專利名稱：金屬層電路版圖形預(yù)修正的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)臨近修正方法。
技術(shù)背景在先進(jìn)光刻工藝中，因曝光圖形尺寸的縮小，須對(duì)光掩模圖形進(jìn)行預(yù) 先的光學(xué)臨近修正，來彌補(bǔ)由光學(xué)系統(tǒng)的有限分辨率造成的光學(xué)臨近效 應(yīng)。之前的大尺寸工藝中，直接按照電路設(shè)計(jì)版圖文件決定的電路版圖形 制作光掩膜圖形。而在尺寸縮小后，通常采用電路設(shè)計(jì)版圖文件作為光學(xué) 臨近修正軟件的輸入文件，對(duì)由該電路設(shè)計(jì)版圖文件決定的電路版圖形 (見圖l，其中外輪廓為金屬層圖形，有填充圖案的方塊區(qū)域?yàn)橐€孔層 圖形)進(jìn)行光學(xué)臨近修正，通過光學(xué)模型仿真對(duì)圖形進(jìn)行修正，得到光掩模圖形(見圖2)。但受光學(xué)系統(tǒng)有限分辨率的限制，和光學(xué)系統(tǒng)高階光 學(xué)信號(hào)的丟失，使光掩膜圖形中的二維圖形，即相鄰的修正片斷不在同一 直線上，構(gòu)成角的圖形(可分為內(nèi)角和外角，內(nèi)角即拐點(diǎn)朝向圖形內(nèi)部， 外角即拐點(diǎn)朝向圖形外部)，無法通過光學(xué)臨近修正在光刻工藝后得到和 電路版圖形完全相同的圖形，而一維圖形是可以的。如果原有電路版圖形 中金屬層和引線孔層交迭空間不足，光刻工藝后金屬層中二維圖形處的引 線孔會(huì)有部分露出而不能被金屬層完全覆蓋(見圖3)，使得最終的金屬 層與孔線層的接觸面積變小，從而影響電路性能?，F(xiàn)有技術(shù)中，有采用把引線孔的電路版圖形放大，再與金屬層的電路
版圖形做或的布爾運(yùn)算，得到的圖形作為新的金屬層電路版圖形的方法(見圖4)，來解決光刻后金屬層和引線孔層交迭空間不足的問題。但是，這種方法不光對(duì)金屬層電路版圖形中的二維圖形進(jìn)行擴(kuò)大，也會(huì)使原來的 一維圖形改變成二維圖形，故這樣對(duì)原有版圖設(shè)計(jì)改變較多，會(huì)增加修正片斷的數(shù)量和二維圖形的數(shù)量(見圖5),從而影響光學(xué)臨近修正的收斂速 度，增加了運(yùn)行時(shí)間。同時(shí)，這種方法修正后得到了光掩模二維圖形大量增 加，也會(huì)增加光掩模版的制作時(shí)間和制作難度。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是金屬層電路版圖形的預(yù)修正方法，其通過 放大金屬層電路版圖形中的二維圖形，增加用光學(xué)臨近修正后的掩膜版進(jìn) 行光刻后的金屬層與引線孔層之間二維交迭空間。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的金屬層電路版圖形的預(yù)修正方法，該 金屬層電路版圖形中包括一維圖形和二維圖形，在用光學(xué)臨近修正軟件對(duì) 金屬層電路版圖形作常規(guī)的光學(xué)臨近修正步驟之前，將所述的金屬層電路 版圖形中的二維圖形放大。本發(fā)明的方法，在不改變金屬層電路版圖形的一維圖形的基礎(chǔ)上，只 對(duì)邊緣上有引線孔層圖形的二維圖形進(jìn)行放大，這樣可盡量小的改變?cè)?版圖設(shè)計(jì)，不增加修正片斷的數(shù)量和二維圖形的數(shù)量，也未影響光學(xué)臨近 修正的時(shí)間，使光刻后的金屬層與引線孔層之間二維交迭空間變大。同時(shí)， 一維圖形的交迭空間如需增大，可用規(guī)則式光學(xué)修正方法進(jìn)行放大，放大 量可自由調(diào)整。而在原有的引線孔放大的方法中， 一維圖形的放大量必須 與二維圖形的放大量相同。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明 圖1為金屬層電路版圖形的一實(shí)例；圖2為圖1的圖形經(jīng)常規(guī)光學(xué)臨近修正后的金屬層光掩膜圖形； 圖3為使用圖2所述的制備光掩膜圖形的光刻模擬； 圖4為常規(guī)引線孔放大后的金屬層電路版圖形；圖5為用圖4的圖形經(jīng)常規(guī)光學(xué)臨近修正后的光掩膜圖形光刻模擬； 圖6為本發(fā)明的方法處理后的金屬層電路版圖形；圖7為圖6中的圖形經(jīng)光刻臨近修正后的光掩膜圖形光刻模擬。