本技術(shù)涉及振蕩器、振蕩方法、圖像傳感器和成像裝置。具體地，例如本技術(shù)涉及具有低功耗的、高度容忍元件的變化的振蕩器、振蕩方法、圖像傳感器和成像裝置。

背景技術(shù)：
使用包括CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）等的數(shù)字電路的振蕩器的示例例如包括環(huán)形振蕩器，其中奇數(shù)個(gè)放大器以環(huán)形連接。此外，作為環(huán)形振蕩器，提出了包括用于改變振蕩頻率的電流源或諸如電阻器或電容器的延遲元件的環(huán)形振蕩器（日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2006-261833和2008-236133）。另外，作為使用數(shù)字電路的振蕩器，存在能夠通過(guò)反饋配置穩(wěn)定地執(zhí)行高頻振蕩的PLL（鎖相環(huán)）電路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
在現(xiàn)有技術(shù)中使用的環(huán)形振蕩器中，元件的變化導(dǎo)致振蕩頻率的波動(dòng)，因此難以（以振蕩頻率）生成穩(wěn)定振蕩。相反，使用PLL電路，可能生成穩(wěn)定振蕩，但是功耗大。根據(jù)本技術(shù)，期望提供具有低功耗的、能夠高度容忍元件的變化的振蕩器。根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例，一種振蕩器包括：反相器，其以環(huán)形連接，并且其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)；以及延遲部分，其延遲輸入到奇數(shù)個(gè)反相器中的一個(gè)反相器的電壓的改變。所述一個(gè)反相器是施密特觸發(fā)器反相器。所述施密特觸發(fā)器反相器包括電流源以及其中流過(guò)由所述電流源提供的電流電阻器。所述施密特觸發(fā)器反相器的滯后寬度取決于所述電阻器中流過(guò)的電流。根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例，一種振蕩方法通過(guò)振蕩器的延遲部分，延遲輸入到以環(huán)形連接并且其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)的反相器中的一個(gè)反相器的電壓的改變，所述振蕩器包括奇數(shù)個(gè)反相器和延遲部分。所述一個(gè)反相器是施密特觸發(fā)器反相器。所述施密特觸發(fā)器反相器包括電流源以及其中流過(guò)由所述電流源提供的電流的電阻器。所述施密特觸發(fā)器反相器的滯后寬度取決于所述電阻器中流過(guò)的電流。根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例，一種圖像傳感器與由振蕩器輸出的信號(hào)同步地操作，所述振蕩器包括：反相器，其以環(huán)形連接，并且其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)；以及延遲部分，其延遲輸入到奇數(shù)個(gè)反相器中的一個(gè)反相器的電壓的改變。所述一個(gè)反相器是施密特觸發(fā)器反相器。所述施密特觸發(fā)器反相器包括電流源以及其中流過(guò)由所述電流源提供的電流的電阻器。所述施密特觸發(fā)器反相器的滯后寬度取決于所述電阻器中流過(guò)的電流。根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施例，一種成像裝置包括：振蕩器，其包括：反相器，其以環(huán)形連接，并且其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)；和延遲部分，其延遲輸入到奇數(shù)個(gè)反相器中的一個(gè)反相器的電壓的改變；以及圖像傳感器，其與由振蕩器輸出的信號(hào)同步地操作。所述一個(gè)反相器是施密特觸發(fā)器反相器。所述施密特觸發(fā)器反相器包括電流源以及其中流過(guò)由所述電流源提供的電流的電阻器。所述施密特觸發(fā)器反相器的滯后寬度取決于所述電阻器中流過(guò)的電流。在本技術(shù)的第一到第三實(shí)施例中，延遲輸入到以環(huán)形連接并且其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)的反相器中的一個(gè)反相器的電壓的改變。所述一個(gè)反相器是施密特觸發(fā)器反相器。所述施密特觸發(fā)器反相器包括電流源以及其中流過(guò)由所述電流源提供的電流的電阻器。所述施密特觸發(fā)器反相器的滯后寬度取決于所述電阻器中流過(guò)的電流。應(yīng)當(dāng)注意，振蕩器和圖像傳感器可以是分開(kāi)器件，并且可以是形成為一個(gè)器件的內(nèi)部塊。根據(jù)本技術(shù)的第一到第三實(shí)施例，可能實(shí)現(xiàn)較低功耗。此外，根據(jù)本技術(shù)的第一到第三實(shí)施例，可能改進(jìn)對(duì)元件的變化的容忍度。附圖說(shuō)明圖1是圖示根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的數(shù)字相機(jī)的示例配置的框圖；圖2是圖示時(shí)序生成器的示例配置的框圖；圖3是圖示低速振蕩器的配置的簡(jiǎn)要視圖的框圖；圖4是圖示低速振蕩器的第一示例配置的框圖；圖5是圖示低速振蕩器的操作的時(shí)序圖；圖6是圖示低速振蕩器的第二示例配置的框圖；圖7是圖示低速振蕩器的第三示例配置的框圖；以及圖8是圖示根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)的示例配置的框圖。具體實(shí)施方式根據(jù)本技術(shù)的數(shù)字相機(jī)的實(shí)施例圖1是圖示作為根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的成像裝置的數(shù)字相機(jī)的示例配置的框圖。鏡頭部分11包括拍攝透鏡、光圈、聚焦透鏡等，并且利用入射到鏡頭部分11中的光照射圖像傳感器12。圖像傳感器12例如包括CCD（電荷耦合器件）或CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）成像器等，并且與從TG22（時(shí)序生成器）提供的時(shí)序信號(hào)同步地操作。圖像傳感器12光電轉(zhuǎn)換從鏡頭部分11發(fā)出的光，并且將從轉(zhuǎn)換結(jié)果獲得的模擬圖像信號(hào)提供給模擬信號(hào)處理部分13。模擬信號(hào)處理部分13對(duì)從圖像傳感器12發(fā)送的圖像信號(hào)執(zhí)行模擬信號(hào)處理（如相關(guān)倍采樣處理或自動(dòng)增益調(diào)整處理），并且將信號(hào)提供給A/D（模擬/數(shù)字）轉(zhuǎn)換部分14。A/D（模擬/數(shù)字）轉(zhuǎn)換部分14對(duì)從模擬信號(hào)處理部分13發(fā)送的圖像信號(hào)執(zhí)行A/D轉(zhuǎn)換，并且將從其結(jié)果獲得的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)提供給數(shù)字信號(hào)處理部分15。數(shù)字信號(hào)處理部分15對(duì)從A/D轉(zhuǎn)換部分14發(fā)送的圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行數(shù)字圖像處理，如白平衡調(diào)整處理、噪聲移除處理、必要的壓縮編碼處理（例如，JPEG（聯(lián)合圖像專(zhuān)家組）編碼、MPEG（運(yùn)動(dòng)圖像專(zhuān)家組）編碼等），并且將信號(hào)提供給輸入/輸出面板18（的顯示部分17）或記錄設(shè)備19。輸入/輸出面板18包括輸入部分16和顯示部分17。輸入部分16包括以下的組：具有接收來(lái)自外部的輸入的功能的設(shè)備，例如，靜態(tài)觸摸面板、發(fā)光的光源、接收從對(duì)象反射的光的傳感器等。當(dāng)諸如用戶的手指或用戶使用的觸筆的對(duì)象從外部接近或觸摸輸入部分16時(shí)，輸入部分16將指示接近或觸摸的位置的信號(hào)提供給CPU23。