”到另一元件時(shí)，在這樣的元件之間可以或可以不存在低電阻的路徑。
[0069]本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以使用各種不同的技術(shù)和技巧中的任何一種來表示信息和信號(hào)。例如，可以在以上描述中引用的數(shù)據(jù)、指令、命令、信息、信號(hào)、比特、符號(hào)和碼片可以通過電壓、電流、電磁波、磁場或粒子、光場或粒子或者其任何組合來表示。
[0070]本領(lǐng)域技術(shù)人員將進(jìn)一步了解，結(jié)合本文公開的示例性方面描述的各種說明性邏輯塊、模塊、電路和算法步驟可以被實(shí)現(xiàn)為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或二者的組合。為了清楚地說明硬件和軟件的這種可互換性，以上通常根據(jù)其功能來描述各種說明性組件、塊、模塊、電路和步驟。這種功能被實(shí)現(xiàn)為硬件還是軟件取決于對整個(gè)系統(tǒng)施加的具體應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以針對每個(gè)具體應(yīng)用來以各種方式實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這樣的實(shí)現(xiàn)決定不應(yīng)當(dāng)被解釋為導(dǎo)致脫離本發(fā)明的示例性方面的范圍。
[0071]結(jié)合本文公開的示例性方面描述的各種說明性邏輯塊、模塊和電路可以通過通用處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其他可編程邏輯器件、分立門或晶體管邏輯、離散硬件組件或設(shè)計(jì)為執(zhí)行本文描述的功能的其任何組合來實(shí)現(xiàn)或執(zhí)行。通用處理器可以是微處理器，但是在替代中，處理器可以是任何傳統(tǒng)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器還可以被實(shí)現(xiàn)為計(jì)算設(shè)備的組合，例如，DSP和微處理器、多個(gè)微處理器、一個(gè)或多個(gè)微處理器結(jié)合DSP核心或任何其他這樣的配置的組入口 ο
[0072]結(jié)合本文公開的示例性方面描述的方法或算法步驟可以直接以硬件、以由處理器執(zhí)行的軟件模塊或二者的組合來實(shí)現(xiàn)。軟件模塊可以駐留在隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、閃速存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盤、可移除盤、CD-ROM或本領(lǐng)域中公知的任何其他形式的存儲(chǔ)介質(zhì)中。示例性存儲(chǔ)介質(zhì)被耦合到處理器，使得處理器可以從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取信息并且將信息寫入存儲(chǔ)介質(zhì)。在替代中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以集成到處理器中。處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可以駐留在ASIC中。ASIC可以駐留在用戶終端中。在替代中，處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可以作為分立組件駐留在用戶終端中。
[0073]在一個(gè)或多個(gè)示例性方面中，所描述的功能可以以硬件、軟件、固件或其任何組合來實(shí)現(xiàn)。如果以軟件實(shí)現(xiàn)，則功能可以作為一個(gè)或多個(gè)指令或代碼被存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或通過其傳送。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)和通信介質(zhì)二者，包括促進(jìn)計(jì)算機(jī)程序從一個(gè)地方傳輸?shù)搅硪坏胤降娜魏谓橘|(zhì)。存儲(chǔ)介質(zhì)可以是計(jì)算機(jī)可以訪問的任何可用介質(zhì)。通過示例而非限制的方式，這樣的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包括RAM、ROM、EEPR0M、⑶-ROM或其他光盤存儲(chǔ)、磁盤存儲(chǔ)或其他磁存儲(chǔ)設(shè)備或者能夠用于攜帶或以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式存儲(chǔ)期望的程序代碼并且可以由計(jì)算機(jī)訪問的任何其他介質(zhì)。而且，任何連接被適當(dāng)?shù)胤Q為計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。例如，如果使用同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、數(shù)字用戶線(DSL)或諸如紅外、無線電和微波的無線技術(shù)從網(wǎng)站、服務(wù)器或其他遠(yuǎn)程源傳送軟件，則同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、DSL或諸如紅外、無線電和微波的無線技術(shù)被包括在介質(zhì)的定義中。如本文中所使用的磁盤和光盤包括壓縮盤(CD)、激光盤、光盤、數(shù)字多功能光盤(DVD)、軟盤和藍(lán)光光盤，其中磁盤通常磁性地再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤用激光再現(xiàn)數(shù)據(jù)。上述的組合也應(yīng)當(dāng)被包括在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的范圍內(nèi)。
