殼體、電子設(shè)備和熱輻射處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子設(shè)備中的熱輻射處理技術(shù)，尤其涉及一種殼體、電子設(shè)備和熱輻射處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電子設(shè)備中的外殼普遍使用石墨片等散熱材料提升散熱效果，但石墨片等散熱材料Z軸傳導(dǎo)率較高，導(dǎo)致機(jī)殼內(nèi)部的熱量無法在機(jī)殼表面形成有效擴(kuò)散，造成機(jī)殼局部溫度過高，影響散熱效果。
[0003]綜上所述，相關(guān)技術(shù)對(duì)于如何提升機(jī)殼表面的散熱效率，尚無有效解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供一種殼體、電子設(shè)備和熱輻射處理方法，能夠提升電子設(shè)備殼體的散熱效率。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種殼體，應(yīng)用于電子設(shè)備，所述殼體內(nèi)容置所述電子設(shè)備的電子元器件；
[0007]所述殼體包括:殼體本體、絕熱介質(zhì)和導(dǎo)熱介質(zhì)；其中，
[0008]所述絕熱介質(zhì)設(shè)置在所述殼體本體的第一側(cè)的第一區(qū)域；
[0009]所述導(dǎo)熱介質(zhì)設(shè)置于所述殼體本體的第一側(cè)的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域大于所述第一區(qū)域，所述絕熱介質(zhì)與所述導(dǎo)熱介質(zhì)相接觸；
[0010]以，
[0011]使所述絕熱介質(zhì)屏蔽所述電子元器件的熱輻射，所述導(dǎo)熱介質(zhì)中與所述絕熱介質(zhì)相接觸的區(qū)域接收所述熱輻射，并通過所述導(dǎo)熱介質(zhì)傳導(dǎo)所述熱輻射。
[0012]優(yōu)選地，所述第一區(qū)域與第一電子元器件的位置對(duì)應(yīng)，且所述絕熱介質(zhì)與所述第一電子元器件之間的距離超過第一閾值，以使所述絕熱介質(zhì)屏蔽所述第一電子元器件的熱福射；其中，
[0013]所述第一電子元器件為所述電子元器件中單位時(shí)間熱輻射值超過第二閾值的電子元器件。
[0014]優(yōu)選地，所述第一區(qū)域的面積大于第三區(qū)域的面積，所述第三區(qū)域?yàn)樗龅谝浑娮釉骷采w的區(qū)域，且，
[0015]所述第三區(qū)域在所述殼體本體的第一側(cè)的垂直投影所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)樗龅谝粎^(qū)域的子區(qū)域。
[0016]優(yōu)選地，在所述絕熱介質(zhì)與所述殼體本體的第一區(qū)域之間、以及所述導(dǎo)熱介質(zhì)與所述殼體本體的第二區(qū)域之間，還設(shè)置有剛性薄膜介質(zhì)；其中，
[0017]所述剛性薄膜介質(zhì)在所述第一區(qū)域分別與所述絕熱介質(zhì)、所述殼體本體的第一側(cè)貼合；
[0018]所述剛性薄膜介質(zhì)在所述第二區(qū)域分別與所述導(dǎo)熱介質(zhì)、所述殼體本體的第一側(cè)貼合。
[0019]優(yōu)選地，在所述殼體本體的第一側(cè)的第一區(qū)域、所述絕熱介質(zhì)之間還設(shè)置有導(dǎo)熱介質(zhì)，以使所述導(dǎo)熱介質(zhì)中與所述絕熱介質(zhì)相接觸、且未被所述絕熱介質(zhì)覆蓋的區(qū)域接收所述熱輻射。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括以上所述的殼體。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種熱輻射處理方法，應(yīng)用于包括殼體的電子設(shè)備中，所述殼體內(nèi)容置所述電子設(shè)備的電子元器件；所述殼體包括:殼體本體、絕熱介質(zhì)和導(dǎo)熱介質(zhì)；所述方法包括:
[0022]在所述殼體本體的第一側(cè)的第一區(qū)域設(shè)置所述絕熱介質(zhì)；
[0023]在所述殼體本體的第一側(cè)的第二區(qū)域設(shè)置所述導(dǎo)熱介質(zhì)，所述絕熱介質(zhì)與所述導(dǎo)熱介質(zhì)相接觸，所述第二區(qū)域大于所述第一區(qū)域；
[0024]以，
[0025]使所述絕熱介質(zhì)屏蔽所述電子元器件的熱輻射，所述導(dǎo)熱介質(zhì)中與所述絕熱介質(zhì)相接觸的區(qū)域接收所述熱輻射，并通過所述導(dǎo)熱介質(zhì)傳導(dǎo)所述熱輻射。
[0026]優(yōu)選地，所述在所述殼體本體的第一側(cè)的第一區(qū)域設(shè)置所述絕熱介質(zhì)，包括:
[0027]在所述殼體本體的第一側(cè)的第一區(qū)域設(shè)置所述絕熱介質(zhì)，且所述第一區(qū)域與第一電子元器件的位置對(duì)應(yīng)，所述絕熱介質(zhì)與所述第一電子元器件之間的距離超過第一閾值，以使所述絕熱介質(zhì)屏蔽所述第一電子元器件的熱輻射；
[0028]其中，所述第一電子元器件為所述電子元器件中單位時(shí)間熱輻射值超過第二閾值的電子元器件。
[0029]優(yōu)選地，所述第一區(qū)域的面積大于第三區(qū)域的面積，所述第三區(qū)域?yàn)樗龅谝浑娮釉骷采w的區(qū)域，且，
