專利名稱：復(fù)合基板及金屬圖形的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及復(fù)合基板及金屬圖形的形成方法。
背景技術(shù)：
已知迄今為止，當(dāng)通過光刻蝕在基板的表面形成所需的金屬圖形時，首先，使用 光致抗蝕劑形成光致抗蝕圖形，在形成有該光致抗蝕圖形的面上形成金屬薄膜層，然后，通 過除去光致抗蝕劑來形成所需的金屬圖形。該方法，一般稱為剝離加工(lift off)。例如， 專利文獻(xiàn)1中所記載的金屬薄膜圖形的形成方法中，首先，在基板上形成光致抗蝕圖形后， 使用濺射法形成金屬薄膜層。其次，在浸漬光致抗蝕圖形的剝離液后，施加超聲波，除去光 致抗蝕圖形及該光致抗蝕圖形上的不需要的金屬薄膜層。專利文獻(xiàn)1 日本特開平7-300684號公報(段落0004)然而，即使是通過有機(jī)粘合層粘合壓電基板和支撐基板而得到的復(fù)合基板，也可 考慮如專利文獻(xiàn)1所述的那樣，使用光刻蝕法形成所需的金屬圖形。在此，在使用光刻蝕 法形成光致抗蝕圖形的情況下，在復(fù)合基板的壓電基板的表面涂布光致抗蝕劑，在壓電基 板上配置對應(yīng)于所需的金屬圖形的光掩模，隔著該光掩模照射光線，然后，通過剝離光掩模 并顯影而形成光致抗蝕圖形。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在薄膜上形成的壓電基板、或有機(jī)粘合層、支撐基板均透射照射光。例如，照 射光為i線(波長為365nm(納米))的情況，如圖8所示，厚度為30μπι(微米)的鉭酸鋰 制的壓電基板的透射率約為95%，厚度為1 μ m的環(huán)氧樹脂制的有機(jī)粘合層的透射率約為 90%，厚度為250 μ m的硼硅酸玻璃制的支撐基板的透射率約為90% ；粘合這些壓電基板、 有機(jī)粘合層和支撐基板而得到的復(fù)合基板的透射率約為77%。這種情況下，有時照射光在 支撐基板的底面或載置復(fù)合基板的臺座的表面上反射，到達(dá)光致抗蝕劑中被光掩模的陰影 遮蓋的部分的內(nèi)側(cè)。如果發(fā)生這種情況，則因為光致抗蝕劑中預(yù)期不會感光的部分發(fā)生了 感光，所以將導(dǎo)致不能夠得到所期望的光致抗蝕圖形、甚至不能形成所需的金屬圖形的事 態(tài)的發(fā)生。另外，即使在支撐基板為反射率高的材料(例如硅等)的情況下，也會因照射光 在支撐基板的表面反射而發(fā)生同樣的問題。本發(fā)明是鑒于上述情況而實施的技術(shù)方案，其主要目的在于，提供一種通過有機(jī) 粘合層粘合壓電基板和支撐基板而得到的復(fù)合基板，利用剝離加工，能夠高精度地形成所 需的金屬圖形。本發(fā)明中，為了達(dá)到上述目的而采用以下的技術(shù)方案。本發(fā)明的第一復(fù)合基板，是通過有機(jī)粘合層粘合了能夠透射用于光刻蝕的光線的 壓電基板和支撐該壓電基板的支撐基板的復(fù)合基板，其中，所述支撐基板和所述有機(jī)粘合 層的至少一方能夠吸收所述用于光刻蝕的光線。該第一復(fù)合基板，是通過使用了光刻蝕的剝離加工而在壓電基板的表面形成所需的金屬圖形的復(fù)合基板。通過使用了光刻蝕的剝離加工而形成所需的金屬圖形的步驟，例 如為如下所述的步驟。首先，在復(fù)合基板的壓電基板的表面上涂布光致抗蝕劑。