專利名稱：復(fù)合基板及使用其的彈性波器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及復(fù)合基板及使用其的彈性波器件。
背景技術(shù)：
歷來，已知有作為用于便攜式電話等的濾波元件或振蕩器而能夠發(fā)揮功能的彈 性表面波器件、使用了壓電薄膜的蘭姆波元件或薄膜諧振器(FBRA:Film Bulk Acoustic Resonator)等彈性波器件。作為上述彈性表面波器件，已知有將支持基板和傳播彈性表面 波的壓電基板貼合，在壓電基板的表面設(shè)置有能夠激發(fā)彈性表面波的梳狀電極。通過如上 所述將熱膨脹系數(shù)小于壓電基板的支持基板貼合在壓電基板上，抑制溫度變化時的壓電基 板的大小變化，從而抑制作為彈性表面波器件的頻率特性變化。例如，在專利文獻(xiàn)1中，提 出了具有下述結(jié)構(gòu)的彈性表面波器件，即，通過由環(huán)氧樹脂粘合劑形成的粘合層將作為壓 電基板的LT基板(LT為鉭酸鋰的略稱)與作為支持基板的硅基板貼合。如上所述的彈性表 面波器件，通過倒裝焊接(flip chip bonding)由金焊球而載置于陶瓷基板后由樹脂封裝， 將設(shè)置于該陶瓷板背面的電極通過無鉛焊料安裝于印刷配線基板上。另外，也有通過由無 鉛焊料形成的焊球代替金焊球而將上述的彈性表面波器件安裝于陶瓷基板。在此情況下， 同樣地，安裝時通過回流工序使無鉛焊料熔融、再凝固。專利文獻(xiàn)1 特開2007-150931號公報

發(fā)明內(nèi)容
然而，以往的彈性表面波器件，有時存在回流工序結(jié)束后發(fā)生元件斷裂、生產(chǎn)時的 成品率差的問題?？梢哉J(rèn)為這些問題發(fā)生的原因在于，壓電基板與支持基板的熱膨脹系數(shù) 差大，耐受不住回流工序的溫度(260°C左右)。本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，是一種用于彈性波器件的復(fù)合基板，主要目的 在于提供耐熱性優(yōu)異的復(fù)合基板。本發(fā)明為了達(dá)到上述目的采用了以下的方案。本發(fā)明的復(fù)合基板具有壓電基板，其能夠傳播彈性波；支持基板，其在方位 (111)面通過有機(jī)粘合層粘合于上述壓電基板的背面，為熱膨脹系數(shù)小于所述壓電基板的 硅制支持基板。根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合基板，由于壓電基板與硅制的支持基板通過有機(jī)粘合層粘合， 且支持基板的熱膨脹系數(shù)小于壓電基板，因此能夠有效地抑制壓電基板的頻率溫度特性的 變化。另外，相對于支持基板在方位(100)面或方位(110)面與壓電基板粘合的復(fù)合基板相 比，耐熱性更高，例如，將利用該復(fù)合基板而制作的彈性表面波器件安裝于安裝基板上時， 即使采用回流工序，也能夠有效地抑制由于回流時的溫度條件(260°c左右)在彈性表面波 器件中所發(fā)生的斷裂。上述的耐熱性提高的理由可以認(rèn)為是，由于支持基板在方位(111) 面與壓電基板粘合，在被加熱時的熱應(yīng)力在XYZ軸方向被分為3等分，因此每一分力變小。 相對于此，支持基板在方位(100)面或方位(110)面與壓電基板粘合的情況下，由于熱應(yīng)力僅僅被施加于X軸方向或被2等分而施加于XY軸方向，每一分力變大，因而耐熱性不高。


