框構(gòu)件的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種框構(gòu)件，其能夠防止周圍的構(gòu)件的污染?？驑?gòu)件是用于利用由密封材料形成的密封層來密封光半導體元件的框構(gòu)件。框構(gòu)件包括：第1框部，其以形成第1空間的方式構(gòu)成；第2框部，其以在第1框部的外側(cè)與第1框部隔開間隔而在其與第1框部之間形成第2空間的方式配置，并以包圍第1框部的方式配置；連結(jié)部，其用于將第1框部和所述第2框部連結(jié)起來。第1空間供密封層以及光半導體元件配置。第2空間用于收納密封材料中的形成密封了光半導體元件的密封層的部分之外的剩余的部分。
【專利說明】
框構(gòu)件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及框構(gòu)件。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，公知有利用密封層密封光半導體元件來制造密封光半導體元件的技術(shù)。
[0003]例如，提出了以下方法(例如，參照日本特開2013 — 214716號公報。)。即、首先，準備已安裝有光半導體元件的基板、密封片，將它們設(shè)置于壓力機。具體而言，將基板配置于壓力機的上板，將密封片配置于壓力機的下板。與此同時，將間隔件以包圍密封片的方式配置。之后，使壓力機工作，以壓力機的上板的周端部與間隔件接觸的方式對密封片進行加壓。由此，密封片被加壓而密封光半導體元件。
[0004]然而，用于形成密封片的密封材料通常相對于由間隔件圍著的空間有剩余地設(shè)置，由此，存在這樣的不良情況:剩余的密封材料從由間隔件圍著的空間越過間隔件，將壓力機等周圍的構(gòu)件等污染。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的在于，提供一種能夠防止周圍的構(gòu)件的污染的框構(gòu)件以及使用該框構(gòu)件的密封光半導體元件的制造方法。
[0006]本實用新型(I)是一種框構(gòu)件，其用于利用由密封材料形成的密封層來密封光半導體元件，其特征在于，該框構(gòu)件包括:第I框部，其以形成第I空間的方式構(gòu)成;第2框部，其以在所述第I框部的外側(cè)與所述第I框部隔開間隔而在其與所述第I框部之間形成第2空間的方式配置，并以包圍所述第I框部的方式配置;連結(jié)部，其用于將所述第I框部和所述第2框部連結(jié)起來，所述第I空間供所述密封層以及所述光半導體元件配置，所述第2空間用于收納所述密封材料中的形成密封了所述光半導體元件的所述密封層的部分之外的剩余的部分。
[0007]采用該框構(gòu)件，能夠?qū)⒚芊鈱右约肮獍雽w元件配置于第I空間，之后，將在對它們進行加壓時密封材料中的形成密封了光半導體元件的密封層的部分之外的剩余的部分收納在第2空間中。
[0008]因此，能夠防止框構(gòu)件的周圍的構(gòu)件的污染。
[0009]另外，本實用新型的框構(gòu)件(2)根據(jù)(I)所述的框構(gòu)件，其中，所述第I框部具有將所述第I空間和所述第2空間連通的第I槽。
[0010]在該框構(gòu)件中，在第I空間被密封材料填充了的情況下，能夠使在第I空間中的剩余的密封材料在第I槽中通過，并將其收納在第2空間中。因此，能夠利用第I槽將剩余的密封材料順暢地收納在第2空間中。
[0011]另外，本實用新型的框構(gòu)件(3)根據(jù)(I)或(2)所述的框構(gòu)件，其中，所述第2空間設(shè)置有多個，所述連結(jié)部具有將彼此相鄰的所述第2空間連通的第2槽。
[0012]在該框構(gòu)件中，即使是彼此相鄰的第2空間中的一個第2空間被剩余的密封材料填充了的情況，也能夠借助第2槽由另一個第2空間收納剩余的密封材料。也就是說，能夠?qū)⑹Ｓ嗟拿芊獠牧弦詮囊粋€到另一個的順序依次收納在第2空間中。因此，能夠利用密封層均勻地密封光半導體元件。
[0013]另外，本實用新型的框構(gòu)件(4)根據(jù)(2)或(3)所述的框構(gòu)件，其中，所述連結(jié)部設(shè)置有多個，所述第2空間被多個所述連結(jié)部劃分成多個。
[0014]在該框構(gòu)件中，能夠?qū)⑹Ｓ嗟拿芊獠牧鲜占{在被劃分成多個的第2空間的各空間中，因此，能夠可靠地防止框構(gòu)件的周圍的構(gòu)件的污染。
[0015]另外，本實用新型的框構(gòu)件(5)根據(jù)(4)所述的框構(gòu)件，其中，多個所述第2空間具有第3空間和開口面積小于所述第3空間的開口面積的第4空間。
[0016]在該框構(gòu)件中，多個第2空間具有開口面積較大的第3空間和開口面積較小的第4空間，因此，與僅具有開口面積較大的多個空間的框構(gòu)件相比，能夠謀求框構(gòu)件的小型化。
[0017]另外，本實用新型的框構(gòu)件(6)根據(jù)(5)所述的框構(gòu)件，其中，所述第I槽將所述第I空間和所述第3空間連通。
[0018]在該框構(gòu)件中，在第I空間被密封材料填充了的情況下，能夠使第I空間中的剩余的密封材料首先在第I槽中通過并將其優(yōu)先收納在第3空間中。進而，剩余的密封材料越過第I框部而收納在第3空間和第4空間中。而且，第3空間的開口面積大于第4空間的開口面積，因此，即使優(yōu)先收納剩余的密封材料，也能夠容許充分的收納。
[0019]另外，本實用新型的框構(gòu)件(7)根據(jù)(5)或(6)所述的框構(gòu)件，其中，所述第2槽將所述第3空間和所述第4空間連通。
[0020]在該框構(gòu)件中，在第I空間被密封材料填充了的情況下，第I空間中的剩余的密封材料首先越過第I框部，之后，收納在第3空間和第4空間中。進而，若開口面積較小的第4空間被剩余的密封材料填充，則剩余的密封材料可經(jīng)由第2槽由開口面積較大的第3空間收納。也就是說，第3空間能夠輔助第4空間收納剩余的密封材料。
