0090]還需要說(shuō)明的是，第一區(qū)域42的面積大于第三區(qū)域48的面積，所述第三區(qū)域48為所述第一電子元器件47所覆蓋的區(qū)域，且，所述第三區(qū)域48在所述殼體本體41的第一側(cè)的垂直投影所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)樗龅谝粎^(qū)域42的子區(qū)域；這樣，能夠使第一電子元器件47正對(duì)絕熱介質(zhì)42，從而提高絕熱介質(zhì)42對(duì)第一電子元器件47的熱輻射的屏蔽效果。
[0091]本實(shí)施例中，絕熱介質(zhì)正對(duì)電子設(shè)備中單位時(shí)間熱輻射值大的電子元器件，能夠促使熱輻射在面積較大的導(dǎo)熱介質(zhì)進(jìn)行傳導(dǎo)，從而能夠?qū)彷椛鋫鲗?dǎo)第二區(qū)域中遠(yuǎn)離電子元器件的遠(yuǎn)端，提高了散熱效果。
[0092]實(shí)施例五
[0093]本實(shí)施例記載一種殼體，應(yīng)用于筆記本電腦、智能手機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備，如圖5所示，所述殼體內(nèi)容置所述電子設(shè)備的電子元器件56 ；
[0094]所述殼體可以包括:殼體本體51、絕熱介質(zhì)52和導(dǎo)熱介質(zhì)53 ;其中，
[0095]所述導(dǎo)熱介質(zhì)53設(shè)置于所述殼體本體51的第一側(cè)的第一區(qū)域54和第二區(qū)域55,
[0096]所述絕熱介質(zhì)52在所述第一區(qū)域54設(shè)置于所述導(dǎo)熱介質(zhì)55之上，也就是說(shuō)，在所述殼體本體51的第一側(cè)的第一區(qū)域54、所述絕熱介質(zhì)52之間還設(shè)置有導(dǎo)熱介質(zhì)53。
[0097]以，使所述絕熱介質(zhì)52屏蔽所述電子元器件56的熱輻射，所述導(dǎo)熱介質(zhì)53中與所述絕熱介質(zhì)52相接觸、且未被所述絕熱介質(zhì)52覆蓋的區(qū)域接收所述熱輻射(熱輻射如圖5中虛線所示)，并通過(guò)所述導(dǎo)熱介質(zhì)53傳導(dǎo)所述熱輻射。
[0098]在所述絕熱介質(zhì)52與所述殼體本體51的第一區(qū)域54之間、以及所述導(dǎo)熱介質(zhì)53與所述殼體本體51的第二區(qū)域55之間，還設(shè)置有剛性薄膜介質(zhì)57 ;其中，
[0099]所述剛性薄膜介質(zhì)57在所述第一區(qū)域54分別與所述絕熱介質(zhì)52、所述殼體本體51的第一側(cè)貼合；
[0100]所述剛性薄膜介質(zhì)57在所述第二區(qū)域55分別與所述導(dǎo)熱介質(zhì)53、所述殼體本體51的第一側(cè)貼合。
[0101]絕熱介質(zhì)52和導(dǎo)熱介質(zhì)53可以分別與剛性薄膜介質(zhì)57預(yù)先貼合，從而提高在殼體本體51設(shè)置絕熱介質(zhì)52和導(dǎo)熱介質(zhì)53的效率，降低了實(shí)施難度，實(shí)際應(yīng)用中，剛性薄膜介質(zhì)57可以采用PET材料制成的具有剛性的薄膜；當(dāng)然，剛性薄膜介質(zhì)57也可以采用其他材料制成，只要是具有剛性、不易彎折的薄膜即可。
[0102]本實(shí)施例中，所述絕熱介質(zhì)52可以采用二氧化硅、氧化鈣等導(dǎo)熱系數(shù)低的介質(zhì)；所述導(dǎo)熱介質(zhì)53可以采用石墨烯等導(dǎo)熱系數(shù)高的介質(zhì)；所述絕熱介質(zhì)52和所述導(dǎo)熱介質(zhì)53的厚度根據(jù)所述殼體本體51與電子元器件56之間的距離確定，通常厚度小于I毫米，當(dāng)然，當(dāng)殼體本體51與電子元器件56的距離較大時(shí)，厚度也可以大于I毫米。