其次，在 所述壓電基板上或與所述壓電基板相隔的上方配置對應(yīng)于所需的金屬圖形的光掩模，隔著 該光掩模照射光線，然后，通過剝離光掩模并顯影而形成光致抗蝕圖形。接著，在形成有光 致抗蝕圖形的面上形成金屬層，通過除去附著有不需要的金屬層的光致抗蝕圖形，形成所 述金屬圖形。在此，假設(shè)支撐基板和有機(jī)粘合層均由可透射用于光刻蝕的光線的材質(zhì)形 成，在該情況下，有時透射通過光致抗蝕劑涂膜的光線，在按照下述順序依次透射通過壓電 基板、有機(jī)粘合層和支撐基板后在支撐基板的底面或載置復(fù)合基板的臺座的表面反射，按 照下述順序依次透射通過支撐基板、有機(jī)粘合層和壓電基板后使光致抗蝕劑中光掩模的陰 影所隱藏的那部分感光。與此相對，本發(fā)明的復(fù)合基板中，由于支撐基板和有機(jī)粘合層的至 少一方能夠吸收用于光刻蝕的光線，因此透射通過光致抗蝕劑的光線被有機(jī)粘合層和支撐 基板的至少一方吸收。因此，光掩模的陰影所隱藏的那部分不會被感光。因此，就所述通過 有機(jī)粘合層粘合壓電基板和支撐基板而得到的復(fù)合基板而言，通過利用了光刻蝕的剝離加 工，能夠高精度地形成所需的金屬圖形。本發(fā)明的第一復(fù)合基板中，所述有機(jī)粘合層，可以使用在粘合劑組成物中添加了 光線吸收成分(例如紫外線吸收成分)的材料來制作。作為粘合劑組成物，可以列舉例如 環(huán)氧樹脂和丙烯酸樹脂等。另外，作為光線吸收成分，除了碳之外，還可以列舉例如鈦等。 在這種情況下，所述支撐基板，可以使用硅制的支撐基板。由于硅的反射率高，因此有機(jī)粘 合層吸收用于光刻蝕的光線的意義就較大。本發(fā)明的第一復(fù)合基板中，所述支撐基板，可以使用在玻璃組成物中添加了光線 吸收成分(例如紫外線吸收成分)的材料來制作。作為玻璃組成物，可以列舉例如鈉鈣玻 璃、硼硅酸玻璃、無堿玻璃和石英玻璃等。另外，作為光線吸收成分，可以列舉例如鐵的氧 化物、鈰的氧化物、鈦的氧化物和鋅的氧化物等金屬氧化物等。例如特開平10-152349號公 報中，記載了在這樣的玻璃組合物中添加了光線吸收成分所得到的材料。另外，優(yōu)選用于 光刻蝕的光線的波長為350nm以上。由于波長為350nm以上的光線容易透射通過玻璃，因 此使用本發(fā)明的意義就大。本發(fā)明的第二復(fù)合基板，具備壓電基板，其能夠透射用于光刻蝕的光線；支撐基板，其能夠透射所述用于光刻蝕的光線；第一有機(jī)粘合層，其能夠透射所述用于光刻蝕的光線，并粘合所述壓電基板和所 述支撐基板；和第二有機(jī)粘合層，其形成在所述支撐基板的與所述第一有機(jī)粘合層相反的面上，其中，所述第二有機(jī)粘合層能夠吸收所述用于光刻蝕的光線。該第二復(fù)合基板中，當(dāng)通過使用了光刻蝕的剝離加工而在壓電基板的表面形成所 需的金屬圖形時，透射通過光致抗蝕劑的光線，在按照下述順序依次透射通過壓電基板、第 一有機(jī)粘合層和支撐基板后被吸收。所以，被光掩模的陰影遮蓋的部分不會被感光。因此， 與第一復(fù)合基板同樣，通過利用了光刻蝕的剝離加工，能夠高精度地形成所需的金屬圖形。 另外，第二有機(jī)粘合層可以使用粘合劑組成物中添加了光線吸收成分而得到的材料制得。本發(fā)明的第二復(fù)合基板，具備金屬箔或補(bǔ)強(qiáng)基板，其通過第二有機(jī)粘合層貼合在所述支撐基板上，并可設(shè)定所述壓電基板的熱膨脹系數(shù)大于所述支撐基板的熱膨脹系數(shù)； 所述金屬箔或補(bǔ)強(qiáng)基板的熱膨脹系數(shù)大于所述支撐基板的熱膨脹系數(shù)。