顯示部分17包括顯示圖像的設(shè)備（顯示設(shè)備），如液晶面板或有機(jī)EL（電致發(fā)光）面板，并且基于從數(shù)字信號(hào)處理部分15提供的圖像數(shù)據(jù)顯示圖像。輸入/輸出面板18由上述輸入部分16和顯示部分17集成形成，在顯示部分17上顯示圖像，并且能夠在輸入部分16中接收從外部發(fā)送并對(duì)顯示部分17上顯示的圖像執(zhí)行的操作輸入。應(yīng)當(dāng)注意，作為輸入/輸出面板18，例如，可以采用所謂的觸摸屏等。例如，除了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器以外的可移除記錄介質(zhì)（圖中未示出）（如存儲(chǔ)卡或DVD（數(shù)字多功能盤(pán)））可移除地安裝在記錄設(shè)備19中。記錄設(shè)備19執(zhí)行用于記錄和再現(xiàn)安裝的記錄介質(zhì)上的圖像數(shù)據(jù)的控制。也就是說(shuō)，記錄設(shè)備19將從數(shù)字信號(hào)處理部分15發(fā)送的圖像數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)上，還讀取記錄介質(zhì)上記錄的圖像數(shù)據(jù)，并且將圖像數(shù)據(jù)提供給數(shù)字信號(hào)處理部分15。致動(dòng)器20是調(diào)整鏡頭部分11的聚焦透鏡的光圈的馬達(dá)，并且由馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器21驅(qū)動(dòng)。馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器21根據(jù)CPU（中央處理單元）23的控制驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器20。TG（時(shí)序生成器）22根據(jù)CPU23的控制，將用于調(diào)整曝光時(shí)間的時(shí)序信號(hào)或用于讀取作為圖像傳感器12中的像素值的電荷的時(shí)序信號(hào)提供給圖像傳感器12。另外，TG22將期望的時(shí)序信號(hào)提供給期望的塊。CPU23執(zhí)行程序ROM（只讀存儲(chǔ)器）26中存儲(chǔ)的程序，并且進(jìn)一步根據(jù)需要執(zhí)行EEPROM（電可擦除可編程ROM）25中存儲(chǔ)的程序，從而控制構(gòu)成數(shù)字相機(jī)的各個(gè)塊。操作部分24是由用戶操作的物理按鈕，并且將對(duì)應(yīng)于用戶的操作的信號(hào)提供給CPU23。EEPROM25存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或程序，如通過(guò)在操作部分24中執(zhí)行的用戶的操作設(shè)置的成像參數(shù)等，它即使在相機(jī)的電源截止時(shí)也需要保持。程序ROM26存儲(chǔ)CPU23執(zhí)行的程序等。RAM27暫時(shí)存儲(chǔ)CPU23的操作所需的數(shù)據(jù)或程序。在如上所述配置的數(shù)字相機(jī)中，CPU23執(zhí)行程序ROM26中存儲(chǔ)的程序，從而控制數(shù)字相機(jī)的各個(gè)部分。同時(shí)，圖像傳感器12與從TG22提供的時(shí)序信號(hào)同步地操作，并且光電轉(zhuǎn)換入射到鏡頭部分11的光。在圖像傳感器12中，從光電轉(zhuǎn)換的結(jié)果獲得的圖像信號(hào)提供給模擬信號(hào)處理部分13。在模擬信號(hào)處理部分13中，從圖像傳感器12發(fā)送的圖像信號(hào)經(jīng)歷模擬信號(hào)處理，并且提供給A/D轉(zhuǎn)換部分14。在A/D轉(zhuǎn)換部分14中，從模擬信號(hào)處理部分13發(fā)送的圖像信號(hào)被A/D轉(zhuǎn)換，并且從轉(zhuǎn)換的結(jié)果獲得的數(shù)字圖像信號(hào)提供給數(shù)字信號(hào)處理部分15。在數(shù)字信號(hào)處理部分15中，從A/D轉(zhuǎn)換部分14發(fā)送的圖像數(shù)據(jù)經(jīng)歷數(shù)字信號(hào)處理，并且提供給輸入/輸出面板18（的顯示部分17），從而顯示對(duì)應(yīng)的圖像，即，所謂的通過(guò)鏡頭圖像（through-the-lensimage）。此外，CPU23根據(jù)從操作部分24或輸入/輸出面板18（的輸入部分16）發(fā)送的信號(hào)執(zhí)行預(yù)定處理。也就是說(shuō)，例如，當(dāng)輸入/輸出面板18或操作部分24操作來(lái)捕獲圖像時(shí)，CPU23控制數(shù)字信號(hào)處理部分15，對(duì)從A/D轉(zhuǎn)換部分14發(fā)送的圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行壓縮編碼處理，從而通過(guò)記錄設(shè)備19將圖像數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)上。此外，例如，當(dāng)輸入/輸出面板18或操作部分24操作來(lái)重新圖像時(shí)，CPU23控制數(shù)字信號(hào)處理部分15，從而通過(guò)記錄設(shè)備19從記錄介質(zhì)讀取圖像數(shù)據(jù)。此外，CPU23使得數(shù)字信號(hào)處理部分15擴(kuò)展從記錄介質(zhì)讀取的圖像數(shù)據(jù)，并且將圖像數(shù)據(jù)提供給輸入/輸出部分18，從而顯示圖像數(shù)據(jù)。TG22的示例性配置圖2是圖示圖1的TG22的示例性配置的框圖。在圖2中，TG22具有高速振蕩器31、低速振蕩器32和選擇器33。高速振蕩器31例如是PLL電路，并且當(dāng)數(shù)字相機(jī)的操作模式是用于正常圖像捕獲的正常模式時(shí)，根據(jù)CPU23（圖1）的控制，生成高速時(shí)鐘（參考時(shí)鐘），這是圖像傳感器12（圖1）捕獲圖像所需的，并且將時(shí)鐘提供給選擇器33。低速振蕩器32例如是環(huán)形振蕩器，并且當(dāng)數(shù)字相機(jī)的操作模式是低速模式時(shí)，其中圖像傳感器12不需要像上述情況一樣以高速操作，根據(jù)CPU23的控制生成圖像傳感器12中使用的、高速振蕩器31的低速（低頻）時(shí)鐘，并且將時(shí)鐘提供給選擇器33。選擇器根據(jù)CPU23的控制，選擇從高速振蕩器31提供的時(shí)鐘和從低速振蕩器32提供的時(shí)鐘之一，并且將時(shí)鐘作為時(shí)序信號(hào)提供給圖像傳感器12。這里，圖像傳感器12光電轉(zhuǎn)換入射到它上面的光。因此，圖像傳感器12不僅用于圖像捕獲，而且可以用作例如用于測(cè)量亮度的亮度傳感器。當(dāng)圖像傳感器12用作亮度傳感器時(shí)，圖像傳感器12不需要像捕獲圖像的情況一樣以高速操作。相應(yīng)地，在數(shù)字相機(jī)中，當(dāng)通過(guò)使用圖像傳感器12作為亮度傳感器測(cè)量亮度時(shí)，CPU23設(shè)置操作模式為低速模式，并且使得選擇器33選擇從低速振蕩器32提供的時(shí)鐘，從而將時(shí)鐘提供給圖像傳感器12。同時(shí)，在數(shù)字相機(jī)中，在捕獲圖像的情況下，CPU23設(shè)置操作模式為正常模式，并且使得選擇器33選擇從高速振蕩器31提供的時(shí)鐘，從而將時(shí)鐘提供給圖像傳感器12。如上所述，在圖像傳感器12不需要以高速操作的低速模式中，通過(guò)低速振蕩器32獲得的并且比高速振蕩器31的時(shí)鐘慢的低速時(shí)鐘提供給圖像傳感器12，并且圖像傳感器12與低速時(shí)鐘同步地操作。結(jié)果，在低速模式中，與正常模式的情況相比，可能減少圖像傳感器12的功耗。也就是說(shuō)，在低速模式中，圖像傳感器12與低速振蕩器32的低速時(shí)鐘同步地操作。從而，與圖像傳感器12與高速振蕩器31的高速時(shí)鐘同步地操作的情況相比，可能減少圖像傳感器12的功耗。低速振蕩器32的配置的簡(jiǎn)要視圖圖3是圖示圖2的低速振蕩器32的配置的簡(jiǎn)要視圖的框圖。