靜電放電保護(hù)裝置及制造靜電放電保護(hù)裝置的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種及制造靜電放電保護(hù)裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明實施例的所述靜電放電保護(hù)裝置包括基板、具有形成在所述基板上的鍍膜的靜電放電吸收層、設(shè)置在所述基板上以彼此以預(yù)定間隔隔開且其間具有所述靜電放電吸收層的電極以及用于覆蓋所述基板和所述電極的絕緣層。
【專利說明】靜電放電保護(hù)裝置及制造靜電放電保護(hù)裝置的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]要求保護(hù)并通過引用方式并入如下本國優(yōu)先權(quán)申請和國外優(yōu)先權(quán)申請:
[0003]相關(guān)申請的交叉引用
[0004]本申請根據(jù)35U.S.C.第119節(jié)要求于2012年8月27日提交的序號為10-2012-0093681的韓國專利申請的權(quán)益，該韓國專利申請在此通過引用全部并入本申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0005]本發(fā)明涉及一種靜電放電保護(hù)裝置及其制造方法，更具體地，涉及一種具有改善的靜電放電特性的靜電放電保護(hù)裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0006]靜電放電保護(hù)裝置廣泛用于保護(hù)預(yù)定電子部件免受靜電放電(ESD)的損壞。一種典型的靜電放電保護(hù)裝置由裝置主體、設(shè)置在裝置主體上以便彼此以預(yù)定間隙隔開的電極、填充在電極之間的功能層等等組成。裝置主體可以是主要由氧化鋁等組成的陶瓷片、壓敏電阻片、低溫共燒陶瓷(LTCC )等。通過對裝置本體執(zhí)行薄膜工藝(諸如，濺射工藝)，來形成電極。放電層由金屬、絕緣體、環(huán)氧樹脂等的混合物形成。進(jìn)一步地，利用濺射工藝或通過將導(dǎo)電無機(jī)材料與絕緣無機(jī)材料混合在一起來形成功能層。 [0007]【相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)】
[0008]【專利文獻(xiàn)】
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本專利申請JP2009-520410
【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]為了克服上述問題而發(fā)明了本發(fā)明，因此，本發(fā)明的一個目的在于，提供一種具有改善的靜電放電特性的靜電放電保護(hù)裝置及其制造方法。
[0011]本發(fā)明的另一個目的在于，提供一種可以提高制造工藝效率的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法。
[0012]根據(jù)實現(xiàn)該目的的本發(fā)明的一方面，提供了一種靜電放電保護(hù)裝置，其包括:基板；具有形成在所述基板上的鍍膜的靜電放電吸收層；設(shè)置在所述基板上以便彼此以預(yù)定間隔隔開且其間具有所述靜電放電吸收層的電極；以及用于覆蓋所述基板和所述電極的絕緣層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述靜電放電吸收層可以具有由多個金屬層組成的多層結(jié)構(gòu)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述靜電放電吸收層可以具有壓紋表面。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述靜電放電吸收層可以設(shè)置在所述基板和所述絕緣層的邊界上。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述絕緣層可以具有疊置在所述基板上的多個抗蝕圖案，所述電極部分可以形成在所述抗蝕圖案之上，并且所述靜電放電吸收層可以設(shè)置在所述抗蝕圖案的邊界上。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述靜電放電吸收層可以包括形成在所述基板上的第一金屬層以及用于覆蓋所述第一金屬層的第二金屬層，其中，所述第一金屬層可以由鈀(Pd))、銠(Rh)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)及鎳(Ni)中的至少一種金屬制成，并且所述第二金屬層可以由錫(Sn)制成。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述絕緣層可以包括光敏抗蝕圖案。
