混合的連續(xù)和不連續(xù)模式操作的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)涉及混合連續(xù)和不連續(xù)模式操作。通常而言，包括控制模塊和電壓變換器模塊的系統(tǒng)可以被配置為以連續(xù)導(dǎo)電模式（CCM）來(lái)進(jìn)行操作，直到流經(jīng)電壓變換器模塊中的電感器的電流被確定為零或低于零（例如，負(fù)的）。隨后，控制器可以轉(zhuǎn)變?yōu)橐圆贿B續(xù)控制模式（DCM）來(lái)對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作。DCM中的一些或全部可以在控制器內(nèi)以數(shù)字方式實(shí)施。通過(guò)這種方式，可以實(shí)現(xiàn)CCM或DCM操作的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)將與這些控制方案相關(guān)的缺點(diǎn)降至最低。此外，與傳統(tǒng)的DCM操作相比，將DCM控制數(shù)字化可更易于實(shí)施，并且性能更佳。
【專利說(shuō)明】混合的連續(xù)和不連續(xù)模式操作
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本申請(qǐng)涉及電源，并且更具體而言，涉及能夠以連續(xù)導(dǎo)電模式或不連續(xù)導(dǎo)電模式進(jìn)行操作的數(shù)字電源系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]取決于負(fù)載的功率需求，同步降壓變換器可以通過(guò)連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)和不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)來(lái)進(jìn)行操作。例如，負(fù)載的情況可以變化，使得負(fù)載可以汲取較少的電流，變換器的輸出電壓可以改變等，這可能致使同步降壓變換器開(kāi)始從負(fù)載電容器灌電流并暫時(shí)以“升壓”模式進(jìn)行工作。在這種狀態(tài)下，通過(guò)輸出電感器的電流可以是負(fù)的，這可能導(dǎo)致負(fù)電流(如，漏極到源極電流通過(guò)電源的低側(cè)開(kāi)關(guān)晶體管。在CCM操作中，通過(guò)保持低側(cè)開(kāi)關(guān)晶體管連續(xù)導(dǎo)通，感應(yīng)器電流可以轉(zhuǎn)負(fù)。在DCM操作中，定期關(guān)閉低側(cè)晶體管，以防止負(fù)電流。CCM和DCM操作均存在優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，這導(dǎo)致它們二者都不能適用于所有可能情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本申請(qǐng)涉及一種系統(tǒng)，包括:電壓變換器模塊，其包括電感器以用于產(chǎn)生輸出電壓；零電流檢測(cè)模塊，其用于確定流經(jīng)所述電感器的電流何時(shí)為零或低于零；以及控制模塊，其用于以連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)所述電壓變換器模塊進(jìn)行操作，直到所述零電流檢測(cè)模塊確定所述電感器電流為零或低于零，并且在所述零電流檢測(cè)模塊確定所述電感器電流為零或低于零之后，以數(shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)所述電壓變換器模塊進(jìn)行操作。
[0004]本申請(qǐng)還涉及一種方法，包括:以連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作；確定所述電壓變換器模塊中的電感器中的電流；以及當(dāng)所述電感器電流被確定為零或低于零時(shí)，轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)所述電壓變換器模塊進(jìn)行操作。
[0005]本申請(qǐng)進(jìn)一步涉及至少一種機(jī)器可讀的存儲(chǔ)介質(zhì)，所述至少一種機(jī)器可讀的存儲(chǔ)介質(zhì)上單獨(dú)地或組合地存儲(chǔ)有指令，當(dāng)所述指令被一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)，進(jìn)行以下操作:以連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作；確定所述電壓變換器模塊中的電感器中的電流；以及當(dāng)所述電感器電流被確定為零或低于零時(shí)，轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)所述電壓變換器模塊進(jìn)行操作。
[0006]這部分旨在提供本專利申請(qǐng)的主題的概述。這部分并非旨在提供本發(fā)明
[0007]的排他性的或詳盡的說(shuō)明。本文包括了詳細(xì)的描述，以提供關(guān)于本專利申請(qǐng)的進(jìn)