在圖3中，低速振蕩器32包括：2N+1（N為1或更大的整數(shù)）個(gè)反相器401、402、……、40n-1、40n、40n+1、……、402N+1，其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)；以及延遲部分41。2N+1個(gè)反相器401到402N+1以該順序以環(huán)形連接，并且反相器40i（i=1、2、……或2N+1）反相和輸出輸入到其的（電壓）電平。此外，在圖3中，最后級(jí)反相器402N+1的輸出給作振蕩輸出信號(hào)，其是低速振蕩器32的輸出。2N+1個(gè)反相器401到402N+1中的一個(gè)反相器40n（n是1到2N+1范圍內(nèi)的任意整數(shù)）形成為施密特觸發(fā)器反相器。以下，反相器40n也稱(chēng)為施密特觸發(fā)器反相器40n。延遲部分41提供在施密特觸發(fā)器反相器40n的前一級(jí)中，因此延遲輸入到施密特觸發(fā)器反相器40n的電壓的改變（前一級(jí)反相器40n-1的輸出中的改變）。這里，延遲部分41中的輸入到施密特觸發(fā)器反相器40n的電壓（以下也稱(chēng)為施密特觸發(fā)器輸入電壓）的改變的延遲量定義低速振蕩器32的振蕩周期（振蕩頻率）。延遲部分41的延遲量取決于施密特觸發(fā)器反相器40n的滯后寬度等。在如上所述配置的低速振蕩器32中，作為最后級(jí)反相器402N+1的輸出的振蕩輸出信號(hào)輸入到第一級(jí)反相器401，在反相器401中反相，并且輸出到下一級(jí)反相器402。以下，類(lèi)似地，前一級(jí)反相器40i-1的輸出輸入到每個(gè)反相器40i，并且在每個(gè)反相器40i中，前一級(jí)反相器40i-1的輸出反相，并且給到下一級(jí)反相器40i+1。構(gòu)成低速振蕩器32的反相器401到402N+1的數(shù)量2N+1是奇數(shù)。因此，在低速振蕩器32中，第一級(jí)反相器401的反相輸入的電平從最后級(jí)反相器402N+1輸出，并且最后級(jí)反相器402N+1的輸出輸入到第一級(jí)反相器401。結(jié)果，低速振蕩器32振蕩。此外，在低速振蕩器32中，反相器40n-1反相前一級(jí)反相器40n-2的輸出，此后將輸出提供到其下一級(jí)中的延遲部分41中。延遲部分41延遲作為施密特觸發(fā)器輸入電壓的反相器40n-1的輸出的改變，并且將其輸入作為施密特觸發(fā)器輸入電壓給到施密特觸發(fā)器反相器40n。在低速振蕩器32中，在延遲部分41中，可能調(diào)整施密特觸發(fā)器輸入電壓的改變的速率，因此可能調(diào)整施密特觸發(fā)器反相器40n中的滯后寬度。在低速振蕩器32中，振蕩周期（振蕩頻率的倒數(shù)），即，振蕩輸出信號(hào)的周期取決于施密特觸發(fā)器輸入電壓的改變的速率和施密特觸發(fā)器反相器40n的滯后寬度。結(jié)果，在低速振蕩器32中，通過(guò)調(diào)整施密特觸發(fā)器輸入電壓的改變的速率和滯后寬度，可能控制作為變量的振蕩頻率。低速振蕩器32的第一示例性配置圖4是圖示圖2的低速振蕩器32的第一示例性配置的框圖（電路圖）。應(yīng)當(dāng)注意，在圖中，對(duì)應(yīng)于圖3的情況的那些的部分用相同參考數(shù)字和標(biāo)號(hào)表示，并且以下將適當(dāng)?shù)厥÷云涿枋?。在圖4中，低速振蕩器32具有三個(gè)反相器401、402和403以及延遲部分41。此外，在圖4中，以環(huán)形連接的三個(gè)反相器401到403中的第二級(jí)反相器402形成為施密特觸發(fā)器反相器。反相器401是CMOS（互補(bǔ)MOS）反相器，其中pMOSFET（正溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）51和nMOSFETE（負(fù)溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）52的漏極相互連接，并且其柵極相互連接。反相器401的輸入端是FET51和52的柵極之間的連接點(diǎn)，并且反相器401的輸出端是FET51和52的漏極之間的連接點(diǎn)。除了施密特觸發(fā)器反相器402以外的反相器（即，圖4中的反相器401和403）形成為上述CMOS反相器。施密特觸發(fā)器反相器402具有反相器61、電流源62和63、FET64和65、以及電阻器66。反相器61例如是像反相器401的CMOS反相器，并且反相器61的輸出端連接到下一級(jí)反相器403的輸入端。相應(yīng)地，反相器61的輸出給出作為施密特觸發(fā)器反相器402的輸出。此外，反相器61的輸出端連接到FET64和65的柵極，并且反相器61的輸入端連接到FET64和65各自的漏極。電流源62連接在電壓VDD的電源和FET64的源極之間，并且從電源朝向FET64流過(guò)電流。電流源63連接在電壓（電勢(shì)）VSS的GND（地）和FET65的源極之間，并且從FET65朝向GND流過(guò)電流。應(yīng)當(dāng)注意，電流源62和63流過(guò)相同電流I2（具有相同電流值）。FET64是pMOSFET，并且FET65是nMOSFET，并且FET64和65的漏極相互連接。FET64和65用作開(kāi)關(guān)，其響應(yīng)于由低速振蕩器32輸出的振蕩輸出信號(hào)（即，最后級(jí)反相器403的輸出）改變電阻器66中流過(guò)的電流的方向。電阻器66的一端連接到FET64和65的漏極之間的連接點(diǎn)（反相器61的輸入端），并且電阻器66的另一端通過(guò)延遲部分41連接到前一級(jí)反相器401的輸出端，作為施密特觸發(fā)器反相器402的輸入端。在電阻器66中，如后面描述的，由電流源62流過(guò)的電流I2或由電流源63流過(guò)的電流I2流過(guò)。延遲部分41具有電流源71和72以及電容器73。電流源71連接在電源和構(gòu)成反相器401的FET51的源極之間，并且從電源朝向FET51流過(guò)電流。電流源72連接在GND和FET52的源極之間，并且從FET52朝向GND流過(guò)電流。應(yīng)當(dāng)注意，電流源71和72流過(guò)相同電流I1。此外，在該實(shí)施例中，例如，由電流源71流過(guò)的電流I1大于由電流源62和63流過(guò)的電流I2。應(yīng)當(dāng)注意，電流I1小于電流I2。電容器73的一端接地到GND，并且其另一端連接到前一級(jí)反相器401的輸出端和電阻器66的另一端，作為連接到前一級(jí)反相器401的輸出端的施密特觸發(fā)器反相器402的輸入端。以下，電阻器66的另一端（施密特觸發(fā)器反相器402的輸入端）適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)為節(jié)點(diǎn)#1，并且節(jié)點(diǎn)#1的電壓適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)為電壓V1。此外，以下電阻器66的一端（反相器61的輸入端，F(xiàn)ET64和65的漏極之間的連接點(diǎn)）適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)為節(jié)點(diǎn)#2，并且節(jié)點(diǎn)#2的電壓適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)為電壓V2。圖5是圖示圖4的低速振蕩器32的操作的時(shí)序圖。在圖4的低速振蕩器32中，根據(jù)作為低速振蕩器32的輸出的振蕩輸出信號(hào)的極性是H（高）電平或L（低）電平，電阻器66和電容器73中流過(guò)的電流的方向通過(guò)作為開(kāi)關(guān)的FET64和65的開(kāi)/關(guān)狀態(tài)改變。具體地，例如，如果振蕩輸出信號(hào)是L電平，則反相器401的pMOSFET51（其輸入端提供有振蕩輸出信號(hào)）導(dǎo)通，并且nMOSFET52截止。此外，如果振蕩輸出信號(hào)是L電平，則反相器61的輸出為H電平，該反相器61的輸出是構(gòu)成振蕩輸出信號(hào)的反相器403的輸入，并且因此是施密特觸發(fā)器反相器402的輸出。