[0019]根據(jù)實現(xiàn)該目的的本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法，包括以下步驟:通過對基板執(zhí)行電鍍工藝而形成靜電放電吸收層；在所述基板上形成彼此以預(yù)定間隔隔開且其間具有所述靜電放電吸收層的電極；以及形成用于覆蓋所述基板和所述電極的絕緣層。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的實施例，形成所述靜電放電吸收層的步驟可以包括，在所述基板上形成第一金屬層的步驟；以及利用所述第一金屬層作為催化劑金屬層來執(zhí)行化學(xué)鍍工藝的步驟。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的實施例，形成所述靜電放電吸收層的步驟可以包括，用電對所述基板執(zhí)行鍍錫的錫電鍍工藝的步驟。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的實施例，形成所述靜電放電吸收層的步驟可以包括，在所述基板上形成第一金屬層的步驟；以及利用所述第一金屬層作為催化劑金屬層來執(zhí)行錫電鍍工藝的步驟，其中，執(zhí)行錫電鍍工藝的步驟可以包括，制備包括作為錫源的SnCl2、作為絡(luò)合劑的乙二胺四乙酸(EDTA)和檸檬酸鹽、作為還原劑的NaBH4以及促進(jìn)劑的鍍層液的步驟；以及利用鍍層液在大約20°C _80°C的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行化學(xué)鍍工藝的步驟。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的實施例，在形成所述電極的步驟之前，可以對所述基板執(zhí)行形成所述靜電放電吸收層的步驟。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的實施例，形成所述電極的步驟可以包括，在所述基板上形成下部電極的步驟；以及在所述下部基板上形成上部基板的步驟，并且在形成所述上部電極的步驟之前，在形成所述下部電極的步驟之后，可以執(zhí)行形成所述靜電放電吸收層的步驟。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的實施例，形成所述絕緣層的步驟可以包括，在基板上形成光敏抗蝕膜的步驟；以及使所述光敏抗蝕膜圖案化的步驟。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]結(jié)合附圖，根據(jù)下列對實施例的描述，總的發(fā)明構(gòu)思的這些和/或其他方面及優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見且更容易理解，其中:
[0027]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施例的靜電放電保護(hù)裝置的視圖；
[0028]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施例的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法的流程圖；
[0029]圖3和圖4是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的一實施例的制造靜電放電保護(hù)裝置的工藝的視圖；
[0030]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的靜電放電保護(hù)裝置的視圖；
[0031]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法的流程圖；
[0032]圖7至圖9是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的制造靜電放電保護(hù)裝置的工藝的視圖。
【具體實施方式】
[0033]結(jié)合附圖，參照下文詳細(xì)描述的實施例，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征以及其實現(xiàn)方法將變得顯而易見。然而，本發(fā)明不限于下文公開的實施例并且可以以各種不同形式實現(xiàn)。示例性實施例僅用于實現(xiàn)本發(fā)明的公開并用于向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分描述本發(fā)明的范圍。在整個說明書中，類似參考標(biāo)號指的是類似元件。
[0034]本文所用的術(shù)語用于闡述實施例，而不限制本發(fā)明。在整個說明書中，單數(shù)形式包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚表明不是這樣。除了上述部件、步驟、操作和/或裝置，本文所用的術(shù)語“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”不排除存在并添加其他部件、步驟、操作和/或裝置。