[0021]另外，本實用新型的密封光半導體元件的制造方法(8)包括如下工序:準備下板、上板和上述的框構(gòu)件，其中，該上板能夠在所述下板的上側(cè)與所述下板隔開間隔地相對配置;將所述框構(gòu)件相對于所述下板的上表面配置于上側(cè);將所述密封層以沿著上下方向進行投影時所述密封層配置于所述第I空間的方式相對于所述下板的上表面配置于上側(cè);將所述光半導體元件相對于所述上板的下表面配置于下側(cè);將所述上板以在沿著上下方向進行投影時所述光半導體元件包含于所述密封層的方式與所述下板相對地配置于所述下板的上側(cè)；以及通過對所述上板以及所述下板進行加壓，對所述密封層進行加壓而利用所述密封層來密封所述光半導體元件，在利用所述密封層密封所述光半導體元件的工序中，將所述密封材料中的形成密封了所述光半導體元件的所述密封層的部分之外的剩余的部分收納在所述第2空間中。
[0022]采用本實用新型的方法，在利用密封層來密封光半導體元件的工序中，將密封材料中的形成密封了光半導體元件的密封層的部分之外的剩余的部分收納在第2空間中，因此，能夠防止框構(gòu)件的周圍的構(gòu)件的污染。
[0023]采用本實用新型的框構(gòu)件以及密封光半導體元件的制造方法，能夠防止框構(gòu)件的周圍的構(gòu)件的污染。
【附圖說明】
[0024]圖1表示本實用新型的框構(gòu)件的第I實施方式(框構(gòu)件具有第I槽、第3空間的寬度與第4空間的寬度相同的形態(tài))的立體圖。
[0025]圖2表示圖1所示的框構(gòu)件的俯視圖。
[0026]圖3表示將圖1所示的框構(gòu)件、密封片、元件構(gòu)件片、下夾具以及上夾具安放到壓力機時的分解立體圖。
[0027]圖4A以及圖4B是將框構(gòu)件、密封片、元件構(gòu)件片、下夾具以及上夾具安放于壓力機的工序圖，圖4A表不俯視圖(透視了上夾具的一部分以及上板時的俯視圖)、圖4B表不沿著圖4A的A—A線的剖視圖。
[0028]圖5A以及圖5B是將上加壓板相對于下加壓板加壓的工序圖，圖5A表示俯視圖(透視了上夾具的一部分以及上板時的俯視圖)，圖5B表示沿著圖5A的A—A線的剖視圖。
[0029]圖6A以及圖6B是制造光半導體裝置的工序圖，圖6A表示將密封光半導體元件從支承板剝下的工序，圖6B表示將密封光半導體元件安裝于基板的工序。
[0030]圖7表示將第I實施方式的變形例中的、框構(gòu)件、密封片、元件構(gòu)件片、下夾具以及上夾具安放到壓力機時的分解立體圖。
[0031]圖8A以及圖SB是將框構(gòu)件、密封片、元件構(gòu)件片、下夾具以及上夾具安放于壓力機的工序圖，圖8A表示仰視圖，圖8B表示沿著圖8A的X-X線的剖視圖。
[0032]圖9A?圖9C是相對于上夾具配置元件構(gòu)件片的工序，圖9A表示準備元件構(gòu)件片以及上夾具的工序，圖9B表示使元件構(gòu)件片相對于上夾具滑動的工序，圖9C表示利用第2銷的對準第2凸部來抑制元件構(gòu)件片向右方移動的工序。
[0033]圖1OA以及圖1OB是相對于上夾具配置元件構(gòu)件片的工序，圖1OA與圖9A相對應，表示準備元件構(gòu)件片以及上夾具的工序，圖1OB與圖9B相對應，表示使元件構(gòu)件片相對于上夾具滑動的工序。
[0034]圖11是第I實施方式的變形例，表示將具有4個片配置區(qū)域的上夾具、4個元件構(gòu)件片、4個密封片、以及4個框構(gòu)件安放于壓力機時的分解立體圖。
[0035]圖12表示圖11所示的變形例中的上夾具以及元件構(gòu)件片的仰視圖。
[0036]圖13表示框構(gòu)件的變形例(沒有設(shè)置第I槽的形態(tài))的俯視圖。
[0037]圖14表示框構(gòu)件的變形例(在第I右部以及第I左部也設(shè)有第I槽的形態(tài))的俯視圖。
[0038]圖15表示框構(gòu)件的變形例(第I槽設(shè)于第I前部的左右方向中央部以及第I后部的左右方向中央部的形態(tài))的俯視圖。
[0039]圖16表示框構(gòu)件的變形例(第4空間的寬度小于第3空間的寬度的形態(tài))的俯視圖。
[0040]圖17表示框構(gòu)件的第2實施方式(框構(gòu)件具有第2槽的形態(tài))的俯視圖。
[0041]圖18A以及圖18B是將圖17所示的框構(gòu)件、密封片、元件構(gòu)件片、下夾具以及上夾具安放于壓力機而對它們進行加壓的工序圖，圖18A表示俯視圖(透視了上夾具的一部分以及上板時的俯視圖)，圖18B表示剖視圖。
[0042]圖19表示框構(gòu)件的第3實施方式(框構(gòu)件具有第I槽以及第2槽的形態(tài))的俯視圖。
【具體實施方式】
[0043]說明本實用新型的框構(gòu)件的第I實施方式以及第2實施方式。
[0044]<第1實施方式>
[0045]在圖2中、紙面上下方向是前后方向(第I方向)，紙面上側(cè)是后側(cè)(第I方向的一側(cè))，紙面下側(cè)是前側(cè)(第I方向的另一側(cè))。紙面左右方向是左右方向(與第I方向正交的第2方向)，紙面左側(cè)是左側(cè)(第2方向的一側(cè))，紙面右側(cè)是右側(cè)(第2方向的另一側(cè))。紙厚方向是上下方向(與第I方向以及第2方向正交的第3方向)，紙面近前側(cè)是上側(cè)(第3方向的一側(cè))，紙面進深側(cè)是下側(cè)(第3方向的另一側(cè))。具體而言，以各圖的方向箭頭為準。
[0046]1.框構(gòu)件
[0047]框構(gòu)件I是在利用密封層43(后述，參照圖5A以及圖5B)來密封光半導體元件46(后述，參照圖5A以及圖5B)時所使用的。具體而言，如圖1以及圖2所示，框構(gòu)件I例如由金屬形成，具有上下方向上較薄的板形狀(平板形狀)。另外，框構(gòu)件I具有俯視大致矩形的外形?？驑?gòu)件I具有一體的、第I框部2、以包圍第I框部2的方式配置的第2框部3和將第I框部2和第2框部3連結(jié)起來的連結(jié)部4。
