本申請要求于2016年03月30日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0038205號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述申請的全部公開內(nèi)容出于所有目的通過引用被包含于此。

下面的描述涉及一種聲波裝置和制造該聲波裝置的方法。

背景技術(shù)：

帶通濾波器是通訊裝置的關(guān)鍵組件，所述通信裝置從各種頻帶中僅僅選擇所需頻帶內(nèi)的信號并發(fā)送和接收所選擇的信號。帶通濾波器的代表性示例包括表面聲波(saw)濾波器和體聲波(baw)濾波器。

在這樣的聲波裝置中，濾波器通常包括呈薄膜形式的諧振元件。諧振元件可通過將叉指換能器(idt)電極或壓電介電材料沉積在晶圓基板上而形成。沉積的idt電極或壓電介電材料的壓電特性被用來引起諧振。

這樣的聲波裝置的應(yīng)用包括例如移動通訊裝置、化工裝置或生物裝置的小型和輕量型濾波器、振蕩器、諧振元件和聲諧振質(zhì)量傳感器。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

提供本發(fā)明內(nèi)容在于以簡化形式介紹在下面的具體實施方式中進一步描述的發(fā)明構(gòu)思的選擇。本發(fā)明內(nèi)容不意圖確定所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意圖用來幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總的方面，一種聲波裝置包括：基板；聲波產(chǎn)生部，設(shè)置在基板的表面上；接地焊盤，設(shè)置在基板的表面上；支撐部，在基板的表面上與聲波產(chǎn)生部分開；屏蔽構(gòu)件，設(shè)置在支撐部上，與聲波產(chǎn)生部分開；接地端子，設(shè)置在接地焊盤上，其中，接地焊盤和屏蔽構(gòu)件通過接地端子彼此連接。

所述支撐部可設(shè)置在接地焊盤與屏蔽構(gòu)件之間。

所述接地端子可包括焊料凸塊或焊錫球。

所述接地端子可包括：連接導(dǎo)體，以柱式設(shè)置在接地焊盤上；端子部，設(shè)置在連接導(dǎo)體的端部。

所述屏蔽構(gòu)件可結(jié)合到連接導(dǎo)體。

所述聲波裝置還可包括沿著屏蔽構(gòu)件和支撐部的表面設(shè)置的密封部。

所述屏蔽構(gòu)件可包括暴露到密封部外部的部分。所述接地端子可結(jié)合到暴露到密封部外部的所述部分。

所述屏蔽構(gòu)件可包括具有通孔的環(huán)狀的連接部。所述接地端子可容納在通孔中，并可電連接到所述連接部。

在另一總的方面，一種制造聲波裝置的方法包括：在基板的表面上形成聲波產(chǎn)生部和接地焊盤；在基板的表面上形成與聲波產(chǎn)生部分開的支撐部；在支撐部上設(shè)置屏蔽構(gòu)件；使接地端子結(jié)合到接地焊盤和屏蔽構(gòu)件。

形成支撐部可包括：使支撐部部分地設(shè)置在接地焊盤上，以使接地焊盤的部分暴露到支撐部的外部。

所述方法還可包括：在將屏蔽構(gòu)件設(shè)置在支撐部上之后，沿著屏蔽構(gòu)件和支撐部的表面形成密封部。

形成密封部可包括：移除密封部的部分，以將屏蔽構(gòu)件的部分暴露到密封部的外部。接地端子可結(jié)合到屏蔽構(gòu)件的所述部分。

設(shè)置屏蔽構(gòu)件可包括：將屏蔽構(gòu)件形成為使屏蔽構(gòu)件的部分在接地焊盤上方突出到支撐部的外部。

形成接地端子可包括：在接地焊盤上設(shè)置導(dǎo)電構(gòu)件；使導(dǎo)電構(gòu)件熔融并固化。

形成接地端子可包括：在接地焊盤上設(shè)置呈柱式的連接導(dǎo)體；在連接導(dǎo)體的端部形成端子部。

在另一總的方面，一種制造聲波裝置的方法包括：在基板的表面上形成聲波產(chǎn)生部和接地焊盤；在接地焊盤上形成呈柱式的連接導(dǎo)體；在基板的表面上形成與聲波產(chǎn)生部分開的支撐部；在支撐部上設(shè)置屏蔽構(gòu)件，并使屏蔽構(gòu)件連接到連接導(dǎo)體；在連接導(dǎo)體的端部形成端子部。