[0035]進(jìn)一步地，要在整個說明書中描述的實施例將參照剖視圖和/或平面圖進(jìn)行描述，這些剖視圖和平面圖是本發(fā)明的理想示例性附圖。在附圖中，層和區(qū)域的厚度可以被放大以便有效闡述技術(shù)內(nèi)容。因此，可以通過制造方法和/或公差來修改示例性附圖。因此，本發(fā)明的實施例不限于附圖，并且可以包括要根據(jù)制造工藝產(chǎn)生的修改。例如，直角示出的蝕刻區(qū)域可以形成為圓形或形成為具有預(yù)定曲率。
[0036]在下文中，將參照附圖對靜電放電保護(hù)裝置及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0037]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施例的靜電放電保護(hù)裝置的視圖。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明實施例的靜電放電保護(hù)裝置100可以包括基板110、靜電放電吸收層120、電極部分130及絕緣層140。
[0038]基板110可以是預(yù)定絕緣基板?；?10可以是陶瓷片、壓敏電阻片、液晶聚合物等。靜電放電吸收層120可以用作功能層，用于吸收或阻擋電極130之間的靜電放電(ESD )，并且絕緣層140可以覆蓋電極部分130以便保護(hù)電極部分130。
[0039]這里，靜電放電吸收層120可以是通過執(zhí)行鍍層工藝形成的結(jié)果。更具體地，靜電放電吸收層120可以包括在基板110上形成的第一金屬層122以及通過利用第一金屬層122作為種晶層執(zhí)行鍍層工藝形成的第二金屬層124。相應(yīng)地，靜電放電吸收層120可以具有由第一金屬層122和第二金屬層124組成的金屬多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)靜電放電吸收層120是通過執(zhí)行化學(xué)鍍工藝形成的結(jié)果時，靜電放電吸收層120可以具有壓紋表面，其中，多個凸形部分位于基板110上。相應(yīng)地，與具有通過執(zhí)行薄膜形成工藝(諸如濺射工藝)形成的平坦表面的薄膜形狀的靜電放電吸收層相比，靜電放電吸收層120可以具有相對較寬的表面積。
[0040]與此同時，第一金屬層122最好由具有雙軌道(double orbital)的金屬制成，以便發(fā)揮催化劑金屬的作用。例如，第一金屬層122可以由鈀(Pd))、銠(Rh)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)、錫(Sn)及鎳(Ni)中的至少一種金屬制成。第二金屬層124通過對第一金屬層122執(zhí)行化學(xué)鍍工藝形成，可以由各種金屬制成。例如，第二金屬層124可以由錫(Sn)制成。
[0041]電極部分130可以包括彼此間隔且其間具有靜電放電吸收層120的第一電極133和第二電極135。第一和第二電極133及135可以由各種金屬制成。例如,第一和第二電極133及135可以是由銅(Cu)制成的金屬圖案。
[0042]絕緣層140可以覆蓋基板110及電極部分130以便對它們進(jìn)行保護(hù)。絕緣層140可以包括第一絕緣層142和疊置在第一絕緣層142上的第二絕緣層144。絕緣層140可以由光敏抗蝕材料制成。也就是說，第一和第二絕緣層142和144可以是相似或不同的成分的光敏抗蝕圖案。
[0043]如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的靜電放電保護(hù)裝置100包括設(shè)置在第一和第二電極133及135之間以便吸收ESD的靜電放電吸收層120，其中靜電放電吸收層120可以是通過執(zhí)行化學(xué)鍍工藝形成的結(jié)果。在這種情況下，與通過執(zhí)行薄膜形成工藝(諸如濺射工藝)形成的靜電放電吸收層相比，靜電放電吸收層120可以具有壓紋表面。當(dāng)靜電放電吸收層120具有壓紋表面時，與具有平坦表面的靜電放電吸收層相比，具有相對較大的比表面積，以增加浪涌電流的移動路徑，從而降低功能層的電阻。相應(yīng)地，根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)層可以通過包括具有可以在相對較寬區(qū)域中阻擋浪涌電流的結(jié)構(gòu)的靜電放電吸收層來改善靜電放電特性。
[0044]進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明實施例的靜電放電保護(hù)裝置100可以使用光敏抗蝕劑作為使電極部分130絕緣的絕緣層。在這種情況下，抗蝕劑同時發(fā)揮絕緣層和用于形成外部電極(未示出)的圖案的作用。另外，由于外部電極可以被設(shè)計為底部電極，由此可以減少安裝保護(hù)裝置100時所需的安裝面積。相應(yīng)地，由于根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置使用光敏抗蝕劑作為使電極部分絕緣的絕緣層，因此在形成光敏抗蝕劑的過程中可以形成用于形成外部電極的圖案，并且由于外部電極可以被設(shè)計為底部電極，因此可以減少安裝保護(hù)裝置時所需的安裝面積。