[0048]第I框部2是框構(gòu)件I的前后方向以及左右方向(面方向)上的內(nèi)側(cè)部分。第I框部2具有俯視大致矩形框形狀。第I框部2具有一體的、沿著左右方向延伸的第I前部21、沿著左右方向延伸并在第I前部21的后側(cè)與第I前部21隔開間隔而與第I前部21相對地配置的第I后部22、將第I前部21的右端部以及第I后部22的右端部連結(jié)起來的第I右部23、將第I前部21的左端部以及第I后部22的左端部連結(jié)起來的第I左部24。第I前部21以及第I后部22具有后述的第I槽8。另外，第I框部2具有形成在其內(nèi)側(cè)的第I空間10。
[0049]第I空間10是沿著框構(gòu)件I的厚度方向(上下方向)貫穿框構(gòu)件I的開口部(貫穿孔)。第I空間10被第I框部2圍著，具有俯視大致矩形形狀。第I空間10具有能夠供后述的密封層43以及多個光半導體元件46(參照圖5A以及圖5B)配置的尺寸。
[0050]第2框部3與第I框部2隔開間隔地配置于第I框部2的前后方向以及左右方向(面方向)上的外側(cè)。第2框部3具有與框構(gòu)件I的俯視時的外形相同的外形。第2框部3具有一體的、配置于第2框部3的前部且沿著左右方向延伸的第2前部31、沿著左右方向延伸且在第2前部31的后側(cè)與第2前部31之間彼此隔開間隔而相對地配置的第2后部32、將第2前部31的右端部以及第2后部32的右端部連結(jié)起來的第2右部33、以及將第2前部31的左端部以及第2后部32的左端部連結(jié)起來的第2左部34。
[0051 ]第2前部31和第2后部32分別具有左右方向上較長的俯視大致矩形形狀。
[0052]第2右部33具有沿著前后方向延伸的形狀。第2右部33具有從其右端緣朝向左側(cè)凹陷的右凹部35。右凹部35具有俯視大致矩形形狀，配置于第2右部33的前后方向中央部。
[0053]第2左部34具有沿著前后方向延伸的形狀。第2左部34具有從其左端緣朝向右側(cè)凹陷的左凹部36。左凹部36具有俯視大致矩形形狀，配置于第2左部34的前后方向中央部。
[0054]連結(jié)部4設(shè)有多個(4個)。具體而言，連結(jié)部4配置于框構(gòu)件I的四個角部。詳細而言，連結(jié)部4將第I框部2的四個角部的各個角部和第2框部3的四個角部的各個角部連結(jié)起來。也就是說，連結(jié)部4具有將第I前部21的右端部(第I框部2的右前角部)以及第2前部31的右端部(第2框部3的右前角部)連結(jié)起來的右前連結(jié)部51、將第I前部21的左端部(第I框部2的左前角部)以及第2前部31的左端部(第2框部3的左前角部)連結(jié)起來的左前連結(jié)部52、將第I后部22的右端部(第I框部2的右后角部)以及第2后部32的右端部(第2框部3的右后角部)連結(jié)起來的右后連結(jié)部53、將第I后部22的左端部(第I框部2的左后角部)以及第2后部32的左端部(第2框部3的左后角部)連結(jié)起來的左后連結(jié)部54。右后連結(jié)部53以及左后連結(jié)部54與右前連結(jié)部51以及左前連結(jié)部52相對于將左凹部5以及右凹部6連結(jié)的假想線LA呈線對稱地配置。
[0055]而且，框構(gòu)件I具有連結(jié)部4，因此，第2空間11形成在第I框部2和第2框部3之間。
[0056]第2空間11以與第I空間10之間隔著第2框部3的方式配置于第I框部2的外側(cè)。第2空間11是沿著框構(gòu)件I的厚度方向(上下方向)貫穿框構(gòu)件I的開口部(貫穿孔、狹縫)。第2空間11被多個連結(jié)部4(右前連結(jié)部51、左前連結(jié)部52、右后連結(jié)部53以及左后連結(jié)部54)劃分成多個(4個)。也就是說，第2空間11被分割成多個(4個)。具體而言，第2空間11具有相互獨立的第3空間25和第4空間26。
[0057]第3空間25配置于框構(gòu)件I的前部以及后部。第3空間25具有彼此獨立的前空間55和后空間56。
[0058]前空間55配置于框構(gòu)件I的前部。前空間55沿著左右方向延伸。前空間55由第I前部21、第2前部31、右前連結(jié)部51和左前連結(jié)部52劃分而成，具有左右方向上較長的俯視大致矩形形狀。前空間55的左右方向長度(長度)L1被設(shè)定為與第I空間10的左右方向長度相同或比第I空間10的左右方向長度長。前空間55的前后方向長度(寬度)W1例如為Imm以上、優(yōu)選是3mm以上，另外，例如為20mm以下、優(yōu)選是1mm以下。前空間55的開口面積(俯視時的開口面積。以下相同。)小于第I空間10的開口面積。具體而言，前空間55的開口面積為第I空間10的開口面積的例如25%以下、優(yōu)選是15%以下，更優(yōu)選是10%以下，另外，例如是1%以上。
[0059]后空間56配置于框構(gòu)件I的后部。后空間56沿著左右方向延伸。后空間56由第I后部22、第2后部32、右后連結(jié)部53和左后連結(jié)部54劃分而成，具有左右方向較長的俯視大致矩形形狀。后空間56的左右方向長度(長度)L2以及前后方向長度(寬度)W2分別與前空間55的Wl以及LI相同。后空間56的開口面積與前空間55的開口面積相同。
[0060]第4空間26配置于框構(gòu)件I的左部以及右部。第4空間26具有彼此獨立的右空間57和左空間58。
[0061]右空間57配置于框構(gòu)件I的右部。右空間57沿著前后方向延伸。右空間57由第I右部23、第2右部33、右前連結(jié)部51和右后連結(jié)部53劃分而成，具有前后方向較長的俯視大致矩形形狀。右空間57的前后方向長度(長度)L3被設(shè)定為與第I空間10的前后方向長度L9相同或比第I空間10的前后方向長度L9長。右空間57的左右方向長度(寬度)W3與上述的Wl以及W2相同。由此，右空間57的開口面積與前空間55的開口面積以及后空間56的開口面積相同。
