本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域中的射頻功率放大技術(shù)，尤其涉及一種射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路。

背景技術(shù)：

在移動(dòng)通信系統(tǒng)中，射頻功率放大器的效率和線(xiàn)性度都直接影響通信過(guò)程中的能耗和質(zhì)量。終端設(shè)備需要在不同的場(chǎng)景和地域都能正常工作，這就要求射頻功率放大器的工作溫度范圍至少可以覆蓋-25℃～85℃，即在低溫和高溫環(huán)境下射頻功率放大器的性能都能滿(mǎn)足移動(dòng)通信協(xié)議對(duì)功耗和線(xiàn)性度的要求。但由于晶體管的溫度特性會(huì)造成射頻功率放大器工作點(diǎn)的變化，一般來(lái)說(shuō)，溫度升高，射頻功率放大器增益下降；溫度降低，放大器增益上升。

但是，晶體管的溫度特性會(huì)導(dǎo)致射頻功率放大器性能惡化，不能滿(mǎn)足移動(dòng)通信協(xié)議對(duì)功耗和線(xiàn)性度的指標(biāo)。有效的解決方法是在射頻功率放大器中加入溫補(bǔ)電路來(lái)補(bǔ)償晶體管的這種溫度特性。然而，常用的射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路存在一些問(wèn)題：在高溫情況下，射頻功率放大器的偏置電流id會(huì)被溫度補(bǔ)償電路抬高，導(dǎo)致放大器的直流工作點(diǎn)被抬高，進(jìn)而電路的功耗增加，進(jìn)一步推高射頻功率放大器的工作溫度，射頻功率放大器的放大線(xiàn)性度會(huì)進(jìn)一步惡化；在低溫情況下，射頻功率放大器的偏置電流id會(huì)被溫度補(bǔ)償電路拉低，射頻功率放大器的直流工作點(diǎn)被壓低，會(huì)導(dǎo)致射頻功率放大器在放大的信號(hào)為大信號(hào)時(shí)，射頻功率放大器的增益突起，功率回退時(shí)射頻功率放大器的線(xiàn)性度變差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例期望提供一種射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路，可以解決射頻功率放大器的直流工作點(diǎn)受溫度影響而發(fā)生變化，不能工作在線(xiàn)性放大區(qū)，導(dǎo)致線(xiàn)性度變差的問(wèn)題。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路；所述溫度補(bǔ)償電路包括：溫度控制電路及負(fù)反饋電路；其中，

所述溫度控制電路，用于產(chǎn)生與溫度相對(duì)應(yīng)的第一電信號(hào)，根據(jù)所述第一電信號(hào)調(diào)整第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)；所述第一節(jié)點(diǎn)為所述溫度控制電路和所述負(fù)反饋電路的連接點(diǎn)；

所述負(fù)反饋電路，用于基于所述第二電信號(hào)，通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)向射頻功率放大器提供負(fù)反饋信號(hào)；其中，所述第二電信號(hào)，用于使所述負(fù)反饋電路的阻值變化，以調(diào)整與所述阻值相關(guān)的所述負(fù)反饋信號(hào)；所述第二節(jié)點(diǎn)為所述負(fù)反饋電路和所述射頻功率放大器輸入端的連接點(diǎn)；

其中，所述負(fù)反饋信號(hào)，用于輸入所述射頻功率放大器，使得所述射頻功率放大器的增益變化。

上述技術(shù)方案中，所述溫度控制電路，包括：溫控電源、穩(wěn)態(tài)電源、鉗位電路、濾波電路和可調(diào)電阻電路；其中，

所述溫控電源，通過(guò)所述第一節(jié)點(diǎn)與所述可調(diào)電阻電路連接，用于向所述可調(diào)電阻電路提供隨溫度改變的電信號(hào)；

所述穩(wěn)態(tài)電源，通過(guò)所述第一節(jié)點(diǎn)與所述可調(diào)電阻電路連接，用于向所述可調(diào)電阻電路提供固定值的電信號(hào)；

所述鉗位電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于限制所述第二電信號(hào)的上限；

所述濾波電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于濾除所述第二電信號(hào)中的干擾信號(hào)；

所述可調(diào)電阻電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于調(diào)節(jié)所述第二電信號(hào)。

上述技術(shù)方案中，所述負(fù)反饋電路，包括：晶體管組電路、電阻電路、第一電容和第二電容；其中，

所述晶體管組電路，包括n個(gè)串聯(lián)的晶體管，所述晶體管的柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于使所述負(fù)反饋電路的阻值隨所述第二電信號(hào)變化而變化；

所述電阻電路，包括n個(gè)電阻和1個(gè)接地電阻，其中n個(gè)電阻與所述n個(gè)晶體管并聯(lián)，用于向所述n個(gè)晶體管提供直流零電平；其中，n為大于3的正整數(shù)；