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的金屬層電路版圖形預(yù)修正的方法，用于光學(xué)臨近修正軟件對(duì) 金屬層電路版圖形作常規(guī)的光學(xué)臨近修正步驟之前，該金屬層電路版圖形中包括一維圖形和二維圖形，通過將其中的二維圖形放大處理(見圖6)， 以增加實(shí)際光刻后金屬層和引線孔層的交迭空間(見圖7)。將金屬層電路版圖中的二維圖形預(yù)放大可通過以下操作將與金屬層相鄰的引線孔層的電路版圖形信息輸入光學(xué)臨近修正軟件中進(jìn)行匹配，使 金屬層電路版圖形和弓I線孔層電路版圖形進(jìn)行疊加，通過光學(xué)臨近修正軟 件確定的金屬層電路版圖形中的二維圖形的目標(biāo)修正片斷(該目標(biāo)修正片 斷是所有光學(xué)臨近修正軟件根據(jù)相關(guān)光學(xué)原理設(shè)定的)，向疊加后的電路版圖形內(nèi)部垂直搜索一定距離，可用d表示(d〈50nm)，如在此距離內(nèi)找到 所述引線孔層電路版圖形，則將目標(biāo)修正片斷由原來的位置垂直向圖形外 部移動(dòng)一定距離，可用t表示(t〈50nm)，如未找到所述引線孔層電路版圖形
則不移動(dòng)所述修正片斷，從而完成金屬層電路版圖形中的二維圖形的放大。 上述的方法中，還可以用規(guī)則式光學(xué)修正方法對(duì)金屬層電路版圖形中的一維圖形進(jìn)行放大，即將整個(gè)圖形向外部移動(dòng)一定距離，可用a表示， 這里a —般要小于上述二維圖形向外部移動(dòng)的距離t。
權(quán)利要求
1、一種金屬層電路版圖形預(yù)修正的方法，所述金屬層電路版圖形經(jīng)光學(xué)臨近修正后為金屬層光掩膜圖形，該金屬層電路版圖形中包括一維圖形和二維圖形，其特征在于在用光學(xué)臨近修正軟件對(duì)所述金屬層電路版圖形作常規(guī)的光學(xué)臨近修正步驟之前，將所述的金屬層電路版圖形中的二維圖形放大。
2、 按照權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述二維圖形放大方法 為將與所述金屬層相鄰的引線孔層的電路版圖形信息輸入所述光學(xué)臨近 修正軟件中進(jìn)行匹配，使兩層電路版圖形進(jìn)行疊加，將通過所述光學(xué)臨近 修正軟件確定的金屬層電路版圖形中的二維圖形的目標(biāo)修正片斷向疊加后的電路版圖形內(nèi)部垂直搜索距離d，距離d小于50nm，如在所述距離內(nèi)找到 所述引線孔層電路版圖形，則將所述目標(biāo)修正片斷由原來的位置垂直向圖 形外部移動(dòng)距離t，距離t小于50nm，如未找到所述引線孔層電路版圖形則不 移動(dòng)所述修正片斷。
3、 按照權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于還包括用規(guī)則式光學(xué)修 正方法對(duì)所述金屬層電路版圖形中的一維圖形向圖形外部移動(dòng)距離a，所述 距離a小于所述距離t。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種金屬層電路版圖形預(yù)修正的方法，該金屬層電路版圖形中包括一維圖形和二維圖形，其特征在于在用光學(xué)臨近修正軟件對(duì)所述金屬層電路版圖形作常規(guī)的光學(xué)臨近修正步驟之前，將金屬層電路版圖形中的二維圖形放大。經(jīng)本發(fā)明的方法預(yù)修正，最終得到的該金屬層光掩膜圖形光刻后，增加了金屬層與相鄰的引線孔層的交迭空間，同時(shí)本發(fā)明的方法中修正片斷與常規(guī)的光學(xué)臨近修正中的修正片斷一致，并未增加太多的光學(xué)臨近修正程序運(yùn)行的時(shí)間，可用于所有的金屬層電路版圖形光學(xué)臨近修正前的預(yù)修正中。
文檔編號(hào)G03F1/36GK101398613SQ20071009412
公開日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2007年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月29日
發(fā)明者芳 魏 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司