結(jié)果，關(guān)于其柵極提供有具有H電平的反相器61的輸出的pMOSFET64和nMOSFET65，F(xiàn)ET64截止，并且FET65導(dǎo)通。結(jié)果，電流從電流源71朝向?qū)ǖ腇ET51流動(dòng)，并且流到節(jié)點(diǎn)#1。流到節(jié)點(diǎn)#1的電流流到（注入）電容器73。此外，流到節(jié)點(diǎn)#1的電流流到電阻器66、節(jié)點(diǎn)#2和導(dǎo)通的FET65，并且流到電流源63。由電流源71流過(guò)的電流I1通過(guò)FET51從電流源71朝向節(jié)點(diǎn)#1流過(guò)。此外，由電流源63流過(guò)的電流I2通過(guò)電阻器66、節(jié)點(diǎn)#2和FET65從節(jié)點(diǎn)#1朝向電流源63流過(guò)。相應(yīng)地，由電流源71流過(guò)的電流I1和由電流源63流過(guò)的電流I2之間的差I(lǐng)1-I2從節(jié)點(diǎn)#1注入到電容器73（在電容器73中，差的電流I1-I2從節(jié)點(diǎn)#1朝向GND流過(guò)）。同時(shí)，如果振蕩輸出信號(hào)是H電平，則反相器401的pMOSFET51（其輸入端提供有振蕩輸出信號(hào)）截止，并且nMOSFET52導(dǎo)通。此外，如果振蕩輸出信號(hào)是H電平，則反相器61的輸出為L(zhǎng)電平，該反相器61的輸出是輸出振蕩輸出信號(hào)的反相器403的輸入，并且最終是施密特觸發(fā)器反相器402的輸出。結(jié)果，關(guān)于其柵極提供有具有L電平的反相器61的輸出的pMOSFET64和nMOSFET65，F(xiàn)ET64導(dǎo)通，并且FET65截止。結(jié)果，通過(guò)導(dǎo)通的FET64、節(jié)點(diǎn)#2和電阻器66，電流從電流源62流到節(jié)點(diǎn)#1。此外，從電容器73放電的電流流到節(jié)點(diǎn)#1。流到節(jié)點(diǎn)#1的電流通過(guò)導(dǎo)通的FET52流到電流源72。由電流源62流過(guò)的電流I2通過(guò)FET64、節(jié)點(diǎn)#2和電阻器66，從電流源62流到節(jié)點(diǎn)#1。此外，由電流源72流過(guò)的電流I1通過(guò)FET52從節(jié)點(diǎn)#1朝向電流源72流過(guò)。相應(yīng)地，由電流源72流過(guò)的電流I1和由電流源62流過(guò)的電流I2之間的差的電流I1-I2從電容器73放電到節(jié)點(diǎn)#1（在電容器73中，差電流I1-I2從GND朝向節(jié)點(diǎn)#1流過(guò)）。如上所述，在低速振蕩器32中，響應(yīng)于振蕩輸出信號(hào)的極性，電流I1和I2之間的差電流I1-I2（以下，稱(chēng)為差電流）注入到電容器73或放電。當(dāng)差電流I1-I2注入電容器73時(shí)，在電阻器66中，由電流源63流過(guò)的電流I2從節(jié)點(diǎn)#1朝向節(jié)點(diǎn)#2流過(guò)。在該情況下，電阻器66的電阻值用R表示，然后節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2用電壓V1-I2×R表示，其比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1小在電阻器66中出現(xiàn)的電壓降I2×R。此外，當(dāng)差電流I1-I2從電容器73放電時(shí)，在電阻器66中，由電流源62流過(guò)的電流I2從節(jié)點(diǎn)#2朝向節(jié)點(diǎn)#1流過(guò)。在該情況下，節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2變得等于電壓V1+I2×R，其比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1高電阻器66中出現(xiàn)的電壓降I2×R。輸入到反相器61的節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2可以增加或減少，并且可以變得大于反相器61的閾值Vth（當(dāng)反相器61的輸出反相時(shí)反相器61的輸入話電壓）（或者，可以變?yōu)榈扔陂撝惦妷篤th）。在該情況下，反相器61的輸出的極性以及最終振蕩輸出信號(hào)的極性反相，并且切換差電流I1-I2注入電容器73和從電容器73放電，結(jié)果電阻器66中流過(guò)的電流I2的方向改變。在低速振蕩器32的振蕩期間，如上所述，通過(guò)切換差電流I1-I2注入電容器73和從電容器73放電，節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1以（基本）三角波的形式輸出，如圖5所示。也就是說(shuō)，當(dāng)差電流I1-I2注入電容器73時(shí)，節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1通過(guò)電容器73中的電荷的充電大致線性增加。當(dāng)差電流I1-I2從電容器73放電時(shí)，節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1通過(guò)電荷從電容器73的放電大致線性減少。此時(shí)，當(dāng)反相器61的輸出在H電平時(shí)（FET64截止，并且FET65導(dǎo)通），差電流I1-I2注入電容器73，因此節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1增加。當(dāng)差電流I1-I2注入電容器73時(shí)，電阻器66中流過(guò)的電流I2從節(jié)點(diǎn)#1朝向節(jié)點(diǎn)#2流過(guò)。結(jié)果，作為反相器61的輸入的節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2變得等于電壓V1-I2×R，其比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1小在電阻器66中的電壓降I2×R。此外，如圖5所示，節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2隨著節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1增加而增加。當(dāng)節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2=V1-I2×R增加并且變得大于或等于（或大于）反相器61的閾值Vth時(shí)，反相器61的輸出從H電平反相到L電平，如圖5所示。當(dāng)反相器61的輸出為L(zhǎng)電平時(shí)，差電流I1-I2開(kāi)始從電容器73放電。此外，電阻器66中流過(guò)的電流I2的方向從節(jié)點(diǎn)#1到節(jié)點(diǎn)#2的方向變?yōu)閺墓?jié)點(diǎn)#2到節(jié)點(diǎn)#1的方向。如上所述，電阻器66中流過(guò)的電流I2的方向從節(jié)點(diǎn)#1到節(jié)點(diǎn)#2的方向變?yōu)閺墓?jié)點(diǎn)#2到節(jié)點(diǎn)#1的方向。然后，節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2變?yōu)榈扔陔妷篤1+I2×R，其比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1高電阻器66中的電壓降I2×R。相應(yīng)地，比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1低電阻器66中的電壓降I2×R的作為電壓V1-I2×R的節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2增加，并且變得等于反相器61的閾值Vth。此刻，如圖5所示，節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2快速?gòu)谋裙?jié)點(diǎn)#1的電壓V1低電阻器66中的電壓降I2×R的電壓V1-I2×R，增加到比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1高電阻器66中的電壓降I2×R的電壓V1+I2×R。