圖1為實(shí)施例1的復(fù)合基板10的立體圖。圖2為模式地表示實(shí)施例1的復(fù)合基板10的制造工序的說明圖。圖3為使用實(shí)施例1的復(fù)合基板10制得的彈性表面波器件30的立體圖。圖4為表示將彈性表面波器件30加載于陶瓷基板40并由樹脂封裝，進(jìn)而安裝到 印刷配線基板60的情形的剖面圖。圖5為蘭姆波元件70的剖面圖。圖6為蘭姆波元件的復(fù)合基板80的剖面圖。圖7為薄膜諧振器90的剖面圖。圖8為薄膜諧振器100的剖面圖。圖9為薄膜諧振器100的復(fù)合基板110的剖面圖。符號說明10、80、110復(fù)合基板，12壓電基板，14支持基板，16粘合層，20貼合基板(研磨前 的復(fù)合基板)，22壓電基板(研磨前)，26環(huán)氧樹脂粘合劑，30彈性表面波器件，32,34 IDT 電極，36反射電極，40陶瓷基板，42、44墊，46、48金焊球，50樹脂，52、54電極，60印刷配線 基板，62、64墊，66、68焊料，70蘭姆波元件，72 IDT電極，74空腔，76金屬膜，90，100薄膜諧 振器，102電極，104空腔，106絕緣膜。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的復(fù)合基板，具有壓電基板，其能夠傳播彈性波；支持基板，其在方位 (111)面通過有機(jī)粘合層粘合于上述壓電基板的背面，為熱膨脹系數(shù)小于該壓電基板的硅 制得，所述復(fù)合基板被用于彈性波器件。在本發(fā)明的復(fù)合基板中，壓電基板和支持基板的熱膨脹系數(shù)差優(yōu)選為10ppm/K以 上。在此情況下，由于兩者的熱膨脹系數(shù)差大，在加熱時容易發(fā)生斷裂，因此適用本發(fā)明的 意義較高。在本發(fā)明的復(fù)合基板中，壓電基板優(yōu)選為鉭酸鋰(LT)、鈮酸鋰(LN)、鈮酸鋰-鉭酸 鋰固溶體單晶、水晶或硼酸鋰，其中，較優(yōu)選為LT或LN。這是由于，LT或LN，彈性表面波的 傳播速度快，機(jī)電耦合系數(shù)大，從而適于用作高頻率且寬帶域頻率用的彈性表面波器件。另 外，壓電基板的主表面的法線方向，沒有特殊的限定，但是，例如，當(dāng)壓電基板由LT形成時， 由于使用以作為彈性表面波傳播方向的X軸為中心從Y軸向Z軸旋轉(zhuǎn)36 47° (例如 42° )的方向的壓電基板傳播損失小，故而優(yōu)選；當(dāng)壓電基板由LN形成時，使用以作為彈性 表面波傳播方向的X軸為中心從Y軸向Z軸旋轉(zhuǎn)60 68° (例如64° )方向的壓電基板 傳播損失小，故而優(yōu)選。進(jìn)而，壓電基板的大小，沒有特殊的限定，例如直徑為50 150mm， 厚度為0. 2 60 μ m。在本發(fā)明的復(fù)合基板中，支持基板為硅制。這是因?yàn)椋?，由于是作為半?dǎo)體器件 制作用的最實(shí)用化的材料，使用上述復(fù)合基板而制得的彈性表面波器件與半導(dǎo)體器件容易 被復(fù)合化。另外，支持基板的大小，沒有特殊的限定，例如，直徑為50 150mm，厚度為100 500 μ m0另外，在壓電基板的熱膨脹系數(shù)為13 20ppm/K的情況下，支持基板的熱膨脹系 數(shù)優(yōu)選為2 7ppm/K。在本發(fā)明的復(fù)合基板中，壓電基板和支持基板通過有機(jī)粘合層被間接地接合。作 為通過有機(jī)粘合層將兩基板間接地接合的方法，例示出以下的方法。即，首先，將兩基板的 粘合面洗凈，除去附著于該粘合面的雜物。接著，在兩基板的粘合面的至少一方均勻地涂布 有機(jī)粘合劑。此后，將兩基板貼合，有機(jī)粘合劑是熱固性樹脂的情況下加熱使其固化，有機(jī) 粘合劑為光固化性樹脂的情況下照射光使其固化。本發(fā)明的復(fù)合基板可以用于彈性波器件。作為彈性波器件，已知有彈性表面波器 件或蘭姆波元件、薄膜諧振器(FBAR)等。例如，彈性表面波器件為在壓電基板的表面上設(shè) 置有激發(fā)彈性表面波的輸入側(cè)的IDTdnterdigitalTransducer)電極(也稱作梳狀電極、 編帶狀電極)和接受彈性表面波的輸出側(cè)的IDT電極的器件。當(dāng)在輸入側(cè)的IDT電極上施 加高頻信號時，在電極間產(chǎn)生電場，彈性表面波被激發(fā)并在壓電基板上傳播開來。從而，從 設(shè)置于傳播方向的輸出側(cè)的IDT電極能夠?qū)⒈粋鞑サ膹椥员砻娌ㄗ鳛殡娦盘柖崛?。?