所述第一電容，位于所述第二節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間；

所述第二電容，位于第三節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間；

所述第三節(jié)點(diǎn)為所述負(fù)反饋電路和所述射頻功率放大器輸出端的連接點(diǎn)。

上述技術(shù)方案中，所述負(fù)反饋電路，包括：反相器組電路、晶體管組電路、并聯(lián)電阻電路、第一電容和第二電容；其中，

所述反相器組電路，包括m個(gè)反相器，每個(gè)反相器的輸出端與所述晶體管組電路中每路晶體管組的輸入端相連，每個(gè)反相器的輸入端與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于將所述第二電信號(hào)反向后傳輸給所述晶體管組電路；

所述晶體管組電路，包括m路并聯(lián)的晶體管組，每路晶體管組包括n個(gè)串聯(lián)的晶體管，用于使所述隨所述晶體管組電路的阻值隨第二電信號(hào)變化而變化；

所述電阻電路，包括m路電阻組和1個(gè)接地電阻，所述m路電阻組中每路電阻組包括n個(gè)電阻，所述n個(gè)電阻與所述晶體管組電路中每路的n個(gè)晶體管并聯(lián)，用于向所述m路并聯(lián)的晶體管組提供直流零電平；

所述第一電容，位于所述第二節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間；

所述第二電容，位于第三節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間；

其中，m為大于1的正整數(shù)，n為大于3的正整數(shù)，所述第三節(jié)點(diǎn)為所述負(fù)反饋電路和所述射頻功率放大器輸出端的連接點(diǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種射頻功率放大電路，所述射頻功率放大電路包括：溫度補(bǔ)償電路和射頻功率放大器；其中，

所述溫度補(bǔ)償電路包括：溫度控制電路及負(fù)反饋電路；其中，

所述溫度控制電路，用于產(chǎn)生與溫度相對(duì)應(yīng)的第一電信號(hào)，根據(jù)所述第一電信號(hào)調(diào)整第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)；所述第一節(jié)點(diǎn)為所述溫度控制電路和所述負(fù)反饋電路的連接點(diǎn)；

所述負(fù)反饋電路，用于基于所述第二電信號(hào)，通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)向射頻功率放大器提供負(fù)反饋信號(hào)；其中，所述第二電信號(hào)，用于使所述負(fù)反饋電路的阻值變化，以調(diào)整與所述阻值相關(guān)的所述負(fù)反饋信號(hào)；所述第二節(jié)點(diǎn)為所述負(fù)反饋電路連接射頻功率放大器輸入端的端點(diǎn)；

其中，所述負(fù)反饋信號(hào)，用于輸入所述射頻功率放大器，使得所述射頻功率放大器的增益變化。

所述射頻功率放大器，包括：

至少一個(gè)輸入端和至少一個(gè)輸出端，用于放大輸入信號(hào)；

其中，所述輸入端與第二節(jié)點(diǎn)連接，用于接收所述輸入信號(hào)；

所述輸出端通過(guò)第三節(jié)點(diǎn)與所述負(fù)反饋電路連接，用于輸出輸入信號(hào)放大的輸出信號(hào)；其中，所述射頻功率放大器的增益是隨溫度變化的。

上述技術(shù)方案中，所述電路還包括：偏置電路；

所述偏置電路，包括偏置信號(hào)輸出端，所述偏置信號(hào)輸出端與所述第二節(jié)點(diǎn)相連，用于向所述射頻功率放大器提供直流偏置信號(hào)。

上述技術(shù)方案中，所述射頻功率放大器，包括：放大晶體管，所述放大晶體管的輸入端連接所述第二節(jié)點(diǎn)。

上述技術(shù)方案中，所述射頻功率放大器，包括：n個(gè)放大晶體管，所述n個(gè)放大晶體管串聯(lián)，第一個(gè)放大晶體管的輸入端連接所述第二節(jié)點(diǎn)。

上述技術(shù)方案中，所述射頻功率放大器，還包括：隔直電容，用于連接所述第二節(jié)點(diǎn)和所述負(fù)反饋電路。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路，在溫度補(bǔ)償電路中設(shè)置溫度控制電路和負(fù)反饋電路，所述溫度控制電路可以根據(jù)溫度調(diào)整第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)，然后將第二電信號(hào)提供給負(fù)反饋電路，所述負(fù)反饋電路基于所述第二電信號(hào)，向射頻功率放大器提供與溫度相關(guān)的負(fù)反饋信號(hào)，這里的負(fù)反饋信號(hào)，輸入到射頻功率放大器之后，可以使得射頻功率放大器產(chǎn)生與溫度相反的作用，從而可以削弱溫度對(duì)射頻功率放大器的影響，解決現(xiàn)有技術(shù)中由于溫度的影響而導(dǎo)致射頻功率放大器放大線(xiàn)性變差，不能穩(wěn)定工作在線(xiàn)性放大區(qū)的問(wèn)題，通過(guò)在射頻功率放大電路中增加溫度補(bǔ)償電路，穩(wěn)定射頻功率放大器的工作點(diǎn)，提高射頻功率放大電路的穩(wěn)定性和工作效率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路的基本組成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路的具體組成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中溫控電源和穩(wěn)態(tài)電源產(chǎn)生的電信號(hào)與溫度的關(guān)系示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一中不同可調(diào)電阻阻值對(duì)應(yīng)的第二電信號(hào)隨溫度變化的示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一中晶體管的等效導(dǎo)通電阻與柵極電壓的關(guān)系示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例一中晶體管組等效成電阻的射頻功率放大電路的具體組成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例一射頻功率放大電路的具體組成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例一負(fù)反饋電路的接入隔直電容的射頻功率放大電路的具體組成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路具體組成結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例三射頻功率放大電路的具體組成結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例中，射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路用于補(bǔ)償溫度對(duì)射頻功率放大器增益的影響，使射頻功率放大器工作在線(xiàn)性工作區(qū)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大；所述溫度補(bǔ)償電路包括溫度控制電路和負(fù)反饋電路，溫度控制電路產(chǎn)生與溫度相對(duì)應(yīng)的第一電信號(hào)，并根據(jù)所述第一電信號(hào)調(diào)整第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)；第二電信號(hào)通過(guò)所述第一節(jié)點(diǎn)提供給所述負(fù)反饋電路，改變所述負(fù)反饋電路中的負(fù)反饋電路的阻值，進(jìn)而調(diào)整向射頻功率放大器反饋的負(fù)反饋信號(hào)，使得射頻功率放大器的增益變化，對(duì)射頻功率放大器進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

