本實用新型涉及LED導(dǎo)線架技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種UV芯片導(dǎo)線架模組。

背景技術(shù)：

隨著各種電子器件集成時代的到來，電子整機對電路小型化、高密度、多功能性、高可靠性、高速度及大功率化提出了更高的要求，因為共燒多層陶瓷基板能夠滿足電子整機對電路的諸多要求，所以在近幾年獲得了廣泛的應(yīng)用。共燒多層陶瓷基板可分為高溫共燒多層陶瓷(HTCC)基板和低溫共燒多層陶瓷(LTCC)基板兩種。高溫共燒陶瓷與低溫共燒陶瓷相比具有機械強度高、布線密度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、散熱系數(shù)高和材料成本低等優(yōu)點，在熱穩(wěn)定性要求更高、高溫?fù)]發(fā)性氣體要求更小、密封性要求更高的發(fā)熱及封裝領(lǐng)域，得到了更為廣泛的應(yīng)用。HTCC陶瓷發(fā)熱片主要是替代現(xiàn)在使用最廣泛的合金絲電熱元件和PTC 電熱元件及其組件。合金絲電熱元件存在高溫容易氧化、壽命短、有明火不安全、熱效率低、加熱不均勻等缺點;而PTC 電熱元件的加熱溫度一般只有200℃左右，加熱溫度高于120℃的則普遍采用四氧化三鉛，由于含鉛量大而正屬被淘汰的產(chǎn)品。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述技術(shù)中存在的不足之處，本實用新型提供一種可增加載體光反射率、降低光衰、增加可靠性的UV芯片導(dǎo)線架模組。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種UV芯片導(dǎo)線架模組，包括導(dǎo)線架本體、設(shè)置在導(dǎo)線架本體上的多個基板和由基板延伸出的多個多邊形陶瓷碗杯，每個多邊形陶瓷碗杯的底部兩側(cè)分別設(shè)有可鍵合倒裝芯片的功能區(qū)，且兩側(cè)功能區(qū)與基板之間均通過連接層固定連接；兩側(cè)功能區(qū)的表面均通過磁控濺射的方式金屬化后電鍍有金屬鍍層，兩側(cè)功能區(qū)之間設(shè)有隔離板，且兩側(cè)功能區(qū)通過隔離板隔離；UV芯片的正電極倒裝鍵合在一側(cè)功能區(qū)上，且UV芯片的負(fù)電極倒裝鍵合在另一側(cè)功能區(qū)上后，UV芯片、金屬鍍層、連接層及基板依次電連接。

其中，兩側(cè)功能區(qū)的厚度均比隔離板的厚度大，且兩側(cè)功能區(qū)與隔離板之間形成臺階結(jié)構(gòu)。

其中，所述連接層和金屬鍍層的厚度均為60-120微米。

其中，所述金屬鍍層為銀層或金層，所述隔離板為PPA塑料，所述基板的材質(zhì)為氧化鋁、氮化鋁、EMC、SMC、銅或鋁中的一種，且所述連接層的材質(zhì)為鎳、銅或金中的一種。

其中，所述多邊形陶瓷碗杯的形狀為對稱的四邊形、五邊形、六邊形、七邊形或八邊形中的一種。

本實用新型的有益效果是：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供的UV芯片導(dǎo)線架模組，適用于UV芯片倒裝鍵合在功能區(qū)上，兩個功能區(qū)之間通過隔離板隔開，倒裝鍵合在功能區(qū)上的方式使得熱電分離，有效降低光衰，且增加了產(chǎn)品的可靠性，方便二次光學(xué)透鏡組裝；在兩側(cè)功能區(qū)的表面均通過磁控濺射的方式金屬化后電鍍有金屬鍍層，磁控濺射的方式使得功能區(qū)表面金屬化，利于電鍍金屬鍍層，有效增加功能區(qū)的光反射率；多邊形陶瓷碗杯有利于增加碗杯深度，提升角度及亮度，防潮效果好。