在支撐部上設(shè)置屏蔽構(gòu)件可包括：將屏蔽構(gòu)件設(shè)置為在與基板的表面垂直的方向上與聲波產(chǎn)生部分開。

其他特征和方面將從下面的具體實施方式、附圖和權(quán)利要求中變得清楚。

附圖說明

圖1是根據(jù)實施例的聲波裝置的透視圖。

圖2是沿圖1的i-i′線截取的截面圖。

圖3是圖1中示出的聲波裝置的分解透視圖。

圖4是根據(jù)另一實施例的聲波裝置的截面圖。

圖5和圖6是示出根據(jù)實施例的制造圖1中示出的聲波裝置的方法的示圖。

圖7和圖8是示出根據(jù)實施例的制造圖4中示出的聲波裝置的方法的示圖。

圖9是示意性示出根據(jù)實施例的聲波裝置封裝件的截面圖。

這里描述的特征可以以不同的形式實施，且不應(yīng)被理解為限于這里所描述的示例。更確切地說，這里所描述的示例僅僅用于示出在理解本申請的公開內(nèi)容之后將清楚的實現(xiàn)這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的許多可能方法中的一些。

具體實施方式

提供下面的具體實施例方式以幫助讀者獲得對這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的各種改變、變型以及等同物將在理解本申請的公開內(nèi)容之后變得清楚。例如，這里所描述的操作的順序僅僅是示例，其不限于這里所闡述的，而是在理解本申請的公開內(nèi)容之后將清楚的是，除了必須以特定順序出現(xiàn)的操作之外，可改變操作的順序。此外，為了更清楚和簡潔，可省略本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉的特征的描述。

這里所描述的特征可以以不同的形式實施，不應(yīng)被理解為限于這里所描述的示例。更確切地說，在理解本申請的公開內(nèi)容之后將清楚的是，已經(jīng)提供這里所描述的示例僅僅在于示出實現(xiàn)這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的許多可能方式中的一些。

在整個說明書中，當元件(諸如，層、區(qū)域或基板)被描述為“在”另一元件“上”、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件時，其可直接“在”另一元件“上”、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件，或者可存在介于他們之間的一個或更多個其他元件。相反，當元件被描述為“直接在”另一元件“上”、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件時，可能不存在介于他們之間的其他元件。

如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括任意兩個或更多個所列相關(guān)項中的任一和任意組合。

盡管在這里使用諸如“第一”、“第二”和“第三”的術(shù)語來描述各個構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分，但這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分不被這些術(shù)語限制。更確切地說，這些術(shù)語僅僅用于使一個構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分與另一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分相區(qū)分。因此，在不脫離示例的教導(dǎo)的情況下，這里描述的示例中所描述的第一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分還可被稱為第二構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分。

為了描述方便，可在這里使用諸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空間關(guān)系術(shù)語，以描述如圖所示的一個元件與另一元件之間的關(guān)系。這樣的空間關(guān)系術(shù)語意圖包括除了附圖中描繪的取向之外的裝置在使用或操作中的不同的取向。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”另一元件“之上”或“上方”的元件將在之后變?yōu)椤霸凇绷硪辉爸隆被颉跋路健?。因此，術(shù)語“在……之上”根據(jù)裝置的空間取向而包括“在……之上”和“在……之下”兩種取向。裝置還可按照其它的方式取向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，這里使用的空間關(guān)系術(shù)語可被相應(yīng)地解釋。

這里所使用的術(shù)語僅僅用于描述各個實施例，不用于限制本公開。除非上下文清楚地指出，否則單數(shù)形式還意圖包括復(fù)數(shù)形式。術(shù)語“包括”、“包含”和“具有”列舉說明了存在陳述的特征、數(shù)量、操作、構(gòu)件、元件和/或他們的組合，但不排除存在或添加一個或更多個其他特征、數(shù)量、操作、構(gòu)件、元件和/或他們的組合。

由于制造技術(shù)和/或公差，可能出現(xiàn)附圖中示出形狀的變化。因此，這里所描述的示例不限于附圖中示出的特定形狀，而是包括制造過程中出現(xiàn)的形狀上的變化。

在理解本申請的公開內(nèi)容之后將清楚的是，可以以各種方式組合這里所描述的示例的特征。此外，盡管這里所描述的示例具有各種配置，但是，在理解本申請的公開內(nèi)容之后將清楚的是，其他構(gòu)造是可能的。