其中，所述第一節(jié)點(diǎn)為所述溫度控制電路和所述負(fù)反饋電路的連接點(diǎn)；

為了能夠更加詳盡地了解本發(fā)明的特點(diǎn)與技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)闡述。

本發(fā)明實(shí)施例中，射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路的基本組成結(jié)構(gòu)如圖1所示，所述溫度補(bǔ)償電路包括：溫度控制電路101和負(fù)反饋電路102。

所述溫度控制電路101，用于產(chǎn)生與溫度相對(duì)應(yīng)的第一電信號(hào)，根據(jù)所述第一電信號(hào)調(diào)整第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)；所述第一節(jié)點(diǎn)為所述溫度控制電路和所述負(fù)反饋電路的連接點(diǎn)。

所述溫度控制電路101產(chǎn)生與溫度相對(duì)應(yīng)的第一電信號(hào)為：所述溫度控制電路101可以根據(jù)電路內(nèi)溫度的變化，產(chǎn)生隨溫度變化而變化的第一電信號(hào)，當(dāng)溫度升高或降低時(shí)，所述第一電信號(hào)增大或者減小，所述第一電信號(hào)可以為電壓信號(hào)或者電流信號(hào)。所述根據(jù)所述第一電信號(hào)調(diào)整第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)為：由于第一節(jié)點(diǎn)連接所述溫度控制電路101和所述負(fù)反饋電路102，當(dāng)所述第一電信號(hào)根據(jù)溫度的變化而改變時(shí)，會(huì)引起第一節(jié)點(diǎn)上第二電信號(hào)的變化，也就是所述第二信號(hào)也會(huì)根據(jù)溫度的變化而變化；其中，所述第二電信號(hào)可以是電壓信號(hào)或者電流信號(hào)。

所述負(fù)反饋電路102，用于基于所述第二電信號(hào)，通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)向射頻功率放大器提供負(fù)反饋信號(hào)；其中，所述第二電信號(hào)，用于使所述負(fù)反饋電路的阻值變化，以調(diào)整與所述阻值相關(guān)的所述負(fù)反饋信號(hào)；所述第二節(jié)點(diǎn)為所述負(fù)反饋電路和射頻功率放大器輸入端的連接點(diǎn)。

其中，所述負(fù)反饋信號(hào)用于輸入射頻功率放大器，使得射頻功率放大器的增益變化，所述負(fù)反饋信號(hào)根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)變化而變化，輸入射頻功率放大器之后，對(duì)所述射頻功率放大器的增益起到溫度對(duì)增益作用的反作用，可以抵消射頻功率放大器的增益受溫度影響而引起的變化。所述負(fù)反饋電路基于101b所述第二電信號(hào)，通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)向所述射頻功率放大器102提供負(fù)反饋信號(hào)為：所述負(fù)反饋電路101b的阻值受到所述第二電信號(hào)的控制，所述第二電信號(hào)，用于使所述負(fù)反饋電路101b的阻值變化，以調(diào)整與所述阻值相關(guān)的所述負(fù)反饋信號(hào)。當(dāng)所述第二電信號(hào)隨溫度的變化而改變時(shí)，所述負(fù)反饋電路101b的阻值也隨著第二電信號(hào)而改變，進(jìn)而改變與所述阻值相關(guān)的負(fù)反饋信號(hào)；所述負(fù)反饋電路101b的一端通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)與射頻功率放大器102的輸入端相連，通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)向射頻功率放大器102提供負(fù)反饋信號(hào)，所述負(fù)反饋電路101b的另一端通過(guò)第三節(jié)點(diǎn)與所述功率放電器102的輸出端相連。