上所述的彈性表面波器件，例如在安裝于印刷配線基板上時能夠采用回流工序。在該回流 工序中，使用無鉛焊料的情況下，雖然彈性表面波器件被加熱到260°C左右，由于利用了本 發(fā)明的復(fù)合基板的彈性表面波器件的耐熱性優(yōu)異，能抑制壓電基板或支持基板的斷裂的發(fā) 生。在本發(fā)明的復(fù)合基板中，壓電基板在背面還可以具有金屬膜。在制造作為彈性波 器件的蘭姆波元件時，金屬膜起到增大壓電基板的背面附近的機(jī)電耦合系數(shù)的作用。在此 情況下，蘭姆波元件構(gòu)成如下，即，在壓電基板的表面形成梳狀電極，通過設(shè)置于支持基板 的空腔露出壓電基板的金屬膜。作為如上處理的金屬膜的材質(zhì)，例如可舉出鋁、鋁合金、銅、 金等。需要說明的是，在制造蘭姆波元件時，也可以使用具有背面沒有金屬膜的壓電基板的 復(fù)合基板。在本發(fā)明的復(fù)合基板中，壓電基板還可以在背面具有金屬膜和絕緣膜。在制造作 為彈性波器件的薄膜諧振器時，金屬膜發(fā)揮電極的作用。在此情況下，薄膜諧振器構(gòu)成如 下，即，在壓電基板的表面和背面形成電極，通過在空腔形成絕緣膜而使壓電基板的金屬膜 露出。作為這樣的金屬膜的材質(zhì)，例如可舉出鉬、釕、鎢、鉻、鋁等。另外，作為絕緣膜的材質(zhì)， 例如可舉出二氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等。能用于本發(fā)明的復(fù)合基板的壓電基板及支持基板的代表性材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)示 于表1。表 1
材料熱膨脹系數(shù)(ppm/K)壓電基 板鉭酸鋰(LT)16.1鈮酸鋰(LN)15.4水晶13.7硼酸鋰13支持基 板硅3 實(shí)施例
實(shí)施例1圖1為本實(shí)施例的復(fù)合基板10的立體圖。該復(fù)合基板10是用于彈性表面波器件 的復(fù)合基板，在一處形成有平坦的圓形。該平坦部分為被稱為定向平面(OF)的部分，可以 用于在彈性表面波器件制造工序中進(jìn)行諸操作時檢出晶圓位置或方向等。本實(shí)施例的復(fù)合 基板10，具有能夠傳播彈性表面波且由鉭酸鋰(LT)形成的壓電基板12、在方位(111)面 上與壓電基板12粘合且由硅形成支持基板14、將兩基板12、14粘合的粘合層16。壓電基 板12的直徑為100mm、厚度為30 μ m、熱膨脹系數(shù)為16. lppm/K。該壓電基板12為，以作為 彈性表面波傳播方向的X軸為中心，從Y軸向Z軸旋轉(zhuǎn)42 °的、42 ° Y切X傳播LT基板。 支持基板14，直徑為100mm、厚度為350 μ m、熱膨脹系數(shù)為3ppm/K。因此，兩者的熱膨脹系 數(shù)差為13. lppm/K。粘合層16為熱固性的環(huán)氧樹脂粘合劑固化所得，厚度為0. 3 μ m。對于上述的復(fù)合基板10的制造方法，利用圖2進(jìn)行說明。圖2為模式地表示復(fù) 合基板10的制造工序的說明圖(剖面圖)。首先，作為支持基板14，預(yù)備具有OF、直徑為 100mm、厚度為350 μ m、面方位為(111)的硅基板。另外，作為研磨前的壓電基板22，預(yù)備具 有OF、直徑為100mm、厚度為250μπι的42° Y切X傳播LT基板(參考圖2 (a))。接著，在 壓電基板22的背面通過旋涂法涂布熱固性的環(huán)氧樹脂粘合劑26，使其與支持基板14表面 重合后，通過在180°C加熱使環(huán)氧樹脂粘合劑26固化，從而得到貼合基板(研磨前復(fù)合基 板)20。該貼合基板20的粘合層16為環(huán)氧樹脂粘合劑26固化所得(參考圖2 (b))。此時 的粘合層16的厚度為0. 3 μ m。接著，通過研磨機(jī)將壓電基板22的厚度研磨至30μπι(參考圖2(c))。作為研磨 機(jī)，使用首先將壓電基板22的厚度減薄、此后進(jìn)行鏡面研磨的研磨機(jī)。