[0062]左空間58配置于框構(gòu)件I的左部。左空間58沿著前后方向延伸。左空間58由第I左部24、第2左部34、左前連結(jié)部52和左后連結(jié)部54劃分而成，具有沿著前后方向延伸的俯視大致矩形形狀。左空間58的前后方向長度L4以及左右方向長度(寬度)W4分別與右空間57的L3以及W3相同。左空間58的開口面積與右空間57的開口面積相同。
[0063]4個第2空間11(前空間55、后空間56、右空間57以及左空間58)的總開口面積小于第I空間10的開口面積，具體而言，為第I空間10的面積的例如50%以下、優(yōu)選是35%以下、更優(yōu)選是20%以下，另外，例如是5%以上。
[0064]進而，在該框構(gòu)件I中，第I框部2具有第I槽8。具體而言，第I槽8設(shè)置于第I前部21以及第I后部22。
[0065]第I槽8設(shè)有多個。第I槽8具有設(shè)于第I前部21的前槽81和設(shè)于第I后部22的后槽
82ο
[0066]前槽81設(shè)有多個(兩個)，具體而言，設(shè)于第I前部21的左右兩端部各自的上部。多個前槽81分別是從第I前部21的上表面開始切除到厚度方向(上下方向)中途而成的切槽(凹槽)。多個前槽81分別具有主剖視大致矩形形狀。多個前槽81分別在俯視時沿著前后方向跨著第I前部21，其前端部到達前空間55，其后端部到達第I空間10。另外，多個前槽81各自的底面在沿著左右方向進行投影時位于比第I前部21的左右方向中央部、右前連結(jié)部51以及左前連結(jié)部52這三者的上表面低的位置。
[0067]后槽82相對于上述的假想線LA與前槽81呈線對稱地配置以及形成。詳細而言，后槽82設(shè)有多個(兩個)。后槽82設(shè)于第I后部22的左右兩端部各自的上部。多個后槽82分別是從第I后部22的上表面開始切除到厚度方向中途而成的切槽(凹槽)。多個后槽82分別具有主剖視大致矩形形狀。多個后槽82分別在俯視時沿著前后方向跨著第I后部22，其后端部到達后空間56，其前端部到達第I空間10。另外，多個后槽82各自的底面在沿著左右方向進行投影時位于比第I后部22的左右方向中央部、右后連結(jié)部53以及左后連結(jié)部54這三者的上表面低的位置。
[0068]第I槽8將第I空間10和第2空間11連通。具體而言，第I槽8將第I空間10和第3空間25連通。更具體而言，前槽81將第I空間10和前空間55連通，后槽82將第I空間10和后空間56連通。
[0069]另一方面，第I空間10和第4空間26未連通。另外，第3空間25與第4空間26也未連通。
[0070]第I槽8的尺寸可適當設(shè)定。具體而言，如參照圖1那樣，第I槽8的寬度W5為例如0.5mm以上，優(yōu)選是Imm以上，另外，例如是20mm以下，優(yōu)選是1mm以下。
[0071]第I槽8的寬度W5只要是上述的下限以上，就能夠使剝離片42充分地落入(被壓入)第I槽8內(nèi)，剩余的密封材料α能夠通過第I槽8，因此使密封層43的厚度穩(wěn)定。
[0072]另一方面，第I槽8的寬度W5只要是上述的上限以下，則能夠抑制剩余的密封材料α向第3空間25的流入，能夠防止在第I空間10中產(chǎn)生密封材料的不足。因此，能夠防止在密封層43中產(chǎn)生空隙和/或表面凹陷。
[0073]第I槽8的深度D例如是0.0 Imm以上，優(yōu)選是0.03mm以上、更優(yōu)選是0.05mm以上。另夕卜，第I槽8的深度D例如是框構(gòu)件I的厚度T的80%以下，具體而言，例如是0.5mm以下，優(yōu)選是0.3mm以下、更優(yōu)選是0.2mm以下。
[0074]第I槽8的深度D只要是上述的下限以上，密封材料所含有的填料和/或熒光體就能夠通過第I槽8，抑制在第I槽8附近產(chǎn)生偏析，另外，不限制剩余的密封材料α的流動，使密封層43的厚度穩(wěn)定。
[0075]另一方面，第I槽8的深度D只要是上述的上限以下，就能夠抑制剩余的密封材料α向第3空間25的流入，能夠防止在第I空間10中產(chǎn)生密封材料的不足。因此，能夠防止在密封層43中產(chǎn)生空隙和/或表面凹陷。
[0076]2.密封光半導體元件以及光半導體裝置的制造方法
[0077]接著，對使用該框構(gòu)件I來密封光半導體元件46并制造密封光半導體元件47的方法以及使用密封光半導體元件47來制造光半導體裝置48的方法進行說明。
[0078]在該方法中，如圖3所示，首先，分別準備作為下板的一個例子的下夾具61、作為上板的一個例子的上夾具71、框構(gòu)件1、密封片41和元件構(gòu)件片49(準備下板、上板和框構(gòu)件的工序的一個例子)。
[0079]下夾具61例如由金屬形成，如圖3以及圖4A所示，具有大致矩形平板形狀。下夾具61具有比框構(gòu)件I的外形大的外形。下夾具61具有第I銷62、彈簧63、定位標記64和下定位孔65。
[0080]第I銷62配置于下夾具61的四個角部。多個(4個)第I銷62分別具有從下夾具61的四個角部各自的上表面朝向上側(cè)延伸的大致圓柱形狀。
[0081]彈簧63與多個第I銷62相對應地設(shè)置。多個彈簧63分別是能夠沿著上下方向伸縮的壓縮螺旋彈簧。多個彈簧63分別供第I銷62插入(安裝)。
[0082]定位標記64配置有多個(4個)。具體而言，多個(4個)定位標記64與多個(4個)第I銷62隔開間隔地配置在比多個(4個)第I銷62靠內(nèi)側(cè)的位置。多個定位標記64分別具有俯視大致L字形狀。定位標記64是通過對下夾具61的上表面進行切削而形成的。定位標記64配置在與剝離片42的4個角部相對應的位置。
[0083]下定位孔65以與框構(gòu)件I的右凹部35以及左凹部36相對應的方式配置有多個(兩個)。下定位孔65是沿著厚度方向貫穿下夾具61的貫穿孔。多個下定位孔65分別具有沿著前后方向延伸的俯視大致矩形形狀。