此外，根據(jù)下面描述的聲波裝置包括被構(gòu)造為使許可的頻帶通過的濾波器元件，諸如表面聲波(saw)濾波器、體聲波(baw)濾波器或雙工器。

圖1是根據(jù)實施例的聲波裝置10的透視圖。圖2是沿圖1的i-i′線截取的截面圖。圖3是聲波裝置10的分解透視圖。

參照圖1至圖3，聲波裝置10包括基板100、支撐部200、屏蔽構(gòu)件300、密封部400和連接端子500。

在聲波裝置10是saw濾波器的情況下，基板100可設(shè)置為壓電基板。在聲波裝置10是baw濾波器的情況下，可使用si基板。

例如，基板100由諸如litao3、linbo3、li2b4o7或水晶的壓電單晶、pzt基多晶或者zno薄膜形成。此外，還可將由sio2或硅形成的晶圓基板用于基板100。然而，用于聲波裝置10的基板不限于上述示例，并且可以是本領(lǐng)域使用的各種基板中的任意一種。

如圖2和圖3所示，聲波產(chǎn)生部110設(shè)置在基板100的一個表面上。

例如，在聲波裝置10是saw濾波器的情況下，如圖3所示，聲波產(chǎn)生部110設(shè)置為金屬電極的形式。聲波產(chǎn)生部110可由鋁或銅形成，并且可包括使電極以梳子的形式彼此交替地交叉的叉指換能器(idt)電極。

在這種情況下，聲波產(chǎn)生部110通過光刻法在基板100上形成金屬層并將金屬層機加工為預(yù)定的電極形式來構(gòu)造。聲波產(chǎn)生部110可由諸如金(au)、鉑(pt)、鋁(al)或銅(cu)的金屬或者au、pt、al和cu中兩種或更多種的任意組合的合金形成。此外，聲波產(chǎn)生器110可通過堆疊金屬膜形成。

在聲波產(chǎn)生部110是baw濾波器的情況下，可通過形成與在saw濾波器中采用的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)來設(shè)置聲波產(chǎn)生部110。例如，被構(gòu)造為將電信號轉(zhuǎn)換為機械信號或者將機械信號轉(zhuǎn)換為電信號的壓電薄膜諧振器可被設(shè)置為聲波產(chǎn)生部110。在這種情況下，聲波產(chǎn)生部110形成了通過在基板100上順序地堆疊下電極、壓電層和上電極而構(gòu)造的諧振部。

電極焊盤120和使電極焊盤120與聲波產(chǎn)生部110彼此電連接的布線圖案(未示出)形成在例如基板100的一個表面上。另外，一個或更多個接地焊盤120a和使一個或更多個接地焊盤120a與聲波產(chǎn)生部110彼此電連接的布線圖案(未示出)形成在例如基板100的一個表面上。

電極焊盤120和一個或更多個接地焊盤120a可設(shè)置在聲波產(chǎn)生部110的外部。連接端子500設(shè)置在電極焊盤120上，一個或更多個接地端子500a設(shè)置在一個或更多個接地焊盤120a上。一個或更多個接地焊盤120a電連接到基板100的接地部，并結(jié)合到下述的一個或更多個接地端子500a。

盡管圖1和圖2示出了電極焊盤120和一個或更多個接地焊盤120a被分為不同的焊盤的情況，但是電極焊盤120和一個或更多個接地焊盤120a可具有類似的構(gòu)造。電極焊盤120僅僅指示按照概念上與一個或更多個接地焊盤120a相反的方式使用的焊盤，電極焊盤120包括除了一個或更多個接地焊盤120a之外的焊盤。

使聲波產(chǎn)生部110和布線圖案與外部環(huán)境電絕緣的絕緣保護層(未示出)可設(shè)置在聲波產(chǎn)生部110和布線圖案上。然而，電極焊盤120可暴露到絕緣保護層的外部。絕緣保護層可由sio2膜形成，但不限于這樣的材料。

支撐部200設(shè)置在基板100的一個表面上，并在與基板100的一個表面垂直的方向上與聲波產(chǎn)生部110分開預(yù)定的距離。例如，支撐部200與基板100的一個表面垂直地分開預(yù)定的距離。

支撐部200可沿著聲波產(chǎn)生部110的邊緣連續(xù)地形成為圍繞聲波產(chǎn)生部110的外周。例如，支撐部200被構(gòu)造為連續(xù)圍繞聲波產(chǎn)生部110的外周的形式，同時與聲波產(chǎn)生部110分開預(yù)定的距離(例如，3μm或更多)。