實(shí)施例一

在本發(fā)明實(shí)施例一中，所述射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路的具體組成結(jié)構(gòu)如圖2所示，所述溫度補(bǔ)償電路包括溫度控制電路201和負(fù)反饋電路202。

所述溫度控制電路201包括溫控電源、穩(wěn)態(tài)電源、鉗位電路、濾波電路和可調(diào)電阻電路。

所述溫控電源，通過(guò)所述第一節(jié)點(diǎn)與所述可調(diào)電阻電路連接，用于向所述可調(diào)電阻電路提供隨溫度改變的電信號(hào)；所述溫控電源的電信號(hào)與絕對(duì)溫度成正比。

所述穩(wěn)態(tài)電源，通過(guò)所述第一節(jié)點(diǎn)與所述可調(diào)電阻電路連接，用于向所述可調(diào)電阻電路提供固定值的電信號(hào)；所述穩(wěn)態(tài)電源的電信號(hào)不隨溫度的變化而變化。

本發(fā)明實(shí)施例一中，所述溫控電源和所述穩(wěn)態(tài)電源均為電流源，所述溫控電源和所述穩(wěn)態(tài)電源產(chǎn)生的電信號(hào)與溫度的關(guān)系如圖3所示。其中，圖(1)為穩(wěn)態(tài)電源的電流信號(hào)與溫度的線(xiàn)性關(guān)系，iref代表穩(wěn)態(tài)電源的電流信號(hào)，i1為穩(wěn)態(tài)電源的固定值，temp表示溫度；圖(2)ith表示溫控電源的電流信號(hào)與溫度的線(xiàn)性關(guān)系，i0表示電流信號(hào)可以調(diào)節(jié)的最大值，temp表示溫度，th和tl分別表示溫度的上下限，溫控電源的工作溫度范圍包括-25℃至85℃，ith的表達(dá)式為：ith＝(i0/(th-tl))×(temp-tl)，iref和ith的方向相反，圖(3)為方向相反的iref和ith抵消后的電流信號(hào)irt與溫度temp之間的線(xiàn)性關(guān)系示意圖，irt的電流信號(hào)也就是所述可調(diào)電阻電路的電流信號(hào)，irt＝iref-ith。

所述鉗位電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于限制所述第二電信號(hào)的上限；在圖2中用vgclamp表示，所述鉗位電路可以是由二極管、電容器、電阻等電路元器件組成的簡(jiǎn)單鉗位電路，也可以是由三極管、電容器、電阻等電路元器件組成的三極管鉗位電路，可以將電信號(hào)固定在指定的值上，穩(wěn)定電路中的電信號(hào)。具有穩(wěn)定電信號(hào)作用的鉗位電路均可以用于發(fā)明本實(shí)施例的電路中。

所述濾波電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于濾除所述第二電信號(hào)中的干擾信號(hào)；所述濾波電路可以由電容組成，圖2中用c1表示。

所述可調(diào)電阻電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于調(diào)節(jié)所述第二電信號(hào)；所述可調(diào)電阻電路由可調(diào)電阻rt和晶體管mm1串聯(lián)組成，通過(guò)可調(diào)電阻rt可以調(diào)節(jié)第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)隨溫度變化的斜線(xiàn)斜率，具體變化關(guān)系如圖4所示，所述第二電信號(hào)為第一節(jié)點(diǎn)的電壓信號(hào)，根據(jù)歐姆定律，第一節(jié)點(diǎn)的電壓vg可以表示為vg＝((th-tl)/vg1-vgh)×(th-temp)，其中，vg1為temp＝tl時(shí)斜線(xiàn)1中vg對(duì)應(yīng)的取值，vgh為temp＝tl時(shí)斜線(xiàn)1中vg對(duì)應(yīng)的取值，圖4中斜線(xiàn)1、2、3分別表示rt取不同值時(shí)vg與temp的線(xiàn)性關(guān)系，可見(jiàn)，通過(guò)調(diào)節(jié)rt，可以改變vg與temp線(xiàn)性關(guān)系的斜率。所述mm1可以抵消負(fù)反饋電路中串聯(lián)晶體管組的閾值電壓隨工藝的波動(dòng)，在對(duì)于溫度補(bǔ)償性能要求不高的應(yīng)用中，可以將mm1去掉以節(jié)省芯片的面積。

所述負(fù)反饋電路202包括：晶體管組電路、電阻電路、第一電容和第二電容。

所述晶體管組電路，包括n個(gè)串聯(lián)的晶體管，所述晶體管的輸入端與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于使所述負(fù)反饋電路的阻值隨所述第二電信號(hào)變化而變化；所述晶體管組電路包括n個(gè)串聯(lián)晶體管ms1，ms2，...，msn，n為大于3的正整數(shù)。每個(gè)晶體管的柵極均與第一節(jié)點(diǎn)相連，由第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)也就是vg控制每個(gè)晶體管的柵極電壓，當(dāng)晶體管工作在線(xiàn)性工作區(qū)時(shí)，晶體管的等效導(dǎo)通電阻ron與晶體管柵極電壓vg存在一定的函數(shù)關(guān)系，ron與vg的函數(shù)關(guān)系曲線(xiàn)如圖5所示，圖5(1)中表示ron與vg成反比例關(guān)系，圖5(2)中表示1/ron與vg成線(xiàn)性正比例關(guān)系，所述n個(gè)串聯(lián)晶體管的等效導(dǎo)通電阻可以表示為req1，req2，…，reqn。

