本發(fā)明涉及功率放大模塊。

背景技術(shù)：

移動終端的無線通信方式有第二代移動通信系統(tǒng)(2G)、第3/4代移動通信系統(tǒng)(3G/4G)。在2G中，從移動終端連續(xù)地發(fā)送數(shù)據(jù)的突發(fā)動作時，要求無線電頻率(RF：Radio Frequency)信號的功率根據(jù)標準所規(guī)定的波形特性發(fā)生變化。此外，在移動終端中，為了向基站發(fā)送RF信號，使用用于放大RF信號的功率的功率放大模塊。因而，為了根據(jù)標準所規(guī)定的波形特性輸出RF信號，要求抑制功率放大模塊的增益變動。

例如，在專利文獻1的圖3中，公開了一種無線電頻率放大器，其目的在于抑制溫度變化導致的增益變動。該無線電頻率放大器具備功率晶體管Q1和尺寸為功率晶體管Q1的1/m的控制晶體管Qc。輸入至功率晶體管Q1的基極的RF信號經(jīng)由電阻器Rb/m及電阻器Rb，輸入至控制晶體管Qc的基極。溫度變化等引起的功率晶體管Q1的集電極電流的變化反映在控制晶體管Qc的集電極電流中。于是，通過根據(jù)控制晶體管Qc的集電極電流的變化控制差動放大器，從而控制提供至功率晶體管Q1的基極的偏置電流，由此抑制增益變動。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1

日本專利特開平11-330866號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

如上所述，在專利文獻1公開的結(jié)構(gòu)中，為了抑制溫度變化引起的增益變動，用差動放大器控制偏置電流。因此，電路規(guī)模會變大。

本發(fā)明是鑒于上述的問題而完成的，其目的是提供一種功率放大模塊，該功率放大器能抑制溫度變化引起的增益變動并且不會增大電路規(guī)模。

解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的一個方面所涉及的功率放大模塊包括：第一雙極晶體管，該第一雙極晶體管在基極被輸入無線電頻率信號，從集電極輸出將無線電頻率信號放大后的放大信號；第二雙極晶體管，該第二雙極晶體管與第一雙極晶體管熱耦合，在基極被輸入無線電頻率信號，并且模擬所述第一雙極晶體管的動作；第三雙極晶體管，該第三雙極晶體管在集電極被提供電源電壓，在基極被提供第一控制電壓，從發(fā)射極向第一及第二雙極晶體管的基極輸出第一偏置電流；第一電阻器，該第一電阻器在第一端子被提供第二控制電壓，第二端子與第二雙極晶體管的集電極連接，在第二端子生成與第二雙極晶體管的集電極電流對應的第三控制電壓；以及第四雙極晶體管，該第四雙極晶體管在集電極被提供電源電壓，在基極被提供第三控制電壓，從發(fā)射極向第一及第二雙極晶體管的基極輸出第二偏置電流。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能提供一種功率放大模塊，該功率放大器能抑制溫度變化引起的增益變動并且能抑制電路規(guī)模的增大。

附圖說明

圖1是表示包含本發(fā)明的一個實施方式的功率放大模塊的發(fā)送單元的結(jié)構(gòu)例的圖。

圖2是表示功率放大模塊112的結(jié)構(gòu)例的圖。

圖3是表示放大電路200及偏置電路230的結(jié)構(gòu)例、即放大電路200A及偏置電路230A的結(jié)構(gòu)的圖。

圖4是表示用于與本發(fā)明的實施方式比較的比較例的結(jié)構(gòu)的圖。

圖5是表示圖4所示的比較例的模擬結(jié)果的圖。

圖6是表示本實施方式的放大電路200A及偏置電路230A的模擬結(jié)果的圖。

圖7是表示放大電路200及偏置電路230的結(jié)構(gòu)例、即放大電路200B及偏置電路230B的結(jié)構(gòu)的圖。

圖8是表示放大電路200及偏置電路230的結(jié)構(gòu)例、即放大電路200A及偏置電路230C的結(jié)構(gòu)的圖。

圖9是表示放大電路200及偏置電路230的結(jié)構(gòu)例、即放大電路200A及偏置電路230D的結(jié)構(gòu)的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對于本發(fā)明的一個實施方式進行說明。圖1是表示包含本發(fā)明的一個實施方式的功率放大模塊的發(fā)送單元的結(jié)構(gòu)例的圖。發(fā)送單元100在例如移動電話等的移動通信設備上，用于向基站發(fā)送聲音或數(shù)據(jù)等各種信號。此外，移動通信設備還具備用于從基站接收信號的接收單元，但是此處省略說明。