當(dāng)反相器61的輸出為L(zhǎng)電平時(shí)，如上所述，差電流I1-I2開(kāi)始從電容器73放大。因此，節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1減少。當(dāng)差電流I1-I2從電容器73放電時(shí)，電阻器66中流過(guò)的電流I2從節(jié)點(diǎn)#2朝向節(jié)點(diǎn)#1流過(guò)。結(jié)果，作為反相器61的輸入的節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2變得等于電壓V1+I2×R，其比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1高電阻器66中的電壓降I2×R。當(dāng)節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2=V1-I2×R減少并且變得小于（或小于或等于）反相器61的閾值Vth時(shí)，反相器61的輸出從L電平反相到H電平，如圖5所示。當(dāng)反相器61的輸出為H電平時(shí)，差電流I1-I2開(kāi)始注入電容器73。此外，電阻器66中流過(guò)的電流I2的方向從節(jié)點(diǎn)#2到節(jié)點(diǎn)#1的方向變?yōu)閺墓?jié)點(diǎn)#1到節(jié)點(diǎn)#2的方向。如上所述，電阻器66中流過(guò)的電流I2的方向從節(jié)點(diǎn)#2到節(jié)點(diǎn)#1的方向變?yōu)閺墓?jié)點(diǎn)#1到節(jié)點(diǎn)#2的方向。然后，節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2變?yōu)榈扔陔妷篤1-I2×R，其比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1低電阻器66中的電壓降I2×R。相應(yīng)地，比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1高電阻器66中的電壓降I2×R的作為電壓V1+I2×R的節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2減少，并且變得等于反相器61的閾值Vth。此刻，如圖5所示，節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2快速?gòu)谋裙?jié)點(diǎn)#1的電壓V1高電阻器66中的電壓降I2×R的電壓V1+I2×R，減少到比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1低電阻器66中的電壓降I2×R的電壓V1-I2×R。當(dāng)反相器61的輸出為H電平并且差電流I1-I2開(kāi)始注入電容器73時(shí)，如上所述，節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1增加，并且重復(fù)以下操作。如上所述，在低速振蕩器32中，當(dāng)電阻器66中流過(guò)的電流I2的方向是從節(jié)點(diǎn)#1到節(jié)點(diǎn)#2的方向時(shí)，節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2變得等于比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1低電阻器66中的電壓降I2×R的電壓V1-I2×R。當(dāng)電阻器66中流過(guò)的電流I2的方向是從節(jié)點(diǎn)#2到節(jié)點(diǎn)#1的方向時(shí)，節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2變得等于比節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1高電阻器66中的電壓降I2×R的電壓V1+I2×R。相應(yīng)地，電壓V2和電壓V1之間的差V2-V1（節(jié)點(diǎn)#2和節(jié)點(diǎn)#1之間的電勢(shì)差）是其值在-I2×R和+I2×R之間交替改變的脈沖，如圖5所示。此外，如圖5所示，當(dāng)作為反相器61的輸入的節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2大于或等于反相器61的閾值Vth時(shí)，反相器61的輸出（即，施密特觸發(fā)器反相器402的輸出）為L(zhǎng)電平，并且當(dāng)電壓V2小于反相器61的閾值Vth時(shí)為H電平。此外，振蕩輸出信號(hào)（即，對(duì)其輸入反相器61的輸出的反相器403的輸出）是通過(guò)將反相器61的輸出反相獲得的信號(hào)，如圖5所示。這里，關(guān)于作為施密特觸發(fā)器反相器402的輸入的節(jié)點(diǎn)#1（電阻器66的另一端）的電壓V1，當(dāng)差電流I1-I2開(kāi)始注入電容器73時(shí)的電壓V1用電壓Thv1表示，并且當(dāng)差電流I1-I2開(kāi)始從電容器73放電時(shí)的電壓V1用電壓Thv2表示。如圖5所示，電壓Thv1是三角波的三角波電壓V1的最小值，并且電壓Thv2是三角波電壓V2的最大值。在從節(jié)點(diǎn)#1檢測(cè)到反相器61的輸出的情況下，該反相器61的輸出是施密特觸發(fā)器反相器402的輸入并且也是施密特觸發(fā)器反相器402的輸出，當(dāng)節(jié)點(diǎn)#1的電壓增加并且變得等于電壓Thv2時(shí)，反相器61的輸出從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平。此外，當(dāng)節(jié)點(diǎn)#1的電壓減少并且變得等于電壓Thv1時(shí)，反相器61的輸出從L電平變?yōu)镠電平。相應(yīng)地，施密特觸發(fā)器反相器402用作這樣的施密特觸發(fā)器反相器，其中，當(dāng)輸出的極性從L電平變?yōu)镠電平時(shí)，將電壓Thv1設(shè)為第一閾值，并且當(dāng)輸出的極性從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平時(shí)，將電壓Thv2設(shè)為第二閾值。施密特觸發(fā)器反相器402的滯后寬度Vpp是作為第二閾值的電壓Thv2和作為第一閾值的Thv1之間的差Thv2-Thv1。然而，差Thv2-Thv1由電阻器66中的電壓降導(dǎo)致，并且等于節(jié)點(diǎn)#2的電壓V2和節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1之間的差V2-V1的最大值。結(jié)果，滯后寬度Vpp用表達(dá)式（1）表示Vpp=+I2×R-（-I2×R）=2×I2×R……（1）根據(jù)表達(dá)式（1），施密特觸發(fā)器反相器402的滯后寬度Vpp取決于電阻器66（的電阻值R）和流過(guò)電阻器66的電流I2。相應(yīng)地，滯后寬度Vpp可以通過(guò)電阻器66和電流I2調(diào)整為作為變量的任意值。此外，當(dāng)電容器73中流過(guò)的電流I1-I2變大時(shí)，圖5所示的三角波電壓V1的改變（即，電壓V1增加的傾斜度（以下稱(chēng)為增加速率）和電壓V1減少的傾斜度（以下稱(chēng)為減少速率））變得更大（更陡）。此外，當(dāng)電容器73的靜電電容C變小時(shí)，電壓V1的改變變大。低速振蕩器32的振蕩周期T等于三角波電壓V1的周期。當(dāng)作為滯后寬度Vpp的、電壓Thv2和電壓Thv1之間的差Thv2-Thv1變得更大時(shí)，電壓V1的周期變得更大（更長(zhǎng)）。當(dāng)電壓V1的改變變得更大（更快）時(shí)，電壓V1的周期變得更小（更短）。等于電壓V1的周期的上述振蕩周期T與滯后寬度Vpp=2×I2×R成比例，并且電容器73的靜電電容C與流過(guò)電容器73的電流I1-I2成反比，并且用表達(dá)式（2）表示。