發(fā)光模組及其電路板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)覆晶發(fā)光晶片之電路板及發(fā)光模組，尤指一種可以提高散熱效率之驅(qū)動(dòng)覆晶發(fā)光晶片之電路板及發(fā)光模組。
【背景技術(shù)】
[0002]由于發(fā)光二極體(light emitting device, LED)具有壽命長(zhǎng)、體積小及耗電量低等優(yōu)點(diǎn)，發(fā)光二極體已被廣泛地應(yīng)用于各種照明裝置中。一般而言，當(dāng)發(fā)光二極體的溫度升高時(shí)，發(fā)光二極體的發(fā)光效率會(huì)顯著下降，并縮短發(fā)光二極體的使用壽命。隨著發(fā)光二極體逐漸被應(yīng)用于各種照明用途中，發(fā)光二極體的散熱問題更加重要。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，承載發(fā)光二極體的基板是由氧化鋁(A1203)或其他具絕緣及高導(dǎo)熱特性的材料所形成，以對(duì)發(fā)光二極體進(jìn)行散熱。然而氧化鋁材料的導(dǎo)熱系數(shù)仍較金屬材料的導(dǎo)熱系數(shù)低，因此現(xiàn)有技術(shù)并無法進(jìn)一步提高發(fā)光二極體照明裝置的散熱效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明之目的在于提供一種可以提高散熱效率之驅(qū)動(dòng)覆晶發(fā)光晶片之電路板及發(fā)光模組，以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。
[0005]本發(fā)明驅(qū)動(dòng)覆晶發(fā)光晶片之電路板包含一金屬基板，具有一第一表面，以及一第二表面相對(duì)于該第一表面，該第一表面包含一第一電極區(qū)、一第二電極區(qū)以及一導(dǎo)熱區(qū)；一第一金屬電極，形成于該第一電極區(qū)上，用以提供一第一電壓；一第一絕緣層，形成于該第一金屬電極及該金屬基板之間；一第二金屬電極，形成于該第二電極區(qū)上，用以提供一第二電壓；一第二絕緣層，形成于該第二金屬電極及該金屬基板之間；以及一防焊層，覆蓋于該金屬基板的第一表面上；其中該導(dǎo)熱區(qū)是外露于該防焊層。
[0006]本發(fā)明發(fā)光模組包含一覆晶發(fā)光晶片，以及一電路板。該覆晶發(fā)光晶片包含一第一電極及一第二電極。該電路板包含一金屬基板，具有一第一表面，以及一第二表面相對(duì)于該第一表面，該第一表面包含一第一電極區(qū)、一第二電極區(qū)以及一導(dǎo)熱區(qū)；一第一金屬電極，形成于該第一電極區(qū)上，用以提供一第一電壓至該覆晶發(fā)光晶片之該第一電極；一第一絕緣層，形成于該第一金屬電極及該金屬基板之間；一第二金屬電極，形成于該第二電極區(qū)上，用以提供一第二電壓至該覆晶發(fā)光晶片之該第二電極；一第二絕緣層，形成于該第二金屬電極及該金屬基板之間；以及一防焊層，覆蓋于該金屬基板的第一表面上；其中該導(dǎo)熱區(qū)是外露于該防焊層，且該導(dǎo)熱區(qū)是連接至該覆晶發(fā)光晶片。
[0007]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明是利用金屬基板作為之覆晶發(fā)光晶片之電路基板，且金屬基板具有一外露之導(dǎo)熱區(qū)用以間接或直接連接至覆晶發(fā)光晶片，以快速地將覆晶發(fā)光晶片于發(fā)光時(shí)產(chǎn)生之熱量經(jīng)由導(dǎo)熱區(qū)導(dǎo)引至金屬基板，再藉由金屬基板將熱量散去。因此本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之電路板及發(fā)光模組具有較佳的散熱效率。
【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之電路板的不意圖。
[0009]圖2是圖1覆晶發(fā)光晶片之電路板的剖面圖。
[0010]圖3是本發(fā)明發(fā)光模組的第一實(shí)施例的示意圖。