將厚度減薄時，采用 在拋光板和壓盤之間插入貼合基板20，向該貼合基板20與拋光板之間供給含有研磨砂礫 的漿料，通過該壓盤將該貼合基板20抵壓在拋光面上的同時使壓盤自轉(zhuǎn)。接著，在進(jìn)行鏡 面研磨時，使拋光板表面貼附有墊的同時，將研磨砂粒變?yōu)榱６忍柛叩纳傲＃ㄟ^在壓盤上 施加自轉(zhuǎn)運(yùn)動與公轉(zhuǎn)運(yùn)動，對壓電基板22的表面進(jìn)行鏡面研磨。首先，將貼合基板20的壓 電基板22的表面抵壓在拋光板面上，以旋轉(zhuǎn)速度為IOOrpm的自轉(zhuǎn)運(yùn)動進(jìn)行了連續(xù)60分鐘 的研磨。接著，使拋光板表面貼附有墊的同時，將研磨砂粒變?yōu)榱６忍柛叩纳傲?，?. 2MPa 壓力將貼合基板20抵壓在拋光板面上，以自轉(zhuǎn)運(yùn)動的旋轉(zhuǎn)速度為IOOrpm、公轉(zhuǎn)運(yùn)動的旋轉(zhuǎn) 速度為IOOrpm進(jìn)行了連續(xù)60分鐘的鏡面研磨。結(jié)果，研磨前的壓電基板22變?yōu)檠心ズ蟮?壓電基板12，完成了復(fù)合基板10的制備。復(fù)合基板10，此后利用通常的光刻技術(shù)使其成為多個彈性表面波器件的集合體， 然后通過沖切切出一個一個的彈性表面波器件30。此時的情形示于圖3。彈性表面波器件 30，在壓電基板12的表面通過光刻技術(shù)形成有IDT電極32、34和反射電極36。所得到的 彈性表面波器件30，通過如下處理被安裝在印刷配線基板60上。即，如圖4所示，通過金 焊球46、48將IDT電極32、34與陶瓷基板40的墊42、44連接后，在該陶瓷基板40之上通 過樹脂50進(jìn)行封裝。接著，使無鉛焊料糊劑介于設(shè)置于該陶瓷基板40的背面的電極52、 54和印刷配線基板60的墊62、64之間，此后通過回流工序被安裝于印刷配線基板60。需 要說明的是，在圖4中表示的是焊料糊劑溶融、再固化后的焊料66、68。需要說明的是，也可以代替彈性表面波器件30而由復(fù)合基板10制作如圖5 (a)所 示的蘭姆波元件70。蘭姆波元件70具有如下結(jié)構(gòu)，即在壓電基板12的表面具有IDT電極
672，在支持基板14上設(shè)置空腔74從而使壓電基板12的背面露出。上述蘭姆波元件70，如 圖5(b)所示，也可以在壓電基板12的背面具有鋁制的金屬膜76。在此情況下，如圖6所 示，改為使用在壓電基板12的背面有金屬膜76的復(fù)合基板80。在上述復(fù)合基板10的制造 方法(圖2)中，代替壓電基板12只要使用背面有金屬膜76的壓電基板12即能夠制造該 復(fù)合基板80。另外，如圖7所示，在薄膜諧振器90也可以適用圖6所示的下述復(fù)合基板80，即， 以與圖5(a)相同的結(jié)構(gòu)僅在壓電基板12的表面及背面形成電極。進(jìn)而，還可以制作圖8所示的薄膜諧振器100。薄膜諧振器100具有下述結(jié)構(gòu)，即， 在壓電基板12的表面具有電極102，在支持基板14和作為壓電基板12的背面電極發(fā)揮作 用的金屬膜76之間設(shè)置有空腔104?？涨?04，通過酸性溶液(例如，氟硝酸、氫氟酸等) 蝕刻絕緣膜106和粘合層16而得到。另外，作為絕緣膜106的材質(zhì)，例如，可舉出二氧化硅 或磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等。本實(shí)施例使用二氧化硅。進(jìn)而，絕緣膜106的厚度沒有特殊的 限定，為0. 1 2 μ m。該薄膜諧振器100，如圖9所示，可以使用在壓電基板12的背面具有 金屬膜76及絕緣膜106的復(fù)合基板110來制得。比較例1除了使用面方位為(100)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例1同樣地制作 復(fù)合基板10。