如果如此操作，則 支撐基板能夠抑制溫度變化時的壓電基板的大小的變化，并且，通過在支撐基板的兩側(cè)存 在熱膨脹系數(shù)大的壓電基板和金屬箔或補(bǔ)強(qiáng)基板，能夠防止復(fù)合基板的翹曲。由此，能夠提 高復(fù)合基板的溫度特性。本發(fā)明的金屬圖形的形成方法，包括(a)光致抗蝕劑涂布工序，其中，準(zhǔn)備上述任一種復(fù)合基板，在該復(fù)合基板的壓電 基板表面涂布光致抗蝕劑；(b)光致抗蝕圖形形成工序，其中，在所述壓電基板上或在所述壓電基板的上方配 置對應(yīng)于所需的金屬圖形的光掩模，隔著該光掩模照射光線，然后，通過剝離所述光掩模并 顯影而形成光致抗蝕圖形；和(c)金屬圖形形成工序，其中，在形成有所述光致抗蝕圖形的面上形成金屬層，之 后，通過除去附著有不需要的金屬層的光致抗蝕圖形，形成所述金屬圖形。如果使用該金屬圖形的形成方法，在工序(a)中準(zhǔn)備上述第一復(fù)合基板的情況 下，由于有機(jī)粘合層和支撐基板的至少一方能夠吸收用于光刻蝕的光線，因此透射通過光 致抗蝕劑的光線被支撐基板和有機(jī)粘合層的至少一方吸收。另外，如果在工序(a)中準(zhǔn)備 了上述第二復(fù)合基板的，透射通過光致抗蝕劑的光線被第二有機(jī)粘合層吸收。因此，在任一 種情況下，被光掩模的陰影遮蓋的部分均不被感光。因此，就通過有機(jī)粘合層粘合壓電基板 和支撐基板而得到的復(fù)合基板而言，通過利用了光刻蝕的剝離加工，能夠高精度地形成所 需的金屬圖形。另外，工序(b)中，一般也將在涂布有光致抗蝕劑的壓電基板的上方配置的 光掩模稱為光網(wǎng)(reticulum)。


圖1是模式化地表示彈性表面波裝置用的復(fù)合基板10的剖視圖；圖2是表示有機(jī)粘合劑A C的透射率的圖表；圖3是模式化地表示在復(fù)合基板10的表面形成所需的金屬圖形的過程的剖視 圖；圖4是模式化地表示變形例的復(fù)合基板110的剖視圖；圖5是模式化地表示變形例的復(fù)合基板IlOa的剖視圖；圖6是模式化地表示形成比較例1的金屬圖形的過程的部分剖視圖7是模式化地表示形成比較例2的金屬圖形的過程的部分剖視圖；圖8是表示現(xiàn)有例的壓電基板、有機(jī)粘合層、支撐基板及包含它們的復(fù)合基板的 透射率的圖表。附圖標(biāo)記說明10、110、IlOa 復(fù)合基板11、111 壓電基板12、112 支撐基板13 有機(jī)粘合層14 金屬層
14a金屬圖形20光致抗蝕劑20a光致抗蝕圖形21光掩模30臺座113第一有機(jī)粘合層114第二有機(jī)粘合層115金屬箔
具體實施例方式接著，根據(jù)

本發(fā)明的實施方式。圖1是模式化地表示彈性表面波裝置用 的復(fù)合基板10的剖視圖。該復(fù)合基板10由壓電基板11、支撐基板12和有機(jī)粘合層13構(gòu) 成。壓電基板11是能夠傳播彈性表面波的壓電體的基板。當(dāng)通過使用了光刻蝕的剝 離加工而在復(fù)合基板10上形成所需的金屬圖形時，該金屬圖形在表面形成。該壓電基板11 是能夠透射用于光刻蝕的光線(以下，稱為使用光線)的。在此，作為使用光線，設(shè)定使用 波長為365nm以上的i線(365nm)或g線G36nm)。