技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干鰭片以及環(huán)繞所述鰭片的虛擬柵極氧化物層和虛擬柵極，在所述半導(dǎo)體襯底上還形成有填充相鄰所述虛擬柵極之間間隙的層間介電層；步驟S2：去除所述虛擬柵極，以露出所述虛擬柵極氧化物層；步驟S3：選用SiCoNi的方法去除所述虛擬柵極氧化物層，以露出所述鰭片；步驟S4：選用氮和氫等離子體去除所述鰭片表面上殘留的含F(xiàn)副產(chǎn)物。通過所述方法不僅可以完全去除所述虛擬柵極氧化物層，降低對(duì)接觸孔蝕刻停止層和層間介電層的蝕刻損失，還可以解決含F(xiàn)污染物殘留的問題，進(jìn)一步提高了器件的遷移率和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201510158067
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.03
技術(shù)公布日：2016.11.23