比較例2除了使用面方位為(110)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例1同樣地制作 復(fù)合基板10。耐熱性的評價1對于實(shí)施例1及比較例1、2的復(fù)合基板10，放入加熱爐中研究升溫至280°C時的 情形。其結(jié)果，實(shí)施例1的復(fù)合基板10直至280°C壓電基板12也好支持基板14也好均未 發(fā)生斷裂。另一方面，比較例1的復(fù)合基板10，從200°C開始，相對OF幾乎平行方向上壓電 基板12發(fā)生斷裂，在280°C壓電基板12幾乎所有面上發(fā)生斷裂。另外，比較例2的復(fù)合基 板10，從250°C開始相對OF幾乎平行方向上壓電基板12發(fā)生斷裂，在280°C壓電基板12幾 乎所有面上發(fā)生斷裂。由此可知，相比于比較例1、2而言實(shí)施例1的復(fù)合基板10的耐熱性 格外高。實(shí)施例2支持基板14的厚度為250 μ m,粘合層16是代替環(huán)氧樹脂粘合劑26而使丙烯酸樹 脂粘合劑固化得到的厚度為0. 6 μ m的層，除此之外，與實(shí)施例1同樣地制作100枚復(fù)合基 板10。比較例3除了使用面方位為(100)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例2同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。比較例4除了使用面方位為(110)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例2同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。耐熱性評價2
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實(shí)施例2及比較例3、4的復(fù)合基板10，對于所有制得的基板均未發(fā)生斷裂。將上 述復(fù)合基板10放入加熱爐升溫至280°c，此后在280°C進(jìn)行1小時的加熱處理。其結(jié)果，實(shí) 施例2的復(fù)合基板10，其壓電基板12也好支持基板14也好均未發(fā)生斷裂或裂紋。另一方 面，比較例3的復(fù)合基板10，所有50枚中的壓電基板12均發(fā)生斷裂或裂紋。另外，比較例 4的復(fù)合基板10，50枚中有35枚的壓電基板12發(fā)生斷裂或裂紋。由此可知，與比較例3、4 相比，實(shí)施例2的復(fù)合基板10的耐熱性格外高。實(shí)施例3支持基板14的厚度為200 μ m，壓電基板12的厚度為20 μ m,粘合層16是代替環(huán) 氧樹脂粘合劑26而使丙烯酸樹脂粘合劑固化得到的厚度為0. 6 μ m的層，除此之外，與實(shí)施 例1同樣地制作100枚復(fù)合基板10。比較例5除了使用面方位為(100)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例3同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。比較例6除了使用面方位為(110)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例3同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。耐熱性評價3實(shí)施例3及比較例5、6的復(fù)合基板10，對于所有制得的基板均未發(fā)生斷裂。將上 述復(fù)合基板10放入加熱爐升溫至280°c，此后在280°C進(jìn)行1小時的加熱處理。其結(jié)果，實(shí) 施例3的復(fù)合基板10，其壓電基板12也好支持基板14也好均未發(fā)生斷裂或裂紋。另一方 面，比較例5的復(fù)合基板10，所有50枚中的壓電基板12均發(fā)生斷裂或裂紋。