如圖1所示，發(fā)送單元100包括基帶部110、RF部111、功率放大模塊112、前端部113、以及天線114。

基帶部110調(diào)制聲音或數(shù)據(jù)等輸入信號，輸出調(diào)制信號。在本實施方式中，從基帶部110輸出的調(diào)制信號作為振幅及相位在IQ平面上表示的IQ信號(I信號及Q信號)進行輸出。IQ信號的頻率為例如從數(shù)MHz至數(shù)10MHz左右。此外，基帶部110輸出用于控制功率放大模塊112的增益的模式信號MODE。

RF部111根據(jù)從基帶部110輸出的IQ信號生成用于進行無線發(fā)送的RF信號(RF_IN)。RF信號例如是數(shù)百MHz至數(shù)GHz左右。此外，在RF部111中，可以不進行從IQ信號向RF信號的直接轉(zhuǎn)換，而是將IQ信號轉(zhuǎn)換成中間頻率(IF:IntermediateFrequency)信號，再基于IF信號生成RF信號。

功率放大模塊112將從RF部111輸出的RF信號(RF_IN)的功率放大到向基站發(fā)送所需的電平，并輸出放大信號(RF_OUT)。在功率放大模塊112中，基于從基帶部110提供的模式信號MODE決定偏置電流的電流量，以控制增益。

前端部113對放大信號(RF_OUT)進行濾波，對從基站接收到的接收信號進行開關等。從前端部113輸出的放大信號經(jīng)由天線114發(fā)送給基站。

圖2是表示功率放大模塊112的結(jié)構(gòu)例的圖。如圖2所示，功率放大模塊112具備放大電路200、電感器210、偏置控制電路220、以及偏置電路230。

放大電路200將RF信號(RF_IN)放大，并輸出放大信號(RF_OUT)。此外，放大電路的級數(shù)不限于一級，也可以是兩級以上。

設置電感器210用于RF信號的隔離。經(jīng)由電感器210向放大電路200提供電源電壓V_cc。

偏置控制電路220基于模式信號MODE輸出用于控制偏置電流I_BIAS的控制電壓V₁、V₂。

偏置電路230向放大電路200提供偏置電流I_BIAS。此外，從偏置電流230輸出的偏置電流的電流量由控制電壓V₁、V₂進行控制。

圖3是表示圖2所示的放大電路200及偏置電路230的結(jié)構(gòu)例、即放大電路200A及偏置電路230A的結(jié)構(gòu)的圖。

放大電路200A具備雙極晶體管300、電容器301、以及電阻器302。雙極晶體管300(第一雙極晶體管)是例如異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)。在雙極晶體管300的基極，經(jīng)由電容器301輸入RF信號(RF_IN)。在雙極晶體管300的集電極，經(jīng)由電感器210向其提供電源電壓V_cc。雙極晶體管300的發(fā)射極接地。此外，在雙極晶體管300的基極，經(jīng)由電阻器302(第二電阻器)向其提供偏置電流。而且，從雙極晶體管300的集電極輸出放大信號(RF_OUT)。

偏置電路230A具備雙極晶體管310、311、312、313、314、電容器320、321、以及電阻器330、331、332、333。雙極晶體管310～314分別是例如HBT。

雙極晶體管310(第二雙極晶體管)是模擬雙極晶體管300的動作的晶體管。在雙極晶體管310的基極，經(jīng)由電容器320輸入RF信號(RF_IN)。雙極晶體管310的集電極與電阻器332連接。雙極晶體管310的發(fā)射極接地。此外，在雙極晶體管310的基極，經(jīng)由電阻器330(第三電阻器)向其提供偏置電流。而且，雙極晶體管310的集電極輸出放大RF信號(RF_IN)后的放大信號。即，雙極晶體管310的集電極電流變?yōu)榕cRF信號(RF_IN)對應的電平。

此外，雙極晶體管310的發(fā)射極面積可以比雙極晶體管300的發(fā)射極面積更小。通過減小雙極晶體管310的發(fā)射極面積，能降低偏置電路230A的消耗電流。