所述電阻電路，包括n個(gè)電阻和1個(gè)接地電阻，其中n個(gè)電阻與所述n個(gè)晶體管并聯(lián)，用于向所述n個(gè)晶體管提供直流零電平；其中，n為大于3的正整數(shù)；所述電阻電路包括n個(gè)與晶體管并聯(lián)的電阻，可以表示為rs1，rs2，…，rsn，接地電阻可以表示為rg。所述電阻rs1，rs2，…，rsn的取值遠(yuǎn)大于等效導(dǎo)通電阻值req1，req2，…，reqn，所述負(fù)反饋電路的負(fù)反饋特性取決于串聯(lián)總電阻req＝req1+req2+…+reqn，可以將n個(gè)晶體管等效地看成n個(gè)電阻。由負(fù)反饋電路原理可知，射頻功率放大器在相同的電流偏置條件下，vg越大，req越小，射頻功率放大器的增益越??；vg越小，req越大，射頻功率放大器的增益越大。

所述第一電容，位于所述第二節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間，可以表示為cf1，可以用于過(guò)濾電路中的直流電流。

所述第二電容，位于第三節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間，可以表示為cf2，可以用于過(guò)濾電路中的直流電流；所述第三節(jié)點(diǎn)為所述負(fù)反饋電路和所述射頻功率放大器輸出端的連接點(diǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例一還提供了一種射頻功率放大電路，所述射頻功率放大電路的基本組成結(jié)構(gòu)如圖7所示，包括：溫度補(bǔ)償電路701、射頻功率放大器702和偏置電路703；所述溫度補(bǔ)償電路包括：溫度控制電路701a和負(fù)反饋電路701b。

所述溫度控制電路701a，用于產(chǎn)生與溫度相對(duì)應(yīng)的第一電信號(hào)，根據(jù)所述第一電信號(hào)調(diào)整第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)；所述第一節(jié)點(diǎn)為所述溫度控制電路701a和所述負(fù)反饋電路701b的連接點(diǎn)。

所述溫度控制電路701a產(chǎn)生與溫度相對(duì)應(yīng)的第一電信號(hào)為：所述溫度控制電路701a可以根據(jù)電路內(nèi)溫度的變化，產(chǎn)生隨溫度變化而變化的第一電信號(hào)，當(dāng)溫度升高或降低時(shí)，所述第一電信號(hào)增大或者減小，所述第一電信號(hào)可以為電壓信號(hào)或者電流信號(hào)。所述根據(jù)所述第一電信號(hào)調(diào)整第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)為：由于第一節(jié)點(diǎn)連接所述溫度控制電路701a和所述負(fù)反饋電路701b，當(dāng)所述第一電信號(hào)根據(jù)溫度的變化而改變時(shí)，會(huì)引起第一節(jié)點(diǎn)上第二電信號(hào)的變化，也就是所述第二信號(hào)也會(huì)根據(jù)溫度的變化而變化；其中，所述第二電信號(hào)可以是電壓信號(hào)或者電流信號(hào)。

所述負(fù)反饋電路701b，用于基于所述第二電信號(hào)，通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)向所述射頻功率放大器702提供負(fù)反饋信號(hào)；其中，所述第二電信號(hào)，用于使所述負(fù)反饋電路701b的阻值變化，以調(diào)整與所述阻值相關(guān)的所述負(fù)反饋信號(hào)；所述第二節(jié)點(diǎn)為所述負(fù)反饋電路701b和所述射頻功率放大器702輸入端的連接點(diǎn)。

其中，所述負(fù)反饋信號(hào)用于輸入所述射頻功率放大器702，使得所述射頻功率放大器702的增益變化，所述負(fù)反饋信號(hào)根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)變化而變化，輸入所述射頻功率放大器702之后，對(duì)所述射頻功率放大器702的增益起到溫度對(duì)增益作用的反作用，可以抵消射頻功率放大器702的增益受溫度影響而引起的變化。所述負(fù)反饋電路基于701b所述第二電信號(hào)，通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)向所述射頻功率放大器702提供負(fù)反饋信號(hào)為：所述負(fù)反饋電路701b的阻值受到所述第二電信號(hào)的控制，所述第二電信號(hào)，用于使所述負(fù)反饋電路701b的阻值變化，以調(diào)整與所述阻值相關(guān)的所述負(fù)反饋信號(hào)。當(dāng)所述第二電信號(hào)隨溫度的變化而改變時(shí)，所述負(fù)反饋電路701b的阻值也隨著第二電信號(hào)而改變，進(jìn)而改變與所述阻值相關(guān)的負(fù)反饋信號(hào)；所述負(fù)反饋電路701b的一端通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)與所述射頻功率放大器702的輸入端相連，通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)向所述射頻功率放大器702提供負(fù)反饋信號(hào)，所述負(fù)反饋電路701b的另一端通過(guò)第三節(jié)點(diǎn)與所述功率放電器702的輸出端相連。