一步信息。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]根據(jù)下文的【具體實(shí)施方式】并參考附圖后，所請(qǐng)求保護(hù)的主題的各種實(shí)施例的特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更為明顯，其中，類似的附圖標(biāo)記表示類似的部件，并且其中:
[0009]圖1示出了根據(jù)本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例的被配置用于混合連續(xù)和不連續(xù)模式操作的一示例性系統(tǒng)；[0010]圖2示出了根據(jù)本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例的被配置用于混合連續(xù)和不連續(xù)模式操作的示例性電路；
[0011]圖3示出了根據(jù)本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例的連續(xù)與不連續(xù)模式波形之間的示例性關(guān)系；
[0012]圖4示出了根據(jù)本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例的連續(xù)與不連續(xù)模式操作之間的示例性轉(zhuǎn)變；以及
[0013]圖5示出了根據(jù)本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例的混合連續(xù)與不連續(xù)模式操作的示例性操作。
[0014]雖然下面的【具體實(shí)施方式】將參照示例性實(shí)施例進(jìn)行，但是實(shí)施例的多個(gè)替代形式、修改形式和變型對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見(jiàn)的。
【具體實(shí)施方式】
[0015]本申請(qǐng)涉及混合連續(xù)和不連續(xù)模式操作。通常而言，包括控制模塊和電壓變換器模塊的系統(tǒng)可以被配置成以連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)進(jìn)行操作，直到流經(jīng)電壓變換器模塊中的電感器的電流被確定為零或低于零(如，負(fù)的)。隨后，控制模塊可以轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)來(lái)對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作。數(shù)字DCM中的一些或全部可以在控制模塊內(nèi)實(shí)施。通過(guò)這種方式，可以實(shí)現(xiàn)源自CCM或DCM操作的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)將與這些控制方案相關(guān)的缺點(diǎn)降至最低。此外，與傳統(tǒng)的DCM操作相比，對(duì)DCM控制進(jìn)行數(shù)字化允許更為簡(jiǎn)單的實(shí)現(xiàn)方式，并且性能更佳。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，一種不例性的系統(tǒng)可以包括電壓變換器模塊、零電流檢測(cè)(Z⑶)模塊和控制模塊。電壓變換器模塊可以例如產(chǎn)生輸出電壓并且可以包括電感器。ZCD模塊可以例如確定通過(guò)電感器的電流何時(shí)為零或低于零。控制模塊可以例如在CCM下對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作，直到ZCD模塊確定電感器電流為零或低于零，并且可以在零電流檢測(cè)模塊確定電感器電流為零或低于零之后，以數(shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)電壓轉(zhuǎn)化器模塊進(jìn)行操作。
[0017]在一種實(shí)施方式中，電壓變換器模塊可以包括直流電流(DC)-DC同步降壓變換器。例如，電壓變換器還可以包括耦合到電感器的高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管。示例性的ZCD模塊可以包括比較器，比較器用于在電感器電流為零或低于零時(shí)向控制模塊輸出信號(hào)，電感器電流的狀態(tài)是基于比較器確定在低側(cè)晶體管導(dǎo)通期間開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓大于零來(lái)感測(cè)的。在ZCD模塊確定電感器電流為零或低于零之后，控制模塊還可以在DCM下對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作。數(shù)字DCM可以包括由控制模塊中的控制器實(shí)施的控制算法，該控制算法用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管的信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，控制算法可以不需要在操作期間從電壓變換器模塊測(cè)得的輸入就能產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在數(shù)字DCM中，控制器還可以根據(jù)聞側(cè)晶體管的晶體管導(dǎo)通時(shí)間和驅(qū)動(dòng)聞側(cè)晶體管的?