[0045]連續(xù)地，之前參照圖1描述了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造靜電放電保護(hù)裝置100的工藝。這里，將省略或簡化與上述靜電放電保護(hù)裝置100重復(fù)的描述。
[0046]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施例的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法的流程圖，圖3和圖4是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的一實施例的制造靜電放電保護(hù)裝置的工藝的視圖。
[0047]參照圖2和圖3，在基板110上形成第一金屬層122 (SllO)0各種絕緣基板可以用作基板110。例如，基板110可以是陶瓷片、壓敏電阻片、液晶聚合物等。
[0048]形成第一金屬層122的步驟可以包括，對基板110執(zhí)行金屬預(yù)處理工藝的步驟。執(zhí)行預(yù)處理工藝的步驟可以用于在絕緣基板的表面上形成鍍膜。預(yù)處理工藝可以是使用鈀(Pd))、銠(Rh)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)Ji(Sn)及鎳(Ni)中的至少一種金屬的預(yù)處理工藝。
[0049]通過對基板110執(zhí)行鍍層工藝來形成靜電放電吸收層120 (S120)。形成靜電放電吸收層120的步驟可以包括，利用第一金屬層122作為基板110上的種晶層來執(zhí)行化學(xué)鍍工藝的步驟。例如，化學(xué)鍍工藝可以是用電在要被鍍層的特定物體上鍍錫的錫電鍍工藝。用于鍍錫的鍍層液可以由作為錫源的SnCl2、作為絡(luò)合劑的乙二胺四乙酸(EDTA)和檸檬酸鹽，作為還原劑的NaBH4、促進(jìn)劑以及其他添加劑組成，可以將其pH值調(diào)整至大約8_13。鍍層工藝可以在大約20°C _80°C的鍍層工藝溫度條件下執(zhí)行大約一小時。通過上述化學(xué)鍍工藝，靜電放電吸收層120具有壓紋表面以及由第一和第二金屬層122和124組成的多層結(jié)構(gòu)，可以形成在基板110上。
[0050]在基板110上形成第一抗蝕圖案142(S130)。形成第一抗蝕圖案142的步驟可以包括，形成用于覆蓋其上形成有靜電放電吸收層120的基板110的第一抗蝕膜的步驟，以及使第一抗蝕膜圖案化以露出靜電放電吸收層120的一部分的步驟。
[0051]在基板上形成使用第一抗蝕圖案142作為鍍層抗蝕劑的鍍層工藝(S140)。鍍層工藝可以是化學(xué)鍍工藝。相應(yīng)地，在由第一抗蝕圖案142露出的基板110區(qū)域上形成鍍膜，使得下部電極132及134可以形成在基板110上，以彼此以預(yù)定間隔隔開。
[0052]參照圖2和圖4，在第一抗蝕圖案142上形成露出下部電極132及134的第二抗蝕圖案144 (S150)。形成第二抗蝕圖案144的步驟可以包括，形成用于覆蓋第一抗蝕劑圖案142和下部電極132及134的一部分的第二抗蝕膜的步驟，以及使第二抗蝕膜圖案化以露出下部電極132及134的步驟。
[0053]執(zhí)行使用第二抗蝕圖案144作為鍍層抗蝕劑的鍍層工藝(S150)。鍍層工藝可以是化學(xué)鍍工藝。相應(yīng)地，可以在基板Iio上形成由通過在下部電極132及134上形成電鍍膜而形成的第一和第二電極133及135組成的部分130的步驟。第一和第二電極133及135可以彼此以預(yù)定間隔隔開，其間具有靜電放電吸收層120并用要受到保護(hù)的第一和第二抗蝕圖案142及144進(jìn)行覆蓋。
[0054]如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法可以通過執(zhí)行鍍層工藝來形成靜電放電吸收層120。在這種情況下，與利用薄膜形成工藝(諸如濺射工藝)形成靜電放電吸收層的方法相比，可以通過改變鍍層工藝條件調(diào)整靜電放電吸收層的間隔來相對地降低工藝成本并補(bǔ)償電極之間的間隔。相應(yīng)地，由于根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置及其制造方法利用鍍層工藝而不是薄膜形成工藝來形成靜電吸收層作為功能層，因此可以通過改變鍍層工藝條件來相對地降低工藝成本并補(bǔ)償電極之間的間隔。
[0055]進(jìn)一步地，由于根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法使用光敏抗蝕劑作為絕緣材料，因此可以具有相對較低的固化溫度。在這種情況下，可以防止在排出蒸發(fā)材料過程中這些材料對本體產(chǎn)生影響，這些蒸發(fā)材料是放電介質(zhì)中所包括的溶劑等在作為后續(xù)過程的共燒過程中蒸發(fā)至外面時所生成的。另外，由于絕緣層由光敏抗蝕劑形成，因此外部電極可以實現(xiàn)為底部電極，由此減少了在用于設(shè)置產(chǎn)品所施加時的安裝面積。
