本實(shí)用新型涉及開關(guān)電源領(lǐng)域，具體涉及一種提高貼片整流MOS管散熱性能的開關(guān)電源。

背景技術(shù)：

200W/300W開關(guān)電源用在工業(yè)控制、LED顯示屏等電器內(nèi)得到廣泛應(yīng)用。開關(guān)電源通常由外殼以及安裝在外殼內(nèi)的電路板及相關(guān)器件構(gòu)成。電路板上設(shè)置有相關(guān)電路，電路由大量電子元器件構(gòu)成。由于開關(guān)電源的應(yīng)用環(huán)境制約，開關(guān)電源的外殼尺寸通常較小，輸出電壓相對(duì)較低，而輸出功率相對(duì)較大。因而輸出電流相對(duì)較大，使得開關(guān)電源工作時(shí)其內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生較多的熱量，特別是輸出整流管是開關(guān)電源的主要發(fā)熱器件之一。針對(duì)此問題，現(xiàn)在的開關(guān)電源多采用同步整流技術(shù)采用貼片MOS管封裝來降低輸出整流管上的損耗從而減小電源的整體發(fā)熱，以降低輸出整流管的損耗，但由于貼片封裝的同步整流MOS管相對(duì)于插件式的同步整流MOS管體積更小，熱容量低，所以如何將貼片封裝的同步整流MOS管內(nèi)的熱量更快的導(dǎo)出到外殼上去成為了這種技術(shù)的主要瓶頸問題。常見的貼片整流MOS管散熱方法是在貼片整流MOS管和外殼之間加裝高導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱硅膠片，將貼片整流MOS管的熱量傳遞到外殼上進(jìn)行散熱。然而，由于安全間距的要求以及受電路裝置中其它器件的高度限制，開關(guān)電源的電路板底板距外殼的高度多為3 mm，因而需要采用厚度在3 mm以上的高導(dǎo)熱硅膠片，但是，隨著導(dǎo)熱硅膠片厚度的增加，散熱效果迅速下降，同時(shí)使得導(dǎo)熱硅膠成本上升，而且為了達(dá)到同等散熱效果，需提高導(dǎo)熱硅膠片的導(dǎo)熱系數(shù)，進(jìn)一步提高了開關(guān)電源的成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供一種提高貼片整流MOS管散熱性能的開關(guān)電源，其通過外殼底座結(jié)構(gòu)以及貼片整流MOS管的安裝方式的改進(jìn)設(shè)計(jì)，大幅減小貼片整流MOS管與底座間的導(dǎo)熱硅膠片厚度，降低開關(guān)電源成本且提升貼片整流MOS管散熱效果。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：本實(shí)用新型的提高貼片整流MOS管散熱性能的開關(guān)電源，提高貼片整流MOS管散熱性能的開關(guān)電源，包括外殼、電路裝置和導(dǎo)熱硅膠片；上述的外殼包括固定連接的上蓋和底座；底座包括一體連接的底板、前側(cè)板和后側(cè)板；電路裝置包括固定設(shè)置在底座的底板上的電路板，電路板上設(shè)有包括輸出整流單元的2～4只貼片整流MOS管的電路，其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是：

上述的底座的底板上設(shè)有1個(gè)與底板成一體并向上突出的凸臺(tái)；凸臺(tái)具有上端面和下端口；各貼片整流MOS管設(shè)置在電路板的下端面上，且各貼片整流MOS管的正面通過導(dǎo)熱硅膠片與凸臺(tái)的上端面緊密接觸。

進(jìn)一步的方案是：上述的凸臺(tái)的上端面和下端口呈方形。

進(jìn)一步的方案是：上述的凸臺(tái)的上端面尺寸為24 mm×20mm，凸臺(tái)的下端口尺寸為28 mm×23.2mm，凸臺(tái)的前后向中心線與底座的后側(cè)板距離為27.6mm。