[0084]上夾具71例如由金屬形成，具有大致矩形平板形狀。上夾具71具有與下夾具61的外形相同的外形。上夾具71具有上定位孔72。另外，上夾具71具有片配置區(qū)域70。
[0085]上定位孔72是沿著厚度方向貫穿上夾具71的貫穿孔。上定位孔72在上夾具71的四個角部配置有多個(4個)。上定位孔72具有能夠供第I銷62插入的形狀以及尺寸。
[0086]如圖3所示，片配置區(qū)域70是上夾具71的下表面的中央的區(qū)域，是供后述的元件構(gòu)件片49配置的區(qū)域。
[0087]密封片41包括剝離片42和密封層43。優(yōu)選的是，密封片41僅由剝離片42和密封層43構(gòu)成。
[0088]密封片41具有平板形狀，具體而言具有預定的厚度，具有沿著左右方向以及前后方向延伸且平坦的表面以及平坦的背面。
[0089]剝離片42為了在直到利用密封層43密封光半導體元件46為止的期間保護密封層43而以可剝離的方式粘貼于密封層43的背面(圖4B中的下表面)。剝離片42由撓性薄膜形成。另外，剝離片42的粘貼面、也就是說，與密封層43接觸的接觸面根據(jù)需要被實施氟處理等剝離處理。
[0090]作為剝離片42，可列舉出例如聚乙烯薄膜、聚脂薄膜(PET等)等聚合物薄膜、例如陶瓷片、例如金屬箔等。另外，剝離片42的形狀具有例如俯視大致矩形形狀(包括長方形、長條狀)等。
[0091]如圖4B所示，剝離片42的尺寸被設(shè)定為在沿著厚度方向進行投影時剝離片42的周端緣載置于框構(gòu)件I的上表面。具體而言，剝離片42的尺寸被設(shè)定為剝離片42覆蓋第I空間10以及第2空間11。
[0092]剝離片42的厚度例如是Ιμπι以上，優(yōu)選是ΙΟμπι以上，另外，例如是2000μηι以下，優(yōu)選是ΙΟΟΟμπι以下。
[0093]密封層43由密封材料形成為大致矩形片形狀。
[0094]作為密封材料，可列舉出例如密封樹脂組合物。密封樹脂組合物含有密封樹脂。
[0095]作為密封樹脂，可列舉出透明性的樹脂，具體而言，可列舉出熱固性樹脂、熱塑性樹脂，優(yōu)選的是，可列舉出熱固性樹脂。
[0096]作為熱固性樹脂，可列舉出例如兩階段反應固化性樹脂、一階段反應固化性樹脂。
[0097]兩階段反應固化性樹脂具有兩個反應機理，其能夠在第I階段的反應中從A階段狀態(tài)實現(xiàn)B階段化(半固化)，接下來，能夠在第2階段的反應中從B階段狀態(tài)實現(xiàn)C階段化(完全固化)。也就是說，兩階段反應固化性樹脂是能夠通過適度的加熱條件而成為B階段狀態(tài)的熱固性樹脂。但是，兩階段反應固化性樹脂也能夠通過劇烈的加熱從A階段狀態(tài)一次性就成為C階段狀態(tài)而不維持B階段狀態(tài)。此外，B階段狀態(tài)是熱固性樹脂呈液狀的A階段狀態(tài)和完全固化了的C階段狀態(tài)之間的狀態(tài)，且是稍微進行固化以及凝膠化、壓縮彈性模量小于C階段狀態(tài)的彈性模量的半固體或固體狀態(tài)。
[0098]—階段反應固化性樹脂具有I個反應機理，其能夠在第I階段的反應中從A階段狀態(tài)實現(xiàn)C階段化(完全固化)。此外，一階段反應固化性樹脂包括如下的熱固性樹脂:在第I階段的反應的中途停止該反應，能夠從A階段狀態(tài)成為B階段狀態(tài)，之后進一步加熱，能夠再次開始第I階段的反應，從B階段狀態(tài)實現(xiàn)C階段化(完全固化)。也就是說，該熱固性樹脂是能夠成為B階段狀態(tài)的熱固性樹脂。當然，一階段反應固化性樹脂包括如下的熱固性樹脂:不能以使該熱固性樹脂在一階段的反應的中途停止的方式對該熱固性樹脂組合物進行控制，也就是說，無法成為B階段狀態(tài)，一次性就從A階段狀態(tài)實現(xiàn)C階段化(完全固化)。
[0099]也就是說，熱固性樹脂包括取決于加熱條件能夠成為B階段狀態(tài)的熱固性樹脂和無法成為B階段狀態(tài)的熱固性樹脂。
[0100]作為密封樹脂，可列舉出例如有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂、密胺樹脂、不飽和聚脂樹脂等。
[0101]作為密封樹脂，優(yōu)選是可列舉出有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂。
[0102]作為有機硅樹脂，優(yōu)選是可列舉出能夠成為B階段狀態(tài)的熱固性有機硅樹脂、無法成為B階段狀態(tài)的熱固性有機硅樹脂。
[0103]作為環(huán)氧樹脂，可列舉出能夠成為B階段狀態(tài)的熱固性環(huán)氧樹脂。
[0104]上述的密封樹脂也可以是同一種類的樹脂或多個種類的樹脂。
[0105]進而，密封樹脂組合物也能夠含有填料、熒光體。
[0106]作為填料，可列舉出無機顆粒、有機顆粒等顆粒。
[0107]作為無機顆粒，可列舉出例如氧化硅(S12)、滑石(Mg3(Si4O1O)(Η0)2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硼(B2O3)、氧化I丐(CaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎖(SrO)、氧化鎂(MgO)、氧化錯(ZrO2)、氧化鋇(BaO)、氧化銻(Sb2O3)等氧化物、例如氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)等氮化物等無機物顆粒(無機物)。另外，作為無機顆粒，可列舉出例如從上述例示的無機物制備的復合無機物顆粒，具體而言，可列舉出從氧化物制備的復合無機氧化物顆粒(具體而言，玻璃顆粒等)。
[0108]作為有機顆粒的有機材料，可列舉出例如丙烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、有機硅系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、苯并胍胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚脂系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚酰亞胺系樹脂等。