電阻器332(第一電阻器)的第1端子被提供控制電壓V₂(第二控制電壓)，第2端子與雙極晶體管310的集電極連接。雙極晶體管310的集電極電流流過電阻器332。由此，在電阻器332的第2端子生成與雙極晶體管310的集電極電流對應的控制電壓V₃(第三控制電壓)。

雙極晶體管311(第三雙極晶體管)是用于生成向雙極晶體管300、310提供的偏置電流(第一偏置電流)的晶體管。向雙極晶體管311的集電極提供電源電壓(例如電池電壓V_BAT)。雙極晶體管311的基極與雙極晶體管313的基極連接。向雙極晶體管311的基極提供用于控制偏置電流的控制電壓V₄(第一控制電壓)。雙極晶體管311的發(fā)射極與電阻器302、330連接。從雙極晶體管311的發(fā)射極輸出與控制電壓V₄對應的偏置電流(第一偏置電流)。

雙極晶體管312(第四雙極晶體管)是用于生成向雙極晶體管300、310提供的偏置電流(第二偏置電流)的晶體管。向雙極晶體管312的集電極提供電源電壓(例如電池電壓V_BAT)。雙極晶體管312的基極與電阻器333的第1端子連接。電阻器333的第2端子與電阻器332的第2端子連接。因而，在雙極晶體管312的基極，經(jīng)由電阻器333向其提供控制電壓V₃(第三控制電壓)(實際上是從控制電壓V₃根據(jù)雙極晶體管312的基極電流而下降后的電壓)。雙極晶體管312的發(fā)射極與電阻器302、330連接。從雙極晶體管312的發(fā)射極輸出與控制電壓V₃對應的偏置電流(第二偏置電流)。

電阻器331(第五電阻器)的第1端子被提供控制電壓V₁(第四控制電壓)，第2端子與雙極晶體管313的集電極連接。

雙極晶體管313(第五雙極晶體管)的基極和集電極連接，基極與雙極晶體管311的基極連接，發(fā)射極與雙極晶體管314(第六雙極晶體管)的集電極連接。雙極晶體管314的基極與集電極連接，發(fā)射極接地。從雙極晶體管313的基極輸出與控制電壓V₁對應的控制電壓V₄。

電容器321的第1端子與雙極晶體管313的基極連接，第2端子接地。

在放大電路200A及偏置電路230A中，雙極晶體管300、310、314熱耦合。即，雙極晶體管300、310、314在集成電路上接近地進行配置，使得當一個晶體管的溫度變動時，其他晶體管的溫度也變動。

對于放大電路200A及偏置電路230A的動作進行說明。

由于雙極晶體管300的動作而導致雙極晶體管300的溫度變化時，放大電路200A的增益發(fā)生變化。具體而言，在溫度變化時，發(fā)射極接地電流放大率(以下，簡稱為“電流放大率”)β及基極－發(fā)射極間電壓V_BE發(fā)生變化。電流放大率β及基極－發(fā)射極間電壓V_BE均隨著溫度上升而降低。若雙極晶體管300的基極電壓及集電極電壓固定，則電流放大率β的降低使怠速電流減少。此外，基極－發(fā)射極間電壓V_BE的減低使怠速電流增加。此處，電流放大率β及基極－發(fā)射極間電壓V_BE對怠速電流的貢獻率不同，因此電流放大率β及基極－發(fā)射極間電壓V_BE的變化使得放大電路200A的增益變動。

例如，在由于溫度上升引起雙極晶體管300的電流放大率β降低時，若偏置電流I_BIAS固定，則放大電路200A的增益降低。此時，雙極晶體管310模擬雙極晶體管300的動作，因此發(fā)生與雙極晶體管300相同的溫度變化。因而，雙極晶體管310的電流放大率β降低，控制電壓V₃上升。若控制電壓V₃上升，則從雙極晶體管312的發(fā)射極輸出的偏置電流增加。由此，向雙極晶體管300提供的偏置電流I_BIAS增加，抑制放大電路200A的增益降低。

此外，在放大電路200A及偏置電路230A中，雙極晶體管300、310熱耦合，因此能使雙極晶體管300、310的伴隨溫度變化的電流放大率β變化更準確地聯(lián)動。