另外，作為壓電基板11的材質(zhì)，可以列 舉鉭酸鋰、鈮酸鋰、鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體單晶、硼酸鋰、硅酸鎵鑭、水晶等。壓電基板11 的尺寸，沒有特別限制，例如直徑為50 150mm(毫米)，厚度為10 50 μ m。支撐基板12是在壓電基板11上貼合的基板。作為該支撐基板12的材質(zhì)，可以列 舉具有透光性的材質(zhì)，例如鈉鈣玻璃、硼硅酸玻璃、無堿玻璃和石英玻璃等。此處使用的是 硼硅酸玻璃。另外，支撐基板12的材質(zhì)也可以是硅等不太透光的材質(zhì)。另外，支撐基板12 的尺寸并沒有特別的限制，例如直徑為50 150mm，厚度為150 500 μ m。有機(jī)粘合層13是粘合壓電基板11的背面和支撐基板12的表面的層。該有機(jī)粘合 層13是為了吸收使用光線而在作為粘合劑組成物的環(huán)氧樹脂中作為紫外線吸收成分混入 有碳或鈦之后形成的。作為例子，在圖2，表示有機(jī)粘合劑A C的透射率，其中，有機(jī)粘合 劑A是在環(huán)氧樹脂添加有30重量％的碳黑(平均粒徑Mnm)的有機(jī)粘合劑；有機(jī)粘合劑B 是在環(huán)氧樹脂添加有33重量％的鈦黑(平均粒徑90nm)的有機(jī)粘合劑；有機(jī)粘合劑C是僅 由環(huán)氧樹脂形成的有機(jī)粘合劑。另外，圖2中有機(jī)粘合劑A C的厚度均設(shè)定為Ιμπι。如 圖2所示，可以看出有機(jī)粘合劑A的i線、g線的透射率約為0% ；有機(jī)粘合劑B的i線、g 線的透射率約為0. 5%，均明顯小于有機(jī)粘合劑C的透射率(i線、g線的透射率均為90% 以上)。另外，有機(jī)粘合層13例如含有有機(jī)粘合劑B和有機(jī)粘合層C那樣的材料。添加的 碳和鈦的重量％和粒徑，沒有特別限制為上述值，只要適當(dāng)設(shè)定使得有機(jī)粘合層13吸收使 用光線即可。其次，用圖3說明在復(fù)合基板10的表面上形成所需的金屬圖形的過程。圖3是模 式化地表示在復(fù)合基板10的表面形成所需的金屬圖形的過程的示意圖(剖視圖)。首先，如下準(zhǔn)備復(fù)合基板10 在通過有機(jī)粘合層13粘合壓電基板11的背面和 支撐基板12的表面之后，將壓電基板11的表面研磨使其薄化形成復(fù)合基板10(參考圖 3(a))。把該復(fù)合基板10載置在臺座30上，在壓電基板11的表面，使用例如旋轉(zhuǎn)涂布法等均勻地涂布正型的光致抗蝕劑20 (參考圖3(b))。然后，在光致抗蝕劑涂膜20上配置對應(yīng) 于所需的金屬圖形的部分在上下方向貫通的光掩模21 (參考圖3 (c))，隔著該光掩模21從 上方照射使用光線(參考圖3(d))。然后，通過除去光掩模21并顯影，形成光致抗蝕圖形 20a (參考圖3(e))。在此，透射通過壓電基板11的使用光線幾乎全部被有機(jī)粘合層13吸 收。因此，不會發(fā)生使用光線在支撐基板12的背面或臺座30的表面反射而到達(dá)光致抗蝕 劑20中被光掩模的陰影遮蓋的部分的內(nèi)側(cè)，該部分不會感光。接著，在形成有光致抗蝕圖 形20a的面使用上例如通過濺射法形成金屬層14 (參考圖3 (f))。然后，通過使用有機(jī)溶劑 等溶解除去附著有不需要的金屬層的光致抗蝕圖形20a，完成金屬圖形14a (參考圖3 (g))。如果使用以上詳述的本實施方式的復(fù)合基板10，則在被光掩模21的陰影遮蓋的 部分幾乎不會被感光。