支撐部200可在豎直方向上具有比聲波產(chǎn)生部110沿豎直方向的厚度大的厚度。因此，在位于支撐部200上的屏蔽構(gòu)件300與聲波產(chǎn)生部110之間形成間隙。

支撐部200的結(jié)構(gòu)不限于上述構(gòu)造，只要是在屏蔽構(gòu)件300與聲波產(chǎn)生部110之間形成間隙的結(jié)構(gòu)，可以以各種方式變化。

支撐部200可由諸如樹脂或聚合物的絕緣材料形成。然而，支撐部200的材料不限于前述示例，在支撐部200與聲波產(chǎn)生部110充分分開或者使支撐部200與聲波產(chǎn)生部110之間絕緣的情況下，支撐部200還可由金屬材料形成。

支撐部200支撐屏蔽構(gòu)件300。支撐部200還使聲波產(chǎn)生部110與屏蔽構(gòu)件彼此分開，以便當聲波產(chǎn)生部110諧振和變型時聲波產(chǎn)生部110不與屏蔽構(gòu)件300接觸。因此，通過支撐部200在聲波產(chǎn)生部110與屏蔽構(gòu)件300之間形成間隔區(qū)域d，間隔區(qū)域d用作驅(qū)動聲波裝置10時聲波產(chǎn)生部110的變型空間(modificationspace)。

屏蔽構(gòu)件300可形成為充分覆蓋聲波產(chǎn)生部110的上部，并用于屏蔽電磁波。因此，屏蔽構(gòu)件300電連接到接地端子500a，并由導(dǎo)電金屬材料形成。

此外，屏蔽構(gòu)件300用于防止由于制造工藝中的外力導(dǎo)致密封部400朝向間隔區(qū)域d移動并與聲波產(chǎn)生部110接觸。因此，屏蔽構(gòu)件300可呈平板的形式，并且可由導(dǎo)電金屬板(例如，銅板)形成以提供剛度。

屏蔽構(gòu)件300包括：屏蔽部320，設(shè)置在聲波產(chǎn)生部110上方；一個或更多個連接部310，設(shè)置在一個或更多個接地焊盤120a上方，如圖3所示。

連接部310在接地焊盤120a上方的區(qū)域從屏蔽部320延伸，并可形成為其中形成有通孔的環(huán)狀。連接部310設(shè)置在將結(jié)合到接地端子500a的接地焊盤120a上方。為此，接地端子500a可延伸穿過連接部310中的通孔。然而，連接部310的形狀不限于前述描述，連接部310可形成為各種形狀，只要其能夠在接地焊盤120a上容易地結(jié)合到接地端子500a即可。

在單獨制造屏蔽構(gòu)件300之后，將屏蔽構(gòu)件300傳遞到支撐部200以結(jié)合到支撐部200。然而，屏蔽構(gòu)件300不限于前述示例，并且可具有不同的構(gòu)造和/或可以以不同的方式附著到支撐部。例如，屏蔽構(gòu)件300可通過在支撐部200上直接堆疊金屬板并使堆疊的金屬板圖案化而形成。

屏蔽構(gòu)件300和支撐部200通過密封部400密封。密封部400設(shè)置為沿著屏蔽構(gòu)件300和支撐部200的表面，以通過密封屏蔽構(gòu)件300和支撐部200防止?jié)駳夂彤愇锴秩氲介g隔區(qū)域d。

密封部400可由包括絕緣材料的薄膜層形成。例如，密封部400可由包括氮化硅(sixny)、二氧化硅(sio2)、氧氮化硅(sioxny)和碳化硅(sic)中兩種或更多種的任一或任意組合的薄膜層形成。

盡管圖1和圖3示出了密封部400呈平坦片的形式，但示出的構(gòu)造僅僅是為了方便解釋。密封部400可以彎曲，以便與屏蔽構(gòu)件300的形狀相對應(yīng)。

連接端子500和一個或更多個接地端子500a可形成為焊錫球或焊料凸塊的形式，但不限于這些示例。

連接端子500結(jié)合到電極焊盤120，以使封裝基板2(圖9)與聲波裝置10彼此電連接和機械連接。一個或更多個接地端子500a設(shè)置在一個或更多個接地焊盤120a中的各個上。