[0056]在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的靜電放電保護(hù)裝置。這里，將省略或簡化與根據(jù)上述本發(fā)明實施例的靜電放電保護(hù)裝置及其制造方法重復(fù)的描述。
[0057]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的靜電放電保護(hù)裝置的視圖。參照圖5，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的靜電放電保護(hù)裝置200可以包括基板210、靜電放電吸收層220、電極部分230及絕緣層240。
[0058]基板210可以是預(yù)定絕緣基板。靜電放電吸收層220可以是用于吸收或阻擋電極部分230的第一和第二電極233及235之間的ESD的功能層，絕緣層240可以由用于覆蓋基板210的第三抗蝕圖案242和用于覆蓋第三抗蝕圖案242的第四抗蝕圖案244組成，以便覆蓋電極部分230。
[0059]靜電放電吸收層220可以具有由第三金屬層222和第四金屬層224組成的金屬多層結(jié)構(gòu)，第四金屬層224是形成在第三金屬層222上的鍍層。靜電放電吸收層220是通過執(zhí)行化學(xué)鍍工藝形成的結(jié)果，可以具有壓紋(embossed)表面。[0060]電極部分230具有設(shè)置在基板210上以便彼此隔開的第三電極236和第四電極238，并且第三和第四電極236及238可以分別設(shè)置在第三和第四抗蝕圖案242及244之上。更具體地，電極部分230可以被劃分為垂直設(shè)置在基板210上的下部電極232和上部電極234。下部電極232可以具有設(shè)置在基板210上以便彼此隔開并由第三抗蝕圖案242包圍的第一和第二下部電極232a及232b。上部電極234可以具有與第一下部電極232a形成第三電極236的第一上部電極234a以及設(shè)置在第二下部電極232b上以便與第二下部電極232b形成第四電極238的第二上部電極234b。第一和第二上部電極234a及234b可以由第一下部電極232a上的第一抗蝕圖案244包圍。
[0061]與此同時，靜電放電吸收層220可以設(shè)置在第三抗蝕圖案242和第四抗蝕圖案244的邊界上。另外，靜電放電吸收層220可以設(shè)置在下部電極232和上部電極234的邊界上。相應(yīng)地，靜電放電吸收層220可以是設(shè)置在第三和第四電極236、238之間的功能層。這里，具有ESD功能的部件通常嵌入諸如濾波器的各個部件中，并且ESD電極形成在具有不同功能的金屬線圈和層上。然而，與滲透浪涌電流時的靜電放電吸收層220相比，靜電放電吸收層220設(shè)置在絕緣層230內(nèi)的中間層位置，以防止浪涌電流滲透進(jìn)設(shè)置在下層上的線圈和層。
[0062]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的靜電放電保護(hù)裝置200可以具有設(shè)置在上部電極234和下部電極232的邊界上的靜電放電吸收層220。相應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置中，由于靜電放電吸收層設(shè)置在絕緣層的中間部分中的下部電極和上部電極的邊界上，因此可以在浪涌電流滲透時，在浪涌電流滲透進(jìn)靜電放電吸收層的下層上的具有不同功能的線圈和層之前，事先阻擋浪涌電流，由此最大程度減小對靜電放電吸收層的下層造成損壞。
[0063]進(jìn)一步地，在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的靜電放電保護(hù)裝置200中，靜電放電吸收層220可以設(shè)置在第三抗蝕圖案242和第四抗蝕圖案244的邊界上。如果靜電放電吸收層220位于基板210和第三蝕刻圖案242的邊界上，則靜電放電吸收層220可以使基板210和絕緣層240之間的粘接可靠性或吸濕性降低。然而，在根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置中，由于靜電放電吸收層形成在因聚合物材料的粘接強(qiáng)度而具有相對較高粘接強(qiáng)度的抗蝕圖案的粘接表面上，因此可以防止當(dāng)基板和絕緣層之間設(shè)置靜電放電吸收層時出現(xiàn)的粘接可靠性和吸濕性降低的問題。
[0064]連續(xù)地，將詳細(xì)描述上文參照圖5描述的制造靜電放電保護(hù)裝置200的工藝。這里，將省略或簡化與上述靜電放電保護(hù)裝置重復(fù)的描述。
[0065]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的制造靜電放電保護(hù)裝置的方法的流程圖，而圖7-9是用于闡述根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的制造靜電放電保護(hù)裝置的工藝的視圖。