[0109]填料能夠單獨使用或組合使用。
[0110]對于填料的含有比例，相對于密封樹脂組合物為例如I質(zhì)量％以上，優(yōu)選是3質(zhì)量％以上，另外，例如是80質(zhì)量％以下，優(yōu)選是75質(zhì)量％以下。
[0111]作為熒光體，可列舉出例如能夠?qū)⑺{色光轉(zhuǎn)換為黃色光的黃色熒光體、能夠?qū)⑺{色光轉(zhuǎn)換為紅色光的紅色熒光體等。
[0112]作為黃色熒光體，可列舉出例如(8&，3廠0&):^04$11、(3廠8&) 2Si04:Eu(原硅酸鋇(BOS))等硅酸鹽熒光體、例如Y3Al5012:Ce(YAG(釔.鋁.石榴石):Ce)、Tb3Al3012:Ce(TAG(鋱?鋁.石榴石):Ce)等具有石榴石型結(jié)晶構(gòu)造的石榴石型熒光體、例如Ca — α — SiAlON等氣氧化物焚光體等。
[0113]作為紅色熒光體，可列舉出例如CaAlSiN3: Eu、CaSiN2: Eu等氮化物熒光體等。
[0114]作為熒光體的形狀，可列舉出例如球狀、板狀、針狀等。
[0115]熒光體的最大長度的平均值(在為球狀的情況，是平均粒徑)例如是0.Ιμπι以上，優(yōu)選是Iym以上，另外，例如是200μηι以下，優(yōu)選是ΙΟΟμπι以下。
[0116]熒光體能夠單獨使用或組合使用。
[0117]對于熒光體的配合比例，相對于密封樹脂組合物是例如0.1質(zhì)量％以上，優(yōu)選是
0.5質(zhì)量％以上，例如是90質(zhì)量％以下，優(yōu)選是80質(zhì)量％以下。
[0118]為了制備密封層43，例如將上述的密封樹脂和根據(jù)需要選擇配合的填料以及熒光體配合，制備密封樹脂組合物的清漆，接下來，將該清漆涂敷于剝離片42的上表面。由此，形成密封樹脂組合物的涂膜。接下來，在密封樹脂為熱固性樹脂的情況下，使密封樹脂組合物的涂膜實現(xiàn)B階段化。具體而言，對涂膜進行加熱。由此，制備了密封層43。
[0119]密封層43的80°C的剪切儲能彈性模量G’例如是3Pa以上，優(yōu)選是12Pa以上，另外，例如是140Pa以下，優(yōu)選是70Pa以下。密封層43的80 V的剪切儲能彈性模量G ’是通過在頻率IHz、升溫速度200C/分鐘、溫度范圍20°C?150 V的條件下進行動態(tài)粘彈性測量而得到的。
[0120]密封層43的尺寸被設(shè)定為，密封層43的容積VO與從第I空間10的容積減去可收容在第I空間10的剝離片42的容積以及光半導體元件46的容積而得到的容積Vl相同或大于容積VI。具體而言，VO為VI的例如100 %以上，優(yōu)選是VI的102 %以上，更優(yōu)選是VI的105 %以上，另外，例如是Vl的120%以下。
[0121]具體而言，密封層43的厚度被設(shè)定為與框構(gòu)件I的厚度相同或厚于框構(gòu)件I的厚度，詳細而言，是框構(gòu)件I的厚度的例如100%以上，優(yōu)選是框構(gòu)件I的厚度的102%以上，更優(yōu)選是框構(gòu)件I的厚度的105%以上，另外，例如是框構(gòu)件I的厚度的150%以下。密封層43的厚度例如是50μπι以上，優(yōu)選是200μπι以上，另外，例如是2000μπι以下。
[0122]如圖3所示，密封層43的尺寸被設(shè)定為密封層43使剝離片42的周端部的上表面暴露。也就是說，密封層43的尺寸設(shè)定為小于剝離片42的尺寸。具體而言，密封層43的前后方向長度以及左右方向長度設(shè)定得分別短于剝離片42的前后方向長度以及左右方向長度。
[0123 ]另外，密封層43的體積被設(shè)定為第I空間1的開口容積的例如100體積％以上，優(yōu)選為102體積％以上，另外，例如是第I空間10的開口容積的110體積％以下，優(yōu)選為107體積％以下。另外，密封層43的體積被設(shè)定為，自第I空間10剩余的密封材料α的體積(掩埋第I空間10，進而流到外面的密封材料α的體積)超過第3空間25的開口容積(前空間55的開口容積以及后空間56的開口容積的總?cè)莘e)的例如O體積％，優(yōu)選是第3空間25的開口容積的40體積％以上，另外，例如是第3空間25的開口容積100體積％以下，優(yōu)選是80體積％以下。
[0124]只要密封層43的體積相對于第3空間25的開口容積填充超過上述的下限，就能夠抑制在第I空間10產(chǎn)生空隙和/或凹凸。只要密封層43的體積相對于第3空間25的開口容積填充低于上述的上限，就能夠抑制密封材料向框構(gòu)件I外的漏出(流出)，使密封層43的厚度穩(wěn)定，進而，能夠防止因上述的漏出(流出)引起的對周圍的夾具的污染。
[0125]密封片41的厚度例如是51μπι以上，優(yōu)選是201μπι以上，另外，例如是3000μπι以下，優(yōu)選是ΙΟΟΟμηι以下。
[0126]元件構(gòu)件片49包括光半導體元件46和配置于光半導體元件46的下表面的支承板45 ο優(yōu)選的是，元件構(gòu)件片49僅由光半導體元件46和支承板45構(gòu)成。
[0127]光半導體元件46例如是LED或LD等光學元件。光半導體元件46形成為沿著前后方向以及左右方向的大致平板形狀。另外，光半導體元件46呈俯視大致矩形狀，沿著上下方向以及前后方向的截面形狀以及沿著上下方向以及左右方向的截面形狀形成為大致矩形形狀。光半導體元件46的厚度(上下方向長度)例如是0.Ιμπι以上，優(yōu)選是0.2μπι以上，另外，例如是500μπι以下，優(yōu)選是200μπι以下。光半導體元件46沿著前后方向以及左右方向彼此隔開間隔地配置有多個。多個光半導體元件46各自的前后方向長度以及左右方向長度被適當設(shè)定。相鄰的光半導體元件46間的間隔被適當設(shè)定。