目號(hào)的占空比，來(lái)確定聞側(cè)晶體管的晶體管截止時(shí)間。在 一個(gè)實(shí)施例中，高側(cè)晶體管的截止時(shí)間可以等于高側(cè)晶體管導(dǎo)通時(shí)間*(1-高側(cè)晶體管占空比)/高側(cè)晶體管占空比。與本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例一致的示例性方法可以包括以連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作，確定電壓變換器模塊中的電感器中的電流，以及在確定電感器電流為零或低于零時(shí)，轉(zhuǎn)變成以數(shù)字DCM來(lái)對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作。[0018]圖1示出了根據(jù)本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例的、被配置成用于混合連續(xù)和不連續(xù)模式操作的示例性系統(tǒng)。系統(tǒng)100可以包括例如控制模塊102和電壓變換器模塊104。重點(diǎn)需要注意，在符合本申請(qǐng)的實(shí)施例中，關(guān)于系統(tǒng)100所討論的模塊和/或其他系統(tǒng)元件可以全部或部分地存在于單個(gè)裝置中，例如，集成電路(IC)中，或者作為另外一種選擇，系統(tǒng)100中的模塊/其他系統(tǒng)元件中的一些或全部可以是分立的組件、IC和分立組件的組合等?？刂颇K102可以控制電壓變換器模塊104中的操作，以便基于輸入電壓(如,Vin)來(lái)產(chǎn)生輸出電壓(如，Vout)。例如,系統(tǒng)100可以在移動(dòng)通信設(shè)備和/或計(jì)算設(shè)備中實(shí)施，其中，電池電壓(如，Vin)可以逐步降低至驅(qū)動(dòng)移動(dòng)通信設(shè)備和/或計(jì)算設(shè)備中的組件(例如，處理器和/或其他集成電路(IC))所需要的較低電壓(如，Vout )。
[0019]控制模塊102可以包括例如控制器106、Z⑶模塊108和脈沖寬度調(diào)制(PWM)模塊110?？刂破?06還可被配置為執(zhí)行數(shù)字DCM控制112。通常，控制器106可以控制PWM模塊110，以便產(chǎn)生用于以CCM來(lái)對(duì)電壓變換器模塊104進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的信號(hào)。ZCD模塊可以耦合到電壓變換器模塊104，并且可以確定電壓變換器模塊104操作期間何時(shí)存在某種狀態(tài)(如，電壓變換器模塊104內(nèi)的電感器中的電流何時(shí)為零或低于零)。當(dāng)確定存在所述狀況時(shí)，ZCD模塊108可以向控制器106產(chǎn)生輸出信號(hào),這個(gè)輸出信號(hào)可以使控制器106從以CCM改變?yōu)槭褂脭?shù)字DCM控制112的DCM，來(lái)對(duì)電壓變換器模塊104進(jìn)行操作。例如，通過(guò)改變PWM模塊110生成驅(qū)動(dòng)電壓變換器模塊104的信號(hào)的方式可以影響操作模式的變化。重點(diǎn)需要注意，雖然控制器106、Z⑶模塊108和PWM模塊110在圖1中被示出為控制模塊102中的分開(kāi)的模塊，但也可以將ZCD模塊108和PWM模塊110中的一者或兩者的功能結(jié)合到控制器106內(nèi)ο
[0020]圖2示出了根據(jù)本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例的、被配置用于混合連續(xù)和不連續(xù)模式操作的示例性電路。系統(tǒng)100’可以部分地或全部地由分立的裝置構(gòu)成，或者作為另外一種選擇，可以包括在定制和/或通用集成電路(IC)內(nèi)或可以形成它的一部分，如專用集成電路(ASIC)、單芯片系統(tǒng)(SoC)、多芯片模塊(MCM)等。在圖1所示的實(shí)施例中，系統(tǒng)100’包括同步降壓DC/DC變換器，同步降壓DC/DC變換器被配置用于驅(qū)動(dòng)電感器電路以例如向負(fù)載(未示出)供電。電容器Cl可被配置跨接在輸入電壓兩端以對(duì)Vin進(jìn)行解耦。電壓變換器模塊104’可以包括例如高側(cè)(HS)開(kāi)關(guān)和低側(cè)(LS)開(kāi)關(guān)，其中，HS和LS開(kāi)關(guān)可以包括晶體管，如功率M0SFET。HS和LS開(kāi)關(guān)還可以包括例如體二極管電路(未示出)和/或其他已知的電源開(kāi)關(guān)特征。在一個(gè)實(shí)施例中，HS開(kāi)關(guān)可以耦合到輸入電壓Vin和電感器LI，而LS開(kāi)關(guān)也可以耦合到電感器LI的同一側(cè)和接地。電壓變換器模塊104’還可以包括HS/LS驅(qū)動(dòng)器電路200，HS/LS驅(qū)動(dòng)器電路200用于驅(qū)動(dòng)HS和LS開(kāi)關(guān)。PWM信號(hào)可以由PWM模塊110產(chǎn)生，以驅(qū)動(dòng)HS/LS驅(qū)動(dòng)器電路200，HS/LS驅(qū)動(dòng)器電路200可以包括公知的反饋控制機(jī)制，用于對(duì)PWM信號(hào)的占空比提供控制。雖然圖2中未示出，但在某些情形下，期望在電壓變換器模塊104’中實(shí)現(xiàn)電流感測(cè)電路，以確定流經(jīng)電感器LI的電流。電流感測(cè)電路可以包括例如串聯(lián)耦合的電阻器和電容器(例如，RC網(wǎng)絡(luò))，串聯(lián)耦合的電阻器和電容器跨接在電感器LI兩端，以產(chǎn)生與流經(jīng)電感器LI的電流相對(duì)應(yīng)的可測(cè)值。電容器C2可以跨接輸出電壓兩端，以對(duì)Vout進(jìn)行解耦。