[0011]圖4是本發(fā)明發(fā)光模組的第二實(shí)施例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]請(qǐng)同時(shí)參考圖1及圖2。圖1是本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之電路板的不意圖。圖2是圖1覆晶發(fā)光晶片之電路板的剖面圖。如圖所示，本發(fā)明覆晶發(fā)光晶片之電路板100包含一金屬基板110，一第一金屬電極120，一第一絕緣層130，一第二金屬電極140，一第二絕緣層150以及一防焊層160。金屬基板110具有一第一表面170，以及一第二表面180相對(duì)于該第一表面170。第一表面170包含一第一電極區(qū)172、一第二電極區(qū)174以及一導(dǎo)熱區(qū)176。第一電極區(qū)172及第二電極區(qū)174可以是在第一表面170上進(jìn)行蝕刻所形成之凹陷區(qū)域，但本發(fā)明不以此為限。第一金屬電極120是形成于第一電極區(qū)172上。第一絕緣層130是形成于第一金屬電極120及金屬基板110之間，以避免第一金屬電極120和金屬基板110導(dǎo)通。第二金屬電極140是形成于第二電極區(qū)174上。第二絕緣層150是形成于第二金屬電極140及金屬基板110之間，以避免第二金屬電極140和金屬基板110導(dǎo)通。由于第一絕緣層130及第二絕緣層150之配置，導(dǎo)熱區(qū)176是不電連接于第一金屬電極120及第二金屬電極140。防焊層160是覆蓋于金屬基板110的第一表面170上。防焊層360可以避免焊錫四處流動(dòng)，且具有絕緣功能。導(dǎo)熱區(qū)176是外露于防焊層160。
[0013]另外，本發(fā)明電路板100可另包含一第一電源電極192以及一第二電源電極194。第一電源電極192可電連接于第一金屬電極120，用以接收一第一電壓Vl (例如一正電壓)，而第二電源電極194可電連接于第二金屬電極140，用以接收相異于第一電壓Vl之一第二電壓V2 (例如一接地電壓)，如此第一金屬電極120及第二金屬電極140可分別提供第一電壓Vl及第二電壓V2至一覆晶發(fā)光晶片，以驅(qū)動(dòng)覆晶發(fā)光晶片發(fā)光。再者，本發(fā)明電路板100可另包含一第一抗氧化金屬層122形成于第一金屬電極120上，以及一第二抗氧化金屬層142形成于第二金屬電極140上。第一抗氧化金屬層122和第二抗氧化金屬層142可以是由金或銀等材料所形成，以避免第一金屬電極120和第二金屬電極140氧化。
[0014]另一方面，本發(fā)明電路板可包含復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬電極120、第二金屬電極140及導(dǎo)熱區(qū)176，且復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬電極120、第二金屬電極140及導(dǎo)熱區(qū)176可以環(huán)狀或矩陣型式均勻地分散于電路板上，如此當(dāng)本發(fā)明電路板提供電源至復(fù)數(shù)個(gè)覆晶發(fā)光晶片以驅(qū)動(dòng)復(fù)數(shù)個(gè)覆晶發(fā)光晶片發(fā)光時(shí)，本發(fā)明電路板可以快速且均勻地對(duì)復(fù)數(shù)個(gè)覆晶發(fā)光晶片進(jìn)行散熱。再者，當(dāng)本發(fā)明電路板包含復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬電極120、第二金屬電極140及導(dǎo)熱區(qū)176時(shí)，第一金屬電極120、第二金屬電極140、第一電源電極192以及第二電源電極194之間的電連接方式(例如串聯(lián)或并聯(lián))可以視設(shè)計(jì)需求而改變。
[0015]請(qǐng)參考圖3。圖3是本發(fā)明發(fā)光模組的第一實(shí)施例的示意圖。如圖3所示，本發(fā)明可以將一覆晶發(fā)光晶片200設(shè)置于電路板100上，以形成一發(fā)光模組10。圖3的電路板100是相同于圖2的電路板100，因此不再加以說明。覆晶發(fā)光晶片200包含一第一電極2