本發(fā)明屬于電力電子領(lǐng)域，更具體地，涉及一種用于串聯(lián)IGBT的均壓保護電路。

背景技術(shù)：

由絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)組成的固態(tài)電力電子開關(guān)具有開關(guān)速度快，可控性強，壽命長的特點，同時為了應(yīng)用于高電壓領(lǐng)域，須將多個IGBT相互串聯(lián)使用以達到較高的電壓等級，該方案效果好同時成本低，故得到了廣泛的關(guān)注與應(yīng)用。

在IGBT串聯(lián)使用時，由于各個半導體器件之間的細微差異以及線路的寄生電感等影響，會導致開關(guān)過程中各器件承壓不均衡，極大的影響了開關(guān)的使用壽命和工作效率，甚至會造成器件擊穿損壞。保證半導體器件在開關(guān)過程中的電壓分布均衡是實現(xiàn)高壓固態(tài)電力電子開關(guān)的關(guān)鍵。

對此現(xiàn)有技術(shù)有多種解決方法：第一種方法是在驅(qū)動端采用反饋控制實現(xiàn)較為精確的器件電壓動態(tài)調(diào)整，使各個IGBT的集射極電壓趨于一致，然而該電路的結(jié)構(gòu)復雜，若其中某路控制器出現(xiàn)故障則該路IGBT必然損壞，隨著器件串聯(lián)數(shù)目增多，控制復雜度也大幅提升；第二種方法是在功率端并聯(lián)動態(tài)緩沖電路、靜態(tài)均壓電路，來吸收線路中存在的電感能量以避免過電壓，通過靜態(tài)均壓電路來減緩半導體器件因漏電流不同而導致的靜態(tài)電壓不均衡問題，該方案隨著串聯(lián)器件數(shù)目增多，會增加整個裝置的體積；同時，由于動態(tài)緩沖電路均為無源器件，只能較為粗略的降低器件峰值電壓，并且在整個工作周期中都會動作從而帶來較大的損耗。

因此，當前高壓固態(tài)開關(guān)領(lǐng)域內(nèi)通過兩種方案的結(jié)合解決串聯(lián)半導體電壓不均衡問題，如非專利文獻《IEEE Transactions on Power Electronics》,2015,30(8):4165-4174中公開了一種利用反饋控制實現(xiàn)串聯(lián)IGBT的有源電壓平衡的方法。利用該方法，動態(tài)緩沖電路采用電阻-電容方案，靜態(tài)均壓電路采用電阻方案，驅(qū)動反饋控制采用串聯(lián)瞬態(tài)箝位二極管(TVS)，由于瞬態(tài)箝位二極管會在一定電壓下?lián)舸擨GBT關(guān)斷時，通過檢測瞬態(tài)箝位二極管中的電流，可以判斷串聯(lián)時各個IGBT升壓至某設(shè)定集射極電壓的時間，將該信息通過光纖傳送至控制器從而在下一周期調(diào)整各路IGBT開關(guān)信號的相對延遲時間。

其一、在該方案中，相同規(guī)格的瞬態(tài)箝位二極管，其動作電壓存在較大差異，另外，同一個瞬態(tài)箝位二極管，其動作電壓也會隨其溫度變化，因此使用瞬態(tài)箝位二極管會帶來極大的反饋誤差，而一般高壓IGBT關(guān)斷時間在1us～2us左右，該誤差會極大的影響控制效果甚至反而造成IGBT過壓損壞；其二、為避免瞬態(tài)箝位二極管因頻繁擊穿而損壞，一般均設(shè)置動作電壓為IGBT實際工作電壓的115％～120％，那么就會存在某些IGBT的瞬態(tài)箝位二極管因電壓分布不勻而并不擊穿的情況，也會造成反饋誤差。其三、在該方案中，使用瞬態(tài)箝位二極管來投切電容、電阻，其饋入IGBT控制端的電流較小使作用效果存在較大延時，并且也存在前述的動作電壓不穩(wěn)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種用于串聯(lián)IGBT的均壓保護電路，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中IGBT在串聯(lián)工作時均壓與過壓保護問題。

本發(fā)明提供了一種用于串聯(lián)IGBT的均壓保護電路，包括電壓采集模塊、N個比較器、控制模塊以及柵極電阻模塊；所述N個比較器分別為第一比較器、第二比較器、…至第N比較器，N為自然數(shù)；