盡管圖3示出了連接端子500和一個或更多個接地端子500a被分為不同端子的情況，但是連接端子500和一個或更多個接地端子500a可具有類似地結(jié)構(gòu)。連接端子500僅僅指示按照概念上與一個或更多個接地端子500a相反的方式使用的端子，連接端子500包括除了一個或更多個接地端子500a之外的端子。

一個或更多個接地焊盤120a和屏蔽構(gòu)件300可通過一個或更多個接地端子500a電連接。因此，接地端子500a用作外部連接端子，同時還用作使接地焊盤120a和屏蔽構(gòu)件300彼此電連接的電路布線。

支撐部200部分地覆蓋接地焊盤120a的上表面。此外，連接部310的部分設(shè)置在接地焊盤120a上方。因此，支撐部200部分地介于在接地焊盤120a與屏蔽構(gòu)件300之間。

此外，連接部310的至少一部分暴露到密封部400的外部。因此，由于擴大了接地端子500a與屏蔽構(gòu)件300之間的結(jié)合表面，因此增大了結(jié)合可靠性。

圖4是根據(jù)另一實施例的聲波裝置10a的截面圖，該截面圖示出了與圖1的i-i′線相對應(yīng)的截面。參照圖4，聲波裝置10a的連接端子500′包括連接導(dǎo)體510和端子部520。

連接導(dǎo)體510呈柱式并設(shè)置在電極焊盤120上。此外，端子部520設(shè)置在連接導(dǎo)體510的端部。聲波裝置10a還包括接地端子500a′，其構(gòu)造與連接端子500′類似，并包括設(shè)置在接地焊盤120a上的端子部520。

屏蔽構(gòu)件300連接到接地端子500a′的連接導(dǎo)體510。因此，屏蔽構(gòu)件300、接地焊盤120a和接地端子500a′的端子部520通過接地端子500a′的連接導(dǎo)體510彼此電連接。

上述構(gòu)造可應(yīng)用于連接端子500′或接地端子500a′之間的間距比圖1至圖3中示出的連接端子500或接地端子500a之間的間距小的聲波裝置10a。在下面將描述的制造聲波裝置10a的方法中將再次進行描述。

接著，將參照圖5和圖6描述根據(jù)實施例的制造聲波裝置10的方法。

參照圖5和圖6，在第一操作(s1)，在基板100上形成聲波產(chǎn)生部110。聲波產(chǎn)生部110通過光刻工藝在基板100上形成導(dǎo)體層并將導(dǎo)體層機加工為預(yù)定的電極形式而形成。如上所述，在saw濾波器的情況下，基板100可以是壓電基板，在baw濾波器的情況下，基板100可以是si基板。

在聲波裝置10被用作saw濾波器的情況下，聲波產(chǎn)生部110可由鋁或銅形成，并且可形成為使電極以梳子的形式彼此交叉的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，可通過光刻工藝在基板100上形成導(dǎo)體層并將導(dǎo)體層機加工為預(yù)定電極形式來設(shè)置聲波產(chǎn)生部110。

此外，在聲波裝置10被用作baw濾波器的情況下，聲波產(chǎn)生部110可作為使下電極、壓電層和上電極順序堆疊的單獨的結(jié)構(gòu)形成在基板100的一個表面上。

電連接到聲波產(chǎn)生部110的布線圖案形成在聲波產(chǎn)生部110周圍。此外，布線圖案包括布線層121，所述布線層121隨后形成為電極焊盤120和接地焊盤120a。

諸如sio2膜的絕緣保護層(未示出)可設(shè)置在聲波產(chǎn)生部110和布線圖案的表面上。在這種情況下，布線層121可暴露到絕緣保護層的外部。

接著，在操作(s2)，在聲波產(chǎn)生部110和布線層121上形成種子層122。種子層122可形成為用于執(zhí)行電鍍，并可通過濺射法由銅(cu)材料形成。然而，種子層122不限于這些示例。

絕緣保護層可形成在聲波產(chǎn)生部110上。因此，種子層122可形成在絕緣保護層的表面以及絕緣保護層的暴露的布線層121上。

接著，在操作(s3)，在種子層122上形成掩膜層125，然后移除掩膜層125的部分，使得種子層122的部分被暴露。在這種情況下，種子層122的與布線層121相對應(yīng)的區(qū)域被暴露。