[0074]所公開的示例性方面的先前描述是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明而提供的。對這些示例性方面的各種修改對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見，并且在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，本文定義的一般原理可以應(yīng)用于其他示例性方面。因此，本公開不旨在被限制為本文所示的示例性方面，而是應(yīng)當(dāng)被賦予與本文所公開的原理和新穎特征一致的最廣范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種裝置，包括: 包括襯底的晶體管；以及 負(fù)整流器，被配置為對與所述晶體管的漏極到源極電壓相關(guān)的電壓的負(fù)部分進(jìn)行整流，所述襯底被耦合到所述負(fù)整流器的輸出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括增益元件，所述增益元件被配置為生成與所述晶體管的漏極到源極電壓相關(guān)的電壓，作為與所述晶體管的漏極到源極電源成比例的增益電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述襯底進(jìn)一步經(jīng)由第一電阻器被耦合到恒定偏置電壓，并且所述襯底經(jīng)由第二電阻器被耦合到所述負(fù)整流器的輸出。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，所述增益元件包括串聯(lián)電阻分壓器，其中所述電阻分壓器的至少一個(gè)電阻器具有可調(diào)節(jié)電阻。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，進(jìn)一步包括: 閉環(huán)電路，用于調(diào)節(jié)所述增益元件的增益，使得所述晶體管的襯底偏置電壓近似等于參考電壓。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，所述閉環(huán)電路包括: 耦合到所述襯底偏置電壓的低通濾波器； 運(yùn)算放大器電路，具有耦合到所述低通濾波器的輸出的第一輸入以及耦合到所述參考電壓的第二輸入，其中所述運(yùn)算放大器電路的輸出被耦合到所述可調(diào)節(jié)電阻。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，所述增益元件包括電容分壓器。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述負(fù)整流器包括負(fù)二極管整流器。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，所述負(fù)二極管整流器包括負(fù)電壓倍增器。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括與包括襯底的所述晶體管串聯(lián)耦合的多個(gè)晶體管，其中所述多個(gè)晶體管中的每一個(gè)晶體管包括耦合到所述負(fù)整流器的輸出的襯底。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述多個(gè)晶體管的柵極被耦合到負(fù)偏置電壓。12.—種裝置，包括: 用于對與晶體管的漏極到源極電壓相關(guān)的電壓的負(fù)部分進(jìn)行整流以生成整流電壓的部件；以及 用于將所述整流電壓耦合到所述晶體管的襯底的部件。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，進(jìn)一步包括:用于生成與所述晶體管的漏極到源極電壓相關(guān)的電壓作為與所述晶體管的漏極到源極電源成比例的電壓的部件。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，進(jìn)一步包括:用于調(diào)節(jié)與所述漏極到源極電壓成比例的所述電壓以保持恒定整流電壓的部件。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，用于對所述負(fù)部分進(jìn)行整流的部件包括用于將與所述漏極到源極電壓相關(guān)的所述電壓耦合到負(fù)電壓倍增器的部件。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，用于整流的所述部件包括負(fù)二極管整流器。17.—種方法，包括: 對與晶體管的漏極到源極電壓相關(guān)的電壓的負(fù)部分進(jìn)行整流以生成整流電壓；以及 將所述整流電壓耦合到所述晶體管的襯底。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括:生成與所述晶體管的漏極到源極電壓相關(guān)的所述電壓作為與所述晶體管的漏極到源極電源成比例的電壓。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括:經(jīng)由第一電阻器將所述晶體管的襯底耦合到恒定偏置電壓，耦合所述整流電壓包括經(jīng)由第二電阻器將所述整流電壓耦合到所述襯底。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，對所述負(fù)部分進(jìn)行整流包括將與所述漏極到源極電壓相關(guān)的所述電壓耦合到負(fù)電壓倍增器。
【專利摘要】用于改進(jìn)射頻(RF)前端開關(guān)的線性度的技術(shù)。在一個(gè)方面中，公開了開環(huán)技術(shù)，用于將一個(gè)或多個(gè)負(fù)整流器的輸出電壓疊加在負(fù)襯底偏置電壓上以減少與電壓相關(guān)的襯底漏電流相關(guān)聯(lián)的非線性。在另一方面中，進(jìn)一步公開閉環(huán)技術(shù)，用于將襯底偏置電壓保持接近參考電壓。進(jìn)一步描述了電路塊的示例性實(shí)施例。
【IPC分類】H03K17/06
【公開號(hào)】CN105409123
【申請?zhí)枴緾N201480042423
【發(fā)明人】J·F·伊姆博諾恩, 王新偉, 羅鎮(zhèn)應(yīng), 張向東
【申請人】高通股份有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2014年7月24日
【公告號(hào)】EP3031135A1, US9128502, US20150042399, WO2015020809A1