本發(fā)明涉及陶瓷基板領(lǐng)域，具體涉及一種陶瓷封裝基板的制作方法和陶瓷封裝基板。

背景技術(shù)：

隨著多芯片高集成器件、大功率半導(dǎo)體器件和激光二極管元器件等新一代大功率電子電力器件的發(fā)展，大功率器件所產(chǎn)生的熱量也在不斷增加，散熱問題變得越來越重要。因此，選擇一種具有高熱導(dǎo)率、高電阻率和低膨脹系數(shù)的封裝材料正是解決大功率器件封裝的關(guān)鍵要素。而氮化鋁(AlN)陶瓷具有高導(dǎo)熱系數(shù)，線膨脹系數(shù)與常規(guī)芯片(如LED芯片)相匹配，絕緣性好等理想的綜合優(yōu)點(diǎn)，能很好的符合大功率芯片和高密度集成封裝的各項(xiàng)要求。

陶瓷封裝基板的線路制造方法主要通過借鑒原來線路板制造行業(yè)中的光刻顯影的方法，采用干法刻蝕或者濕法刻蝕的工藝技術(shù)來制備封裝基板的電子線路。這種方法就是目前工業(yè)中能夠大批量產(chǎn)業(yè)化的直接鍍銅法(DPC法)，在LED功率器件的封裝基板(如氧化鋁陶瓷封裝基板)中得到了成熟的應(yīng)用。近些年來，也出現(xiàn)了一些新穎的比較高效率的陶瓷封裝基板制備技術(shù)。其中，直接絲印金屬層的制造方法就是比較成熟的一種。這種方法是直接把銅漿絲印到陶瓷基板上，再經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)，從而制備成陶瓷封裝基板。

但這些陶瓷封裝基板的制備技術(shù)都存在各種不足和缺點(diǎn)。直接鍍銅法的工藝工序繁雜，生產(chǎn)時(shí)間周期較長(zhǎng)，需要的設(shè)備昂貴并且較多，污染嚴(yán)重等缺點(diǎn)。如專利CN201210139133.8中所述，其描述的就是一種目前工業(yè)生產(chǎn)中比較成熟的制備LED陶瓷封裝基板的直接鍍銅法(DPC法)。而直接絲印金屬層的方法，雖然工藝步驟簡(jiǎn)單，但所需的絲印設(shè)備精度要求高，需要的絲印銅漿嚴(yán)重依賴進(jìn)口，需要上千度的高溫真空或者氮?dú)獗Ｗo(hù)燒結(jié)烘箱等，造成了比直接鍍銅法更高的制造成本。如專利CN201410477530.5中所述，提出了一種絲印圖形的氮化鋁陶瓷封裝基板的制備方法。這種方法還有一個(gè)很明顯的缺點(diǎn)就是，絲印的銅層厚度較薄，限制了其在大功率和高集成芯片封裝的應(yīng)用。另外，還有一些新方法只是對(duì)某一工序進(jìn)行了優(yōu)化，如專利CN201610182149.5中所述，提出了一種調(diào)整陶瓷基板金屬化膜系工藝，將現(xiàn)有的金鉻層金屬化膜系調(diào)整為鈦鎢層金屬膜系，提高產(chǎn)品效率的方法。在陶瓷封裝基板的制備中起到了一定的改善作用，但其工藝還是較為復(fù)雜，設(shè)備需求多且昂貴，使得陶瓷封裝基板的制備成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提出一種陶瓷封裝基板的制作方法和陶瓷封裝基板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的工藝復(fù)雜、設(shè)備需求多且昂貴以及成本較高的問題。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陶瓷封裝基板的制作方法，包括：

在預(yù)處理過的陶瓷基板上制作導(dǎo)電膜層；

在導(dǎo)電膜層上制作掩膜層；

根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)掩膜層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理，并得到圖形化的電路基層；

對(duì)上述圖形化的電路基層進(jìn)行全板電鍍處理，將電路基層的金屬膜層加厚；

去除非圖形化部分的導(dǎo)電膜層和掩膜層。

示例性地，對(duì)陶瓷基板的預(yù)處理包括表面微蝕粗化、酸堿處理或者超聲清洗中的至少一種。

示例性地，導(dǎo)電膜層為金屬導(dǎo)電膜層，掩膜層為油墨，根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)掩膜層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理，并得到圖形化的電路基層包括：

根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形，采用激光對(duì)掩膜層進(jìn)行刻蝕氣化，得到圖形化的電路基層。

示例性地，金屬導(dǎo)電膜層為合金膜層，包括鈦金屬薄膜和銅金屬薄膜，鈦金屬薄膜的厚度為100-500nm，銅金屬薄膜的厚度為600-1500nm，油墨的厚度為30-100μm。

示例性地，陶瓷基板的金屬膜層的厚度與掩膜層的厚度一致。

示例性地，導(dǎo)電膜層為有機(jī)導(dǎo)電膜層，掩膜層為油墨，根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)掩膜層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理，并得到圖形化的電路基層包括：

根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形，采用激光對(duì)掩膜層和有機(jī)導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕氣化，并對(duì)陶瓷基板進(jìn)行激光金屬化處理，得到圖形化的電路基層。

示例性地，有機(jī)導(dǎo)電膜包括導(dǎo)電聚乙烯薄膜，有機(jī)導(dǎo)電膜的厚度為10-100μm，油墨的厚度為10-100μm。

示例性地，陶瓷基板的金屬膜層的厚度與掩膜層和有機(jī)導(dǎo)電膜層的總厚度一致。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陶瓷封裝基板，包括陶瓷基板以及該陶瓷基板上圖形化的電路基層，電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)所述陶瓷基板上的掩膜層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理得到，電路基層上形成有加厚的金屬膜層。

示例性地，導(dǎo)電膜層為金屬導(dǎo)電膜層，掩膜層為油墨，電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)陶瓷基板上的掩膜層進(jìn)行刻蝕氣化得到。

示例性地，導(dǎo)電膜層為有機(jī)導(dǎo)電膜層，掩膜層為油墨，電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)陶瓷基板上的掩膜層和有機(jī)導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕氣化，并對(duì)陶瓷基板進(jìn)行激光金屬化處理得到。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陶瓷封裝基板的制作方法和陶瓷封裝基板，通過在預(yù)處理過的陶瓷基板上制作導(dǎo)電膜層，在導(dǎo)電膜層上制作掩膜層，并根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)掩膜層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理得到圖形化的電路基層以及對(duì)上述圖形化的電路基層進(jìn)行全板電鍍處理，將電路基層的金屬膜層加厚，最后去除非圖形化部分的導(dǎo)電膜層和掩膜層制作陶瓷封裝基板，克服了陶瓷封裝基板制造工藝制程復(fù)雜，產(chǎn)品周期較長(zhǎng)，效率低和成本高等缺點(diǎn)。金屬導(dǎo)電膜結(jié)合全板電鍍技術(shù)方案精簡(jiǎn)了舊工藝繁瑣的工序流程，縮短生產(chǎn)周期，降低了成本，提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種陶瓷封裝基板的制作方法流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的依次覆蓋上金屬導(dǎo)電膜層和掩膜層的陶瓷基板側(cè)面結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的激光圖形化刻蝕掩膜層的陶瓷基板側(cè)面結(jié)構(gòu)圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的電鍍加厚金屬膜層后去除多余掩膜層和金屬導(dǎo)電膜層的側(cè)面結(jié)構(gòu)圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的依次覆蓋上有機(jī)導(dǎo)電膜層和掩膜層的陶瓷基板側(cè)面結(jié)構(gòu)圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例三提供的激光圖形化刻蝕掩膜層和有機(jī)導(dǎo)電膜層的陶瓷基板側(cè)面結(jié)構(gòu)圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例三提供的電鍍加厚金屬膜層后去除多余掩膜層和有機(jī)導(dǎo)電膜層的側(cè)面結(jié)構(gòu)圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種陶瓷封裝基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種陶瓷封裝基板的制作方法流程示意圖。本實(shí)施例中的陶瓷封裝基板的制作方法可以用于陶瓷封裝基板，滿足陶瓷封裝基板在大功率、多芯片器件封裝領(lǐng)域日益嚴(yán)苛的封裝要求。

本實(shí)施例提供的陶瓷封裝基板的制作方法包括：

S110、在預(yù)處理過的陶瓷基板上制作導(dǎo)電膜層。

示例性地，對(duì)陶瓷基板的預(yù)處理包括表面微蝕粗化、酸堿處理或者超聲清洗中的至少一種，采用上述方法對(duì)陶瓷基板進(jìn)行預(yù)處理，接著放入烘箱進(jìn)行烘干，以去除陶瓷基板表面的雜質(zhì)和污垢。烘箱優(yōu)先選用氮?dú)獗Ｗo(hù)或者真空烘箱，烘干溫度設(shè)置為150℃。

導(dǎo)電膜層可以通過絲印、涂布、貼膜或者真空鍍膜的方法制備。

S120、在導(dǎo)電膜層上制作掩膜層。

掩膜層通常為線路板行業(yè)中不導(dǎo)電的油墨或者干膜等，可以通過絲印或者貼膜的方法制備。

S130、根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)掩膜層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理，并得到圖形化的電路基層。

可選地，采用激光技術(shù)制作更精確的電路圖形，使得圖形化的電路基層更加精確和完整，激光加工可以根據(jù)封裝基板的不同工藝制程條件選用不同功率和波長(zhǎng)的激光來加工。激光功率一般選用10-100W，波長(zhǎng)一般為300nm-2μm。

S140、對(duì)上述圖形化的電路基層進(jìn)行全板電鍍處理，將電路基層的金屬膜層加厚。

電鍍方式選擇改進(jìn)的線路板行業(yè)中的全板電鍍的方式，全板電鍍即對(duì)整個(gè)陶瓷基板進(jìn)行電鍍，對(duì)上述圖形化的電路基層進(jìn)行全板電鍍處理，電鍍完成后將該電路基層的金屬膜層加厚，再進(jìn)行圖形的印制(正像圖形，即所需要的線路形成圖形)。電鍍金屬膜層厚度達(dá)到30-100μm的厚度。

S150、去除非圖形化部分的導(dǎo)電膜層和掩膜層。

本實(shí)施例提供的陶瓷封裝基板的制作方法，通過在預(yù)處理過的陶瓷基板上制作導(dǎo)電膜層，在導(dǎo)電膜層上制作掩膜層，并根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)掩膜層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理得到圖形化的電路基層以及對(duì)上述圖形化的電路基層進(jìn)行全板電鍍處理，將電路基層的金屬膜層加厚，最后去除非圖形化部分的導(dǎo)電膜層和掩膜層制作陶瓷封裝基板，克服了陶瓷封裝基板制造工藝制程復(fù)雜，產(chǎn)品周期較長(zhǎng)，效率低和成本高等缺點(diǎn)。導(dǎo)電膜層結(jié)合全板電鍍技術(shù)方案精簡(jiǎn)了舊工藝繁瑣的工序流程，縮短生產(chǎn)周期，降低了成本，提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率，激光圖形化技術(shù)取代光刻顯影還可以減少對(duì)環(huán)境的污染，并且采用激光技術(shù)可以制備更加精細(xì)的電子線路，更適合于高密度集成電路的封裝。

實(shí)施例二

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例提供的陶瓷封裝基板的制作方法中，導(dǎo)電膜層為金屬導(dǎo)電膜層，掩膜層為油墨。下面按照工藝流程步驟對(duì)陶瓷封裝基板的制作方法進(jìn)行說明。圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的依次覆蓋上金屬導(dǎo)電膜層和掩膜層的陶瓷基板側(cè)面結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，陶瓷基板210的典型尺寸為長(zhǎng)114.3mm，寬114.3mm，厚0.38mm，也可以選擇別的尺寸。

對(duì)陶瓷基板210表面進(jìn)行處理，包括表面微蝕粗化，酸堿處理和超聲清洗，接著放進(jìn)烘箱進(jìn)行烘干，烘箱優(yōu)先選用氮?dú)獗Ｗo(hù)或者真空烘箱，烘干溫度設(shè)置為150℃。

金屬導(dǎo)電膜層220的制備。在已經(jīng)預(yù)處理過的陶瓷基板210表面鍍上一層金屬導(dǎo)電膜層220，金屬導(dǎo)電膜層220可以選擇鈦、銅、鎳、鎢、鉻金屬或者其合金，也可以選擇摻鋁氧化鋅導(dǎo)電膜等導(dǎo)電物質(zhì)。在本實(shí)施例中金屬導(dǎo)電膜層220為合金膜層，采用鈦金屬和銅金屬。

金屬導(dǎo)電膜層220可以通過真空鍍膜或者絲印的方法制備。首先在陶瓷基板210表面鍍上一層100-500nm的鈦金屬薄膜，然后在鈦金屬薄膜上鍍上一層600-1500nm的銅金屬薄膜，從而制成合金的金屬導(dǎo)電膜層220。

掩膜層230為線路板行業(yè)中的油墨或者干膜等，掩膜層230可以通過絲印或者貼膜的方式制備。本實(shí)施例中在金屬導(dǎo)電膜層220上絲印一層油墨作為掩膜層230，油墨的厚度為30-100μm。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的激光圖形化刻蝕掩膜層的陶瓷基板側(cè)面結(jié)構(gòu)圖。根據(jù)設(shè)計(jì)好的電子線路圖形，采用功率為10W，波長(zhǎng)為355nm的激光對(duì)掩膜層230進(jìn)行刻蝕氣化?？涛g完成后，封裝基板如圖3所示，陶瓷基板210，金屬導(dǎo)電膜層220，圖形化后的掩膜層230。

掩膜層230被刻蝕氣化的地方露出來的銅金屬膜層可以作為電鍍加厚的孵化層進(jìn)行電鍍加厚。電鍍加厚的銅膜層厚度和掩膜層230的厚度一致，為30-100μm。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的電鍍加厚金屬膜層后去除多余掩膜層和金屬導(dǎo)電膜層的側(cè)面結(jié)構(gòu)圖。通過酸堿刻蝕去掉掩膜層和掩膜層正下方的金屬導(dǎo)電膜層部分，從而完成陶瓷封裝基板的制備。如圖4所示，陶瓷基板210，電鍍加厚的金屬膜層240，為一塊完整的陶瓷封裝基板。

本實(shí)施例提供的陶瓷封裝基板的制作方法，通過對(duì)陶瓷基板進(jìn)行預(yù)處理，并在預(yù)處理過的陶瓷基板表面覆蓋上金屬導(dǎo)電膜層，在金屬導(dǎo)電膜層上覆蓋掩膜層，激光刻蝕掩膜層，全板電鍍加厚，去除非圖形化的金屬導(dǎo)電膜層和掩膜層，完成陶瓷封裝基板的制造。采用上述技術(shù)方法，精簡(jiǎn)了工序流程，縮短生產(chǎn)周期，減少光刻顯影昂貴設(shè)備的使用，降低了成本，提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率；激光圖形化技術(shù)取代光刻顯影還可以減少對(duì)環(huán)境的污染，并且采用激光技術(shù)可以制備更加精細(xì)的電子線路，更適合于高密度集成電路的封裝，滿足陶瓷封裝基板在大功率、多芯片器件封裝領(lǐng)域日益嚴(yán)苛的封裝要求。

實(shí)施例三

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例提供的陶瓷封裝基板的制作方法中，導(dǎo)電膜層為有機(jī)導(dǎo)電膜層，掩膜層為油墨。下面按照工藝流程步驟對(duì)陶瓷封裝基板的制作方法進(jìn)行說明。圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的依次覆蓋上有機(jī)導(dǎo)電膜層和掩膜層的陶瓷基板側(cè)面結(jié)構(gòu)圖。如圖5所示，陶瓷基板310的典型尺寸為長(zhǎng)114.3mm，寬114.3mm，厚0.38mm，也可以選擇別的尺寸。

對(duì)陶瓷基板310表面進(jìn)行處理，包括表面微蝕粗化，酸堿處理和超聲清洗，接著放進(jìn)烘箱進(jìn)行烘干，烘箱優(yōu)先選用氮?dú)獗Ｗo(hù)或者真空烘箱，烘干溫度設(shè)置為150℃。

有機(jī)導(dǎo)電膜層320的制備。有機(jī)導(dǎo)電膜層320可以是聚苯胺，導(dǎo)電聚乙烯薄膜，四氟乙烯導(dǎo)電膜或者由炭黑填充制成的復(fù)合導(dǎo)電高分子材料等組成。有機(jī)導(dǎo)電膜層320可以通過絲印、涂布或者貼膜的方式制備。在已經(jīng)預(yù)處理過的陶瓷基板310表面貼上一層有機(jī)導(dǎo)電膜層320，本實(shí)施例中的有機(jī)導(dǎo)電膜層320為導(dǎo)電聚乙烯薄膜，其厚度為10-100μm。