T=2×I2×R×C/(I1-I2)×2…(2)根據(jù)表達(dá)式（2），振蕩周期T（振蕩頻率）不僅取決于滯后寬度Vpp，而且還取決于電流I2、電阻器66（R）、電容器73的靜電電容C和差電流I1-I2。結(jié)果，振蕩周期T（振蕩頻率）可以通過(guò)滯后寬度Vpp（電流I2和電阻器66（R））、電容器73的靜電電容C和差電流I1-I2，作為變量調(diào)節(jié)。例如，可以采用可變電阻器作為電阻器66。在該情況下，通過(guò)調(diào)整電阻器66（的電阻值R），可能調(diào)整振蕩周期T。此外，例如，可以采用具有可變電容的電容器作為電容器73。在該情況下，通過(guò)調(diào)整電容器73的靜電電容C，可能調(diào)整振蕩周期T。這里，表達(dá)式（2）中的振蕩周期T不僅獨(dú)立于反相器61的閾值Vth，而且獨(dú)立于其它反相器401和403的參數(shù)。結(jié)果，即使當(dāng)在作為構(gòu)成反相器401等的元件的FET51和52等中存在變化，因此在閾值Vth等中存在變化時(shí)，振蕩周期T也獨(dú)立于該變化。如上所述，低速振蕩器32的振蕩周期T獨(dú)立于元件的變化。因此，低速振蕩器32的優(yōu)點(diǎn)在于元件變化的（高度容忍的）容忍度。此外，低速振蕩器32是環(huán)形振蕩器。因此，與PLL電路相比，該振蕩器實(shí)現(xiàn)低功耗，并且可以安裝在相對(duì)小的面積上，為了實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單電路配置而不需要像PLL電路中的反饋配置等。此外，在圖4中，延遲部分41延遲電壓Thv1和電壓Thv2之間的節(jié)點(diǎn)#1的電壓V1的改變（從電壓Thv1到電壓Thv2的改變和從電壓Thv2到電壓Thv1的改變），該節(jié)點(diǎn)是施密特觸發(fā)器反相器402的輸入。延遲部分41中電壓V1的改變的延遲量是電壓V1從電壓Thv1改變（增加）到電壓Thv2的時(shí)間段（以及電壓V1從電壓Thv2改變（減少）到電壓Thv1的時(shí)間段），并且對(duì)應(yīng)于振蕩周期T。結(jié)果，類(lèi)似于表達(dá)式（2）的振蕩周期T，延遲部分41中電壓V1的改變的延遲量取決于等于電壓Thv2和電壓Thv1之間的差Thv2-Thv1的滯后寬度Vpp、電壓V1的改變（電壓V1的增加速率和減少速率）（即，電容器73中流過(guò)的差電流I1-I2）、和電容器73的靜電電容C。低速振蕩器32的第二示例性配置圖6是圖示圖2的低速振蕩器32的第二示例性配置的框圖。應(yīng)當(dāng)注意，在圖中，對(duì)應(yīng)于圖4的情況下中的那些的部分用相同參考標(biāo)號(hào)和符號(hào)表示，并且以下適當(dāng)?shù)厥÷云涿枋觥D6的低速振蕩器32與圖4的情況相同在于振蕩器具有反相器401到403和延遲部分41。然而，圖6的低速振蕩器32與圖4的情況不同在于新提供了電流控制部分100，提供FET81作為電流源62，提供FET82作為電流源63，提供FET91作為電流源71，并且提供FET92作為電流源72。作為電流源62的FET81是pMOSFET，其源極連接到電源，并且其漏極連接到FET64的源極。此外，F(xiàn)ET81的柵極連接到下面要描述的pMOSFET104的柵極，并且FET81和FET104構(gòu)成電流鏡電路。作為電流源63的FET82是nMOSFET，其源極接地，并且其漏極連接到FET65的源極。此外，F(xiàn)ET82的柵極連接到下面要描述的nMOSFET102的柵極，并且FET82和FET102構(gòu)成電流鏡電路。作為電流源71的FET91是pMOSFET，其源極連接到電源，并且其漏極連接到FET51的源極。此外，F(xiàn)ET91的柵極連接到FET104的柵極，并且FET91和FET104構(gòu)成電流鏡電路。作為電流源72的FET92是nMOSFET，其源極接地，并且其漏極連接到FET52的源極。此外，F(xiàn)ET92的柵極連接到FET102的柵極，并且FET92和FET102構(gòu)成電流鏡電路。電流控制部分100控制作為電流源62的FET81、作為電流源63的FET82、作為電流源71的FET91和作為電流源72的FET92，以便流過(guò)對(duì)應(yīng)于預(yù)定參考電流的電流。也就是說(shuō)，電流控制部分100具有電流源101、nMOSFET102和103、以及pMOSFET104。電流源101連接到FET102的漏極，并且流過(guò)參考電流Iref。相應(yīng)地，參考電流Iref從FET102的漏極流到其源極。FET102的源極接地，并且其柵極連接到其漏極。此外，F(xiàn)ET102的柵極連接到FET82、92和103的柵極。FET102和82、FET102和92、以及FET102和103分別構(gòu)成電流鏡電路。FET103的源極接地，并且其漏極連接到FET104的漏極。如上所述，F(xiàn)ET102和103構(gòu)成電流鏡電路。然而，現(xiàn)在為了描述方便，假設(shè)FET102和103的鏡面比M（FET102的面積和FET103的面積的比）（FET103的面積基于FET102的面積）為1：1。在該情況下，與參考電流Iref相同的電流（參考電流Iref的拷貝）作為對(duì)應(yīng)于參考電流Iref的電流從FET103的漏極流到其源極，該參考電流Iref從FET102的漏極流到其源極。FET104的源極連接到電源，并且其柵極連接到其漏極。此外，F(xiàn)ET104的柵極連接到FET81和91的柵極。FET103和81以及FET103和91分別構(gòu)成電流鏡電路。此外，如上所述，F(xiàn)ET103的漏極連接到FET104的漏極。因此，類(lèi)似于FET103，與參考電流Iref相同的電流從FET104的源極流到其漏極。這里，如上所述，與參考電流Iref相同的電流在FET102和103中流過(guò)。然而，以下，其中與參考電流Iref相同的電流在FET102中流過(guò)的情況可以表示如下：參考電流Iref在FET102中流過(guò)。FET103相同。在如上所述配置的低速振蕩器32中，F(xiàn)ET81和FET104構(gòu)成電流鏡電路。因此，根據(jù)FET104和81的鏡面比M（104：81），對(duì)應(yīng)于FET104中流過(guò)的參考電流Iref的電流I（81）從FET81的源極流到其漏極。此外，F(xiàn)ET82和FET102構(gòu)成電流鏡電路。因此，根據(jù)FET102和82的鏡面比M（102：82），對(duì)應(yīng)于FET102中流過(guò)的參考電流Iref的電流I（82）從FET82的漏極流到其源極。此外，F(xiàn)ET91和FET104構(gòu)成電流鏡電路。因此，根據(jù)FET104和91的鏡面比M（104：91），對(duì)應(yīng)于FET104中流過(guò)的參考電流Iref的電流I（91）從FET91的源極流到其漏極。此外，F(xiàn)ET92和FET102構(gòu)成電流鏡電路。因此，根據(jù)FET102和92的鏡面比M（102：92），對(duì)應(yīng)于FET102中流過(guò)的參考電流Iref的電流I（92）從FET92的漏極流到其源極。通過(guò)使得FET104和81的鏡面比M（104：81）與FET102和82的鏡面比M（102：82）一致，使得FET81中流過(guò)的電流I（81）和FET82中流過(guò)的電流I（82）為相同電流I2。此外，通過(guò)使得FET104和91的鏡面比M（104：91）與FET102和92的鏡面比M（102：92）一致，使得FET91中流過(guò)的電流I（91）和FET92中流過(guò)的電流I（92）為相同電流I1。然后，通過(guò)調(diào)整鏡面比M（104：91）和M（102：92）使得該比大于鏡面比M（104：81）和M（102：82），作為FET91中流過(guò)的電流I（91）和FET92中流過(guò)的電流I（92）的電流I1變得大于作為FET81中流過(guò)的電流I（81）和FET82中流過(guò)的電流I（82）的電流I2。應(yīng)當(dāng)注意，通過(guò)如圖6所示在電流控制部分100中提供電流源101，參考電流Iref不僅可以從電流源101獲取，而且可以從圖中未示出的另一電路獲取（提供）。低速振蕩器32的第三示例性配置圖7是圖示圖2的低速振蕩器32的第三示例性配置的框圖。