所述電壓采集模塊的第i輸出端連接第i比較器，所述第i比較器的第一輸出端連接柵極電阻模塊的第i輸入端，第一比較器的第二輸出端連接控制模塊的輸入端，所述控制模塊的輸出端連接柵極電阻模塊的第N+1輸入端，所述柵極電阻模塊的輸出端作為所述均壓保護電路的輸出端，i為1～N的整數(shù)；

所述電壓采集模塊用于獲取與集射極電壓信號對應(yīng)的低電壓信號；

所述第i比較器用于通過將所述低電壓信號與第i閾值進行比較，將所述低電壓信號轉(zhuǎn)換為第i方波信號，所述第i閾值小于所述低電壓信號的峰值；

所述控制模塊用于根據(jù)第一方波信號，發(fā)出驅(qū)動信號；

所述柵極電阻模塊用于根據(jù)所述第i控制信號以及驅(qū)動信號，改變整體阻值，并獲得IGBT的柵射集電壓信號。

優(yōu)選地，所述第i比較器的延時小于20ns。

優(yōu)選地，所述第i閾值的紋波幅度低于100mv。

優(yōu)選地，N≥2，且第一閾值至第N閾值依次遞增。

作為進一步優(yōu)選地，N＝2，所述第一閾值為低電壓信號的峰值的1/3～2/5，所述第二閾值為低電壓信號的峰值的2/3～4/5。

優(yōu)選的，所述控制模塊包括控制單元、隔離單元以及驅(qū)動單元，所述隔離單元的輸入端作為所述控制模塊的輸入端，交互端連接控制單元的交互端，輸出端連接驅(qū)動單元的輸入端，所述驅(qū)動單元的輸出端作為所述控制模塊的輸出端；

所述控制單元用于根據(jù)第一方波信號，發(fā)出單極性、低幅值的驅(qū)動信號，所述隔離單元用于隔離控制單元與第一比較器，以及用于隔離控制單元與驅(qū)動模塊，所述驅(qū)動模塊用于根據(jù)所述單極性、低幅值的驅(qū)動信號，獲取雙極性、高幅值的驅(qū)動信號。

作為進一步優(yōu)選地，所述隔離單元包括以光纖連接的第一光纖收發(fā)模塊以及第二光纖收發(fā)模塊，所述第一光纖收發(fā)模塊的輸入端作為所述隔離單元的輸入端，輸出端作為所述隔離單元的輸出端，所述第二光纖收發(fā)模塊的交互端作為所述隔離單元的交互端。

優(yōu)選地，所述電壓采集模塊包括均壓電阻、采樣電阻以及電壓采集單元，所述均壓電阻的第一端用于連接IGBT的第一端，第二端連接所述采樣電阻的第一端以及電壓采集模塊的第一輸入端，所述采樣電阻的第二端連接電壓采集模塊的第二輸入端，并用于連接IGBT的第二端；

所述均壓電阻用于調(diào)整IGBT的靜態(tài)電壓，所述采樣電阻用于獲取集射極電壓信號，所述電壓采集單元用于將集射極電壓信號轉(zhuǎn)換為低電壓信號。

作為進一步優(yōu)選地，所述電壓采集單元的延時小于150ns。

作為進一步優(yōu)選地，所述均壓電阻和采樣電阻的溫度漂移小于150ppm/℃。

優(yōu)選地，所述集射極電壓信號的峰值小于10V，所述低電壓信號的峰值為5V。

優(yōu)選地，所述柵極電阻模塊包括基礎(chǔ)電阻、N個驅(qū)動器、N個電阻以及N個半導體開關(guān)，所述N個驅(qū)動器分別為第一驅(qū)動器、第二驅(qū)動器、…至第N驅(qū)動器，所述N個電阻分別為第一電阻、第二電阻、…至第N電阻，所述N個半導體開關(guān)分別為第一半導體開關(guān)、第二半導體開關(guān)、…至第N半導體開關(guān)，所述第i電阻與第i半導體開關(guān)串聯(lián)形成第i串聯(lián)電路，所述第i串聯(lián)電路與基礎(chǔ)電阻并聯(lián)；所述第i電阻的阻值小于基礎(chǔ)電阻；所述第i驅(qū)動器的輸入端作為所述柵極電阻模塊的第i輸入端，輸出端連接第i半導體開關(guān)的控制端，所述基礎(chǔ)電阻的輸入端作為所述柵極電阻模塊的第N+1輸入端，輸出端作為所述柵極電阻模塊的輸出端；