因此，就通過有機(jī)粘合層13粘合壓電基板11和支撐基板12而得到 的復(fù)合基板10而言，通過利用光刻蝕的剝離加工，能夠高精度地形成所需的金屬圖形。另外，本發(fā)明不受上述實施方式的任何限制，勿庸置疑，本發(fā)明能夠以在屬于本發(fā) 明的技術(shù)范圍的各種實施方式進(jìn)行實施。例如，上述實施方式中，使用了能夠吸收使用光線的有機(jī)粘合層13，然而，代替該 有機(jī)粘合層13或者除了使用有機(jī)粘合層13以外，可以使用能夠吸收使用光線的支撐基板 12。在該情況下，也能夠得到與上述實施方式同樣的效果。上述實施方式中，復(fù)合基板10使用了如圖1所示的結(jié)構(gòu)，然而，也可以使用如圖4 所示的結(jié)構(gòu)。如圖4所示的復(fù)合基板110是具備壓電基板111、支撐基板112、第一有機(jī)粘 合層113和第二有機(jī)粘合層114的復(fù)合基板。壓電基板111與上述壓電基板11同樣。另 外，支撐基板112是含有具有透光性的材質(zhì)的基板。第一有機(jī)粘合層113，由環(huán)氧樹脂、丙 烯酸樹脂等具有透光性的材質(zhì)構(gòu)成，是粘合壓電基板111的背面和支撐基板112的表面的 層。第二有機(jī)粘合劑114，與上述有機(jī)粘合層13同樣，是能夠吸收使用光線的有機(jī)粘合層。 如此構(gòu)成的復(fù)合基板110中，當(dāng)與上述復(fù)合基板10同樣地使用光掩模和光致抗蝕劑而在 壓電基板111上形成金屬圖形時，雖然使用光線透射通過壓電基板111、有機(jī)粘合層113和 支撐基板112，但是第二有機(jī)粘合層114吸收使用光線，因此不會發(fā)生使用光線在支撐基板 112的背面或臺座30的表面反射而到達(dá)光致抗蝕劑中被光掩模的陰影遮蓋的部分的內(nèi)側(cè) 的情況，此部分不會被感光。因此，能夠得到與復(fù)合基板10同樣的效果。另外，復(fù)合基板10 可以使用如圖5所示的結(jié)構(gòu)。如圖5所示的復(fù)合基板110a，是在圖4的復(fù)合基板110中、 在第二有機(jī)粘合層114的背面上存在有金屬箔115的結(jié)構(gòu)，即，是通過第二有機(jī)粘合層粘 合支撐基板112的背面和金屬箔115的表面而構(gòu)成的復(fù)合基板。另外，關(guān)于圖5的復(fù)合基 板IlOa的結(jié)構(gòu)元件內(nèi)與圖4的復(fù)合基板110相同的結(jié)構(gòu)元件，標(biāo)注相同的標(biāo)記而省略其說 明。該復(fù)合基板IlOa中，通過按照壓電基板111和金屬箔115的熱膨脹系數(shù)大于支撐基板 112的熱膨脹系數(shù)的條件進(jìn)行材質(zhì)的適當(dāng)選擇，能夠提高復(fù)合基板IlOa的溫度特性。其理 由在于，支撐基板112能夠抑制溫度變化時的壓電基板111的尺寸的變化，并且，通過在支 撐基板112的兩側(cè)存在比支撐基板12的熱膨脹系數(shù)大的壓電基板111和金屬箔115，能夠 防止復(fù)合基板IlOa的翹曲。作為金屬箔115的材質(zhì)，可以列舉例如鎳、銅、鋼、鋁、青銅和 它們的合金等。金屬箔的厚度，例如為10 50μπι(優(yōu)選10 30μπι)。