn)生的正離子流以及負(fù)離子流的分散角，然后再藉著層流將離子流迅速分散(divert)至周圍，以使該離子流所具有的電場(chǎng)得以被迅速分散開來(spread around)。因此，即使在非常短的距離下，電場(chǎng)強(qiáng)度也可以被降至期望值(desired value)，而且本發(fā)明更可通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整各靜電消除系統(tǒng)的高度配置與各傳輸系統(tǒng)的相對(duì)位置配置，來達(dá)到對(duì)各傳輸系統(tǒng)以及推車做有效靜電防止的目的。此外，利用本發(fā)明的方法，單一靜電消除系統(tǒng)所能防止靜電的面積與范圍，也可以因?yàn)檎{(diào)整離子流的分散角與形狀，而被明顯擴(kuò)大。
圖示的符號(hào)說明10靜電12天花板14靜電消除系統(tǒng)A 16靜電消除系統(tǒng)B18發(fā)射管 22輸出端24地板26自動(dòng)傳輸軌道A28自動(dòng)傳輸軌道B 32推車34載具36正離子流38負(fù)離子流42分散角100靜電 102天花板104靜電消除系統(tǒng)A 106靜電消除系統(tǒng)B108發(fā)射管 112輸出端114地板 116自動(dòng)傳輸軌道A117頂板 118自動(dòng)傳輸軌道B122推車 124載具126正離子流 128負(fù)離子流132分散角潔凈室(未顯示)中另設(shè)置有自動(dòng)傳輸軌道A116以及自動(dòng)傳輸軌道B118，此二自動(dòng)傳輸軌道屬于一高架式傳輸(over head transport，OHT)系統(tǒng)。自動(dòng)傳輸軌道A116通常設(shè)置于潔凈室(未顯示)的中間走道(即隧道與隧道間的走道)，其距離天花板102的垂直距離約為86CM，自動(dòng)傳輸軌道B118通常設(shè)置于潔凈室(未顯示)的隧道內(nèi)，且其距離天花板102的垂直距離約為36CM。此外，潔凈室(未顯示)的地板114上，另設(shè)置有舊式的推車(cart)122，其以人工推動(dòng)的方式被推動(dòng)。而潔凈室(未顯示)的高度(即天花板至地板的距離)約為3M。自動(dòng)傳輸軌道A116以承載的方式運(yùn)輸載具124，自動(dòng)傳輸軌道B118以懸吊的方式運(yùn)輸載具124。載具124可為一晶片載具(wafer carrier)、一光罩(reticle)載具或是其他載具，因此自動(dòng)傳輸軌道A116以及自動(dòng)傳輸軌道B118可能為一晶圓傳輸系統(tǒng)(wafer transportation system)、一光罩(reticle)傳輸系統(tǒng)(reticle transportation system)或是其他傳輸系統(tǒng)。同理，推車122上也有用來運(yùn)輸晶圓、光罩的載具124或其他物品。
當(dāng)一正電壓以及一負(fù)電壓被施加于各組發(fā)射管108之上時(shí)，由于壓縮干燥空氣也被通入各組發(fā)射管108之內(nèi)，經(jīng)由解離(ionize)便產(chǎn)生正電荷以及負(fù)電荷，并順著潔凈室內(nèi)的層流向下流動(dòng)，成為正離子流(flow of positiveions)126以及負(fù)離子流(flow of negative ions)128向下流動(dòng)以中和位于自動(dòng)傳輸軌道A116、自動(dòng)傳輸軌道118以及推車122內(nèi)的載具124上的靜電100。而當(dāng)正、負(fù)離子流126、128在順著層流向下流動(dòng)時(shí)，會(huì)有一個(gè)分散角產(chǎn)生，由于靜電消除系統(tǒng)B106的發(fā)射管108的輸出端112正對(duì)于潔凈室(未顯示)的天花板102，分散角132非常明顯被擴(kuò)大。擴(kuò)大的分散角132不僅擴(kuò)大了正、負(fù)離子流126、128所涵蓋的范圍，也對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)距離的退化率有相當(dāng)?shù)挠绊?。以同一?jīng)驗(yàn)式來表示電場(chǎng)強(qiáng)度(相當(dāng)于離子密度)F＝k(1/A)(1/Da)其中F為電場(chǎng)強(qiáng)度k為一常數(shù)A為正負(fù)離子流的分散角D為至發(fā)射管輸出端的距離a為距離D的一指數(shù)(exponent)。
當(dāng)以本發(fā)明方法防止靜電100時(shí)，上列的經(jīng)驗(yàn)式中各參數(shù)的數(shù)值分別如下分散角A約為150度，至發(fā)射管輸出端的距離D通常小于為1.0M，距離D的指數(shù)a約為2.5～3.0。若同樣以發(fā)射管輸出端的電場(chǎng)強(qiáng)度約為1KV為條件，并依據(jù)此經(jīng)驗(yàn)式來計(jì)算電場(chǎng)強(qiáng)度，當(dāng)靜電消除系統(tǒng)B106所產(chǎn)生的正離子流126以及負(fù)離子流128于到達(dá)自動(dòng)傳輸軌道A116以及自動(dòng)傳輸軌道B118所運(yùn)輸?shù)妮d具124時(shí)，由于電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)距離的退化率明顯變大，其所具有的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)被有效地降低，不會(huì)超過規(guī)格之上限。因此，本發(fā)明的方法不但可以達(dá)到靜電防護(hù)的功效，也不再會(huì)對(duì)自動(dòng)傳輸軌道A116以及自動(dòng)傳輸軌道B118上的載具124所攜的材料造成破壞。