應(yīng)當(dāng)注意，在圖中，對(duì)應(yīng)于圖6的情況下中的那些的部分用相同參考標(biāo)號(hào)和符號(hào)表示，并且以下適當(dāng)?shù)厥÷云涿枋?。圖7的低速振蕩器32與圖6的情況相同在于振蕩器具有反相器401到403、延遲部分41和電流控制部分100。然而，圖7的低速振蕩器32與圖6的情況不同在于：替代電流控制部分100的電流源101，提供電流生成部分110和FET114和115。電流生成部分110例如從外部提供有參考電壓（BGR電壓）VBGR，其可以通過(guò)圖中未示出的BGR（帶隙參考）電路獲得。響應(yīng)于對(duì)其提供的參考電壓VBGR，電流生成部分110生成對(duì)應(yīng)于參考電壓VBGR的參考電流Iref。也就是說(shuō)，電流生成部分110具有運(yùn)算放大器111、電阻器112和nMOSFET113。參考電壓VBGR從圖中未示出的BGR電路提供（施加）到運(yùn)算放大器111的非反相輸入端（+）。電阻器112的一端連接到運(yùn)算放大器111的反相輸入端（-），電阻器12的另一端接地。運(yùn)算放大器111的輸出端連接到FET113的柵極。FET113的源極連接到運(yùn)算放大器111的反相輸入端和電阻器112之間的連接點(diǎn)，并且FET113的漏極連接到pMOSFET114的漏極。FET114和115各自的源極連接到電源，并且柵極相互連接。此外，F(xiàn)ET114的柵極和漏極連接，并且FET114和115構(gòu)成電流鏡電路。FET115的漏極連接到構(gòu)成電流鏡電路的FET102的漏極。這里，為了描述方便，假設(shè)構(gòu)成電流鏡電路的FET114和115的鏡面比M（114：115）為1比1（1：1）。在圖7的電流控制部分100中，當(dāng)來(lái)自圖中未示出的BGR電路的參考電壓VBGR施加到運(yùn)算放大器111的非反相輸入端時(shí)，由于所謂的虛擬短路（虛短），運(yùn)算放大器111的反相輸入端的電壓為施加到非反相輸入端的參考電壓VBGR。電阻器112的一端連接到運(yùn)算放大器111的反相輸入端，電阻器112的另一端接地。因此，作為運(yùn)算放大器111的反相輸入端的電壓的參考電壓VBGR施加到電阻器112。結(jié)果，假設(shè)電阻器112的電阻值為Rref，則電阻器112中流過(guò)的電流用表達(dá)式（3）表示。Iref=VBGR/Rref…(3)如上所述，在電阻器112中，電流Iref與參考電壓VBGR成比例。因此，電阻器112用作用于電壓到電流轉(zhuǎn)換的電阻器，其將參考電壓VBGR轉(zhuǎn)換為電流Iref。運(yùn)算放大器111的輸出端的電壓大于施加到電阻器112的參考電壓VBGR。因此，連接到運(yùn)算放大器111的輸出端的FET113的柵極電壓大于連接到電阻器112的FET113的源極的電壓，因此FET113導(dǎo)通。相應(yīng)地，電阻器112中流過(guò)的電流Iref從FET113的漏極朝其源極流過(guò)。此外，F(xiàn)ET113中流過(guò)的電流流過(guò)FET114的源極朝向其漏極，并且在與FET114一起構(gòu)成電流鏡電路的FET115中復(fù)制。因此，電流Iref（與電流Iref相同的電流）從FET115的源極朝向其漏極流過(guò)。因?yàn)镕ET115的漏極連接到FET102的漏極，所以FET115中流過(guò)的電流Iref作為參考電流在FET102中流過(guò)。以下，如圖6中描述的，因?yàn)樵贔ET102中流過(guò)電流Iref，所以電流在作為電流源62的FET81、作為電流源63的FET82、作為電流源71的FET91和作為電流源72的FET92中流過(guò)。當(dāng)FET104和91的鏡面比M（104：91）和FET102和92的鏡面比M（102：92）表示為M1時(shí)，作為電流源71的FET91和作為電流源72的FET92中流過(guò)的電流I1用表達(dá)式（4）表示。I1=M1×Iref…(4)此外，當(dāng)FET104和81的鏡面比M（104：81）和FET102和82的鏡面比M（102：82）表示為M2時(shí)，作為電流源62的FET81和作為電流源63的FET82中流過(guò)的電流I2用表達(dá)式（5）表示。I2=M2×Iref…(5)應(yīng)當(dāng)注意，在實(shí)施例中，鏡面比M1大于鏡面比M2。通過(guò)使用表達(dá)式（3）和（5），表達(dá)式（1）的滯后寬度Vpp用表達(dá)式（6）表示。Vpp=2×I2×R=2×M2×Iref×R=2×M2×R/Rref×VBGR…(6)根據(jù)表達(dá)式（6），可以通過(guò)電阻器66（R）和電阻器112（Rref）的電阻比R/Rref調(diào)整滯后寬度Vpp。此外，從BGR電路提供的參考電壓VBGR不取決于電源電壓VDD和溫度。此外，電阻比R/Rref穩(wěn)定而不取決于操作環(huán)境或制造的變化。結(jié)果，表達(dá)式（6）的滯后寬度Vpp獨(dú)立于電源電壓或溫度的波動(dòng)和元件的變化。從BGR電路提供參考電壓VBGR的圖7的低速振蕩器32的優(yōu)點(diǎn)在于電源電壓或溫度的波動(dòng)和元件的變化的（高容忍的）容忍度。根據(jù)本技術(shù)的計(jì)算機(jī)的描述接著，可以在計(jì)算機(jī)上仿真上述低速振蕩器32。當(dāng)在計(jì)算機(jī)上仿真低速振蕩器32時(shí)，在計(jì)算機(jī)上安裝用于使得計(jì)算機(jī)執(zhí)行仿真用于用作低速振蕩器32（即，反相器401到402N+1、延遲部分41和電流控制部分100）的程序。圖8示出根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的、其中安裝執(zhí)行上述一系列處理的程序的計(jì)算機(jī)的示例性配置。程序可以預(yù)先記錄在計(jì)算機(jī)中內(nèi)置的作為記錄介質(zhì)的硬盤(pán)205或ROM203中。可替代地，程序可以存儲(chǔ)（記錄）在可移除記錄介質(zhì)211中。這樣的可移除記錄介質(zhì)211可以作為所謂的封裝軟件提供。這里，可移除記錄介質(zhì)211的示例包括軟盤(pán)、CD-ROM（致密盤(pán)只讀存儲(chǔ)器）、MO（磁光）盤(pán)、DVD（數(shù)字多功能盤(pán)）、磁盤(pán)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等。應(yīng)當(dāng)注意，除了從上述可移除記錄介質(zhì)211將程序安裝到計(jì)算機(jī)中，程序還可以通過(guò)廣播網(wǎng)絡(luò)或通信網(wǎng)絡(luò)下載到計(jì)算機(jī)中，并且可以安裝在內(nèi)置硬盤(pán)205中。也就是說(shuō)，例如，程序可以通過(guò)用于數(shù)字衛(wèi)星廣播的人造衛(wèi)星無(wú)線地從下載站點(diǎn)傳輸?shù)接?jì)算機(jī)，或者可以通過(guò)LAN（局域網(wǎng)）（即，因特網(wǎng)）有線地傳輸?shù)接?jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)內(nèi)置CPU（中央處理單元）202。輸入/輸出接口210通過(guò)總線201連接到CPU202。當(dāng)CPU202接收命令輸入時(shí)，該命令在用戶通過(guò)輸入/輸出接口210操作輸入部分207時(shí)發(fā)出，CPU202響應(yīng)于輸入執(zhí)行ROM（只讀存儲(chǔ)器）203中存儲(chǔ)的程序?？商娲兀珻PU202將硬盤(pán)205中存儲(chǔ)的程序加載到RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）204，并且執(zhí)行程序。從而，CPU202基于上述流程圖執(zhí)行處理，或者基于上述框圖的配置執(zhí)行處理。然后，CPU202例如根據(jù)需要通過(guò)輸入/輸出接口210，從輸出部分206輸出處理結(jié)果，或者從通信部分208發(fā)送結(jié)果，并且執(zhí)行硬盤(pán)205中的記錄等。此外，輸入部分207包括鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、麥克風(fēng)等。