[0021]當(dāng)負(fù)載需要時(shí)，同步降壓變換器可以操作以提供電力和吸收電力(例如，升壓模式)，其中，吸收電力是通過(guò)允許流經(jīng)電感器LI的電流(例如，IJ流回LS開(kāi)關(guān)而轉(zhuǎn)負(fù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。例如，在CCM和DCM操作中，系統(tǒng)100’都可以產(chǎn)生Vout，而L保持為正值。然而，輸出電壓或負(fù)載消耗的電流的變化可能導(dǎo)致系統(tǒng)100’從C3的吸收電力，并且因此k可以被允許在CCM操作中在PWM占空比的一些或全部期間轉(zhuǎn)負(fù)(例如，“升壓”模式)。在DCM操作過(guò)程中，可以關(guān)閉LS開(kāi)關(guān)，以防止L倒流。CCM和DCM操作均具有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。在負(fù)載消耗更多的電流，與DCM操作相比而言，CCM操作能夠以更小的噪聲來(lái)產(chǎn)生Vout。然而，與CCM操作相比，DCM操作的至少一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是當(dāng)負(fù)載消耗較少電流時(shí)，它更為有效。因此，對(duì)系統(tǒng)100’來(lái)說(shuō)，能夠以兩種模式進(jìn)行操作是有益的。
[0022]然而，將系統(tǒng)100’配置為以CCM和DCM兩種模式進(jìn)行操作需要控制器106知道^何時(shí)將要轉(zhuǎn)負(fù)(如，為零或低于零)。這個(gè)時(shí)間點(diǎn)正是負(fù)載汲取的電流已經(jīng)降至從CCM轉(zhuǎn)變?yōu)镈CM可以對(duì)提高整個(gè)系統(tǒng)的性能有利的時(shí)間點(diǎn)。在傳統(tǒng)的電源解決方案中，可對(duì)ZCD采用模擬或數(shù)字方法。在模擬解決方案中，系統(tǒng)100’還可以包括Z⑶模塊108’，Z⑶模塊108’用于確定L何時(shí)為零或低于零(例如，通過(guò)感測(cè)HS開(kāi)關(guān)和LS開(kāi)關(guān)連接到電感器LI的節(jié)點(diǎn)(在下文中稱為開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)202)處的極性變化)。Z⑶模塊108’可以至少包括滯后比較器電路204。在一個(gè)實(shí)施例中，Z⑶模塊108’還可以包括鎖存電路(未示出)。鎖存電路可以包括例如觸發(fā)電路(如，D型觸發(fā)電路，如圖所示)。指示k的信號(hào)可以通過(guò)將滯后比較器電路204的正輸入端連接到電感器LI的開(kāi)關(guān)側(cè)來(lái)確定。在一個(gè)實(shí)施例中，滯后比較器電路204的輸出可以用來(lái)為鎖存電路提供時(shí)鐘，并且鎖存電路的D輸入可以連接到Vin。從電感器LI的開(kāi)關(guān)側(cè)接收到的信號(hào)可能是相對(duì)嘈雜的，因此，使用鎖存電路可以避免滯后比較器電路204的輸出端處“顫振”。Z⑶模塊108’可以產(chǎn)生指示L過(guò)零的控制信號(hào)。還可以在滯后比較器電路204的輸 出端處使用保持電路(未示出)，以在一個(gè)或多個(gè)PWM周期期間保持控制信號(hào)的狀態(tài)(例如，以確?？刂破?06不會(huì)錯(cuò)過(guò)過(guò)零控制信號(hào))。示例性的保持電路可以包括鎖存電路(例如，D型觸發(fā)器件等)，鎖存電路被配置用于鎖存控制信號(hào)狀態(tài)。
[0023]雖然基本上起作用，但模擬解決方案中的某些操作特性會(huì)使連續(xù)Z⑶有問(wèn)題。比較器固有的偏移和延遲可能影響ZCD的準(zhǔn)確性、響應(yīng)性等。ZCD的不準(zhǔn)確可能導(dǎo)致電感器LI中的剩余電流在電壓變換器模塊104’中消散并影響效率。過(guò)度振蕩還可能引起系統(tǒng)100’中的電磁干擾(EMI)問(wèn)題。在Z⑶的數(shù)字解決方案中，零電流可以通過(guò)確定系統(tǒng)100’的輸出電流何時(shí)降至L的峰到峰紋波電流的1/2以下來(lái)確定。L的峰到峰紋波電流可以基于某種關(guān)系，包括Vin、Vout、電感器LI的電感、HS和LS開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)頻率以及輸出電流。通過(guò)這種方式，可以使用從電壓變換器模塊104’監(jiān)測(cè)的參數(shù)來(lái)以數(shù)字方式確定ZCD。然而，電感可能隨電流、溫度等而變化。ViruVout和開(kāi)關(guān)頻率遙測(cè)也可能引起Ilj的峰到峰紋波電流計(jì)算中的不準(zhǔn)確，這可能影響ZCD的總體準(zhǔn)確性。不準(zhǔn)確的ZCD檢測(cè)可能影響系統(tǒng)100’的效率并且引起造成電磁干擾的過(guò)度振蕩。
