本發(fā)明涉及家用電器技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種驅(qū)動(dòng)電路和一種家用電器。

背景技術(shù)：

目前通過(guò)離子凈化技術(shù)實(shí)現(xiàn)空氣凈化，其原理是，驅(qū)動(dòng)電路輸出超高直流電壓給高壓離子模塊，使得流過(guò)高壓離子模塊的空氣電離，空氣中的雜質(zhì)帶電，再通過(guò)相反電壓的集塵板吸附雜質(zhì)，從而清潔空氣。

根據(jù)上述原理，可以把高壓離子模塊抽象為電容性負(fù)載，其中高壓端為電容極，流入的空氣為電介質(zhì)。由此可知，在電極結(jié)構(gòu)不變的情況下，空氣的溫度、相對(duì)濕度、氣壓、含雜量以及流速都會(huì)引起電容漏電流的變化，從而導(dǎo)致離子發(fā)生器功率波動(dòng)，甚至在極端情況下會(huì)出現(xiàn)擊穿、拉弧等現(xiàn)象，如果不作任何處理，則很容易損壞高壓離子模塊，也有可能危害到用戶的安全，空氣凈化效率也會(huì)發(fā)生變化。

為高壓離子模塊產(chǎn)生超高直流電壓的驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示，驅(qū)動(dòng)電路100’包括：直流電源102’、升壓變壓器106’、倍壓模塊108’、開(kāi)關(guān)器件110’和處理器112’，其中，直流電源102’連接至升壓變壓器106’的初級(jí)線圈，升壓變壓器106’初級(jí)線圈與開(kāi)關(guān)器件110’串聯(lián)，處理器112’向開(kāi)關(guān)器件110’發(fā)送PWM信號(hào)，驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)器件110’迅速開(kāi)通和關(guān)斷，在升壓變壓器106’的初級(jí)線圈上產(chǎn)生交變電壓，這時(shí)升壓變壓器106’的次級(jí)線圈感應(yīng)出脈動(dòng)高壓，脈動(dòng)高壓連接倍壓模塊108’，最終由倍壓模塊108’輸出直流高壓。其中，直流高壓的大小主要跟直流電源102’輸出的電壓、升壓變壓器106’的變比、PWM(Pulse Width Modulation，脈沖寬度調(diào)制)信號(hào)的占空比、倍壓模塊108’的參數(shù)有關(guān)。當(dāng)確定電路確定后，直流高壓的大小和高壓離子模塊的功率只跟PWM信號(hào)的占空比有關(guān)，占空比越高，直流高壓越大，相應(yīng)的高壓離子模塊的功率也會(huì)越高。

為了獲得較高的離子濃度，通常是通過(guò)提高倍壓模塊整流倍壓后的直流電壓，倍壓后的直流高壓可以達(dá)到幾千伏甚至幾十千伏的電壓。首先，恒定的直流高壓對(duì)人體是危險(xiǎn)的；其次，因?yàn)楦邏弘x子模塊的長(zhǎng)時(shí)間放置，蟲(chóng)蟻、顆粒物、潮濕的水滴等對(duì)高壓離子模塊的破壞是不可避免的，這些都會(huì)造成高壓離子模塊的故障，發(fā)生拉弧、功率升高等異常。

目前常用的技術(shù)方法僅對(duì)高壓離子模塊工作時(shí)的狀態(tài)進(jìn)行判斷，當(dāng)高壓離子模塊在工作狀態(tài)下出現(xiàn)異常時(shí)，切斷高壓離子模塊的供電。這種故障檢測(cè)控制策略的不足之處在于在高壓離子模塊在啟動(dòng)過(guò)程中，并不能檢測(cè)出高壓離子模塊是否發(fā)生故障損壞。

因此，在高壓離子模塊在啟動(dòng)過(guò)程中，如何檢測(cè)出高壓離子模塊是否發(fā)生故障損壞成為亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)或相關(guān)技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。

為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出了一種驅(qū)動(dòng)電路。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出了一種家用電器。