[0030]所述第三區(qū)域在所述殼體本體的第一側(cè)的垂直投影所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，為所述第一區(qū)域的子區(qū)域。
[0031]優(yōu)選地，所述方法還包括:
[0032]在所述絕熱介質(zhì)與所述殼體本體的第一區(qū)域之間、以及所述導(dǎo)熱介質(zhì)與所述殼體本體的第二區(qū)域之間，設(shè)置剛性薄膜介質(zhì)；其中，
[0033]所述剛性薄膜介質(zhì)在所述第一區(qū)域分別與所述絕熱介質(zhì)、所述殼體本體的第一側(cè)貼合；
[0034]所述剛性薄膜介質(zhì)在所述第二區(qū)域分別與所述導(dǎo)熱介質(zhì)、所述殼體本體的第一側(cè)貼合。
[0035]優(yōu)選地，所述在所述殼體本體的第一側(cè)的第一區(qū)域設(shè)置所述絕熱介質(zhì)，在所述殼體本體的第一側(cè)的第二區(qū)域設(shè)置所述導(dǎo)熱介質(zhì)，包括:
[0036]在所述殼體本體的第一側(cè)的第一區(qū)域和第二區(qū)域設(shè)置所述導(dǎo)熱介質(zhì)，并在所述第一區(qū)域設(shè)置的導(dǎo)熱介質(zhì)之上設(shè)置所述絕熱介質(zhì)，以使所述導(dǎo)熱介質(zhì)中與所述絕熱介質(zhì)相接觸、且未被所述絕熱介質(zhì)覆蓋的區(qū)域接收所述熱輻射。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例中，通過絕熱介質(zhì)屏蔽電子設(shè)備中電子元器件的熱輻射，能夠促使熱輻射在面積較大的導(dǎo)熱介質(zhì)進(jìn)行傳導(dǎo)，從而能夠?qū)彷椛鋫鲗?dǎo)第二區(qū)域中遠(yuǎn)離電子元器件的遠(yuǎn)端，提高了散熱效果。
【附圖說明】
[0038]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一中殼體的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0039]圖2為本發(fā)明實(shí)施例二中殼體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖3為本發(fā)明實(shí)施例三中殼體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖4為本發(fā)明實(shí)施例四中殼體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖5為本發(fā)明實(shí)施例五中殼體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖6為本發(fā)明實(shí)施例七中熱輻射處理方法的流程示意圖；
[0044]圖7為本發(fā)明實(shí)施例八中熱輻射處理方法的流程示意圖；
[0045]圖8為本發(fā)明實(shí)施例九中熱輻射處理方法的流程示意圖；
[0046]圖9為本發(fā)明實(shí)施例十中熱輻射處理方法的流程示意圖；
[0047]圖10為本發(fā)明實(shí)施例十一中熱輻射處理方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0049]實(shí)施例一
[0050]本實(shí)施例記載一種殼體，應(yīng)用于筆記本電腦、智能手機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備，如圖1所示，所述殼體內(nèi)容置所述電子設(shè)備的電子元器件16 ；
[0051]所述殼體可以包括:殼體本體11、絕熱介質(zhì)12和導(dǎo)熱介質(zhì)13 ;其中，
[0052]所述絕熱介質(zhì)12設(shè)置在所述殼體本體11的第一側(cè)的第一區(qū)域14 ；
[0053]所述導(dǎo)熱介質(zhì)13設(shè)置于所述殼體本體的第一側(cè)的第二區(qū)域15，所述絕熱介質(zhì)12與所述導(dǎo)熱介質(zhì)13相接觸，所述第二區(qū)域15大于所述第一區(qū)域14 ；
[0054]以，使所述絕熱介質(zhì)12屏蔽所述電子元器件16的熱輻射(熱輻射如圖1中虛線所示)，所述導(dǎo)熱介質(zhì)13中與所述絕熱介質(zhì)12相接觸的區(qū)域，也即所述導(dǎo)熱介質(zhì)13中靠近所述電子元器件16的區(qū)域接收所述熱輻射，并通過所述導(dǎo)熱介質(zhì)13傳導(dǎo)所述熱輻射。
[0055]本實(shí)施例中，所述絕熱介質(zhì)12可以采用二氧化硅、氧化鈣等導(dǎo)熱系數(shù)低的介質(zhì)；所述導(dǎo)熱介質(zhì)13可以采用石墨烯等導(dǎo)熱系數(shù)高的介質(zhì)；所述絕熱介質(zhì)12和所述導(dǎo)熱介質(zhì)13的厚度根據(jù)所述殼體本體11與電子元器件16之間的距離確定，通常厚度小于I毫米，當(dāng)然，當(dāng)殼體本體11與電子元器件16的距離較大時(shí)，厚度也可以大于I毫米；根據(jù)材料的不同，絕熱介質(zhì)12和導(dǎo)熱介質(zhì)13可以貼合或噴涂的方式設(shè)置于殼體本體11對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
[0056]本實(shí)施例中，通過絕熱介質(zhì)屏蔽電子設(shè)備中電子元器件的熱輻射，能夠促使熱輻射在面積較大的導(dǎo)熱介質(zhì)進(jìn)行傳導(dǎo)，從而能夠?qū)彷椛鋫鲗?dǎo)至導(dǎo)熱介質(zhì)中遠(yuǎn)離電子元器件的遠(yuǎn)端，提聞了散熱效果。