所述第i驅(qū)動器用于根據(jù)第i方波信號，獲得第i控制信號，所述第i半導體開關(guān)用于根據(jù)所述第i控制信號，導通或分斷第i串聯(lián)電路，從而改變所述柵極電阻模塊的整體阻值。

作為進一步優(yōu)選地，所述第i驅(qū)動器的延時小于20ns。

作為進一步優(yōu)選地，N≥2，且第一電阻至第N電阻的阻值依次遞增。

作為更進一步優(yōu)選地，N＝2，所述第一電阻的阻值為第二電阻的1/4～1/2，所述第二電阻的阻值為基礎(chǔ)電阻的1/6～1/3。

本發(fā)明提出的方案具有以下有益效果：

1、本發(fā)明利用設(shè)定的第i閾值，并根據(jù)集射極電壓信號來獲取方波信號，從而更改柵極電阻的大小，可以增加或減緩集射極電壓的上升速率，同時減少了集射極電壓的峰值，抑制了因集射極電壓信號的傳遞線路雜散參數(shù)不同帶來的過壓影響，可以避免串聯(lián)IGBT在工作當前關(guān)斷階段與整個工作周期中的過壓損壞風險；

2、由于電壓采集模塊的低電壓信號與IGBT的集射極電壓對應(yīng)，而第i比較器的動作電壓相當于第i閾值÷低電壓信號的峰值×設(shè)定串聯(lián)IGBT的峰值電壓，而IGBT的峰值電壓通常設(shè)定為其實際工作電壓的110％～140％；經(jīng)驗證，通過設(shè)置比較器的閾值電壓，可以使其動作電壓在小于低電壓信號的峰值范圍內(nèi)變化，將比較器的動作電壓調(diào)整為串聯(lián)IGBT的工作電壓的24％～115％，范圍極寬且調(diào)整方便；

3、在柵極電阻模塊中，選用半導體開關(guān)來投切第i電阻，從而保證快速改變柵極電阻模塊的整體阻值；

4、在電壓采集模塊中，均壓電阻能起到調(diào)整靜態(tài)電壓的作用，而采樣電阻可以作為集射極電壓信號的采集點，均壓電阻與采樣電阻相串聯(lián)后再與IGBT并聯(lián)，從而作為IGBT的靜態(tài)均壓電路方案，元件數(shù)量少，節(jié)省了器件安裝的空間；

5、采樣電阻獲得的集射極電壓信號，與集射極電壓的實際值成正比；而通過選擇溫度漂移小于150ppm/℃的均壓電阻和采樣電阻串聯(lián)作為靜態(tài)均壓電阻，可減少溫度對采樣結(jié)果的影響，提高集射極電壓信號采集的精確度；通過選擇紋波幅度低于100mv的第i閾值作為第i比較器的基準電壓，可提高比較器動作電壓的精確度；因此綜上，精確的采樣電壓及精準的閾值能夠獲得穩(wěn)定準確的集射極電壓信號；

6、電壓采集單元、比較器以及驅(qū)動器分別選用延時小于150ns和20ns的高速器件，能快速降低串聯(lián)IGBT的峰值電壓。

附圖說明

圖1是本發(fā)明均壓保護電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明柵極電阻模塊結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例1均壓保護電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例1電路原理圖；

在所有附圖中，相同的附圖標記用來表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中：1-驅(qū)動電路，2-控制電路，Q1-串聯(lián)IGBT，R4-均壓電阻，R3-采樣電阻，U1-電壓采集模塊，U2-比較模塊，U3-驅(qū)動模塊，U6-控制模塊。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明提供了一種用于串聯(lián)IGBT的均壓保護電路，用于根據(jù)集射極電壓信號獲得柵射集電壓信號，如圖1所示，包括電壓采集模塊、N個比較器、隔離單元、控制單元、驅(qū)動單元以及柵極電阻模塊，所述N個比較器分別為第一比較器、第二比較器、…至第N比較器，N為自然數(shù)，優(yōu)選為1～3，如圖1所示；所述電壓采集模塊的輸出端連接第i比較器，所述第i比較器的第一輸出端連接柵極電阻模塊的第i輸入端，第一比較器的第二輸出端連接隔離單元的輸入端，所述隔離單元的交互端連接控制單元的交互端，輸出端連接驅(qū)動單元的輸入端，所述驅(qū)動單元的輸出端連接柵極電阻模塊的第N+1輸入端，所述柵極電阻模塊的輸出端作為所述均壓保護電路的輸出端，i為1～N的任意整數(shù)；

