專利名稱：一種三相整流橋封裝外殼的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種三相整流橋封裝外殼。
技術(shù)背景現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決作為芯片載體和引出電極的銅板在金屬殼體中定 位、以及上述銅板和金屬殼體之間絕緣的問題，通常是在金屬殼體中設(shè)置一 個特制的塑料框架，并且在金屬殼體中注入環(huán)氧樹脂作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架 填充物。相對于金屬殼體的內(nèi)部空間而言，塑料框架自身的體積大，而且塑 料和環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)較低，由此使得橋式整流器具有較大結(jié)-殼熱阻，影 響了器件的導(dǎo)熱性能。 實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種絕緣性能佳、導(dǎo)熱性能好的 三相整流橋封裝外殼。本實用新型包括殼體，殼體由底壁和側(cè)壁組成，所述底壁和側(cè)壁共同形 成一封裝腔，封裝腔內(nèi)的底壁表面上布置有高耐壓、低熱阻的絕緣薄膜，高 耐壓、低熱阻的絕緣薄膜的外邊緣沿側(cè)壁向上延伸形成一周緊貼側(cè)壁內(nèi)表面 的護圍。較現(xiàn)有技術(shù)中的三相整流橋封裝外殼，本實用新型采用設(shè)置絕緣薄膜代 替塑料框架的封裝方式，使銅板與金屬外殼之間的間距減小，器件的結(jié)-殼熱 阻降低，從而提高了器件的導(dǎo)熱性能，并使得在相同的封裝體積中，可以封 裝更大電流的二極管芯片，提高了器件的電流指標(biāo)。而且，由絕緣薄膜的外 邊緣沿側(cè)壁向上延伸形成的一周護圍可避免銅板與金屬外殼的側(cè)壁之間直接 接觸，進一步起到絕緣作用。

圖1是三相整流橋封裝外殼的俯視圖。圖2是圖1所示三相整流橋封裝外殼A-A線的剖視圖。
具體實施方式
如圖1和圖2所示，殼體1由底壁1-1以及與底壁1-1垂直連接的側(cè)壁 1-2組成，所述底壁1-1和側(cè)壁1-2共同形成一封裝腔1-3。在底壁1-1的中心設(shè)置一與底壁1-1垂直的連接柱2，連接柱2處于封裝 腔1-3中且沿連接柱2的中心軸線設(shè)置一貫穿連接柱2的通孔3。在封裝腔1-3中的底壁1-1表面上布置有高耐壓、低熱阻的絕緣薄膜4， 所述高耐壓、低熱阻的絕緣薄膜4的外邊緣沿著側(cè)壁1-2向上延伸形成--周 緊貼側(cè)壁內(nèi)表面的護圍。
權(quán)利要求1、 一種三相整流橋封裝外殼，包括殼體，殼體由底壁和側(cè)壁組成，所述 底壁和側(cè)壁共同形成一封裝腔，其特征在于封裝腔內(nèi)的底壁表面上布置有 高耐壓、低熱阻的絕緣薄膜，高耐壓、低熱阻的絕緣薄膜的外邊緣沿側(cè)壁向 上延伸形成一周緊貼側(cè)壁內(nèi)表面的護圍。
專利摘要本實用新型公開了一種三相整流橋封裝外殼，其包括殼體，殼體由底壁和側(cè)壁組成，所述底壁和側(cè)壁共同形成一封裝腔，封裝腔內(nèi)的底壁表面上布置有高耐壓、低熱阻的絕緣薄膜，高耐壓、低熱阻的絕緣薄膜的外邊緣沿側(cè)壁向上延伸形成一周緊貼側(cè)壁內(nèi)表面的護圍。本實用新型采用設(shè)置絕緣薄膜代替塑料框架的封裝方式，使銅板與金屬外殼之間的間距減小，器件的結(jié)-殼熱阻降低，從而提高了器件的導(dǎo)熱性能，并使得在相同的封裝體積中，可以封裝更大電流的二極管芯片，提高了器件的電流指標(biāo)。
文檔編號H02M1/00GK201038990SQ200720035808
公開日2008年3月19日 申請日期2007年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月19日
發(fā)明者鵬 楊, 毅 王 申請人:揚州揚杰電子科技有限公司