此外，輸出部分206包括LCD（液晶顯示器）、揚(yáng)聲器等。這里，在本說(shuō)明書(shū)中，不一定按照流程圖描述的處理的順序，按時(shí)間順序地執(zhí)行由計(jì)算機(jī)根據(jù)程序執(zhí)行的處理。也就是說(shuō)，由計(jì)算機(jī)根據(jù)程序執(zhí)行的處理還包括并行或分開(kāi)執(zhí)行的處理（例如，并行處理或使用對(duì)象的處理）。此外，程序可以由單個(gè)計(jì)算機(jī)（處理器）處理，并且可以由多個(gè)計(jì)算機(jī)分布式處理。此外，程序可以傳輸?shù)竭h(yuǎn)程計(jì)算機(jī)并由計(jì)算機(jī)執(zhí)行。此外，本技術(shù)的實(shí)施例不限于上述實(shí)施例，并且可以修改為各種形式的實(shí)施例而不偏離本技術(shù)的技術(shù)范圍。也就是說(shuō)，實(shí)施例描述了由低速振蕩器32輸出的信號(hào)用作用于操作構(gòu)成數(shù)字相機(jī)的圖像傳感器12的時(shí)鐘的情況，但是由低速振蕩器32輸出的信號(hào)可以用作用于操作其它任意設(shè)備的時(shí)鐘。應(yīng)當(dāng)注意，本技術(shù)可以采用以下配置。[1]一種振蕩器，包括：反相器，其以環(huán)形連接，并且其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)；以及延遲部分，其延遲輸入到奇數(shù)個(gè)反相器中的一個(gè)反相器的電壓的改變，其中所述一個(gè)反相器是施密特觸發(fā)器反相器，其中所述施密特觸發(fā)器反相器包括電流源，以及電阻器，其中流過(guò)由所述電流源提供的電流，以及其中所述施密特觸發(fā)器反相器的滯后寬度取決于所述電阻器中流過(guò)的電流。[2]根據(jù)[1]所述的振蕩器，其中所述延遲部分包括不同電流源和電容器，以及其中振蕩周期取決于所述電容器中流過(guò)的電流和所述滯后寬度。[3]根據(jù)[2]所述的振蕩器，其中所述施密特觸發(fā)器反相器還包括開(kāi)關(guān)，其響應(yīng)于由所述振蕩器輸出的振蕩輸出信號(hào)改變所述電阻器中流過(guò)的電流的方向。[4]根據(jù)[3]所述的振蕩器，還包括電流控制部分，其控制所述電流源和所述不同電流源，以便流過(guò)對(duì)應(yīng)于預(yù)定參考電流的電流。[5]根據(jù)[4]所述的振蕩器，還包括電流生成部分，其響應(yīng)于預(yù)定參考電壓，生成對(duì)應(yīng)于參考電壓的參考電流。[6]根據(jù)[5]所述的振蕩器，其中所述電流生成部分包括運(yùn)算放大器，其非反相輸入端提供有參考電壓，并且其反相輸入端連接到用于電壓到電流轉(zhuǎn)換的電阻器的一端，其中所述用于電壓到電流轉(zhuǎn)換的電阻器的另一端接地，以及所述用于電壓到電流轉(zhuǎn)換的電阻器，以及其中所述參考電流流過(guò)所述用于電壓到電流轉(zhuǎn)換的電阻器。[7]根據(jù)[4]到[6]的任一所述的振蕩器，其中所述電流控制部分包括一側(cè)晶體管，其構(gòu)成電流鏡電路并且其中參考電流流過(guò)，以及其中所述電流源和所述不同電流源包括另一側(cè)晶體管，其構(gòu)成所述電流鏡電路，并且其中對(duì)應(yīng)于參考電流的電流流過(guò)。[8]根據(jù)[3]到[7]的任一所述的振蕩器，其中除了所述施密特觸發(fā)器反相器以外的不同反相器的每個(gè)是CMOS（互補(bǔ)MOS）反相器，其中pMOSFET（正溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和nMOSFET（負(fù)溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的漏極相互連接，并且pMOSFET和nMOSFET的柵極相互連接，其中所述施密特觸發(fā)器反相器包括作為開(kāi)關(guān)的不同pMOSFET和不同nMOSFET，其各自的漏極相互連接，CMOS反相器，其輸出端連接到不同pMOSFET和不同nMOSFET的各自的柵極，并且其輸入端連接到不同pMOSFET和不同nMOSFET的漏極之間的連接點(diǎn)，作為所述電流源的第一電流源和第二電流源，所述第一電流源連接到不同pMOSFET的源極，所述第二電流源連接到不同nMOSFET的源極并且流過(guò)與所述第一電流源相同的電流，以及電阻器，其一端連接到不同pMOSFET和不同nMOSFET的漏極之間的連接點(diǎn)，并且其另一端連接到所述施密特觸發(fā)器反相器的前一級(jí)反相器的輸出端，以及其中所述延遲部分包括電容器，其一端接地并且另一端連接到前一級(jí)反相器的輸出端，以及作為所述不同電流源的第三電流源和第四電流源，所述第三電流源連接到構(gòu)成前一級(jí)反相器的pMOSFET的源極，所述第四電流源連接到構(gòu)成前一級(jí)反相器的nMOSFET的源極并且流過(guò)與所述第三電流源相同的電流。[9]根據(jù)[2]到[8]的任一所述的振蕩器，其中，振蕩周期取決于所述電容器、所述電容器中流過(guò)的電流和所述滯后寬度。[10]根據(jù)[1]到[9]的任一所述的振蕩器，其中所述滯后寬度取決于所述電阻器和所述電阻器中流過(guò)的電流。[11]根據(jù)[2]到[9]的任一所述的振蕩器，其中所述電容器是具有可變電容的電容器，以及其中通過(guò)調(diào)整所述電容器的電容調(diào)整振蕩周期。[12]根據(jù)[2]到[9]的任一所述的振蕩器，其中所述電阻器具有可變電阻，以及其中通過(guò)調(diào)整電阻調(diào)整振蕩周期。[13]一種振蕩方法，包括：通過(guò)振蕩器的延遲部分，延遲輸入到以環(huán)形連接并且其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)的反相器中的一個(gè)反相器的電壓的改變，所述振蕩器包括奇數(shù)個(gè)反相器和延遲部分，其中所述一個(gè)反相器是施密特觸發(fā)器反相器，其中所述施密特觸發(fā)器反相器包括電流源，以及電阻器，其中流過(guò)由所述電流源提供的電流，以及其中所述施密特觸發(fā)器反相器的滯后寬度取決于所述電阻器中流過(guò)的電流。[14]一種圖像傳感器，其與由振蕩器輸出的信號(hào)同步地操作，所述振蕩器包括反相器，其以環(huán)形連接，并且其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)；以及延遲部分，其延遲輸入到奇數(shù)個(gè)反相器中的一個(gè)反相器的電壓的改變，其中所述一個(gè)反相器是施密特觸發(fā)器反相器，其中所述施密特觸發(fā)器反相器包括電流源，以及電阻器，其中流過(guò)由所述電流源提供的電流，以及其中所述施密特觸發(fā)器反相器的滯后寬度取決于所述電阻器中流過(guò)的電流。[15]一種成像裝置，包括：振蕩器，包括反相器，其以環(huán)形連接，并且其數(shù)量是大于或等于3的奇數(shù)；和延遲部分，其延遲輸入到奇數(shù)個(gè)反相器中的一個(gè)反相器的電壓的改變；以及圖像傳感器，其與由振蕩器輸出的信號(hào)同步地操作，其中所述一個(gè)反相器是施密特觸發(fā)器反相器，其中所述施密特觸發(fā)器反相器包括電流源，以及電阻器，其中流過(guò)由所述電流源提供的電流，以及其中所述施密特觸發(fā)器反相器的滯后寬度取決于所述電阻器中流過(guò)的電流。本技術(shù)包含于2012年4月26日向日本專(zhuān)利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)JP2012-101341中公開(kāi)的主題有關(guān)的主題，將其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用的方式合并在此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)注意，取決于迄今為止的設(shè)計(jì)要求和其它因數(shù)，各種修改、組合、子組合和替代可以出現(xiàn)，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求或其等效的范圍內(nèi)。