另外，作為復(fù)合基 板110a，代替金屬箔115、可以使用具備熱膨脹系數(shù)大于支撐基板112的熱膨脹系數(shù)的補(bǔ)強(qiáng) 基板的復(fù)合基板。在該情況下，也與具備金屬箔115的情況同樣，能夠提高復(fù)合基板的溫度特性。作為補(bǔ)強(qiáng)基板的材質(zhì)，可以列舉鉭酸鋰、鈮酸鋰、鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體單晶、硼酸 鋰、硅酸鎵鑭、水晶等。補(bǔ)強(qiáng)基板，既可以使用與壓電基板111相同的材料，也可以使用與其 不同的材料。補(bǔ)強(qiáng)基板的厚度，例如為10 50μπι(優(yōu)選10 30μπι)。另外，在復(fù)合基板 10中，通過使用通過有機(jī)粘合層粘合支撐基板12的背面和上述金屬箔或補(bǔ)強(qiáng)基板的表面 的結(jié)構(gòu)，同樣能夠提高的溫度特性。在該情況下，粘合支撐基板12和金屬箔的有機(jī)粘合層 的材質(zhì)不限于能夠吸收使用光線的材質(zhì)。上述實施方式中，使用了正型的光致抗蝕劑20，然而，可以使用負(fù)型的光致抗蝕 劑，作為光掩模，使用僅覆蓋對應(yīng)于所需的金屬圖形的部分的負(fù)型的光致抗蝕劑。在該情況 下，顯影后呈現(xiàn)與圖3(e)相同的狀態(tài)。實施例[實施例1]作為實施例1，制作如圖1所示的復(fù)合基板10，通過使用了光刻蝕的剝離加工，形 成金屬圖形。具體而言，首先，準(zhǔn)備用作壓電基板11的、厚度為250 μ m、直徑為IOOmm的鉭酸鋰 基板(以下，稱為LT基板)、和用作支撐基板12、厚度為250 μ m、直徑為IOOmm的硼硅酸玻 璃基板。在此，作為LT基板，使用42°旋轉(zhuǎn)、Y向切割、X向傳播的LT基板，其中，以彈性表 面波(SAW)的傳播方向為X向、切割角為旋轉(zhuǎn)的Y切割。接著，在上述硼硅酸玻璃基板的表 面使用旋轉(zhuǎn)涂布法涂布上述有機(jī)粘合劑A，按照使LT基板背面與硼硅酸玻璃基板的涂布有 有機(jī)粘合劑A的一側(cè)粘接來進(jìn)行貼合，加熱至160°C，形成有機(jī)粘合層13的厚度為0. 7μπι 的貼合基板。然后，研磨該貼合基板，直至LT基板的厚度成為30 μ m，制得復(fù)合基板10。接著，在制得的復(fù)合基板10的壓電基板11的表面使用旋轉(zhuǎn)涂布法均勻地涂布正 型的光致抗蝕劑，使其厚度達(dá)0.4 μ m，在10(TC下進(jìn)行預(yù)焙燒處理。其次，在光致抗蝕劑上 配置L/S(Line&Space)為0. 5 μ m(即，線寬為0. 5 μ m，線間距為0. 5 μ m)的光掩模，在在鋁 制的臺座30上載置復(fù)合基板10的狀態(tài)下，隔著光掩模，從復(fù)合基板10的上方照射使用光 線(i線)。然后，剝離光掩模并在抗蝕劑顯影液中浸漬而形成光致抗蝕圖形。在形成有光 致抗蝕圖形的面上使用濺射法形成由厚度為0. 14μπι的鋁構(gòu)成的金屬層。然后，通過使用 有機(jī)溶劑溶解除去附著有不需要的金屬層的光致抗蝕圖形，完成金屬圖形。當(dāng)測定所完成 的金屬圖形的寬度100處時，得到下述結(jié)果，金屬圖形的寬度為0. 5 μ m士0. 05 μ m,標(biāo)準(zhǔn)偏 差 σ 為 0. 02 μ m。[實施例2]作為支撐基板12的材質(zhì)使用硅，代替硼硅酸玻璃。除此以外，與實施例1同樣地 操作，制得復(fù)合基板10，完成金屬圖形。