[0066]參照圖6及圖7，在基板210上形成下部電極232 (S210)。形成下部電極232的步驟可以包括預(yù)處理基板210的步驟；在基板210上形成晶種層的步驟；形成抗蝕圖案以便在基板210上形成圖案的步驟；通過利用抗蝕圖案執(zhí)行圖案化工藝來形成晶種層圖案的步驟；形成暴露基板210上的晶種層圖案的第三抗蝕圖案242的步驟；以及利用第三抗蝕圖案242作為鍍層抗蝕劑來對基板210執(zhí)行化學(xué)鍍工藝的步驟。相應(yīng)地，下部電極232和包圍下部電極232的第三抗蝕圖案242可以形成在基板210上。[0067]參照圖6和圖8，在下部電極232和第三抗蝕圖案242上形成靜電放電吸收層220(S220)。形成靜電放電吸收層220的步驟可以包括，通過對下部電極232和第三抗蝕圖案242執(zhí)行金屬預(yù)處理工藝來形成第一金屬層222的步驟，以及通過執(zhí)行化學(xué)鍍工藝形成覆蓋第一金屬層222的第二金屬層224的步驟。相應(yīng)地，具有壓紋表面且由第一和第二金屬層222及224組成的靜電放電吸收層220可以形成在下部電極232和第三抗蝕圖案242上。
[0068]參照圖6和圖9，在靜電放電吸收層220上形成上部電極234和第四抗蝕圖案244(S230)。形成上部電極234的步驟可以包括，形成覆蓋靜電放電吸收層220的第四抗蝕膜的步驟；通過使第四抗蝕膜圖案化形成暴露下部電極232的第四抗蝕圖案244的步驟；以及通過利用第四抗蝕圖案244作為鍍層抗蝕劑執(zhí)行鍍層工藝來在下部電極232上形成鍍膜的步驟。相應(yīng)地，靜電放電保護(hù)裝置具有由下部電極232和上部電極234組成的電極部分230、包圍下部電極232的第三抗蝕圖案242、覆蓋第三抗蝕圖案242并同時包圍上部電極234的第四抗蝕圖案244、以及形成在下部電極和上部電極232及234的邊界上及第三和第四抗蝕圖案242及244的邊界上的靜電放電吸收層220。
[0069]根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置可以通過包括靜電放電吸收層來提高靜電放電特性，該靜電放電吸收層可以阻擋在相對較寬區(qū)域中的浪涌電流。
[0070]根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置在形成光敏抗蝕劑的過程中可以形成外部電極圖案(利用光敏抗蝕劑作為使電極部分絕緣的絕緣層)并通過設(shè)計外部電極作為底部電極來減少在安裝保護(hù)裝置時所需的安裝面積。
[0071]根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置及其制造方法可以通過形成靜電放電吸收層來相對地減少工藝成本(采用鍍層工藝而不是薄膜形成工藝)，并通過改變鍍層工藝條件來補(bǔ)償電極之間的間隔，其中，該靜電放電吸收層是功能層。
[0072]根據(jù)本發(fā)明的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法可以防止在排出蒸發(fā)材料的過程中蒸發(fā)材料對本體產(chǎn)生影響，這些蒸發(fā)材料是在放電介質(zhì)中所包括的溶劑等在共燒過程中蒸發(fā)至外面時所生成的。
[0073]根據(jù)本發(fā)明的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法在施加保護(hù)裝置來設(shè)置產(chǎn)品時，可以通過形成利用光敏抗蝕劑覆蓋電極部分的絕緣層(因此將外部電極實現(xiàn)為底部電極)，減小保護(hù)裝置的安裝區(qū)域。
[0074]根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置在抗蝕圖案之間設(shè)置靜電放電吸收層，這些抗蝕圖案是與光敏聚合物相似的材料。在這種情況下，由于抗蝕圖案之間的粘接強(qiáng)度因聚合物材料的粘接強(qiáng)度而相對增加，因此可以防止在基板和絕緣層之間設(shè)置靜電放電吸收層時出現(xiàn)可靠性降低的問題。
[0075]根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置可以通過在絕緣層的中間部分中的下部電極和上部電極的邊界上設(shè)置靜電放電吸收層來最大程度減小對靜電放電吸收層的下層造成損壞，以便在浪涌電流滲透時，在浪涌電流滲透進(jìn)靜電放電吸收層的下層上的具有不同功能的線圈和層之前，事先阻擋浪涌電流。
[0076]根據(jù)本發(fā)明的靜電放電保護(hù)裝置可以通過在因聚合物材料的粘接強(qiáng)度而具有相對較高粘接強(qiáng)度的抗蝕圖案的粘接表面上形成靜電放電吸收層，來防止當(dāng)基板和絕緣層之間設(shè)置靜電放電吸收層時出現(xiàn)的粘接可靠性和吸濕性降低的問題。