另外，比較例 6的復(fù)合基板10，50枚中有40枚的壓電基板12發(fā)生斷裂或裂紋。由此可知，與比較例5、6 相比，實(shí)施例3的復(fù)合基板10的耐熱性格外高。實(shí)施例4壓電基板12為36° Y切X傳播LT基板，粘合層16是代替環(huán)氧樹脂粘合劑沈而 使丙烯酸樹脂粘合劑固化得到的厚度為0. 6 μ m的層，除此之外與實(shí)施例1同樣地制作100 枚復(fù)合基板10。比較例7除了使用面方位為(100)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例4同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。比較例8除了使用面方位為(110)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例4同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。耐熱性評價4實(shí)施例4及比較例7,8的復(fù)合基板10，對于所有制得的基板均未發(fā)生斷裂。將上 述復(fù)合基板10放入加熱爐升溫至280°c，此后在280°C進(jìn)行1小時的加熱處理。其結(jié)果，實(shí) 施例4的復(fù)合基板10，其壓電基板12也好支持基板14也好均未發(fā)生斷裂或裂紋。另一方 面，比較例7的復(fù)合基板10，所有50枚中的壓電基板12均發(fā)生斷裂或裂紋。另外，比較例 8的復(fù)合基板10，50枚中有32枚的壓電基板12發(fā)生斷裂或裂紋。由此可知，與比較例7、8相比，實(shí)施例4的復(fù)合基板10的耐熱性格外高。實(shí)施例5壓電基板12為47° Y切X傳播LT基板，粘合層16是代替環(huán)氧樹脂粘合劑沈而 使丙烯酸樹脂粘合劑固化得到的厚度為0. 6 μ m的層，除此之外與實(shí)施例1同樣地制作100 枚復(fù)合基板10。比較例9除了使用面方位為(100)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例5同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。比較例10除了使用面方位為(110)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例5同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。耐熱性評價5實(shí)施例5及比較例9、10的復(fù)合基板10，對于所有制得的基板均未發(fā)生斷裂。將上 述復(fù)合基板10放入加熱爐升溫至280°c，此后在280°C進(jìn)行1小時的加熱處理。其結(jié)果，實(shí) 施例5的復(fù)合基板10，其壓電基板12也好支持基板14也好均未發(fā)生斷裂或裂紋。另一方 面，比較例9的復(fù)合基板10，所有50枚中的壓電基板12均發(fā)生斷裂或裂紋。另外，比較例 10的復(fù)合基板10，50枚中有38枚的壓電基板12發(fā)生斷裂或裂紋。由此可知，與比較例9、 10相比，實(shí)施例5的復(fù)合基板10的耐熱性格外高。實(shí)施例6壓電基板12是64° Y切X傳播LT基板，粘合層16是代替環(huán)氧樹脂粘合劑沈而 使丙烯酸樹脂粘合劑固化得到的厚度為0. 6 μ m的層，除此之外與實(shí)施例1同樣地制作100 枚復(fù)合基板10。比較例11除了使用面方位為(100)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例6同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。比較例12除了使用面方位為(110)的硅基板作為支持基板14之外，與實(shí)施例6同樣地制作 50枚復(fù)合基板10。