當(dāng)測定所完成的金屬圖形的寬度100處時，得到下 述結(jié)果，金屬圖形的寬度為0.5 μ m士0.05 μ m，標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為0. 02 μ m。[比較例1]通過涂布上述有機(jī)粘合劑C，形成有機(jī)粘合層13。除此以外，與實施例1同樣地操 作，制得復(fù)合基板10，完成金屬圖形。當(dāng)測定所完成的金屬圖形的寬度100處時，得到下述 結(jié)果，金屬圖形的寬度為0. 7 μ m士0. 15 μ m，標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為0. 05 μ m。[比較例2]通過涂布上述有機(jī)粘合劑C，形成有機(jī)粘合層13。除此以外，與實施例2同樣地操作，制得復(fù)合基板10，完成金屬圖形。當(dāng)測定所完成的金屬圖形的寬度100處時，得到下述 結(jié)果，金屬圖形的寬度為0.6 μ m士0. 10 μ m，標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為0. 03 μ m。根據(jù)實施例1、2及比較例1、2，可知有機(jī)粘合層13由有機(jī)粘合劑A構(gòu)成的實施 例1、2，與有機(jī)粘合層13由有機(jī)粘合劑C構(gòu)成的比較例1、2相比，金屬圖形的寬度接近所需 的數(shù)值(0. 5 μ m)，能夠高精度地形成所需的金屬圖形。在此，將模式化地表示形成比較例1、2的金屬圖形的過程的一部分的示意圖分別 表示于圖6、圖7(部分剖視圖)。另外，圖6、7的(a) (c)表示與上述實施方式的圖3 (d) (f)對應(yīng)的過程。如果在在比較例1的復(fù)合基板10上配置光致抗蝕劑20和光掩模21的狀 態(tài)下照射使用光線，則該使用光線透射通過光致抗蝕劑20、壓電基板11、有機(jī)粘合層13、支 撐基板12，在載置有復(fù)合基板10的臺座30的表面反射，到達(dá)光致抗蝕劑涂膜20中被光掩 模21覆蓋的部分的內(nèi)側(cè)(參考圖6(a))。另外，在比較例2的復(fù)合基板10中，使用光線透 射通過光致抗蝕劑20、壓電基板11和有機(jī)粘合層13，在硅制的支撐基板12的表面上，使用 光線發(fā)生反射，到達(dá)光致抗蝕劑涂膜20中被光掩模21覆蓋的部分的內(nèi)側(cè)(參考圖7(a))。 因此，光致抗蝕劑涂膜20中被光掩模21覆蓋的本來不應(yīng)被除去的部分被抗蝕劑顯影液除 去了一部分(用圖6(b)、圖7(b)的虛線包圍的部分為被除去的部分)。然后。當(dāng)其后形成 金屬層14時，在此被部分地除去的部分也形成了作為金屬圖形14a的金屬層14，因此所完 成的金屬圖形14a的寬度大于所需的寬度(參考圖6(c)、圖7(c))。如上所述，可以認(rèn)為 比較例1、2，與實施例1、2相比，金屬圖形14a的寬度變大，該寬度的偏差也變大。實施例 1、2中，有機(jī)粘合層13吸收使用光線，因此能夠防止這樣的金屬圖形1 的寬度的增大和偏 差的增大，從而能夠高精度地形成所需的金屬圖形14a。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合基板，是通過有機(jī)粘合層粘合了能夠透射用于光刻蝕的光線的壓電基板、 和支撐該壓電基板的支撐基板的復(fù)合基板，其中，所述支撐基板和所述有機(jī)粘合層的至少一方能夠吸收所述用于光刻蝕的光線。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合基板，其中，所述有機(jī)粘合層含有在粘合劑組成物中添加 了光線吸收成分的材料。