[0024]在根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，混合系統(tǒng)可以包括模擬特征，模擬特征用于CCM操作過(guò)程中最初的第一過(guò)零，但所有后續(xù)的操作可以用控制器106以數(shù)字方式控制。如圖2的系統(tǒng)100’所示，ZCD模塊108’可以負(fù)責(zé)檢測(cè)Il為零或低于零時(shí)的首次出現(xiàn)(例如，基于ZCD比較器電路204感測(cè)到在LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)202處的電壓大于零，這是込開(kāi)始反轉(zhuǎn)的指示)。初始ZCD之后，數(shù)字DCM控制112可以執(zhí)行和計(jì)算以控制后續(xù)脈沖的產(chǎn)生(例如，可以控制由PWMllO進(jìn)行的PWM信號(hào)產(chǎn)生)。通過(guò)這種方式，可以在沒(méi)有持續(xù)依賴模擬ZCD的消極方面的情況下實(shí)現(xiàn)模擬解決方案的初始響應(yīng)。然后可以用顯著更高效的數(shù)字DCM控制112來(lái)控制系統(tǒng)100’的操作。然而，根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例，可用于控制系統(tǒng)100’的數(shù)字控制與現(xiàn)有解決方案中使用的控制顯著不同(例如，不需要為數(shù)字DCM控制算法提供由電壓變換器模塊104’測(cè)得的值作為輸入)。
[0025]圖3示出了根據(jù)本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例的連續(xù)與不連續(xù)模式波形之間的示例性關(guān)系。如圖表300所示，302處所示的CCM操作期間的L的斜率大體上等于304處所示的DCM操作期間的込的斜率。該關(guān)系還體現(xiàn)在以下公式中:
[0026]
【權(quán)利要求】
1.一種系統(tǒng)，包括: 電壓變換器模塊，其包括電感器以用于產(chǎn)生輸出電壓； 零電流檢測(cè)模塊，其用于確定流經(jīng)所述電感器的電流何時(shí)為零或低于零；以及控制模塊，其用于以連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)所述電壓變換器模塊進(jìn)行操作，直到所述零電流檢測(cè)模塊確定所述電感器電流為零或低于零，并且在所述零電流檢測(cè)模塊確定所述電感器電流為零或低于零之后，以數(shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)所述電壓變換器模塊進(jìn)行操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述電壓變換器模塊包括DC-DC同步降壓變換器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述電壓變換器模塊進(jìn)一步包括耦合到所述電感器的高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述零電流檢測(cè)模塊包括比較器，當(dāng)所述電感器電流為零或低于零時(shí)，所述比較器向所述控制模塊輸出信號(hào)，其中，所述電感器電流的狀態(tài)是基于所述比較器確定在所述低側(cè)晶體管導(dǎo)通期間開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓大于零來(lái)進(jìn)行感測(cè)的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述數(shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式包括由所述控制模塊中的控制器實(shí)施的控制算法，所述控制算法產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)所述高側(cè)晶體管和所述低側(cè)晶體管的信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述控制算法不需要在操作期間從所述電壓變換器模塊測(cè)得的輸入就能產(chǎn)生所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，在產(chǎn)生所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，所述控制器基于所述高側(cè)晶體管的晶體管導(dǎo)通時(shí)間和驅(qū)動(dòng)所述高側(cè)晶體管的信號(hào)的占空比來(lái)確定所述高側(cè)晶體管的晶體管截止時(shí)間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中，所述高側(cè)晶體管截止時(shí)間等于所述高側(cè)晶體管導(dǎo)通時(shí)間* (1-高側(cè)晶體管占空比)/高側(cè)晶體管占空比。