耐熱性評價6實(shí)施例6及比較例11、12的復(fù)合基板10，對于所有制得的基板均未發(fā)生斷裂。將 上述復(fù)合基板10放入加熱爐升溫至280°c，此后在280°C進(jìn)行1小時的加熱處理。其結(jié)果， 實(shí)施例6的復(fù)合基板10，其壓電基板12也好支持基板14也好均未發(fā)生斷裂或裂紋。另一 方面，比較例11的復(fù)合基板10，所有50枚中的壓電基板12均發(fā)生斷裂或裂紋。另外，比較 例12的復(fù)合基板10，50枚中有40枚的壓電基板12發(fā)生斷裂或裂紋。由此可知，與比較例 11、12相比，實(shí)施例6的復(fù)合基板10的耐熱性格外高。實(shí)施例7與實(shí)施例6同樣地制作50枚復(fù)合基板10。比較例13使用在面方位為(111)的硅基板上通過熱處理形成厚度為0.5μπι的SiO2層的硅基板支持基板14，代替通過粘合層16貼合支持基板14和壓電基板12，而在真空中向作為 粘合面的壓電基板12的背面和SiO2層的表面照射Ar惰性氣體從而使壓電基板12和支持 基板14直接粘合，除此之外，與實(shí)施例7同樣地制作50枚復(fù)合基板10。耐熱性評價7實(shí)施例7及比較例13的復(fù)合基板10，對于所有制得的基板均未發(fā)生斷裂。將上述 復(fù)合基板10放入加熱爐升溫至300°c，此后在300°C進(jìn)行1小時的加熱處理。其結(jié)果，實(shí)施 例7的復(fù)合基板10，其壓電基板12也好支持基板14也好均未發(fā)生斷裂或裂紋。另一方面， 比較例13的復(fù)合基板10，所有50枚中的壓電基板12均發(fā)生斷裂或裂紋。由此可知，與比 較例13相比，實(shí)施例7的復(fù)合基板10的耐熱性格外高。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合基板，其具有壓電基板，所述壓電基板能夠傳播彈性波；支持基板，所述支持基板在方位(111)面通過有機(jī)粘合層粘合于上述壓電基板的背 面，為熱膨脹系數(shù)小于所述壓電基板的硅制支持基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合基板，其中，所述壓電基板在背面具有金屬膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合基板，其中，所述壓電基板在背面具有金屬膜和絕緣膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其中，所述壓電基板和所述支持基板 的熱膨脹系數(shù)差為10ppm/K以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合基板，其中，上述壓電基板由鉭酸鋰、鈮酸鋰、鈮酸鋰-鉭 酸鋰固溶體單結(jié)晶、水晶或硼酸鋰形成。
6.一種彈性表面波濾波器，其使用權(quán)利要求5所述的復(fù)合基板而形成。
7.一種彈性表面波諧振器，其使用權(quán)利要求5所述的復(fù)合基板而形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種復(fù)合基板，其用于彈性表面波器件，耐熱性優(yōu)異。復(fù)合基板(10)具有壓電基板(12)，其由鉭酸鋰(LT)形成，能夠傳播彈性波；支持基板(14)，其在方位(111)面通過有機(jī)粘合層粘合于上述壓電基板(12)的背面，其為熱膨脹系數(shù)小于所述壓電基板的硅制支持基板；粘合兩基板(12)、(14)的粘合層(16)。
文檔編號H03H9/145GK102130663SQ20101017103
公開日2011年7月20日 申請日期2010年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月14日
發(fā)明者鈴木健司 申請人:日本礙子株式會社