[0077]前述描述示出了本發(fā)明。另外，前述描述僅顯示并闡述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但應(yīng)理解，本發(fā)明可以用于各種其他組合、修改及環(huán)境，并且根據(jù)上述教導(dǎo)和/或相關(guān)技術(shù)的技能或知識，可以在如本文所表達(dá)的發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)改變并修改。上述的實施例還旨在闡述實施本發(fā)明已知的最佳方式并用于使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠在這些或其他實施例中通過本發(fā)明的特定應(yīng)用或用途所需的各種修改而利用本發(fā)明。相應(yīng)地，該描述不旨在將本發(fā)明限制到本文公開的形式。同樣，所附權(quán)利要求旨在被解釋為包括替代實施例。
【權(quán)利要求】
1.一種靜電放電保護(hù)裝置，包括: 基板； 靜電放電吸收層，具有形成在所述基板上的鍍膜； 電極，設(shè)置在所述基板上以彼此以預(yù)定間隔隔開，所述靜電放電吸收層介于所述電極之間；以及 絕緣層，用于覆蓋所述基板和所述電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其中，所述靜電放電吸收層具有由多個金屬層組成的多層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其中，所述靜電放電吸收層具有壓紋表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其中，所述靜電放電吸收層設(shè)置在所述基板和所述絕緣層的邊界上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其中，所述絕緣層具有疊置在所述基板上的多個抗蝕圖案， 所述電極部分形成在所述抗蝕圖案之上，并且 所述靜電放電吸收層設(shè)置 在所述抗蝕圖案的邊界上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其中，所述靜電放電吸收層包括: 第一金屬層，形成在所述基板上；以及 第二金屬層，用于覆蓋所述第一金屬層，其中，所述第一金屬層由鈀(Pd)、銠(Rh)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)及鎳(Ni)中的至少一種金屬制成，并且所述第二金屬層由錫(Sn)制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其中，所述絕緣層包括光敏抗蝕圖案。
8.一種用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法，包括: 通過在基板上執(zhí)行鍍層工藝而形成靜電放電吸收層； 在所述基板上形成彼此以預(yù)定間隔隔開的電極，所述靜電放電吸收層介于所述電極之間；以及 形成絕緣層以覆蓋所述基板和所述電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法，其中，形成所述靜電放電吸收層包括: 在所述基板上形成第一金屬層；以及 利用所述第一金屬層作為催化劑金屬層來執(zhí)行化學(xué)鍍工藝。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法，其中，形成所述靜電放電吸收層包括，用電在所述基板上執(zhí)行鍍錫的鍍錫工藝。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法，其中，形成所述靜電放電吸收層包括: 在所述基板上形成第一金屬層；以及 利用所述第一金屬層作為催化劑金屬層來執(zhí)行鍍錫工藝，其中，執(zhí)行鍍錫工藝包括:制備鍍層液，所述鍍層液包括作為錫源的SnCl2、作為絡(luò)合劑的乙二胺四乙酸(EDTA)和檸檬酸鹽、作為還原劑的NaBH4以及促進(jìn)劑；以及利用所述鍍層液在大約20°C至80°C的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行化學(xué)鍍工藝。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法，其中，在形成所述電極之前，在所述基板上執(zhí)行所述靜電放電吸收層的形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法，其中，形成所述電極包括: 在所述基板上形成下部電極；以及 在所述下部電極上形成上部電極，并且在形成所述上部電極之前，在形成所述下部電極之后，執(zhí)行所述靜電放電吸收層的形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于制造靜電放電保護(hù)裝置的方法，其中，形成所述絕緣層包括: 在所述基板上形成光敏抗蝕膜；以及 使所述光敏抗蝕膜圖案化。
【文檔編號】H01L23/60GK103633070SQ201310141705
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月27日
【發(fā)明者】梁珍赫, 劉永錫, 魏圣權(quán), 張建世, 梁主歡, 權(quán)寧度, 李鐘潤 申請人:三星電機(jī)株式會社