[0128]支承板45是為了在利用密封片41覆蓋并密封光半導體元件46、獲得了密封光半導體元件47之后、直到剝離密封光半導體元件47為止的期間保護密封光半導體元件47的光半導體元件46(參照圖6Α)而以能夠剝離的方式粘貼于密封光半導體元件47中的光半導體元件46的背面(圖6Α中的下表面)。也就是說，支承板45以覆蓋光半導體元件46的背面(圖6Α中的下表面)的方式層疊于光半導體元件46的背面。
[0129]支承板45由與上述的剝離片42同樣的材料形成。另外，支承板45能夠由通過加熱而密封光半導體元件47能夠容易剝離的熱剝離片形成。進而，能夠在支承板45的表面配置壓敏粘接劑層。
[0130]如圖3以及圖4Β所示，支承板45的尺寸被設(shè)定為例如在俯視時包括第I空間10以及第2空間11的大小。也就是說，支承板45被設(shè)定為例如支承板45的周端緣包含于第2框部3的大小。或者、支承板45也能夠設(shè)定為包含框構(gòu)件I的周緣部在內(nèi)的大小。另外，支承板45也能夠設(shè)定為例如包含于下夾具61以及上夾具71的大小。
[0131]支承板45的厚度例如是ΙΟμπι以上，優(yōu)選是50μηι以上，另外，例如是ΙΟΟΟμηι以下、優(yōu)選是10ym以下。
[0132]接下來，在該方法中，將框構(gòu)件I配置于下夾具61的上表面(將框構(gòu)件相對于下板的上表面配置于上側(cè)的工序的一個例子)。
[0133]接下來，在該方法中，如圖4Β所示，將密封片41配置于框構(gòu)件I的上表面(將密封層相對于下板的上表面配置于上側(cè)的工序的一個例子)。
[0134]具體而言，以剝離片42覆蓋(封閉)第I空間10、第2空間11以及第I槽8的同時、在沿著上下方向進行投影時密封層43位于第I空間10內(nèi)的方式將密封片41配置于框構(gòu)件I的上表面。具體而言，參照圖3，以剝離片42在沿著厚度方向進行投影時剝離片42的4個角部與4個定位標記64重疊的方式將密封片41配置于框構(gòu)件I的上表面。此外，密封層43以朝向上側(cè)的方式配置于剝離片42。
[0135]密封層43以在沿著上下方向進行投影時配置于第I空間10的中央部且不與第I空間10的周端部重疊的方式配置。另一方面，剝離片42以封閉第I空間10以及第2空間11這兩者的上端部的方式配置。
[0136]接下來，在該方法中，將元件構(gòu)件片49配置于上夾具71的下表面(將光半導體元件相對于上板的下表面配置于下側(cè)的工序的一個例子)。
[0137]具體而言，將支承板45固定(粘貼)于上夾具71的下表面。光半導體元件46以朝向下側(cè)的方式配置于支承板45。
[0138]之后，在該方法中，將上夾具71相對于下夾具61相對配置。
[0139]具體而言，將第I銷62的上端部插入上定位孔72。于是，上夾具71的位于上定位孔72的周圍的部分被彈簧63支承。
[0140]此時，下定位孔65的內(nèi)端緣和右凹部35以及左凹部36以在上下方向上重疊的方式配置。
[0141]由此，在光半導體元件46、支承板45以及密封片41夾在下夾具61和上夾具71之間的狀態(tài)下，并且在光半導體元件46和密封層43并未接觸而相對配置的狀態(tài)下，將它們安放于下夾具61以及上夾具71。另外，以光半導體元件46在沿著上下方向進行投影時包含于密封層43的方式將上夾具71相對于下夾具61安放。
[0142]之后，在該方法中，將下夾具61以及上夾具71安放于壓力機90。
[0143]壓力機90是平行平板壓力機，具有下加壓板91和配置于下加壓板91的上側(cè)并構(gòu)成為可相對于下加壓板91向下側(cè)加壓的上加壓板92。
[0144]為了將下夾具61以及上夾具71安放于壓力機90，具體而言，將下夾具61的下表面設(shè)置于壓力機90的下加壓板91的上表面。由此，下夾具61以及上夾具71配置于下加壓板91和上加壓板92之間。
[0145]之后，如圖5A以及圖5B所示，通過對上加壓板92相對于下加壓板91加壓，對密封層43加壓，利用密封層43覆蓋并密封光半導體元件46(對密封層加壓而利用密封層密封光半導體元件的工序的一個例子)。
[0146]此時，支承板45的周端部的下表面一邊受到來自上加壓板92的壓力、一邊將密封層43向下側(cè)壓入，直到與配置于框構(gòu)件I的上表面的剝離片42接觸。
[0147]這樣一來，密封層43在第I空間10內(nèi)覆蓋光半導體元件46的下表面以及側(cè)面而密封光半導體元件46。與此相伴，密封層43以及配置于密封層43的下側(cè)的剝離片42落入第I空間10內(nèi)。
[0148]接下來，密封層43的相對于第I空間10而言剩余的密封材料α優(yōu)先通過第I槽8而向第2空間11移動，收納在第2空間11中。剩余的密封材料α在通過第I槽8時使剝離片42落入(下推)第I槽8內(nèi)，并且通過第I槽8后，收納于前空間55以及后空間56。
[0149]進一步加壓，剩余的密封材料α越過第I框部2而收納于4個第2空間11。也就是說，剩余的密封材料α分別越過第I前部21、第I后部22、第I右部23和第I左部24而分別收納于前空間55、后空間56、右空間57和左空間58。
[0150]之后，將上加壓板92相對于下加壓板91上拉。由此，解除壓力機90的加壓。
[0151]由此，以被剝離片42以及支承板45沿著上下方向夾著的狀態(tài)可獲得具有密封層43和被密封層43密封了的多個光半導體元件46的密封光半導體元件47。
[0152]之后，將密封光半導體元件47、剝離片42以及支承板45從下夾具61、上夾具71以及框構(gòu)件I回收，在密封層43含有熱固型樹脂的情況下，對密封光半導體元件47進行加熱而使密封層43完全固化(C階段化)。
[0153]之后，將剝離片42從密封光半導體元件47剝離，之后，去除剩余的密封材料α。與此同時，如圖6Α所示，以密封光半導體元件47支承于支承板45的狀態(tài)并以與多個光半導體元件46分別相對應的方式將密封光半導體元件47單片化。