所述電壓采集模塊用于獲取與集射極電壓信號對應(yīng)的低電壓信號，所述集射極電壓信號的峰值小于10V，所述低電壓信號的峰值為5V；

所述第i比較器用于通過將所述低電壓信號與第i閾值進行比較，將所述低電壓信號轉(zhuǎn)換為第i方波信號，所述第i閾值小于所述低電壓信號的峰值，當?shù)碗妷盒盘柎笥诘趇閾值時，則轉(zhuǎn)換為第i方波信號中的高電平，否則轉(zhuǎn)換為第i方波信號中的低電平；當N≥2時，第一閾值至第N閾值依次遞增；

所述隔離單元包括以光纖相連的第一光纖收發(fā)器以及第二光纖收發(fā)器，所述第一光纖收發(fā)器的輸入端作為隔離單元的輸入端，輸出端作為隔離單元的輸出端，所述第二光纖收發(fā)器的第二交互端作為所述隔離單元的交互端；所述隔離單元用于將控制單元與第一比較器以及驅(qū)動單元隔離；

所述控制單元用于根據(jù)第一方波信號，發(fā)出單極性、低幅值的驅(qū)動信號，通常該驅(qū)動信號的低電平為0V，高電平為3.3V或5V；

所述驅(qū)動單元將單極性、低幅值的驅(qū)動信號轉(zhuǎn)換為雙極性、高幅值的驅(qū)動信號，通常該驅(qū)動信號的低電平為－10V，高電平為15V，所述驅(qū)動單元同時還用于隔離柵極電阻模塊以及隔離單元；

所述電壓采集模塊由均壓電阻、采樣電阻以及電壓采集單元組成；所述均壓電阻的第一端用于連接IGBT的第一端，所述采樣電阻的第二端用于連接IGBT的第二端；所述均壓電阻的第二端連接所述采樣電阻的第一端以及電壓采集模塊的第一端，所述采樣電阻的第二端連接電壓采集單元的第二端；所述均壓電阻用于調(diào)整IGBT的集射極電壓，所述采樣電阻用于獲取與集射極電壓對應(yīng)的集射極電壓信號，所述電壓采集單元用于將所述集射極電壓信號轉(zhuǎn)換為低電壓信號，所述均壓電阻以及采樣電阻的溫度漂移小于150ppm/℃，以保證在較高的集射極電壓下，溫度仍不會影響采樣結(jié)果；

所述柵極電阻模塊用于根據(jù)驅(qū)動信號以及第i方波信號發(fā)出柵射極電壓信號，所述柵極電阻模塊包括基礎(chǔ)電阻、N個驅(qū)動器、N個電阻以及N個半導體開關(guān)，所述N個驅(qū)動器分別為第一驅(qū)動器、第二驅(qū)動器、…至第N驅(qū)動器，所述N個電阻分別為第一電阻、第二電阻、…至第N電阻，所述N個半導體開關(guān)分別為第一半導體開關(guān)、第二半導體開關(guān)、…至第N半導體開關(guān)；所述第i驅(qū)動器的輸入端作為所述柵極電阻模塊的第i輸入端，輸出端連接第i半導體開關(guān)的控制端，所述基礎(chǔ)電阻的輸入端作為所述柵極電阻模塊的第N+1輸入端，輸出端作為所述柵極電阻模塊的輸出端，所述第i電阻與第i半導體開關(guān)串聯(lián)形成第i串聯(lián)電路，所述第i串聯(lián)電路與基礎(chǔ)電路并聯(lián)形成柵極電阻；

