本實(shí)用新型屬于LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及大功率貼片LED。

背景技術(shù)：

LED貼片封裝中，需要導(dǎo)電體與絕緣體組成LED封裝支架，封裝支架上形成絕緣分隔的封裝正負(fù)極，現(xiàn)有技術(shù)的大功率貼片LED，兩顆LED晶片封裝集中封裝在面積大的封裝負(fù)極一側(cè)，封裝正極沒有封裝晶片，這樣的散熱熱阻大，散熱效果差，造成封裝的LED亮度低、光衰快。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的所要解決的技術(shù)問題就是提供一種散熱性能優(yōu)、熱阻低、成本低、產(chǎn)品壽命長的高散熱大功率貼片LED。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案為：

一種高散熱大功率貼片LED，包括封裝支架、封裝電極和LED晶片，所述封裝支架提供所述散熱大功率貼片LED的封裝框體，每一所述封裝支架封裝兩所述LED晶片，所述封裝支架形成電絕緣分隔的兩所述封裝電極，兩所述封裝電極尺寸面積相等。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝電極包括封裝正極和封裝負(fù)極。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝正極與所述LED晶片的正極電連接，所述封裝負(fù)極與所述LED晶片的負(fù)極電連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝正極和所述封裝負(fù)極為關(guān)于絕緣分隔軸對(duì)稱的半圓形。

相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的高散熱大功率貼片LED，兩顆LED晶片分別封裝在面積等大的正極和負(fù)極上，熱阻低，散熱性能好，亮度高、光衰低，LED封裝產(chǎn)品壽命長。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的高散熱大功率貼片LED結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，10--封裝電極；11--封裝正極；12--封裝負(fù)極；20--LED晶片；30--封裝支架。

具體實(shí)施方式

下面參考附圖并結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，以下各實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

圖1給出了本實(shí)用新型的高散熱大功率貼片LED結(jié)構(gòu)主視圖，由圖1可知，該高散熱大功率貼片LED，包括封裝支架30、封裝電極10和LED晶片20，封裝支架30提供散熱大功率貼片LED的封裝框體，每一封裝支架30封裝兩LED晶片20，封裝支架30形成電絕緣分隔的兩封裝電極10，兩封裝電極10尺寸面積相等。封裝電極10包括封裝正極11和封裝負(fù)極12。封裝正極11與LED晶片20的正極電連接，封裝負(fù)極12與LED晶片的負(fù)極電連接。封裝正極11和封裝負(fù)極12為關(guān)于絕緣分隔軸對(duì)稱的半圓形。

從上面可知，本實(shí)用新型的高散熱大功率貼片LED，兩顆LED晶片分別封裝在面積等大的正極和負(fù)極上，熱阻低，散熱性能好，亮度高、光衰低，LED封裝產(chǎn)品壽命長。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。