進(jìn)一步的方案是：上述的外殼的上蓋和底座的材質(zhì)為鋁。

本實(shí)用新型具有積極的效果：本實(shí)用新型的提高貼片MOS管散熱性能的開關(guān)電源，其通過在外殼底座的底板上設(shè)置一個(gè)與底板成一體的向上突出的凸臺(tái)，將開關(guān)電源電路中輸出整流用的各貼片整流MOS管設(shè)于電路板的下端面上，并通過導(dǎo)熱硅膠片與底板上的凸臺(tái)的上端面緊密接觸，經(jīng)種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)較之于現(xiàn)有技術(shù)，優(yōu)點(diǎn)在于：一方面使得導(dǎo)熱硅膠片的厚度大幅減小，從而降低了開關(guān)電源的成本；另一方面由于導(dǎo)熱硅膠片的厚度大幅減小，從而大幅降低了貼片整流MOS管通過導(dǎo)熱硅膠片與底座之間熱傳遞的熱阻，從而增強(qiáng)了散熱效果，提高了貼片整流MOS管的工作可靠性。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1俯視圖；

圖3為圖1中的底座的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3的俯視圖；

圖5為圖3的右視圖；

圖6為圖1中去掉外殼上蓋后示意性的左視圖。

上述附圖中的附圖標(biāo)記如下：

上蓋1，底座2，底板21，前側(cè)板22，后側(cè)板23，凸臺(tái)24；

電路板3，貼片整流MOS管4，導(dǎo)熱硅膠片5。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

（實(shí)施例1）

本實(shí)施例的提高貼片整流MOS管散熱性能的開關(guān)電源，其主要由外殼和電路裝置組成。

見圖1和圖2，外殼主要由上蓋1和底座2組成，上蓋1和底座2的材質(zhì)優(yōu)選為散熱性好的鋁。組裝時(shí)，上蓋1固定安裝在底座2的上方。

參見圖3至圖5，底座2主要由底板21、前側(cè)板22和后側(cè)板23一體組成；底板21的中部偏左側(cè)位置設(shè)有1個(gè)與底板成一體并向上突出的凸臺(tái)24；凸臺(tái)24的上端面和下端口呈方形；本實(shí)施例中，凸臺(tái)24的上端面尺寸優(yōu)選采用24 mm×20mm，凸臺(tái)24的下端口尺寸優(yōu)選采用28 mm×23.2mm，凸臺(tái)24的前后向的中心線與后側(cè)板23的距離優(yōu)選采用27.6mm。

參見圖6，電路裝置包括固定設(shè)置在底座2的底板21上的電路板3，電路板3上設(shè)有電路，電路中包括輸出整流單元的2～4只貼片整流MOS管4等元件。開關(guān)電源的電路裝置為現(xiàn)有成熟技術(shù)，不做詳述。貼片整流MOS管4為開關(guān)電源的主要功率發(fā)熱器件之一。

各貼片整流MOS管4設(shè)于電路板3的下端面上，各貼片整流MOS管4的正面通過導(dǎo)熱硅膠片5與底座2的底板21的凸臺(tái)24的上端面緊密接觸。

各貼片整流MOS管4采用本實(shí)施例的安裝方式，其較之于現(xiàn)有技術(shù)，優(yōu)點(diǎn)在于：導(dǎo)熱硅膠片5的厚度大幅減小，從而降低了開關(guān)電源的成本；另一方面由于導(dǎo)熱硅膠片5的厚度大幅減小，從而大幅降低了貼片整流MOS管4通過導(dǎo)熱硅膠片與底座2的底板21之間熱傳遞的熱阻，從而增強(qiáng)了散熱效果，提高了貼片整流MOS管4的工作可靠性。

以上實(shí)施例是對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式的說明，而非對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變換和變化而得到相對(duì)應(yīng)的等同的技術(shù)方案，因此所有等同的技術(shù)方案均應(yīng)該歸入本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍。