1.一種陶瓷封裝基板的制作方法，其特征在于，包括：
在預(yù)處理過的陶瓷基板上制作導(dǎo)電膜層；
在所述導(dǎo)電膜層上制作掩膜層；
根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對所述掩膜層和所述導(dǎo)電膜層進行圖形化處理，并得到圖形化的電路基層；
對所述圖形化的電路基層進行全板電鍍處理，將所述電路基層的金屬膜層加厚；
去除非圖形化部分的所述導(dǎo)電膜層和所述掩膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理包括表面微蝕粗化、酸堿處理或者超聲清洗中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層為金屬導(dǎo)電膜層，所述掩膜層為油墨，所述根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對所述掩膜層和所述導(dǎo)電膜層進行圖形化處理，并得到圖形化的電路基層包括：
根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形，采用激光對所述掩膜層進行刻蝕氣化，得到圖形化的電路基層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述金屬導(dǎo)電膜層為合金膜層，包括鈦金屬薄膜和銅金屬薄膜，所述鈦金屬薄膜的厚度為100-500nm，所述銅金屬薄膜的厚度為600-1500nm，所述油墨的厚度為30-100μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板的金屬膜層的厚度與所述掩膜層的厚度一致。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層為有機導(dǎo)電膜層，所述掩膜層為油墨，所述根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對所述掩膜層和所述導(dǎo)電膜層進行圖形化處理，并得到圖形化的電路基層包括：
根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形，采用激光對所述掩膜層和所述有機導(dǎo)電膜層進行刻蝕氣化，并對所述陶瓷基板進行激光金屬化處理，得到圖形化的電路基層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述有機導(dǎo)電膜包括導(dǎo)電聚乙烯薄膜，所述有機導(dǎo)電膜的厚度為10-100μm，所述油墨的厚度為10-100μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板的金屬膜層的厚度與所述掩膜層和所述有機導(dǎo)電膜層的總厚度一致。
9.一種陶瓷封裝基板，其特征在于，包括陶瓷基板以及所述陶瓷基板上圖形化的電路基層，所述電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對所述陶瓷基板上的所述掩膜層和所述導(dǎo)電膜層進行圖形化處理得到，所述電路基層上形成有加厚的金屬膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陶瓷封裝基板，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層為金屬導(dǎo)電膜層，所述掩膜層為油墨，所述電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對所述陶瓷基板上的所述掩膜層進行刻蝕氣化得到。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陶瓷封裝基板，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層為有機導(dǎo)電膜層，所述掩膜層為油墨，所述電路基層根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形對所述陶瓷基板上的所述掩膜層和所述有機導(dǎo)電膜層進行刻蝕氣化，并對所述陶瓷基板進行激光金屬化處理得到。