3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合基板，其中，所述支撐基板是硅制的支撐基板。
4.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合基板，其中，所述支撐基板含有在玻璃組成物中添加 了光線吸收成分的材料。
5.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合基板，其中，所述用于光刻蝕的光線的波長為350nm以上。
6.一種復(fù)合基板，具備壓電基板，其能夠透射用于光刻蝕的光線；支撐基板，其能夠透射所述用于光刻蝕的光線；第一有機(jī)粘合層，其能夠透射所述用于光刻蝕的光線，并粘合所述壓電基板和所述支 撐基板；和第二有機(jī)粘合層，其形成在所述支撐基板的與所述第一有機(jī)粘合層相反的面上，其中，所述第二有機(jī)粘合層能夠吸收所述用于光刻蝕的光線。
7.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合基板，具備金屬箔或補(bǔ)強(qiáng)基板，其通過所述第二有機(jī)粘合層在所述支撐基板粘合，其中，所述壓電基板的熱膨脹系數(shù)大于所述支撐基板的熱膨脹系數(shù)；所述金屬箔或補(bǔ)強(qiáng)基板的熱膨脹系數(shù)大于所述支撐基板的熱膨脹系數(shù)。
8.一種金屬圖形的形成方法，包括(a)光致抗蝕劑涂布工序，其中，準(zhǔn)備權(quán)利要求1 7的任一項中所述的復(fù)合基板，在該 復(fù)合基板的壓電基板表面涂布光致抗蝕劑；(b)光致抗蝕圖形形成工序，其中，在所述壓電基板上或在所述壓電基板的上方配置對 應(yīng)于所需的金屬圖形的光掩模，隔著該光掩模照射光線，然后，通過除去所述光掩模并顯影 而形成光致抗蝕圖形；和(c)金屬圖形形成工序，其中，在形成有所述光致抗蝕圖形的面上形成金屬層，之后，通 過除去附著有不需要的金屬層的光致抗蝕圖形，形成所述金屬圖形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種復(fù)合基板及金屬圖形的形成方法。其中，該復(fù)合基板是一種通過有機(jī)粘合層粘合了壓電基板和支撐基板的復(fù)合基板，利用剝離加工，能夠高精度地形成所需的金屬圖形。復(fù)合基板(10)，是通過有機(jī)粘合層(13)粘合了能夠透射用于光刻蝕的光線的壓電基板(11)、和支撐該壓電基板(11)的支撐基板(12)的復(fù)合基板。該復(fù)合基板(10)中，支撐基板(12)和有機(jī)粘合層(13)的至少一方能夠吸收用于光刻蝕的光線。
文檔編號H03H9/00GK102098019SQ20101017102
公開日2011年6月15日 申請日期2010年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者吉野隆史, 巖崎康范, 鈴木健司 申請人:日本礙子株式會社