此外，例如，在由于溫度上升引起雙極晶體管300的基極－發(fā)射極間電壓V_BE降低時，若偏置電流I_BIAS一定，則放大電路200A的增益上升。在放大電路200A及偏置電路230A中，雙極晶體管300、314熱耦合。因而，雙極晶體管314發(fā)生與雙極晶體管300相同的溫度變化。因而，雙極晶體管314的基極－發(fā)射極間電壓V_BE降低，控制電壓V₄降低。若控制電壓V₄降低，則從雙極晶體管311的發(fā)射極輸出的偏置電流減少。由此，向雙極晶體管300提供的偏置電流I_BIAS減少，抑制放大電路200A的增益上升。

如上所述，在放大電路200A及偏置電路230A中，能抑制由偏置晶體管300的溫度變化引起的增益的變動。此外，偏置電路230A作為用于控制偏置電流的結(jié)構(gòu)，與使用差動放大器的情況相比，可以減小電路規(guī)模的增大。

此外，在放大電路200A中，RF信號(RF_IN)經(jīng)由電容器301提供至電阻器302和雙極晶體管300的基極之間。相同地，在偏置電路230A中，RF信號(RF_IN)經(jīng)由電容器320提供至電阻器330和雙極晶體管310的基極之間。由此，向雙極晶體管310提供RF信號(RF_IN)的路徑與向雙極晶體管300提供RF信號(RF_IN)的路徑等同。例如，若在向雙極晶體管310提供RF信號(RF_IN)的路徑上存在電阻器，則RF信號(RF_IN)的交流分量衰減，雙極晶體管310的模擬精度降低。在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，RF信號(RF_IN)在與雙極晶體管300、310等同的路徑提供，因此能防止雙極晶體管310的模擬精度的降低。由此，提高由溫度變化引起的增益變動的抑制效果。

在本實施方式的放大電路200A及偏置電路230A中，對于抑制伴隨電流放大率β的變化的增益變動，使用模擬結(jié)果進行說明。圖4是表示用于與本實施方式比較的比較例的結(jié)構(gòu)的圖。比較例包含放大電路200A及偏置電路400。此外，在與圖3所示的要素相同的要素上標注相同的符號并省略說明。

如圖4所示，偏置電路400具備雙極晶體管311、313、314、電容器321、以及電阻器331。此外，偏置電路400不具備偏置電路230A的雙極晶體管310、312、電容器320、以及電阻器330、332、333。即，偏置電路400不具備抑制伴隨雙極晶體管300的溫度變化的電流放大率β變化引起的放大電路400A的增益變動的結(jié)構(gòu)。此外，雙極晶體管300、314熱耦合。

圖5是表示圖4所示的比較例的模擬結(jié)果的圖。在圖5中，橫軸是時刻(秒)，縱軸是輸出功率(dBm)。此外，縱軸將輸出功率的目標電平作為零來進行標準化。在圖5中，輸出功率的目標電平示出了上限、以及下限。圖5是以輸出功率達到目標電平的方式輸出脈沖信號的結(jié)果。在圖5所示的結(jié)果中，特別是在從動作開始后的200微秒的期間中增益發(fā)生變動。

圖6是表示本實施方式的放大電路200A及偏置電路230A的模擬結(jié)果的圖。橫軸及縱軸與圖5相同。圖6與圖5相同，是以輸出功率達到目標電平的方式輸出脈沖信號的結(jié)果。在圖6所示的結(jié)果中，若與圖5所示的結(jié)果進行比較，則可知特別是在從動作開始后的200微秒的期間中增益的變動量降低。如上所述，從模擬結(jié)果還可知在本實施方式的放大電路200A及偏置電路230A中，能抑制伴隨電流放大率β變化的增益變動。

圖7是表示放大電路200及偏置電路230的結(jié)構(gòu)例、即放大電路200B及偏置電路230B的結(jié)構(gòu)的圖。此外，在與圖3所示的放大電路200A及偏置電路230A相同的要素上標注相同的符號并省略說明。

放大電路200B不具備圖3所示的放大電路200A的電容器301及電阻器302。偏置電路230B不具備圖3所示的偏置電路230A的電容器320。而且，在雙極晶體管300、310的基極，經(jīng)由電容器700向其輸入RF信號(RF_IN)。此外，電阻器330(第四電阻器)的第1端子與雙極晶體管311、312的發(fā)射極連接，電阻器330的第2端子與雙極晶體管300、310的基極連接。即，在圖7所示的結(jié)構(gòu)中，電容器700及電阻器330被放大電路200B及偏置電路230B共用。即使在上述的結(jié)構(gòu)中，也能起到與圖3所示的結(jié)構(gòu)相同的效果。此外，通過共用電容器700及電阻器330，能減小功率放大模塊112的電路規(guī)模。