為實(shí)現(xiàn)上述至少一個(gè)目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的實(shí)施例，提出了一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：直流電源、采樣模塊、升壓變壓器、倍壓模塊、開(kāi)關(guān)器件和處理器，所述采樣模塊的輸入端連接至所述直流電源，所述采樣模塊的第一輸出端連接至所述升壓變壓器的初級(jí)線圈的第一端，所述采樣模塊的第二輸出端連接至所述處理器的輸入端，所述處理器的輸出端連接至所述開(kāi)關(guān)器件的輸入端，所述開(kāi)關(guān)器件的輸出端連接至所述初級(jí)線圈的第二端，所述升壓變壓器的次級(jí)線圈連接至所述倍壓模塊，所述倍壓模塊連接至高壓離子模塊，其中，所述處理器用于向所述開(kāi)關(guān)器件發(fā)送PWM信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)通和關(guān)斷，在所述開(kāi)關(guān)器件開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)，所述初級(jí)線圈上產(chǎn)生交變電壓，以使所述次級(jí)線圈產(chǎn)生脈沖高壓，所述倍壓模塊用于將所述脈沖高壓轉(zhuǎn)換成直流高壓，以將所述直流高壓輸出至所述高壓離子模塊，所述采樣模塊用于采集所述初級(jí)線圈的電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，所述處理器還用于根據(jù)所述采樣模塊采集的所述電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，檢測(cè)所述高壓離子模塊是否發(fā)生故障。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，在高壓離子模塊啟動(dòng)時(shí)，通過(guò)采樣模塊采集升壓變壓器的初級(jí)線圈中的電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，來(lái)檢測(cè)高壓離子模塊是否發(fā)生故障，從而有效地避免了由于高壓離子模塊的故障而對(duì)其他部件造成損壞。

根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，還可以具有以下技術(shù)特征：

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述處理器具體用于，根據(jù)所述電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，確定所述初級(jí)線圈的電流變化曲線；獲取所述電流變化曲線中的所述高壓離子模塊在啟動(dòng)過(guò)程中的曲線段，并確定所述曲線段中的電流變化幅度；根據(jù)所述電流變化幅度，檢測(cè)所述高壓離子模塊是否發(fā)生故障。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)獲取高壓離子模塊在啟動(dòng)過(guò)程中升壓變壓器的初級(jí)線圈的電流變化的曲線段，若該曲線段中電流變化幅度超過(guò)設(shè)定值，說(shuō)明高壓離子模塊不正常，則確定高壓離子模塊發(fā)生了故障，若該曲線段中電流變化幅度未超過(guò)設(shè)定值，說(shuō)明高壓離子模塊是正常工作，則確定高壓離子模塊未發(fā)生故障。因此，通過(guò)以上方案可以準(zhǔn)確地檢測(cè)出高壓離子模塊是否發(fā)生故障。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述處理器還用于，在檢測(cè)出所述高壓離子模塊發(fā)生故障時(shí)，關(guān)閉所述高壓離子模塊。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，在檢測(cè)出高壓離子模塊發(fā)生故障時(shí)，自動(dòng)關(guān)閉高壓離子模塊，以避免高壓離子模塊異常啟動(dòng)后對(duì)其他部件造成損壞。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述處理器還用于，在檢測(cè)出所述高壓離子模塊發(fā)生故障時(shí)，向故障提示裝置發(fā)送提示信號(hào)，以供所述故障提示裝置根據(jù)所述提示信號(hào)進(jìn)行故障提示。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，故障提示裝置及時(shí)提示用戶高壓離子模塊出現(xiàn)了故障，以使用戶及時(shí)針對(duì)高壓離子模塊的故障進(jìn)行處理，從而及時(shí)恢復(fù)高壓離子模塊的正常工作。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述采樣模塊包括：采樣電阻，所述采樣電阻的第一端作為所述采樣模塊的輸入端，所述采樣電阻的第二端作為所述采樣模塊的第一輸出端；以及放大濾波電路，所述放大濾波電路的兩個(gè)輸入端并聯(lián)至所述采樣電阻的兩端，所述放大濾波電路的輸出端作為所述采樣模塊的第二輸出端。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)采樣電阻采集升壓變壓器的初級(jí)線圈中的電流值和該電流值對(duì)應(yīng)的時(shí)間，并經(jīng)過(guò)放大濾波電路對(duì)采集到的電流值進(jìn)行放大和濾波處理，從而提高了電流值采樣的精度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述放大濾波電路還包括采樣保持電路，或者所述處理器還包括采樣保持電路。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，放大濾波電路或者處理器具有采樣保持功能，進(jìn)一步地保證了電流值采樣的精度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述開(kāi)關(guān)器件包括以下之一或多種的組合：MOS管(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)、三極管、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)MOS管、三極管和/或IGBT對(duì)直流電源進(jìn)行斬波，以在升壓變壓器的初級(jí)線圈上產(chǎn)生交變電壓，從而使得升壓變壓器的次級(jí)線圈產(chǎn)生脈沖高壓。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述直流電源是市電電源經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換而來(lái)。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面的實(shí)施例，提出了一種家用電器，包括上述技術(shù)方案中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路，因此，該家用電器具有和上述技術(shù)方案中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路相同的技術(shù)效果，在此不再贅述。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述家用電器包括：空氣凈化器和空調(diào)器。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1示出了相關(guān)技術(shù)中的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的升壓變壓器的初級(jí)線圈的電流變化曲線的示意圖。

