本發(fā)明涉及一種電路板制造方法，特別是一種在印刷線路板上用干膜法制造選擇性鎳鈀金的方法。

背景技術(shù)：

電路板，又可稱之為線路板、PCB(Printed Circuit Board，印刷電路板)。電路板具有背對(duì)設(shè)置的焊接面及元件面。焊接面用于通過焊接實(shí)現(xiàn)電子器件的連接。元件面，又可稱之為器件面，用于設(shè)置電子器件。電路板為了達(dá)到相應(yīng)的承載、連接電子器件等功能需求，一般需要進(jìn)行相應(yīng)的工藝處理。特別是隨著電子產(chǎn)品朝著輕、薄、高密度化、多功能化發(fā)展，電路板上集成電子器件的密度也越來越大，所需要采用的封裝技術(shù)也越來越多樣化。相應(yīng)地，電路板加工技術(shù)要求也日益嚴(yán)格及多樣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種污染小、膜厚度足的在印刷線路板上用干膜法制造選擇性鎳鈀金的方法。

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種在印刷線路板上用干膜法制造選擇性鎳鈀金的方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)第一次貼干膜，將第一層干膜貼附在線路板的導(dǎo)電層上；

(2)第一次曝光，將第一層干膜進(jìn)行曝光處理；

(3)第一次顯影，將第一層干膜進(jìn)行顯影處理，以形成圖形開窗；

(4)第二次貼干膜，將第二層干膜貼附在所述第一層干膜上；

(5)第二次曝光，將第二層干膜進(jìn)行曝光處理，且第二層干膜具有與第一層干膜相同的曝光區(qū)域；

(6)第二次顯影，將第二層干膜進(jìn)行顯影處理，以形成圖形開窗；

(7)對(duì)經(jīng)過步驟(6)處理得到的線路板上鍍鎳鈀金；

(8)去除第一層干膜及第二層干膜。

優(yōu)選地，在步驟(1)之前，還包括步驟：在線路板上制造金手指。

優(yōu)選地，在步驟(8)之后，還包括步驟：對(duì)線路板進(jìn)行打線鍵合。

優(yōu)選地，步驟(1)第一次貼干膜和/或步驟(2)第二次貼干膜采用真空貼膜。

優(yōu)選地，所述第一層干膜和/或第二層干膜具有抗鍍金、抗酸性及抗堿性。

優(yōu)選地，所述第一層干膜與第二干膜的厚度相同。

優(yōu)選地，所述第一層干膜與第二層干膜的厚度均為40-50μm。

優(yōu)選地，步驟(7)鍍鎳鈀金處理的鎳缸、金缸的浸泡溫度為80-90℃。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在印刷線路板上用干膜法制造選擇性鎳鈀金的方法，通過兩次干膜處理，替代了濕膜法，避免了濕膜析出物污染鈀缸而導(dǎo)致的鈀缸壽命損減，且提升了鈀沉積質(zhì)量。同時(shí)，本發(fā)明在印刷線路板上用干膜法制造選擇性鎳鈀金的方法，能夠避免因線路板的導(dǎo)電層銅線間隙中存在的氣體使得干膜在高溫時(shí)鼓泡而導(dǎo)致的干膜厚度變薄，進(jìn)而避免在干膜厚度過薄時(shí)發(fā)生破裂而導(dǎo)致滲金不良的問題。因而，本發(fā)明采用兩次干膜的方法，避免了濕膜法對(duì)鈀缸的污染，增加了干膜成膜厚度，避免了因干膜破裂而導(dǎo)致的滲金不良，且方法簡單易行。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的一種在印刷線路板上用干膜法制造選擇性鎳鈀金的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述：

請(qǐng)參閱圖1，其為本發(fā)明提供的在印刷線路板上用干膜法制造選擇性鎳鈀金的方法步驟圖。

步驟S101：第一次貼干膜，將第一層干膜貼附在線路板的導(dǎo)電層上；

步驟S102：第一次曝光，將第一層干膜進(jìn)行曝光處理；

步驟S103：第一次顯影，將第一層干膜進(jìn)行顯影處理，以形成圖形開窗；

步驟S104：第二次貼干膜，將第二層干膜貼附在所述第一層干膜上；

步驟105：第二次曝光，將第二層干膜進(jìn)行曝光處理，且該第二層干膜具有與第一層干膜相同的曝光區(qū)域；

步驟S106：第二次顯影，將第二層干膜進(jìn)行顯影處理，以形成與第一層干膜上相同且正對(duì)重疊的圖形開窗；

步驟S107：對(duì)經(jīng)過步驟S106處理得到的線路板上鍍鎳鈀金；

步驟S108：去除第一層干膜及第二層干膜。

在本實(shí)施例中，為了提供更高的通用性能，以增強(qiáng)連接性能，在步驟1之前，還包括步驟：在線路板上制造金手指。為了保護(hù)金手指，避免污染，上述“選擇性”也即是在只能在非金手指所在的區(qū)域進(jìn)行鍍鎳鈀金。

為了提升表面封裝性能，在本實(shí)施例中，通過步驟8得到的線路板進(jìn)行打線鍵合(Wire bonding)處理。通過鎳鈀金表面處理的線路板具有優(yōu)良的耐儲(chǔ)時(shí)間、焊點(diǎn)更可靠，使得打線鍵合能夠得到更廣泛應(yīng)用。

為了提升干膜貼附在線路板的導(dǎo)電層上的結(jié)合力，步驟1中采用真空貼膜的方式將第一層干膜貼附在線路板的導(dǎo)電層上。當(dāng)然，為了提升第二層干膜貼附在第一層干膜上的結(jié)合力，步驟4中采用真空貼膜的方式將第二層干膜貼附在第一層干膜上。

為了適應(yīng)不同的酸堿環(huán)境(譬如鈀缸為堿性、鎳金缸為酸性)且提升成膜質(zhì)量，在本實(shí)施例中，所述第一層干膜、第二層干膜具有抗鍍金、抗酸性及抗堿性。

為了提高材料的可替換性及便于取放干膜，所述第一層干膜與第二層干膜的厚度相同。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，所述第一層干膜、第二層干膜的厚度均為40—50μm(微米)。因而，通過兩次貼膜，最終得到的干膜總厚度為80-100μm，從而提高了厚度，避免了因干膜破裂導(dǎo)致的滲金不良的問題，從而能夠獲得較高質(zhì)量的鎳鈀金鍍層。

為了提升鎳鈀金鍍層的質(zhì)量，在本實(shí)施例中，進(jìn)行步驟7中的鎳鈀金的浸泡處理的鎳缸、金缸的溫度為80-90℃。需要說明的是，在本發(fā)明中所提及的鍍鎳鈀金，也即是通過依次通過鎳缸、鈀缸、金缸進(jìn)行鍍鎳、鍍鈀、鍍金處理。另外，步驟4將第二層干膜可以選擇與第一層干膜相同的形狀及結(jié)構(gòu)，且將第二層干膜對(duì)準(zhǔn)覆蓋在第一層干膜上。為了表述方便，在本發(fā)明中提及的“步驟1”、“(1)”、“步驟(1)”、“步驟S101”及“S101”均表示第一個(gè)步驟，其他步驟表述方式依次類推。

以上僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并不用于局限本發(fā)明的保護(hù)范圍，任何在本發(fā)明精神內(nèi)的修改、等同替換或改進(jìn)等，都涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。