所述射頻功率放大器702，包括：至少一個(gè)輸入端和至少一個(gè)輸出端，用于放大輸入信號(hào)；其中，所述輸入端與第二節(jié)點(diǎn)連接，用于接收所述輸入信號(hào)；所述輸出端通過(guò)第三節(jié)點(diǎn)與所述負(fù)反饋電路701b連接，用于輸出輸入信號(hào)放大后的輸出信號(hào)；其中，所述射頻功率放大器702的增益是隨溫度變化的。

所述射頻功率放大器702在輸入端接收輸入信號(hào)，將所述輸入信號(hào)放大后在輸出端輸出，所述放大后的輸出信號(hào)為射頻功率放大器702的輸出信號(hào)；所述輸入信號(hào)，包括負(fù)反饋電路反饋701b的負(fù)反饋信號(hào)、偏置電路703提供的直流偏置信號(hào)以及外部電路提供的射頻信號(hào)。

所述偏置電路703，包括偏置信號(hào)輸出端，所述偏置信號(hào)輸出端與所述第二節(jié)點(diǎn)相連，用于向所述射頻功率放大器提供直流偏置信號(hào)。

所述溫度控制電路701a包括溫控電源、穩(wěn)態(tài)電源、鉗位電路、濾波電路和可調(diào)電阻電路。

所述溫控電源，通過(guò)所述第一節(jié)點(diǎn)與所述可調(diào)電阻電路連接，用于向所述可調(diào)電阻電路提供隨溫度改變的電信號(hào)；所述溫控電源的電信號(hào)與絕對(duì)溫度成正比。

所述穩(wěn)態(tài)電源，通過(guò)所述第一節(jié)點(diǎn)與所述可調(diào)電阻電路連接，用于向所述可調(diào)電阻電路提供固定值的電信號(hào)；所述穩(wěn)態(tài)電源的電信號(hào)不隨溫度的變化而變化。

本實(shí)施例中，所述溫控電源和所述穩(wěn)態(tài)電源均為電流源，圖7中ith表示溫控電流源，iref表示穩(wěn)態(tài)電流源。

所述鉗位電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于限制所述第二電信號(hào)的上限；在圖7中用vgclamp表示，所述鉗位電路可以是由二極管、電容器、電阻等電路元器件組成的簡(jiǎn)單鉗位電路，也可以是由三極管、電容器、電阻等電路元器件組成的三極管鉗位電路，可以將電信號(hào)固定在指定的值上，穩(wěn)定電路中的電信號(hào)。具有穩(wěn)定電信號(hào)作用的鉗位電路均可以用于發(fā)明本實(shí)施例的電路中。

所述濾波電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于濾除所述第二電信號(hào)中的干擾信號(hào)；所述濾波電路可以由電容組成，圖7中用c1表示。

所述可調(diào)電阻電路，與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于調(diào)節(jié)所述第二電信號(hào)；所述可調(diào)電阻電路由可調(diào)電阻rt和晶體管mm1串聯(lián)組成。所述mm1可以抵消負(fù)反饋電路中串聯(lián)晶體管組的閾值電壓隨工藝的波動(dòng)，在對(duì)于溫度補(bǔ)償性能要求不高的應(yīng)用中，可以將mm1去掉以節(jié)省芯片的面積。

所述負(fù)反饋電路701b包括：晶體管組電路、電阻電路、第一電容和第二電容。

所述晶體管組電路，包括n個(gè)串聯(lián)的晶體管，所述晶體管的輸入端與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于使所述負(fù)反饋電路的阻值隨所述第二電信號(hào)變化而變化；所述晶體管組電路包括n個(gè)串聯(lián)晶體管ms1，ms2，...，msn，n為大于3的正整數(shù)。這里，晶體管為金屬-氧化物-半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor，mos)場(chǎng)效應(yīng)管，每個(gè)mos管的柵極均與第一節(jié)點(diǎn)相連，由第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)也就是vg控制每個(gè)mos管的柵極電壓。

所述電阻電路，包括n個(gè)電阻和1個(gè)接地電阻，其中n個(gè)電阻與所述n個(gè)晶體管并聯(lián)，用于向所述n個(gè)晶體管提供直流零電平；其中，n為大于3的正整數(shù)；所述電阻電路包括n個(gè)與晶體管并聯(lián)的電阻，可以表示為rs1，rs2，…，rsn，所述接地電阻可以表示為rg。所述電阻rs1，rs2，…，rsn的取值遠(yuǎn)大于等效導(dǎo)通電阻值req1，req2，…，reqn，所述負(fù)反饋電路701b的負(fù)反饋特性取決于串聯(lián)總電阻req＝req1+req2+…+reqn，可以將n個(gè)晶體管等效地看成n個(gè)電阻，晶體管等效成電阻的示意圖如圖6所示。由負(fù)反饋電路原理可知，射頻功率放大器702在相同的直流偏置條件下，vg越大，req越小，射頻功率放大器702的增益越??；vg越小，req越大，射頻功率放大器702的增益越大。