附圖說明

圖1為本實用新型的UV芯片導(dǎo)線架模組的單個基板的立體圖；

圖2為本實用新型的UV芯片導(dǎo)線架模組的單個基板的俯視圖；

圖3為本實用新型的UV芯片導(dǎo)線架模組的單個基板的第一剖視圖；

圖4為本實用新型的UV芯片導(dǎo)線架模組的單個基板的第二剖視圖。

主要元件符號說明如下：

1、基板 2、多邊形陶瓷碗杯

3、金屬鍍層 4、連接層

21、功能區(qū) 22、隔離板。

具體實施方式

為了更清楚地表述本實用新型，下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步地描述。

請參閱圖1-4，本實用新型的UV芯片導(dǎo)線架模組，包括導(dǎo)線架本體（圖未示）、設(shè)置在導(dǎo)線架本體上的多個基板1和由基板1延伸出的多個多邊形陶瓷碗杯2，每個多邊形陶瓷碗杯2的底部兩側(cè)分別設(shè)有可鍵合倒裝芯片的功能區(qū)21，且兩側(cè)功能區(qū)21與基板1之間均通過連接層4固定連接；兩側(cè)功能區(qū)21的表面均通過磁控濺射的方式金屬化后電鍍有金屬鍍層3，兩側(cè)功能區(qū)21之間設(shè)有隔離板22，且兩側(cè)功能區(qū)21通過隔離板22隔離；UV芯片的正電極倒裝鍵合在一側(cè)功能區(qū)21上，且UV芯片的負(fù)電極倒裝鍵合在另一側(cè)功能區(qū)21上后，UV芯片、金屬鍍層3、連接層4及基板1依次電連接。多個基板1在導(dǎo)線架本體上為連片設(shè)計，利于提高生產(chǎn)效率。

磁控濺射的方式就是現(xiàn)有技術(shù)中通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離電子在加速飛向基片的過程中受到電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的束縛，集中在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛遠離靶材圖，磁控濺射原理，最終沉積在基板1上，子體密度以增加濺射率的方法。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供的UV芯片導(dǎo)線架模組，適用于UV芯片倒裝鍵合在功能區(qū)21上，兩個功能區(qū)21之間通過隔離板22隔開，倒裝鍵合在功能區(qū)21上的方式使得熱電分離，有效降低光衰，且增加了產(chǎn)品的可靠性，方便二次光學(xué)透鏡組裝；在兩側(cè)功能區(qū)21的表面均通過磁控濺射的方式金屬化后電鍍有金屬鍍層3，磁控濺射的方式使得功能區(qū)21表面金屬化，利于電鍍金屬鍍層3，有效增加功能區(qū)21的光反射率；多邊形陶瓷碗杯2有利于增加碗杯深度，提升角度及亮度，防潮效果好。

請參閱圖1和圖3，兩側(cè)功能區(qū)21的厚度均比隔離板22的厚度大，且兩側(cè)功能區(qū)21與隔離板22之間形成臺階結(jié)構(gòu)。臺階結(jié)構(gòu)的功能區(qū)21和隔離板22使得該導(dǎo)線架模組便于二次光學(xué)透鏡的組裝。

本實施例中，連接層4和金屬鍍層3的厚度均為60-120微米。連接層4和金屬鍍層3均通過電鍍方式實現(xiàn)，厚度為60-120微米，連接層4使得功能區(qū)21與基板1之間牢固連接，金屬鍍層3使得功能區(qū)21便于固晶。

本實施例中，金屬鍍層3為銀層或金層，隔離板22為PPA塑料，基板1的材質(zhì)為氧化鋁、氮化鋁、EMC、SMC、銅或鋁中的一種，且連接層4的材質(zhì)為鎳、銅或金中的一種。PPA塑料為聚對苯二甲酰對苯二胺，其熱變形溫度高達300℃以上，連續(xù)使用溫度可達170℃，能滿足所需的短期和長期的熱性能，且可在寬廣的溫度范圍內(nèi)和高濕度環(huán)境中保持其優(yōu)越的機械性特性，如強度、硬度、耐疲勞性及抗蠕變性；EMC為環(huán)氧樹脂，具有良好的物理、化學(xué)性能，它對金屬和非金屬材料的表面具有優(yōu)異的粘接強度，介電性能良好，變形收縮率小，制品尺寸穩(wěn)定性好，硬度高，柔韌性較好，對堿及大部分溶劑穩(wěn)定；SMC為硅樹脂，是具有高度交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的聚有機硅氧烷，兼具有機樹脂及無機材料的雙重特性，具有獨特的物理、化學(xué)性能。

本實施例中，多邊形陶瓷碗杯2的形狀為對稱的四邊形、五邊形、六邊形、七邊形或八邊形中的一種。多邊形陶瓷碗杯2的形狀使得碗杯的發(fā)光角度達110-120度，當(dāng)然，影響發(fā)光角度的因素還有杯深、倒角或塑料材質(zhì)等。對稱的四邊形、五邊形、六邊形、七邊形或八邊形有利于功能區(qū)21和塑料區(qū)的均勻劃分，有利于電熱分離。且有利于固晶、焊線及灌膠工藝的操作，有利于提高良品率。

本實用新型的優(yōu)勢在于：

1）多個基板1在導(dǎo)線架本體上為連片設(shè)計，利于提高生產(chǎn)效率；

2）磁控濺射的方式使得功能區(qū)21表面金屬化，利于電鍍金屬鍍層3，有效增加功能區(qū)21的光反射率；

3）多邊形陶瓷碗杯2有利于增加碗杯深度，提升角度及亮度，防潮效果好；

4）兩個功能區(qū)21之間通過隔離板22隔開，倒裝鍵合在功能區(qū)21上的方式使得熱電分離，有效降低光衰，且增加了產(chǎn)品的可靠性，方便二次光學(xué)透鏡組裝。

以上公開的僅為本實用新型的幾個具體實施例，但是本實用新型并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本實用新型的保護范圍。