圖8是表示放大電路200及偏置電路230的結(jié)構(gòu)例、即放大電路200A及偏置電路230C的結(jié)構(gòu)的圖。此外，在與圖3所示的放大電路200A及偏置電路230A相同的要素上標注相同的符號并省略說明。

偏置電路230C除圖3所示的偏置電路230A具備的要素以外，還具備雙極晶體管800及電阻器810。雙極晶體管800是例如HBT。雙極晶體管800(第七雙極晶體管)的集電極與雙極晶體管311、312的發(fā)射極連接，基極經(jīng)由電阻器810(第六電阻器)與雙極晶體管314的基極連接，發(fā)射極接地。雙極晶體管800與雙極晶體管300熱耦合。

在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，通過在偏置電路230C中設置雙極晶體管800，能抑制功率放大模塊112的線形性劣化。對于這點進行說明。

在偏置電路230C中，偏置電流從雙極晶體管311、312的發(fā)射極輸出。此處，偏置電流受到RF信號(RF_IN1)的影響而發(fā)生振幅變動。若RF信號(RF_IN1)的電平變大，則偏置電流的振幅也變大。而且，若偏置電流的振幅變大，則產(chǎn)生負電流(從電阻器302、330向雙極晶體管311、312的發(fā)射極方向的電流)。

在沒有雙極晶體管800的結(jié)構(gòu)(即圖3所示的偏置電路230A)的情況下，有時負電流會通過雙極晶體管311、312的基極－發(fā)射極PN結(jié)的整流作用截止。負電流截止時，平均偏置電流上升，放大電路200A的增益變大。而且，放大電路200A的增益的增大導致功率放大模塊112的線形性降低。

在偏置電路230C中，負電流經(jīng)由雙極晶體管800流入接地。因而，在偏置電路230C中，由于偏置電流I的負電流部分沒有被截止，因此在RF信號(RF_IN1)的電平變大的情況下，能抑制平均偏置電流上升。由此，能抑制功率放大模塊112的增益的線形性劣化。

如上所述，在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，除與圖3所示的結(jié)構(gòu)相同的效果以外，能抑制功率放大模塊112的增益的線形性劣化。

此外，在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，在雙極晶體管314的基極和雙極晶體管800的基極之間設置電阻器810。由此，能對流過雙極晶體管800的電流量進行調(diào)整。

此外，在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，雙極晶體管800與雙極晶體管300熱耦合。由此，流過雙極晶體管800的電流量伴隨雙極晶體管800的溫度變化進行調(diào)整。

此外，即使在圖7所示的結(jié)構(gòu)中，也能采用與圖8相同的結(jié)構(gòu)。

圖9是表示放大電路200及偏置電路230的結(jié)構(gòu)例、即放大電路200A及偏置電路230D的結(jié)構(gòu)的圖。此外，在與圖3所示的放大電路200A及偏置電路230A相同的要素上標注相同的符號并省略說明。

偏置電路230D具備場效應晶體管(FET)900、901、902代替偏置電路230A的雙極晶體管311、312、313。

向FET900(第一場效應晶體管)的漏極提供電池電壓V_BAT。FET900的柵極與FET902的柵極連接。向FET900的柵極提供控制電壓V₄。FET900的源極與電阻器302、330連接。

向FET901(第二場效應晶體管)的漏極提供電池電壓V_BAT。FET901的柵極與電阻器333的第1端子連接。電阻器333的第2端子與電阻器332的第2端子連接。因而，在FET901的柵極，經(jīng)由電阻器333向其提供控制電壓V₃(實際上是從控制電壓V₃根據(jù)FET901的柵極電流下降后的電壓)。FET901的源極與電阻器302、330連接。

FET902(第三場效應晶體管)的漏極與電阻器331的第2端子連接。FET902的柵極與漏極連接，柵極與FET900的柵極連接，源極與雙極晶體管314的集電極連接。從FET902的柵極輸出與控制電壓V₁對應的控制電壓V₄。