接著，在操作(s4)，在暴露的種子層122上形成鍍層123，以形成電極焊盤120和接地焊盤120a的形狀。鍍層123可通過使用種子層122進行電鍍而形成。然而，鍍層123不限于通過電鍍形成。如果需要，鍍層123還可通過使用無電鍍覆來形成。

鍍層123可通過在種子層122上順序地堆疊鎳(ni)層和金(au)層而形成，并且可用作下阻擋金屬(ubm)層。然而，鍍層123不限于這樣的示例。

接著，在操作(s5)，移除剩余的掩膜層125和種子層122的部分。具體地，種子層122的形成在除了電極焊盤120和接地焊盤120a之外的區(qū)域上的部分被移除。因此，在基板100上完成了電極焊盤120、接地焊盤120a和聲波產(chǎn)生部110。

在聲波裝置10被制造為saw濾波器的結(jié)構(gòu)的情況下，如示出的實施例，布線層121可由鋁(al)材料形成。在這種情況下，向外暴露的布線層121可在隨后執(zhí)行的光刻或蝕刻操作被同時移除。因此，為了防止布線層121被同時移除，聲波裝置10包括形成在布線層121上的作為阻擋層的鍍層123。

然而，在聲波裝置100被制造為baw濾波器的結(jié)構(gòu)的情況下，由于布線層121由在蝕刻操作中不容易移除的鉬(mo)或金(au)材料形成，因此，可省略鍍層123和種子層122以及形成鍍層123和種子層122的操作。

接著，在操作(s6)，在基板100的一個表面上形成支撐層201。其后，在操作(s7)，部分地移除支撐層201，以形成沿著聲波產(chǎn)生部110的外周的支撐部200。

支撐部200可由諸如樹脂或聚合物的絕緣材料形成的。然而，如果需要，支撐部200還可由金屬材料形成。此外，支撐部200可通過光刻工藝形成。然而，支撐部200不限于前述示例。

支撐部200沿著電極焊盤120和接地焊盤120a的邊緣部分地覆蓋電極焊盤120和接地焊盤120a。因此，電極焊盤120和接地焊盤120a通過形成在支撐部200中的通孔205暴露到外部。

接著，在操作(s8)，在支撐部200上堆疊屏蔽構(gòu)件300。屏蔽構(gòu)件300與聲波產(chǎn)生部110分開預(yù)定的間隔，并位于支撐部200上。

屏蔽構(gòu)件300可由金屬片形成。例如，屏蔽構(gòu)件可由銅(cu)片形成。金屬片殼具有較寬面積，屏蔽構(gòu)件300可形成有能夠同時覆蓋多個聲波產(chǎn)生部110的尺寸和形狀，如圖3所示。因此，由于與支撐部200接觸并被支撐部200支撐的面積與形成的間隔空間d的面積類似，或比形成的間隔空間d的面積大，因此，即使屏蔽構(gòu)件300被堆疊在支撐部200上，也可保持平坦片狀。

接著，在操作(s9)，在屏蔽構(gòu)件300上形成掩膜層303，以使屏蔽構(gòu)件300圖案化。還可通過光刻方法執(zhí)行操作(s9)。

因此，屏蔽構(gòu)件300包括：至少一個屏蔽部320，設(shè)置在聲波產(chǎn)生部110的上方；連接部310，設(shè)置在接地焊盤120a上方。屏蔽構(gòu)件300的屏蔽部320通過支撐部200與聲波產(chǎn)生部100分開。此外，連接部310和接地焊盤120a也通過支撐部200彼此分開。

連接部310形成為從支撐部200朝接地焊盤120a的中心軸突出預(yù)定的距離。因此，支撐部200未設(shè)置在突出的部分與接地焊盤120a之間。

然而，屏蔽構(gòu)件300和支撐部200的構(gòu)造不限于上述描述。例如，如圖4和圖8中示出的示例，屏蔽構(gòu)件300還可在接地焊盤120a上方的區(qū)域中設(shè)置為在與支撐部200相同的豎直線上，或者支撐部200還可形成為在接地焊盤120a的上方突出超過屏蔽構(gòu)件300。

接著，在操作(s10)，形成密封屏蔽構(gòu)件300和支撐部200的密封部400。密封部400可由如上所述的絕緣材料的薄膜層形成。

形成密封部400的操作可包括：在基板100的其上設(shè)置屏蔽構(gòu)件300的一個表面的整個表面上涂敷密封層(未示出)，以及通過光刻法移除密封層的部分，使屏蔽構(gòu)件300部分地暴露。