[0103]本實(shí)施例中，通過(guò)剛性薄膜介質(zhì)的方式設(shè)置絕熱介質(zhì)和導(dǎo)熱介質(zhì)，提高了設(shè)置絕熱介質(zhì)和導(dǎo)熱介質(zhì)的效率，并且，通過(guò)絕熱介質(zhì)屏蔽電子設(shè)備中電子元器件的熱輻射，能夠促使熱輻射在面積較大的導(dǎo)熱介質(zhì)進(jìn)行傳導(dǎo)，從而能夠?qū)彷椛鋫鲗?dǎo)第二區(qū)域中遠(yuǎn)離電子元器件的遠(yuǎn)端，提高了散熱效果。
[0104]實(shí)施例六
[0105]本實(shí)施例記載一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括實(shí)施例一至實(shí)施例五任一實(shí)施例所記載的殼體。
[0106]這里需要指出的是:以下方法實(shí)施例中的描述，與上述殼體實(shí)施例的描述是類(lèi)似的，同殼體實(shí)施例的有益效果描述，不作贅述。對(duì)于本發(fā)明方法實(shí)施例中未披露的技術(shù)細(xì)節(jié)，請(qǐng)參照本發(fā)明殼體實(shí)施例的描述。
[0107]實(shí)施例七
[0108]本實(shí)施例記載一種熱福射處理方法,應(yīng)用于包括殼體的電子設(shè)備中，所述殼體內(nèi)容置所述電子設(shè)備的電子元器件16 ;如圖1所示，所述殼體包括:殼體本體11、絕熱介質(zhì)12和導(dǎo)熱介質(zhì)13 ;結(jié)合圖1所示的殼體的示意圖，如圖6所示，本實(shí)施例記載的熱輻射處理方法包括以下步驟:
[0109]步驟601，在所述殼體本體11的第一側(cè)的第一區(qū)域14設(shè)置所述絕熱介質(zhì)12。
[0110]步驟602，在所述殼體本體11的第一側(cè)的第二區(qū)域15設(shè)置所述導(dǎo)熱介質(zhì)13。
[0111]所述絕熱介質(zhì)12與所述導(dǎo)熱介質(zhì)13相接觸，所述第二區(qū)域15大于所述第一區(qū)域14。
[0112]以，使所述絕熱介質(zhì)12屏蔽所述電子元器件16的熱輻射，所述導(dǎo)熱介質(zhì)13中與所述絕熱介質(zhì)12相接觸的區(qū)域、也即靠近電子元器件16的區(qū)域接收所述熱輻射，并通過(guò)所述導(dǎo)熱介質(zhì)13傳導(dǎo)所述熱輻射。
[0113]步驟601和步驟602的執(zhí)行順序可以對(duì)調(diào)。
[0114]實(shí)施例八
[0115]本實(shí)施例記載一種熱福射處理方法,應(yīng)用于包括殼體的電子設(shè)備中，所述殼體內(nèi)容置所述電子設(shè)備的電子元器件26和第一電子元器件27 ;如圖2所示，所述殼體包括:殼體本體21、絕熱介質(zhì)22和導(dǎo)熱介質(zhì)23 ;結(jié)合圖2所示的殼體的示意圖，如圖7所示，本實(shí)施例記載的熱輻射處理方法包括以下步驟:
[0116]步驟701，在所述殼體本體21的第一側(cè)的第一區(qū)域24設(shè)置所述絕熱介質(zhì)22，所述第一區(qū)域24與第一電子元器件27的位置對(duì)應(yīng)。
[0117]所述絕熱介質(zhì)22與所述第一電子元器件27之間的距離D超過(guò)第一閾值，以使所述絕熱介質(zhì)22對(duì)所述第一電子元器件26的熱輻射具有較好的屏蔽效果；其中，