所述第i驅(qū)動器用于根據(jù)第i方波信號，獲得第i控制信號，所述第i半導體開關(guān)用于根據(jù)所述第i控制信號，導通或分斷第i串聯(lián)電路，從而改變所述柵極電阻模塊中柵極電阻的整體阻值，繼而改變柵射極電壓信號；

所述第i電阻的阻值小于基礎(chǔ)電阻，且當N≥2時，第一電阻至第N電阻的阻值依次增加；例如，當N＝2時，可將第一閾值設(shè)置為所述低電壓信號的峰值的1/3～2/5，第二閾值設(shè)置為所述低電壓信號的峰值的2/3～4/5，將第一電阻的阻值設(shè)置為第二電阻的1/4倍～1/2倍，將第二電阻的阻值設(shè)置為基礎(chǔ)電阻的1/6倍～1/3倍；這樣，當?shù)碗妷盒盘柕膶崟r值大于第二閾值時，則第一半導體開關(guān)與第二半導體開關(guān)同時分斷，柵極電阻的整體阻值為基礎(chǔ)電阻的阻值，從而柵極電阻模塊輸出具有相對較弱驅(qū)動能力的柵極電壓信號；當?shù)碗妷盒盘柕膶崟r值位于第一閾值與第二閾值之間時，第二半導體開關(guān)導通，第一開關(guān)半導體分斷，柵極電阻模塊的整體阻值為基礎(chǔ)電阻阻值的1/7～1/4；當?shù)碗妷盒盘柕膶崟r值小于第一閾值時，第一半導體開關(guān)與第二半導體開關(guān)導通，柵極電阻的整體阻值為基礎(chǔ)電阻阻值的1/31～1/10，從而柵極電阻模塊輸出具有較強驅(qū)動能力的柵極電壓信號，如圖2所示。

其中，電壓采集單元選用延時小于150ns的高速器件，第i比較器以及第i驅(qū)動器選用延時小于20ns的高速器件，以保證均壓保護電路的整體延時小于200ns。

實施例1

圖3是應(yīng)用該原理制作的均壓保護電路示意圖，該電路包括靜態(tài)均壓電阻、驅(qū)動電路1以及控制電路2；驅(qū)動電路1包括電壓采集模塊U1、比較模塊U2、第一光纖收發(fā)模塊、驅(qū)動模塊U3、柵極電阻控制模塊；所述控制電路2包括第二光纖收發(fā)模塊以及控制模塊U6。

圖4為本實施例的電路圖，該均壓保護中聯(lián)入的串聯(lián)IGBT Q1為FZ800R33KF2C；其額定電壓為3300V，額定電流為800A，阻斷電阻為660KΩ，實際工作電壓為1250V，設(shè)定峰值電壓為1500V；

靜態(tài)均壓電阻與串聯(lián)IGBT Q1并聯(lián)，靜態(tài)均壓電阻包括串聯(lián)的均壓電阻R4以及采樣電阻R3，均壓電阻R4為固定電阻器RPH100V02502JB，阻值為25KΩ，溫度漂移為150ppm/℃，采樣電阻為固定電阻器BSI06380R00DR19，阻值為80Ω，溫度漂移為100ppm/℃，采樣電阻與電壓采集模塊U1并聯(lián)。

電壓采集模塊U1采用高速電流差分放大器AD8216，將采樣電阻R3獲得的集射極電壓信號轉(zhuǎn)換為0～5V的低電壓信號，而后傳輸至比較模塊U2，該集射極電壓信號的峰值小于10V。

比較模塊U2采用高速雙通道比較器MAX962，包括第一比較器B以及第二比較器A，第一比較器B所用的第一閾值電壓的閾值電壓為2V，則比較器動作電壓為2/5×1500＝600V，為串聯(lián)IGBT的實際工作電壓的48％，輸出幅值為5V的第一方波信號傳至柵極電阻控制模塊的高速驅(qū)動器U4的第一輸入端以及第一光纖收發(fā)模塊的接收端。第二比較器A所用的第二閾值電壓為4V，則比較器動作電壓為4/5×1500＝1200V，為串聯(lián)IGBT的實際工作電壓的96％，輸出幅值為5V的第二方波信號傳至柵極電阻控制模塊的高速驅(qū)動器U4的第二輸入端。

