1.一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括，驅(qū)動(dòng)光耦、開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路以及飽和壓降檢測(cè)電路；
所述驅(qū)動(dòng)光耦通過(guò)所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路與IGBT的門(mén)極連接，用于控制IGBT的通斷；
所述飽和壓降檢測(cè)電路兩個(gè)輸入端分別與所述IGBT的集電極、射極連接，用于檢測(cè)IGBT的關(guān)斷電壓是否超出預(yù)設(shè)閾值；
所述驅(qū)動(dòng)光耦還通過(guò)所述軟關(guān)斷電路與IGBT的門(mén)極連接，并接收所述飽和壓降檢測(cè)電路的檢測(cè)結(jié)果，在IGBT的關(guān)斷電壓超出預(yù)設(shè)閾值時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)光耦結(jié)束對(duì)所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的控制，采用所述軟關(guān)斷電路關(guān)閉所述IGBT。
2.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括PWM調(diào)理電路，所述PWM調(diào)理電路用于將PWM波進(jìn)行濾波、毛刺去除后輸入至所述驅(qū)動(dòng)光耦，所述驅(qū)動(dòng)光耦根據(jù)該P(yáng)WM波對(duì)IGBT進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。
3.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，報(bào)警反饋電路，所述報(bào)警反饋電路自所述驅(qū)動(dòng)光耦接收?qǐng)?bào)警信號(hào)，并將該信號(hào)反饋至控制器。
4.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路包括開(kāi)啟電路和關(guān)斷電路；
所述開(kāi)啟電路包括第一PMOS管Q1，所述第一PMOS管Q1通過(guò)第一電阻R3自所述驅(qū)動(dòng)光耦接收開(kāi)啟信號(hào)，同時(shí)所述第一PMOS管Q1的源極與電源連接，漏極通過(guò)并接的第一電阻R3組與被控IGBT的門(mén)極連接；
所述關(guān)斷電路包括第一NMOS管Q2，所述第一NMOS管Q2通過(guò)第二電阻R2自所述驅(qū)動(dòng)光耦接收關(guān)斷信號(hào)，同時(shí)所述第一NMOS管Q2的源極接負(fù)壓電源，漏極通過(guò)并接的第二電阻組與被控IGBT的門(mén)極連接。
5.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述飽和壓降檢測(cè)電路包括，第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分別與被控IGBT的集電極、射極連接，用于檢測(cè)被控IGBT的集電極與射極之間的極間電壓；
還包括，第一二極管D1、第二二極管D2、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第二穩(wěn)壓二極管ZD2、第三電阻R3、第四電阻R4及第一電容C1；
所述第一二極管D1的負(fù)極與第一端口、第二端口連接，正極與第一穩(wěn)壓二極管ZD1的正極連接，第一穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極通過(guò)第三電阻R3與并接的第一電容C1、第二二極管D2、第二穩(wěn)壓二極管ZD2連接，其中，與第二二極管D2負(fù)極和第二穩(wěn)壓二極管ZD2負(fù)極連接；
所述第一穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極還通過(guò)第三電阻R3、第四電阻R4與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接。
6.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述軟關(guān)斷電路包括第二NMOS管Q3，所述第二NMOS管Q3通過(guò)第五電阻R5自所述驅(qū)動(dòng)光耦接收軟關(guān)斷信號(hào)，同時(shí)所述第二NMOS管Q3的源極接負(fù)壓電源，漏記通過(guò)第六電阻R6接被控IGBT的門(mén)極。
7.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路和被控IGBT之間還設(shè)置有第一門(mén)極保護(hù)電路，所述第一門(mén)極保護(hù)電路包括第三二極管D3、第七電阻R7、第三穩(wěn)壓二極管ZD3及第四穩(wěn)壓二極管ZD4；
所述第三二極管D3的正極與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路的輸出端連接，負(fù)極與電源連接；
所述第七電阻一端與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路的輸出端連接，另一端接地；
所述第三穩(wěn)壓二極管ZD3與第四穩(wěn)壓二極管ZD4反向串聯(lián)，其中，第三穩(wěn)壓二極管ZD3的負(fù)極與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、軟關(guān)斷電路的輸出端連接，第四穩(wěn)壓二極管ZD4負(fù)極接地。
8.如權(quán)利要求4所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括動(dòng)態(tài)有源鉗位保護(hù)電路，所述動(dòng)態(tài)有源鉗位保護(hù)電路的輸入端與被控IGBT的集電極連接，第一輸出端與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接，第二輸出端與所述關(guān)斷電路的輸入端連接；用于檢測(cè)集電極電壓是否超出預(yù)設(shè)閾值，當(dāng)超出閾值時(shí)，降低該電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述動(dòng)態(tài)有源鉗位保護(hù)電路包括由至少2個(gè)同向串接的穩(wěn)壓二極管組成的第一穩(wěn)壓二極管組，所述第一穩(wěn)壓二極管組與被控IGBT的集電極連接，其中的穩(wěn)壓二極管的負(fù)極為輸入端，正極為輸出端；
所述第一穩(wěn)壓二極管組的輸出端與第三NMOS管Q4的漏極連接；所述第三NMOS管Q4的柵極與一延時(shí)電路的輸出端連接，所述延時(shí)電路的輸入端與開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接；
還包括至少2個(gè)串接的穩(wěn)壓二極管組成的第二穩(wěn)壓二極管組，所述第二穩(wěn)壓二極管組中的穩(wěn)壓二極管負(fù)極為輸入端，正極為輸出端；所述第二穩(wěn)壓二極管組與所述第三NMOS管Q4并接；其輸入端與第一穩(wěn)壓二極管組的輸出端連接，其輸出端與第三NMOS管Q4的源極連接；
所述第二穩(wěn)壓二極管組的輸出端還通過(guò)串接的第四二極管D4、第八電阻R8與所述開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接；
所述第二穩(wěn)壓二極管組的輸出端還通過(guò)第五二極管D5、第九電阻R9與第四NMOS管Q5的柵極連接；第四NMOS管Q5的源極接負(fù)壓電源，漏極通過(guò)第十電阻R10與關(guān)斷電路的輸入端連接。
10.如權(quán)利要求9所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第四NMOS管Q5的柵極與所述負(fù)壓電源之間還設(shè)置有第二門(mén)極保護(hù)電路。