其中，圖1中附圖的標(biāo)記與部件名稱(chēng)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系為：

100’驅(qū)動(dòng)模塊，102’直流電源，106’升壓變壓器，108’倍壓模塊，110’開(kāi)關(guān)器件，112’處理器。

圖2中附圖的標(biāo)記與部件名稱(chēng)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系為：

100驅(qū)動(dòng)電路，102直流電源，104采樣模塊，1042采樣電阻，1044放大濾波電路，106升壓變壓器，108倍壓模塊，110開(kāi)關(guān)器件，112處理器。

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來(lái)實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的實(shí)施例，提出了一種驅(qū)動(dòng)電路100，包括：直流電源102、采樣模塊104、升壓變壓器106、倍壓模塊108、開(kāi)關(guān)器件110和處理器112，所述采樣模塊104的輸入端連接至所述直流電源102，所述采樣模塊104的第一輸出端連接至所述升壓變壓器106的初級(jí)線圈的第一端，所述采樣模塊104的第二輸出端連接至所述處理器112的輸入端，所述處理器112的輸出端連接至所述開(kāi)關(guān)器件110的輸入端，所述開(kāi)關(guān)器件110的輸出端連接至所述初級(jí)線圈的第二端，所述升壓變壓器106的次級(jí)線圈連接至所述倍壓模塊108，所述倍壓模塊108連接至高壓離子模塊，其中，所述處理器112用于向所述開(kāi)關(guān)器件110發(fā)送PWM信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述開(kāi)關(guān)器件110的開(kāi)通和關(guān)斷，在所述開(kāi)關(guān)器件110開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)，所述初級(jí)線圈上產(chǎn)生交變電壓，以使所述次級(jí)線圈產(chǎn)生脈沖高壓，所述倍壓模塊108用于將所述脈沖高壓轉(zhuǎn)換成直流高壓，以將所述直流高壓輸出至所述高壓離子模塊，所述采樣模塊104用于采集所述初級(jí)線圈的電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，所述處理器112還用于根據(jù)所述采樣模塊104采集的所述電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，檢測(cè)所述高壓離子模塊是否發(fā)生故障。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路100，在高壓離子模塊啟動(dòng)時(shí)，通過(guò)采樣模塊104采集升壓變壓器106的初級(jí)線圈中的電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，來(lái)檢測(cè)高壓離子模塊是否發(fā)生故障，從而可以有效地避免了由于高壓離子模塊的故障而對(duì)其他部件造成損壞。

其中，處理器112可以是MCU(Microcontroller Unit，微控制單元)芯片，也可以是通用處理器112，例如中央處理器112(Central Processing Unit，CPU)，還可以是數(shù)字信號(hào)處理器112(Digital Signal Processor，DSP)、專(zhuān)用集成電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)，或者是被配置成實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)集成電路。

根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路100，還可以具有以下技術(shù)特征：

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述處理器112具體用于，根據(jù)所述電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，確定所述初級(jí)線圈的電流變化曲線；獲取所述電流變化曲線中的所述高壓離子模塊在啟動(dòng)過(guò)程中的曲線段，并確定所述曲線段中的電流變化幅度；根據(jù)所述電流變化幅度，檢測(cè)所述高壓離子模塊是否發(fā)生故障。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路100，通過(guò)獲取高壓離子模塊在啟動(dòng)過(guò)程中升壓變壓器106的初級(jí)線圈的電流變化的曲線段，若該曲線段中電流變化幅度超過(guò)設(shè)定值，說(shuō)明高壓離子模塊不正常，則確定高壓離子模塊發(fā)生了故障，若該曲線段中電流變化幅度未超過(guò)設(shè)定值，說(shuō)明高壓離子模塊是正常工作，則確定高壓離子模塊未發(fā)生故障。因此，通過(guò)以上方案可以準(zhǔn)確地檢測(cè)出高壓離子模塊是否發(fā)生故障。