在偏置電路230D中，F(xiàn)ET900、901、902進行與偏置電路230A的雙極晶體管311、312、313相同的動作。由此，在偏置電路230D中，能起到與偏置電路230A相同的效果。此外，在偏置電路230D中，通過使用FET900、901、902，與使用雙極晶體管311、312、313的情況相比，可以實現(xiàn)低電壓動作。

此外，即使在圖7所示的偏置電路230B以及圖8所示的偏置電路230C中，也可以具備FET900、901、902代替雙極晶體管311、312、313。

上面是對本發(fā)明的示例性的實施方式進行了說明。在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，根據(jù)模擬雙極晶體管300的動作的雙極晶體管310的集電極電流，控制從雙極晶體管312輸出的偏置電流。由此，能抑制雙極晶體管300的溫度變化引起的增益的變動。此外，偏置電路230A作為用于控制偏置電流的結(jié)構(gòu)，不需要差動放大器，因此能抑制電路規(guī)模的增大。在圖7～圖9所示的結(jié)構(gòu)中也相同。

此外，在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，雙極晶體管300、310熱耦合，因此提高了雙極晶體管310的模擬精度，提高了抑制雙極晶體管300的溫度變化引起的增益變動的效果。在圖7～圖9所示的結(jié)構(gòu)中也相同。

而且，在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，模擬雙極晶體管300的動作的雙極晶體管310的發(fā)射極面積比雙極晶體管300的發(fā)射極面積更小。由此，能降低消耗電流。在圖7～圖9所示的結(jié)構(gòu)中也相同。

此外，在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，向雙極晶體管310提供RF信號(RF_IN)的路徑與向雙極晶體管300提供RF信號(RF_IN)的路徑等同。由此，能防止雙極晶體管310的模擬精度的降低，提高溫度變化引起的增益變動的抑制效果。在圖7～圖9所示的結(jié)構(gòu)中也相同。

此外，在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，雙極晶體管314與雙極晶體管300熱耦合。因而，雙極晶體管314的基極－發(fā)射極間電壓V_BE伴隨雙極晶體管300的基極－發(fā)射極間電壓V_BE進行變化。而且，伴隨雙極晶體管314的基極－發(fā)射極間電壓V_BE變化，提供至雙極晶體管311的基極的控制電壓V₄變化，由此，從雙極晶體管311輸出的偏置電流發(fā)生變化。由此，能抑制雙極晶體管300的溫度變化引起的增益變動。在圖7～圖9所示的結(jié)構(gòu)中也相同。

此外，在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，在RF信號(RF_IN)的電平變大時產(chǎn)生的負電流(從電阻器302、330向雙極晶體管311、312的發(fā)射極方向的電流)經(jīng)由雙極晶體管800流入接地。由此，能抑制平均偏置電流的上升，并能抑制功率放大模塊112的增益的線形性劣化。

此外，在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，在雙極晶體管314的基極和雙極晶體管800的基極之間設置電阻器810。由此，能對流過雙極晶體管800的電流量進行調(diào)整。

而且，在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，雙極晶體管800與雙極晶體管300熱耦合。由此，流過雙極晶體管800的電流量伴隨雙極晶體管800的溫度變化進行調(diào)整。

此外，在圖9所示的結(jié)構(gòu)中，具備FET900、901、902代替圖3所示的雙極晶體管311、312、313。由此，與使用雙極晶體管311、312、313的情況相比，能實現(xiàn)低電壓動作。

上述說明的各實施方式用于方便理解本發(fā)明，并不用于限定并解釋本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的思想的前提下，可以對本發(fā)明變更或改良，并且本發(fā)明的等同發(fā)明也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。即，本領域的技術(shù)人員在各實施方式上加以適當?shù)脑O計變更，只要包含本發(fā)明的技術(shù)特征，也被包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如各實施方式具備的各要素及其配置、材料、條件、形狀、尺寸等，不限于例示，能進行適當?shù)刈兏４送?，各實施方式具備的各要素，能在技術(shù)上可能的范圍內(nèi)任意組合，這些組合只要包含本發(fā)明的技術(shù)特征也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

標號說明

100 發(fā)送單元

110 基帶部

111 RF部

112 功率放大模塊

113 前端部

114 天線

200、200A 放大電路

210 電感器

220 偏置控制電路

230、230A、400 偏置電路

300、310、311、312、313、314、800 雙極晶體管

301、320、321、700 電容器

302、330、331、332、333、810 電阻器

900、901、902 場效應晶體管