而靜電消除系統(tǒng)A104所產(chǎn)生的正離子流126以及負(fù)離子流128到達(dá)推車122時(shí)，其所具有的電場(chǎng)強(qiáng)度約為100～150V，完全符合一般于潔凈室內(nèi)進(jìn)行靜電防護(hù)時(shí)，被防護(hù)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度規(guī)格要求。因此，靜電消除系統(tǒng)A104所產(chǎn)生的正離子流126以及負(fù)離子流128不但可以有效地中和推車122內(nèi)的載具124上的靜電100，也不會(huì)因?yàn)槠渚哂械碾妶?chǎng)強(qiáng)度過大反而對(duì)推車122內(nèi)的載具124所攜的材料造成破壞(damage)。
由于本發(fā)明于潔凈室中防止靜電的方法將靜電消除系統(tǒng)的發(fā)射管的輸出端正對(duì)于潔凈室的天花板，靜電消除系統(tǒng)所產(chǎn)生的正離子流以及負(fù)離子流的分散角明顯地被擴(kuò)大，并且離子流會(huì)藉著層流而被迅速分散(divert)至周圍，同時(shí)離子流所具有的電場(chǎng)也會(huì)被迅速分散開來(spread around)。與習(xí)知技術(shù)相較，即使是在非常短的距離之下，電場(chǎng)強(qiáng)度就可以被降至期望值(desiredvalue)。通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整各靜電消除系統(tǒng)的高度配置及各傳輸系統(tǒng)的相對(duì)位置配置，便可以對(duì)各傳輸系統(tǒng)以及推車做有效的靜電防止。同時(shí)單一靜電消除系統(tǒng)所能防止靜電的面積與范圍，也可以因?yàn)檎{(diào)整離子流的分散角與形狀，而被明顯擴(kuò)大。
相較于習(xí)知技術(shù)中所使用的防止靜電方法，本發(fā)明于潔凈室中防止靜電的方法將靜電消除系統(tǒng)的發(fā)射管的輸出端正對(duì)于潔凈室的天花板，以有效擴(kuò)大靜電消除系統(tǒng)所產(chǎn)生的正離子流以及負(fù)離子流的分散角，然后再藉著層流將離子流迅速分散(divert)至周圍，以使該離子流所具有的電場(chǎng)得以被迅速分散開來(spread around)。因此，即使在非常短的距離下，電場(chǎng)強(qiáng)度也可以被降至期望值(desired value)，而且本發(fā)明更可通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整各靜電消除系統(tǒng)的高度配置與各傳輸系統(tǒng)的相對(duì)位置配置，來達(dá)到對(duì)各傳輸系統(tǒng)以及推車做有效靜電防止的目的。此外，利用本發(fā)明的方法，單一靜電消除系統(tǒng)所能防止靜電的面積與范圍，也可以因?yàn)檎{(diào)整離子流的分散角與形狀，而被明顯擴(kuò)大。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種于一具有一層流裝置的潔凈室中去除靜電荷的方法，該層流裝置設(shè)置于該潔凈室的一天花板之上，其特征是該方法包含有提供至少一設(shè)置于該層流的中具有一第一高度的離子產(chǎn)生器，該離子產(chǎn)生器包含有至少一發(fā)射管，且各該發(fā)射管的至少一輸出端正對(duì)于該天花板；提供至少一設(shè)置于該層流的中且具有一第二高度的傳輸系統(tǒng)，用以傳送至少一載具；以及利用至少一電壓源施加于各該發(fā)射管之上，以去除該潔凈室中的靜電荷。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是該層流由該天花板向下流動(dòng)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是該第一高度大于該第二高度。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是該傳輸系統(tǒng)為一高架式傳輸?shù)木A傳輸系統(tǒng)，且該載具包含有一晶片載具。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是施加于各該發(fā)射管之上的該電壓源用來產(chǎn)生至少一相應(yīng)的電場(chǎng)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征是該相應(yīng)的電場(chǎng)用來產(chǎn)生至少一自各該發(fā)射管的該輸出端流出的離子流，且該離子流的流動(dòng)方向平行于該層流方向，用以中和該載具上的該靜電荷。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征是正對(duì)于該天花板的該輸出端，用來擴(kuò)大自各該發(fā)射管的該輸出端流出的離子流的分散角。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征是該離子流包含有一正離子流以及一負(fù)離子流。