密封層400可通過氣相沉積法形成。例如，密封層400通過物理氣相沉積(pvd)法或化學(xué)氣相沉積(cvd)法形成。

更具體地，密封層400可通過使用濺射法、電子束蒸發(fā)法、熱蒸發(fā)法、激光分子束外延(l-mbe)法、脈沖激光沉積(pld)法、金屬有機化學(xué)氣相沉積(mocvd)法、氫化物氣相外延(hvpe)法和等離子體增強化學(xué)氣相沉積(pecvd)法中的任何一種方法形成。此外，通過蝕刻法執(zhí)行密封部400的移除。

接著，可通過在電極焊盤120上形成連接端子500并在接地焊盤120a上形成接地端子500a完成圖1中示出的聲波裝置。可通過在電極焊盤120和接地焊盤120a上涂敷導(dǎo)電膏來執(zhí)行形成連接端子500和接地端子500a的操作，然后使涂敷的導(dǎo)電膏熔融并固化。

在該操作中，接地端子500a結(jié)合到接地焊盤120a和屏蔽構(gòu)件300二者。因此，接地端子500a使接地焊盤120a和屏蔽構(gòu)件300彼此電連接。另一方面，形成在電極焊盤120上的連接端子僅僅結(jié)合到電極焊盤120，未結(jié)合到屏蔽構(gòu)件300。

聲波裝置100使用接地端子500a使接地焊盤120a和屏蔽構(gòu)件300彼此電連接。因此，不需要將屏蔽構(gòu)件300連接到基板100的接地部的單獨的操作或構(gòu)造。

圖7和圖8是示出根據(jù)實施例的制造圖4中示出的聲波裝置10a的方法的示圖。制造聲波裝置10a的方法包括在圖5的實施例中描述的包括完成電極焊盤120和接地焊盤120a的操作(s1)至(s5)。

參照圖7和圖8，接著操作(s5)，在操作(s21)，在基板100上形成種子層122a。設(shè)置種子層122a以通過鍍覆操作形成將在下面描述的連接導(dǎo)體510，并且種子層122a可通過濺射法由銅(cu)材料形成。然而，種子層122a不限于這樣的示例。

絕緣保護層可如上參照圖5和圖6所述形成在聲波產(chǎn)生部110和布線圖案上。因此，種子層122a可基本形成在絕緣保護層的表面上，電極焊盤120和接地焊盤120a可暴露到絕緣保護層的外部。

接著，在操作(s22)，在種子層122a上形成掩膜層125a。然后，部分地移除掩膜層125a，以便暴露種子層122a的部分。因此，使形成在電極焊盤120和接地焊盤120a上的種子層122a暴露到外部。

接著，在操作(s23)，在暴露的種子層122a上形成導(dǎo)電材料，以形成連接導(dǎo)體。連接導(dǎo)體510通過使用種子層122a進行電鍍而形成。然而，連接導(dǎo)體510不限于這樣的示例。如果需要，還可通過執(zhí)行無電鍍覆形成連接導(dǎo)體510。

連接導(dǎo)體510可由銅(cu)材料形成。然而，連接導(dǎo)體510可由其他材料形成。

接著，在操作(s24)，移除剩余的掩膜層125a和種子層122a的部分。具體地，移除種子層122a的形成在除了電極焊盤120和接地焊盤120a之外的區(qū)域上的部分。因此，在電極焊盤120和接地焊盤120a上完成了連接導(dǎo)體510。

接著，在操作(s25)，在基板100的其上形成有電極焊盤120和接地焊盤120a的一個表面上形成支撐部200。其后，在操作(s26)，在支撐部200上形成屏蔽構(gòu)件300。與圖5和圖6的實施例類似，屏蔽構(gòu)件300可由金屬片形成，可由銅(cu)材料形成。然而，屏蔽構(gòu)件300不限于這樣的示例。

屏蔽構(gòu)件300與聲波產(chǎn)生部110分開預(yù)定的間隔，并位于支撐部200上。此外，連接部310與連接導(dǎo)體510接觸。

接著，在操作(s27)，形成密封屏蔽構(gòu)件300和支撐部200的密封部400。密封部400可如以上參照圖5和圖6所述通過氣相沉積法由絕緣材料的博膜層形成。連接導(dǎo)體510的端部突出到密封部400的外部。