例如，驅(qū)動(dòng)電路100用于空氣凈化器，在觸發(fā)空氣凈化器的啟動(dòng)按鈕時(shí)，控制處理器112輸出PWM信號(hào)給開(kāi)關(guān)器件110。處理器112獲取采樣模塊104采集初級(jí)線圈的電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，并根據(jù)該電流值及其對(duì)應(yīng)的時(shí)間，確定初級(jí)線圈的電流變化曲線。電流變化曲線即為圖3中的曲線。從電流變化曲線中獲取高壓離子模塊在啟動(dòng)過(guò)程中的曲線段，即獲取高壓離子模塊開(kāi)始啟動(dòng)的時(shí)間至初級(jí)線圈的電流值出現(xiàn)平穩(wěn)的時(shí)間T1之間曲線段，也就是圖3中△t時(shí)間段內(nèi)的曲線段。若該曲線段中電流變化幅度超過(guò)設(shè)定值，則確定高壓離子模塊發(fā)生了故障，可以關(guān)閉高壓離子模塊，若該曲線段中電流變化幅度未超過(guò)設(shè)定值，則繼續(xù)啟動(dòng)高壓離子模塊。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述處理器112還用于，在檢測(cè)出所述高壓離子模塊發(fā)生故障時(shí)，關(guān)閉所述高壓離子模塊。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路100，在檢測(cè)出高壓離子模塊發(fā)生故障時(shí)，自動(dòng)關(guān)閉高壓離子模塊，以避免高壓離子模塊異常啟動(dòng)后對(duì)其他部件造成損壞。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述處理器112還用于，在檢測(cè)出所述高壓離子模塊發(fā)生故障時(shí)，向故障提示裝置發(fā)送提示信號(hào)，以供所述故障提示裝置根據(jù)所述提示信號(hào)進(jìn)行故障提示。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路100，故障提示裝置及時(shí)提示用戶高壓離子模塊出現(xiàn)了故障，以使用戶及時(shí)針對(duì)高壓離子模塊的故障進(jìn)行處理，從而及時(shí)恢復(fù)高壓離子模塊的正常工作。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述采樣模塊104包括：采樣電阻1042，所述采樣電阻1042的第一端作為所述采樣模塊104的輸入端，所述采樣電阻1042的第二端作為所述采樣模塊104的第一輸出端；以及放大濾波電路1044，所述放大濾波電路1044的兩個(gè)輸入端并聯(lián)至所述采樣電阻1042的兩端，所述放大濾波電路1044的輸出端作為所述采樣模塊104的第二輸出端。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路100，通過(guò)采樣電阻1042采集升壓變壓器106的初級(jí)線圈中的電流值和該電流值對(duì)應(yīng)的時(shí)間，并經(jīng)過(guò)放大濾波電路1044對(duì)采集到的電流值進(jìn)行放大和濾波處理，從而提高了電流值采樣的精度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述放大濾波電路1044包括采樣保持電路，或者所述處理器112包括采樣保持電路。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路100，放大濾波電路1044或者處理器112具有采樣保持功能，進(jìn)一步地保證了電流值采樣的精度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述開(kāi)關(guān)器件110包括以下之一或多種的組合：MOS管、三極管、IGBT。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路100，通過(guò)MOS管、三極管和/或IGBT對(duì)直流電源102進(jìn)行斬波，以在升壓變壓器106的初級(jí)線圈上產(chǎn)生交變電壓，從而使得升壓變壓器106的次級(jí)線圈產(chǎn)生脈沖高壓。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述直流電源102是市電電源經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換而來(lái)。

當(dāng)然，直流電源102可以是市電電源經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換而來(lái)的，還可以由其他方式轉(zhuǎn)換而來(lái)。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面的實(shí)施例，提出了一種家用電器，包括上述技術(shù)方案中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路100，因此，該家用電器具有和上述技術(shù)方案中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路100相同的技術(shù)效果，在此不再贅述。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述家用電器包括：空氣凈化器和空調(diào)器。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的技術(shù)方案，通過(guò)本發(fā)明的技術(shù)方案，在高壓離子模塊啟動(dòng)時(shí)檢測(cè)高壓離子模塊是否發(fā)生故障，從而可以有效地避免了由于高壓離子模塊的故障而對(duì)其他部件造成損壞。

在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述的目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性；術(shù)語(yǔ)“多個(gè)”表示兩個(gè)或兩個(gè)以上；術(shù)語(yǔ)“連接”等均應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。