比較模塊的閾值電壓可根據(jù)實際需求調(diào)整，例如在本實施例中，當閾值電壓為1V時，比較器動作電壓為1/5×1500＝300V，實際工作電壓的20％，則當閾值電壓為4.8V時，比較器動作電壓為4.8/5×1500＝1440V，為實際工作電壓的115.2％。

第一光纖收發(fā)模塊的接收端采用高速光纖接收器HFBR-2526(C1)，通過光纖連接控制電路2的第二光纖收發(fā)模塊的輸出端HFBR-1527(T1)，用以傳送第一方波信號開關(guān)信號；光纖收發(fā)模塊的輸出端采用高速光纖發(fā)送器HFBR-1527(T2)，通過光纖連接控制電路2的光纖收發(fā)模塊的接收端HFBR-2526(C2)，用于獲得IGBT開關(guān)信號。由于光纖收發(fā)模塊的接收端與發(fā)送端之間通過光進行隔離，因此其絕緣電壓與供電電源的隔離電壓相等，本方案采用100KV隔離電壓的開關(guān)電源，因此可應(yīng)用在100KV場景中。若采用其他其他光耦、電位平移電路，因其本身器件隔離電壓最高僅為6.5KV，限制了在高壓環(huán)境中的使用。

控制模塊U6采用DSP 28335，與第二光纖收發(fā)模塊的輸出端相連，輸出單極性，低幅值，無隔離的IGBT開關(guān)信號，其低電平為0V，高電平5V。

驅(qū)動模塊U3采用1SC2060P，用以將接收的單極性，低幅值，無隔離的IGBT開關(guān)信號進行轉(zhuǎn)換，獲得雙極性，高幅值，高隔離的IGBT開關(guān)信號，其低電平為-10V，高電平為15V。

柵極電阻控制模塊包括5歐姆電阻R1、10歐姆電阻R2、40歐姆電阻R0、雙路高速MOSFET開關(guān)CSD88539ND(U4)及雙路高速驅(qū)動器UCC27523D(U5)，10歐姆電阻與MOSFET的A路的漏極串聯(lián)，5歐姆電阻與MOSFET的B路的漏極串聯(lián)，然后再共同與40歐姆電阻并聯(lián)，并聯(lián)后共同形成柵極電阻。柵極電阻的輸入端連接驅(qū)動模塊U3的輸出端，輸出端連接至串聯(lián)IGBT(Q1)的控制端；同時高速驅(qū)動器的A路的輸出端連接MOSFET的A路的柵極，B路MOSFET的柵極連接B路高速驅(qū)動器的輸出，用以改變開關(guān)過程時的柵極電阻控制模塊的整體阻值大小，從而獲得與IGBT開關(guān)信號對應(yīng)的柵射集電壓信號。因此，當電壓采集模塊輸出的低電壓信號的實時值低于第一閾值時，雙路高速MOSFET開關(guān)處于導通狀態(tài)，柵極電阻模塊的實際電阻約為3.08Ω；當電壓采集模塊輸出的低電壓信號的實時值高于第一閾值而小于第二閾值時，MOSFET開關(guān)的B路分斷，A路保持導通，此時柵極電阻的實際阻值為8Ω；當?shù)碗妷盒盘柕膶崟r值高于第二閾值時，高速MOSFET開關(guān)的雙路均處于分斷狀態(tài)，柵極電阻模塊的實際阻值為40Ω。

由于本實施例中選取的高速電流差分放大器AD8216的傳播延時為120ns(±8ns)，高速雙通道比較器MAX962傳播延時為6.9ns(±2ns)，雙路高速驅(qū)動器UCC27523D(U5)傳播延時為10ns(±2ns)，因此該均壓保護電路的整體延時在150ns以內(nèi)；而本實施例的串聯(lián)IGBT的工作電壓為1250V，其關(guān)斷時間為1.5μs，通過精確采樣集射極電壓，動態(tài)更改串聯(lián)IGBT關(guān)斷時的柵極電阻控制模塊的整體阻值，可有效控制柵射集電壓信號的波形，降低過壓峰值，同時利用開關(guān)時序調(diào)整技術(shù)能方便的降低整個工作周期中的過壓損壞風險。通過光纖收發(fā)模塊傳輸方波信號以及IGBT開關(guān)信號，拓寬了IGBT的工作電壓范圍，能夠應(yīng)用在百千伏場景。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。