9.一種方法，包括: 以連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作； 確定所述電壓變換器模塊中的電感器中的電流；以及 當(dāng)所述電感器電流被確定為零或低于零時(shí)，轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)所述電壓變換器模塊進(jìn)行操作。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述電壓變換器模塊包括DC-DC同步降壓變換器。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述數(shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式包括控制算法，所述控制算法產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)所述電壓變換器模塊中的高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管的信號(hào)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述控制算法不需要在操作期間從所述電壓變換器模塊測(cè)得的輸入就能產(chǎn)生所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，產(chǎn)生所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)包括基于所述高側(cè)晶體管的晶體管導(dǎo)通時(shí)間和驅(qū)動(dòng)所述高側(cè)晶體管的信號(hào)的占空比來(lái)確定所述高側(cè)晶體管的晶體管截止時(shí)間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述高側(cè)晶體管截止時(shí)間等于所述高側(cè)晶體管導(dǎo)通時(shí)間* (1-高側(cè)晶體管占空比)/高側(cè)晶體管占空比。
15.至少一種機(jī)器可讀的存儲(chǔ)介質(zhì)，所述至少一種機(jī)器可讀的存儲(chǔ)介質(zhì)上單獨(dú)地或組合地存儲(chǔ)有指令，當(dāng)所述指令被一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)，進(jìn)行以下操作: 以連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)電壓變換器模塊進(jìn)行操作； 確定所述電壓變換器模塊中的電感器中的電流；以及 當(dāng)所述電感器電流被確定為零或低于零時(shí)，轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式來(lái)對(duì)所述電壓變換器模塊進(jìn)行操作。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的介質(zhì)，其中，所述電壓變換器模塊包括直流DC-DC同步降壓變換器。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的介質(zhì)，其中，所述數(shù)字不連續(xù)導(dǎo)電模式包括控制算法，所述控制算法產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)所述電壓變換器模塊中的高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管的信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的介質(zhì)，其中，所述控制算法不需要在操作期間從所述電壓變換器模塊測(cè)得的輸入就能產(chǎn)生所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的介質(zhì)，其中，產(chǎn)生所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)包括基于所述高側(cè)晶體管的晶體管導(dǎo)通時(shí)間 和驅(qū)動(dòng)所述高側(cè)晶體管的信號(hào)的占空比來(lái)確定所述高側(cè)晶體管的晶體管截止時(shí)間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的介質(zhì)，其中，所述高側(cè)晶體管截止時(shí)間等于所述高側(cè)晶體管導(dǎo)通時(shí)間* (1-高側(cè)晶體管占空比)/高側(cè)晶體管占空比。
【文檔編號(hào)】H02M3/157GK103944387SQ201410032290
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年1月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月23日
【發(fā)明者】S·肖, F·艾哈邁德 申請(qǐng)人:快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司, 快捷半導(dǎo)體公司