所述第一電容，位于所述第二節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間，可以表示為cf1，可以用于過(guò)濾電路中的直流電流。

所述第二電容，位于第三節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間，可以表示為cf2，可以用于過(guò)濾電路中的直流電流，其中，所述第三節(jié)點(diǎn)為所述負(fù)反饋電路701b和所述射頻功率放大器702輸出端的連接點(diǎn)。

所述射頻功率放大器702包括放大晶體管，所述放大晶體管的輸入端連接所述第二節(jié)點(diǎn)，放大晶體管的輸出端連接第三節(jié)點(diǎn)，用于在輸入端接收輸入信號(hào)，將所述輸入信號(hào)放大后在輸出端輸出，所述射頻功率放大器702的增益受溫度的影響，當(dāng)工作溫度由常溫上升到高溫時(shí)，射頻功率放大器702的增益會(huì)降低，當(dāng)工作溫度由常溫下降到低溫時(shí)，射頻功率放大器702的增益會(huì)升高?？梢詫⑸漕l功率放大器702的正常工作溫度設(shè)置為25℃，當(dāng)工作溫度超過(guò)正常工作溫度時(shí)，即為高溫，當(dāng)工作溫度低于正常工作溫度時(shí)，即為低溫。

進(jìn)一步地，所述射頻功率放大器702還可以包括隔直電容cblock1和cblock2，用于隔離外部電路的直流電流。其中，cblock1的一端與第二節(jié)點(diǎn)相連，另一端連接外部電路；cblock2的一端與第三節(jié)點(diǎn)相連，另一端連接外部電路。所述負(fù)反饋電路701b連接第二節(jié)點(diǎn)的一端還可以連接到cblock1與外部電路連接的一端，此時(shí)的電路結(jié)構(gòu)如圖8所示。

其中，所述射頻功率放大器702的晶體管可以為金屬-氧化物-半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor，mos)場(chǎng)效應(yīng)管、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(heterojunctionbipolartransistor，hbt)、雙極結(jié)型晶體管(bipolarjunctiontransistor，bjt)等具有射頻功率放大功能的電路元件。

所述偏置電路703包括電流源ib、晶體管m1和電阻r1，m1的柵極連接r1的一端，r1另一端連接m2的柵極，為所述射頻功率放大器提供直流偏置電流。

當(dāng)射頻功率放大電路的工作溫度由正常工作溫度上升到高溫時(shí)，所述射頻功率放大器702的增益會(huì)降低，影響射頻功率放大電路的工作性能，此時(shí)，所述第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)，也就是vg會(huì)隨著ith的減小而減小，由于vg向負(fù)反饋電路中串聯(lián)晶體管組提供柵極電壓，vg減小時(shí)，串聯(lián)晶體管組的串聯(lián)總電阻req增大，減弱負(fù)反饋電路的反饋?zhàn)饔?，補(bǔ)償射頻功率放大器702的增益的降低，實(shí)現(xiàn)高溫增益的補(bǔ)償作用。

當(dāng)射頻功率放大電路的工作溫度由正常工作溫度下降到低溫時(shí)，所述射頻功率放大器702的增益會(huì)升高，影響射頻功率放大電路的工作性能，此時(shí)，所述第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)，也就是vg會(huì)隨著ith的增大而增大，由于vg向負(fù)反饋電路701b中串聯(lián)晶體管組提供柵極電壓，vg增大時(shí)，串聯(lián)晶體管組的req減小，加強(qiáng)負(fù)反饋電路701b的反饋?zhàn)饔?，抑制射頻功率放大器702的增益的升高，實(shí)現(xiàn)低溫增益的補(bǔ)償作用。

實(shí)施例二

在本發(fā)明實(shí)施例二中，所述射頻功率放大器的溫度補(bǔ)償電路的具體組成結(jié)構(gòu)如圖9所示，所述溫度補(bǔ)償電路901包括溫度控制電路901a和負(fù)反饋電路901b，所述溫度控制電路901a與實(shí)施例一中的溫度控制電路201的具體組成結(jié)構(gòu)相同，這里不再贅述。

所述負(fù)反饋電路901b包括反相器組電路、晶體管組電路、并聯(lián)電阻電路、第一電容和第二電容；

所述反相器組電路，包括m個(gè)反相器，每個(gè)反相器的輸出端與所述晶體管組電路中每路晶體管組的輸入端相連，每個(gè)反相器的輸入端與所述第一節(jié)點(diǎn)相連，用于將所述第二電信號(hào)反向后傳輸給所述晶體管組電路，m為大于1的正整數(shù)。