9.一種于一具有一層流裝置的潔凈室中去除靜電的方法，該層流裝置設(shè)置于該潔凈室的一天花板之上，其特征是該方法包含有提供至少一設(shè)置于該層流的中具有一第一高度的第一離子產(chǎn)生器，該第一離子產(chǎn)生器包含有一對(duì)發(fā)射管，且各該發(fā)射管的二輸出端正對(duì)于該潔凈室的一地板；提供至少一設(shè)置于該層流的中具有一第二高度的第二離子產(chǎn)生器，該第二離子產(chǎn)生器包含有一對(duì)發(fā)射管，且各該發(fā)射管的二輸出端正對(duì)于該天花板，其中該第二高度大于該第一高度；提供至少一設(shè)置于該潔凈室的該地板上的第一傳輸系統(tǒng)，用以傳送至少一第一載具；提供至少一設(shè)置于該層流的中具有一第三高度的第二傳輸系統(tǒng)，該第二傳輸系統(tǒng)該載具屬于一高架式傳輸系統(tǒng)，用以傳送至少一第二載具，且該第三高度小于該第二高度；以及利用至少一電壓源施加于各該發(fā)射管之上；其中施加于各該發(fā)射管之上的該電壓源用來產(chǎn)生至少一自各該發(fā)射管的該二輸出端流出的離子流，用以中和位于該第一傳輸系統(tǒng)以及該第二傳輸系統(tǒng)的各該載具上的該靜電荷。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征是該層流由該天花板向下流動(dòng)。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征是各該載具包含有一晶片載具。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征是施加于各該發(fā)射管之上的該電壓源用來產(chǎn)生至少一相應(yīng)的電場(chǎng)。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征是該離子流的流動(dòng)方向平行于該層流方向。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征是自該第二離子產(chǎn)生器的各該發(fā)射管的該二輸出端流出的該離子流的分散角大于自該第一離子產(chǎn)生器的各該發(fā)射管的該二輸出端流出的該離子流的分散角。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征是自該第二離子產(chǎn)生器的各該發(fā)射管的該二輸出端流出的該離子流對(duì)距離的退化率大于自該第一離子產(chǎn)生器的各該發(fā)射管的該二輸出端流出的該離子流對(duì)距離的退化率。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征是該離子流包含有一正離子流以及一負(fù)離子流。
17.一種于一潔凈室中中和靜電的方法，其特征是該方法包含有提供一層流裝置，該層流裝置設(shè)置于該潔凈室的一天花板之上；提供至少一設(shè)置于該層流的中具有一第一高度的第一中和器；提供至少一設(shè)置于該層流的中具有一第二高度的第二中和器；提供至少一設(shè)置于該潔凈室的一地板上的第一傳輸系統(tǒng)，用以傳送至少一第一載具；以及提供至少一設(shè)置于該層流的中具有一第三高度的第二傳輸系統(tǒng)，且該第二傳輸系統(tǒng)該載具屬于一高架式傳輸系統(tǒng)，用以傳送至少一第二載具；其中該第一中和器以及該第二中和器分別用以中和位于該第一傳輸系統(tǒng)以及該第二傳輸系統(tǒng)的各該載具上的該靜電荷。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征是該層流由該天花板向下流動(dòng)。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征是該第一中和器另包含有至少一第一發(fā)射管，且該第一發(fā)射管的至少一輸出端正對(duì)于該潔凈室的該地板；以及一電壓源施加于該第一發(fā)射管之上；其中施加于該第一發(fā)射管之上的該電壓源用來產(chǎn)生一自該第一發(fā)射管的該輸出端流出的正離子流或負(fù)離子流，用以中和位于該第一傳輸系統(tǒng)的該第一載具上的該靜電荷。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征是該第二中和器另包含有至少一第二發(fā)射管，且該第二發(fā)射管的至少一輸出端正對(duì)于該天花板；及一電壓源施加于該第二發(fā)射管之上；其中施加于該第二發(fā)射管之上的該電壓源用來產(chǎn)生一自該第二發(fā)射管的該輸出端流出的正離子流或負(fù)離子流，用以中和位于該第二傳輸系統(tǒng)的該第二載具上的該靜電荷。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征是該第二高度大于該第三高度，且該第二高度大于該第一高度。
全文摘要
一種防止?jié)崈羰异o電放電的方法，可于一具有一層流裝置的潔凈室中去除靜電荷，該潔凈室中具有一層流裝置，設(shè)置于該潔凈室的天花板上；本發(fā)明先提供至少一設(shè)置于該層流的中具有一第一高度的離子產(chǎn)生器，該離子產(chǎn)生器包含有至少一發(fā)射管，且各該發(fā)射管的至少一輸出端正對(duì)于該天花板，然后再提供至少一設(shè)置于該層流的中且具有一第二高度的傳輸系統(tǒng)，用以傳送至少一載具，最后利用至少一電壓源施加于各該發(fā)射管之上，以去除該潔凈室中的靜電荷；本發(fā)明將該離子產(chǎn)生器的發(fā)射管的輸出端正對(duì)于該天花板，可避免因電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)超過規(guī)格的上限而對(duì)自動(dòng)傳輸軌道上的載具所攜的材料造成破壞。
文檔編號(hào)H05F3/00GK1452446SQ0215659
公開日2003年10月29日 申請(qǐng)日期2002年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月17日
發(fā)明者張光曄 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司