[0118]所述第一電子元器件27為所述電子元器件26中單位時(shí)間熱輻射值超過(guò)第二閾值的電子元器件。
[0119]所述第一區(qū)域24的面積大于第三區(qū)域28的面積，所述第三區(qū)域28為所述第一電子元器件27所覆蓋的區(qū)域，且，所述第三區(qū)域28在所述殼體本體21的第一側(cè)的垂直投影所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)樗龅谝粎^(qū)域24的子區(qū)域。
[0120]步驟702，在所述殼體本體21的第一側(cè)的第二區(qū)域25設(shè)置所述導(dǎo)熱介質(zhì)23，所述絕熱介質(zhì)22與所述導(dǎo)熱介質(zhì)23相接觸，所述第二區(qū)域25大于所述第一區(qū)域24。
[0121]以，使所述絕熱介質(zhì)22屏蔽所述電子元器件26第一電子元器件27的熱輻射，所述導(dǎo)熱介質(zhì)23中與所述絕熱介質(zhì)22相接觸、且未被絕熱介質(zhì)22覆蓋的區(qū)域接收所述熱輻射，并通過(guò)所述導(dǎo)熱介質(zhì)23傳導(dǎo)所述熱輻射。
[0122]步驟701和步驟702的執(zhí)行順序可以對(duì)調(diào)。
[0123]實(shí)施例九
[0124]本實(shí)施例記載一種熱福射處理方法,應(yīng)用于包括殼體的電子設(shè)備中，所述殼體內(nèi)容置所述電子設(shè)備的電子元器件36 ;如圖3所示，所述殼體包括:殼體本體31、絕熱介質(zhì)32和導(dǎo)熱介質(zhì)33;結(jié)合圖3所示的殼體的示意圖，如圖8所示，本實(shí)施例記載的熱輻射處理方法包括以下步驟:
[0125]步驟801，在所述殼體本體31的第一區(qū)域34和第二區(qū)域35設(shè)置剛性薄膜介質(zhì)37。
[0126]步驟802，在所述殼體本體31的第一側(cè)的第一區(qū)域34設(shè)置所述絕熱介質(zhì)32。
[0127]步驟803，在所述殼體本體31的第一側(cè)的第二區(qū)域35設(shè)置所述導(dǎo)熱介質(zhì)33。
[0128]所述絕熱介質(zhì)32與所述導(dǎo)熱介質(zhì)33相接觸，所述第二區(qū)域35大于所述第一區(qū)域34。
[0129]步驟802和步驟803的執(zhí)行順序可以對(duì)調(diào)。
[0130]實(shí)際應(yīng)用中，也可以先在剛性薄膜介質(zhì)37上與第一區(qū)域34對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置絕熱介質(zhì)32，在剛性薄膜介質(zhì)37上與第二區(qū)域35對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置導(dǎo)熱介質(zhì)33，然后將剛性薄膜介質(zhì)37設(shè)置于殼體本體31第一側(cè)的第一區(qū)域34和第二區(qū)域35。
[0131]所述剛性薄膜介質(zhì)37在所述第一區(qū)域34分別與所述絕熱介質(zhì)32、所述殼體本體31的第一側(cè)貼合；所述剛性薄膜介質(zhì)37在所述第二區(qū)域35分別與所述導(dǎo)熱介質(zhì)33、所述殼體本體31的第一側(cè)貼合。
[0132]以，使所述絕熱介質(zhì)32屏蔽所述電子元器件36的熱輻射，所述導(dǎo)熱介質(zhì)33中與所述絕熱介質(zhì)32相接觸的區(qū)域、也即靠近電子元器件36的區(qū)域接收所述熱輻射，并通過(guò)所述導(dǎo)熱介質(zhì)33傳導(dǎo)所述熱輻射。