所述m個(gè)反相器可以表示為a1，a2，…，am，每個(gè)反相器的電源端接到第一節(jié)點(diǎn)，vg作為輸入信號(hào)。反相器a1，a2，…，am的輸出接到對(duì)應(yīng)的晶體管組的柵極。反相器a1，a2，…，am可以受邏輯信號(hào)ctrl1，ctrl2，…，ctrlm控制，從而實(shí)現(xiàn)多種反饋?zhàn)柚悼烧{(diào)的功能。

所述晶體管組電路，包括m路并聯(lián)的晶體管組，每路晶體管組包括n個(gè)串聯(lián)的晶體管，用于使所述隨所述晶體管組電路的阻值隨第二電信號(hào)變化而變化；所述每路晶體管組的柵極連接對(duì)應(yīng)的反相器的輸出端，m路并聯(lián)的晶體管組共同連接第一電容和第二電容，在射頻功率放大器的輸出端和輸入端形成負(fù)反饋的通路。

所述電阻電路，包括m路電阻組和1個(gè)接地電阻，所述m路電阻組中每路電阻組包括n個(gè)電阻，所述n個(gè)電阻與所述晶體管組電路中每路的n個(gè)晶體管并聯(lián)，用于向所述m路并聯(lián)的晶體管組提供直流零電平；每一路中n個(gè)晶體管可以等效成n個(gè)電阻，與每一路中n個(gè)電阻并聯(lián)，每一路的電阻取決于每一路晶體管的等效導(dǎo)通電阻之和，m路的總電阻為每一路電阻并聯(lián)之后的總電阻。其中，m為大于1的正整數(shù)，n為大于3的正整數(shù)。

所述第一電容，位于所述第二節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間；

所述第二電容，位于所述第三節(jié)點(diǎn)和所述晶體管組電路之間；

所述負(fù)反饋電路中每個(gè)反相器輸出的最大電壓等于電源端電壓，當(dāng)vg隨溫度變化時(shí)，反相器輸出的最大電壓也同時(shí)隨溫度變化，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻功率放大電路的溫度補(bǔ)償作用。

在本發(fā)明實(shí)施例二中，還提供了一種射頻功率放大電路，所述射頻功率放大電路的具體組成結(jié)構(gòu)如圖9所示，所述射頻功率放大電路包括：溫度補(bǔ)償電路901、射頻功率放大器902和偏置電路903。

所述溫度補(bǔ)償電路901包括：溫度控制電路901a及負(fù)反饋電路901b；

其中，所述溫度控制電路901a用于產(chǎn)生與溫度相對(duì)應(yīng)的第一電信號(hào)，根據(jù)所述第一電信號(hào)調(diào)整第一節(jié)點(diǎn)的第二電信號(hào)；所述第一節(jié)點(diǎn)為所述溫度控制電路901a和所述負(fù)反饋電路901b的連接點(diǎn)；

其中，所述負(fù)反饋電路901b用于基于所述第二電信號(hào)，通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)向射頻功率放大器提供負(fù)反饋信號(hào)；其中，所述第二電信號(hào)，用于使所述負(fù)反饋電路901b的阻值變化，以調(diào)整與所述阻值相關(guān)的所述負(fù)反饋信號(hào)；所述第二節(jié)點(diǎn)為所述負(fù)反饋電路連接射頻功率放大器902輸入端的端點(diǎn)；所述負(fù)反饋信號(hào)，用于輸入所述射頻功率放大器，使得所述射頻功率放大器902的增益變化。

所述射頻功率放大器902包括：至少一個(gè)輸入端和至少一個(gè)輸出端，用于放大輸入信號(hào)；

其中，所述輸入端與第二節(jié)點(diǎn)連接，用于接收所述輸入信號(hào)；所述輸出端通過(guò)第三節(jié)點(diǎn)與所述負(fù)反饋電路連接，用于輸出輸入信號(hào)放大的輸出信號(hào)；其中，所述射頻功率放大器902的增益是隨溫度變化的。

所述偏置電路903包括偏置信號(hào)輸出端，所述偏置信號(hào)輸出端與所述第二節(jié)點(diǎn)相連，用于向所述射頻功率放大器902提供直流偏置信號(hào)。

所述射頻功率放大器902和所述偏置電路903與實(shí)施例一中的射頻功率放大器202和偏置電路203中具體組成電路結(jié)構(gòu)相同，這里不再贅述。

實(shí)施例三

在本發(fā)明實(shí)施例三中，所述射頻功率放大電路的具體組成結(jié)構(gòu)如圖10所示，所述溫度補(bǔ)償電路1001和偏置電路1003可以是實(shí)施例一、實(shí)施例二中任一種實(shí)現(xiàn)方式，這里不再贅述。

所述射頻功率放大器1003包括n個(gè)放大晶體管，所述n個(gè)放大晶體管串聯(lián)，每個(gè)晶體管的輸入端連接所述第二節(jié)點(diǎn)，所述n個(gè)晶體管可以表示為m21，m22，…，m2k，其中k為大于1的正整數(shù)，m2k的源極連接第三節(jié)點(diǎn)，m21的漏極接地，所述射頻功率放大器的功率增益為放大晶體管串聯(lián)之后的總的增益。

以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。