掩膜層330為線路板行業(yè)中的油墨或者干膜等，掩膜層330可以通過絲印或者貼膜的方式制備。本實(shí)施例中在有機(jī)導(dǎo)電膜層320上絲印一層油墨作為掩膜層330，油墨的厚度可以根據(jù)有機(jī)導(dǎo)電膜層320的厚度和電子封裝電氣要求來設(shè)置合適的厚度，一般設(shè)置為10—100μm。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例三提供的激光圖形化刻蝕掩膜層和有機(jī)導(dǎo)電膜層的陶瓷基板側(cè)面結(jié)構(gòu)圖。根據(jù)設(shè)計(jì)好的電子線路圖形，采用功率為10W，波長(zhǎng)為355nm的激光對(duì)有機(jī)導(dǎo)電膜層320和掩膜層330進(jìn)行刻蝕氣化，并且對(duì)陶瓷基板310進(jìn)行部分的激光金屬化，形成激光金屬化層340?？涛g完成后，封裝基板如圖6所示，陶瓷基板310，有機(jī)導(dǎo)電膜層320，掩膜層330，激光金屬化層340。

激光金屬化層340的區(qū)域就是需要電鍍加厚的地方，激光金屬化層340和有機(jī)導(dǎo)電膜層320連成一體，是全板導(dǎo)電的通道，可以以激光金屬化層340為孵化層進(jìn)行全板圖形電鍍加厚。電鍍加厚的銅膜層厚度為有機(jī)導(dǎo)電膜層320和掩膜層330的總厚度一致，為30-100μm。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例三提供的電鍍加厚金屬膜層后去除多余掩膜層和有機(jī)導(dǎo)電膜層的側(cè)面結(jié)構(gòu)圖。通過酸堿刻蝕或者熱分解的方法去除剩余的有機(jī)導(dǎo)電膜層和掩膜層，從而完成陶瓷封裝基板的制備。如圖7所示，陶瓷基板310和電鍍加厚金屬層350，為一塊完整的陶瓷封裝基板。

本實(shí)施例提供的陶瓷封裝基板的制作方法，通過對(duì)陶瓷基板進(jìn)行預(yù)處理，并在預(yù)處理過的陶瓷基板表面覆蓋上有機(jī)導(dǎo)電膜層，在有機(jī)導(dǎo)電膜層上覆蓋掩膜層，激光刻蝕掩膜層和有機(jī)導(dǎo)電膜層，全板電鍍加厚并去除非圖形化的有機(jī)導(dǎo)電膜層和掩膜層，完成陶瓷封裝基板的制造。采用上述技術(shù)方法，精簡(jiǎn)了工序流程，縮短生產(chǎn)周期，減少光刻顯影昂貴設(shè)備的使用，降低了成本，提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率；激光圖形化技術(shù)取代光刻顯影還可以減少對(duì)環(huán)境的污染，并且采用激光技術(shù)可以制備更加精細(xì)的電子線路，更適合于高密度集成電路的封裝，滿足陶瓷封裝基板在大功率、多芯片器件封裝領(lǐng)域日益嚴(yán)苛的封裝要求。

實(shí)施例四

圖8為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種陶瓷封裝基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，本實(shí)施例提供的陶瓷封裝基板包括陶瓷基板410以及該陶瓷基板410上圖形化的電路基層，電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)陶瓷基板410上的掩膜層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理得到，該電路基層上形成有加厚的金屬膜層420。

示例性地，導(dǎo)電膜層為金屬導(dǎo)電膜層，掩膜層為油墨，電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)陶瓷基板上的掩膜層進(jìn)行刻蝕氣化得到。

示例性地，導(dǎo)電膜層為有機(jī)導(dǎo)電膜層，掩膜層為油墨，電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)陶瓷基板上的掩膜層和有機(jī)導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕氣化，并對(duì)陶瓷基板進(jìn)行激光金屬化處理得到。

本實(shí)施例提供了一種陶瓷封裝基板，該陶瓷封裝基板包括陶瓷基板以及該陶瓷基板上圖形化的電路基層，該電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對(duì)陶瓷基板上的掩膜層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理得到，該電路基層上形成有加厚的金屬膜層。本實(shí)施例提供的陶瓷封裝基板適合于高密度集成電路的封裝，滿足其在大功率、多芯片器件封裝領(lǐng)域日益嚴(yán)苛的封裝要求。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。