接著，在操作(s27)，通過在連接導(dǎo)體510的端部形成端子部520的操作(s27)完成聲波裝置10a。

聲波裝置10a和制造聲波裝置10a的方法可應(yīng)用于以較窄間距設(shè)置連接端子500′或接地端子500a′的情況。在未使用連接導(dǎo)體510的實施例的情況下(見圖2)，直接在電極焊盤120上形成連接端子510，并直接在接地焊盤120a上形成接地端子500a。因此，在連接端子500或接地端子500a設(shè)置為彼此鄰近的情況下，彼此鄰近的連接端子500或接地端子500a在使涂敷的導(dǎo)電膏熔融和固化的操作中會無意中彼此連接。

然而，當在形成連接導(dǎo)體510之后在連接導(dǎo)體510的端部形成端子部520的情況下，如圖4的實施例，端子部520可形成為具有與連接導(dǎo)體510的端部的面積相對應(yīng)的尺寸。因此，彼此鄰近的連接端子500′或接地端子500a′不會彼此連接。因此，這樣的實施例可容易地應(yīng)用到連接端子500′或接地端子500a′之間的間距非常窄的情況。

圖9是示意性示出根據(jù)實施例的聲波裝置封裝件1000的截面圖。參照圖9，聲波裝置封裝件1000包括封裝基板2、安裝在封裝基板2上的電子元件1和密封部3。

可使用任何類型的電子元件1，只要電子元件1是可安裝在封裝基板2上的電子組件即可。例如，電子元件1是有源元件或無源元件。

此外，電子元件1包括至少一個聲波裝置10和其他電子元件11。圖9示出了使用圖1中示出的聲波裝置10的情況。然而，聲波裝置封裝件1000的構(gòu)造不限于示出的示例。在另一實施例中，聲波裝置封裝件1000可包括圖4中示出的聲波裝置10a。

本領(lǐng)域公知的各種基板(例如，陶瓷基板、印刷電路板、玻璃基板或柔性基板)可用于封裝基板2，至少一個電子元件1安裝在封裝基板2的至少一個表面上。此外，外連接端子2a設(shè)置在封裝基板2的除了封裝基板2的安裝有至少一個電子元件1的表面之外的表面上。例如，外連接端子2a安裝在與其上安裝有電子元件1的表面背對的表面上。

密封部3密封安裝在封裝基板2上的電子元件1。此外，密封部3填充在安裝在封裝基板2上的電子元件1之間，以防止電子元件1之間電短路的出現(xiàn)，并且圍繞電子元件1的外部并將電子元件1固定到封裝基板2，從而安全地保護電子元件1不受外部沖擊。

密封部3可通過模塑法形成。例如，環(huán)氧樹脂成型化合物(emc)用作密封部3的材料。然而，密封部3不限于這樣的示例。如果需要，可使用諸如壓縮半固化態(tài)樹脂的方法的各種方法來形成密封部3。

聲波裝置封裝件1000包括：設(shè)置為彼此平行的聲波裝置的基板100和封裝基板2，以及設(shè)置在聲波裝置的基板100和封裝基板2之間的屏蔽構(gòu)件300。此外，聲波產(chǎn)生部110設(shè)置在在屏蔽構(gòu)件300與聲波裝置的基板100之間。

此外，在聲波裝置封裝件1000中，屏蔽構(gòu)件300通過接地端子500a直接連接到封裝基板2的接地部2b，而不通過基板100。

如以上闡述的，根據(jù)這里所公開的實施例，聲波裝置可容易地將執(zhí)行屏蔽功能的屏蔽構(gòu)件連接到接地端子。其結(jié)果是，可容易地制造聲波裝置。

雖然本公開包括具體示例，但在理解本申請的公開之后將清楚的是，在不脫離權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍的情況下，可做出形式和細節(jié)上的各種改變。這里所描述的示例應(yīng)被理解為僅僅是描述性的含義，而非出于限制的目的。在每個示例中的特征或方面的描述應(yīng)被理解為能夠應(yīng)用與其他示例中類似的特征或方面。如果以不同的順序執(zhí)行所描述的技術(shù)，和/或如果以不同的方式組合和/或通過其他組件或他們的等同物替換或補充所描述的系統(tǒng)、架構(gòu)、裝置或電路中的組件，可獲得合適的結(jié)果。因此，本公開的范圍不由具體實施方式限定，而由權(quán)利要求及他們的等同物限定，在權(quán)利要求及他們的等同物的范圍之內(nèi)的全部變化應(yīng)被理解為包括在本公開中。