[0154]之后，如圖6Β所示，將單片化后的密封光半導體元件47安裝于基板50。具體而言，如圖6Α的箭頭所示，將密封光半導體元件47從支承板45剝下，接下來，將密封光半導體元件47安裝于基板50。詳細而言，將光半導體元件46相對于基板50進行倒裝安裝。
[0155]基板50呈沿著前后方向以及左右方向延伸的大致矩形平板形狀，例如是絕緣基板。另外，基板50具有配置于上表面的端子(未圖示)。
[0156]由此，可獲得包括基板50和安裝于基板50的密封光半導體元件47的光半導體裝置
48。優(yōu)選的是，光半導體裝置48僅由基板50、安裝于基板50的光半導體元件46、覆蓋并密封光半導體元件46的密封層43構(gòu)成。
[0157]3.第I實施方式的作用效果
[0158]采用該框構(gòu)件I，在第I空間10內(nèi)中配置密封層43以及光半導體元件46，之后，在對它們加壓時，能夠利用第2空間11收納密封材料中的形成密封層43的部分之外的剩余的密封材料α。
[0159]因此，能夠防止第2空間11的周圍的構(gòu)件、具體而言，壓力機90的下加壓板91以及上加壓板92的污染。
[0160]在該框構(gòu)件I中，在第I空間10被密封材料填充了的情況下，能夠使第I空間10中的剩余的密封材料α通過第I槽8而收納在第2空間11中。因此，能夠利用第I槽8將剩余的密封材料α順暢地收納在第2空間11中。
[0161]另外，在該框構(gòu)件I中，能夠利用第2空間11的被劃分成多個的每一個空間即、前空間55、后空間56、右空間57、左空間58分別收納剩余的密封材料α，與此，能夠可靠地防止框構(gòu)件I的周圍的構(gòu)件的污染。
[0162]在該框構(gòu)件I中，在第I空間10被密封材料填充了的情況下，能夠使第I空間10中的剩余的密封材料α首先通過第I槽8而優(yōu)先地收納在第3空間25中。進而，剩余的密封材料α可越過第I框部2而收納在第3空間25和第4空間26中。
[0163]采用上述的密封光半導體元件47的制造方法，在利用密封層43密封光半導體元件46的工序中，利用第2空間11收納剩余的密封材料α，因此，能夠防止框構(gòu)件I的周圍的構(gòu)件、具體而言壓力機90的下加壓板91以及上加壓板92的污染。
[0164]4.變形例
[0165]在變形例中，對與上述的第I實施方式同樣的構(gòu)件以及工序標注相同的參照附圖標記而省略其詳細說明。
[0166]在該變形例中，如圖7、圖8A以及圖8B所示，上夾具71具有卡定部73、對準第I凸部76和孔77?？ǘú?3、對準第I凸部76和孔77設(shè)于片配置區(qū)域70的周圍。
[0167]如圖7以及圖1OA所示，卡定部73在上夾具71的下表面的左右兩端部的各個端部各設(shè)有I個。兩個卡定部73在沿著左右方向進行投影時配置于相同的位置。兩個卡定部73分別具有在仰視時前后方向較長的大致矩形板形狀。如圖1OA所示，兩個卡定部73分別具有缺口部74以及爪部75。
[0168]缺口部74是將卡定部73的內(nèi)端部的上端部切除而成的部分。由此，卡定部73具有正剖視大致L形狀。
[0169]爪部75由缺口部74形成，是在卡定部73中朝向上夾具71的中央突出的突出部。另夕卜，爪部75由缺口部74形成，因此，與上夾具71的下表面隔開間隔地形成。
[0170]在卡定部73中，將支承板45的左右兩端緣收容在缺口部74內(nèi)的同時利用爪部75支承支承板45的左右兩端緣，防止支承板45向下方脫落。
[0171]如圖7以及圖9A所示，對準第I凸部76在上夾具71的下表面的后端部設(shè)有多個(多個)。多個對準第I凸部76沿著左右方向彼此隔開間隔地相對配置。多個對準第I凸部76分別具有俯視時左右方向較長的大致矩形板形狀。多個對準第I凸部76分別具有從上夾具71的下表面朝向下方突出的形狀。多個對準第I凸部76的前端面對齊，具體而言，多個對準第I凸部76的前端面以在沿著左右方向進行投影時處于相同的位置的方式配置。
[0172]孔77在上夾具71的前端部設(shè)有多個(兩個)。多個(兩個)孔77沿著左右方向彼此隔開間隔地相對配置。多個孔77與對準第I凸部76相對應地設(shè)置。具體而言，兩個孔77分別設(shè)置于在沿著前后方向進行投影時與分別位于左右兩端部的對準第I凸部76重疊的位置。多個孔77分別具有俯視大致圓形狀。多個孔77分別具有沿著上夾具71的厚度方向貫穿上夾具71的形狀。多個孔77分別具有上孔79和下孔80。
[0173]上孔79設(shè)于孔77的上部。上孔79具有沿著厚度方向延伸的圓孔形狀。上孔79具有可收容第2銷78的頭部67(后述)的尺寸。
[0174]下孔80設(shè)于孔77的下部，具體而言，下孔80與上孔79連續(xù)地設(shè)于上孔79的下側(cè)。下孔80沿著厚度方向延伸，具有相對于上孔79縮徑而成的圓孔形狀。下孔80具有可收容第2銷78的桿部66(后述)的尺寸。
[0175]在該變形例中的方法中，將元件構(gòu)件片49配置于上夾具71的下表面的工序如以下那樣實施。
[0176]S卩、首先，如圖9A以及圖1OA所示，將支承板45配置于上夾具71的前方。
[0177]接下來，如圖9A的箭頭、圖9B以及圖1OB所示，使支承板45相對于上夾具71的下表面向后側(cè)滑動。具體而言，使支承板45的上表面相對于上夾具71的下表面滑動。
[0178]支承板45的尺寸被設(shè)定為與卡定部73、對準第I凸部76以及孔77的配置相對應。具體而言，如圖7以及圖9A所示，支承板45的前后方向長度L6被設(shè)定為與對準第I凸部76的前端面和下孔80的后端緣之間的距離即距離L5相同。如圖7以及圖1OB所示，支承板45的左右方向長度L8被設(shè)定為與相對的兩個卡定部73中的面臨缺口部74的側(cè)面之間的長度L7相同或者稍小于該長度L7、并且設(shè)定為大于兩個卡定部73中的爪部75之間的長度L9。
[0179]而且，以支承板45的左右兩端緣收容在缺口部74內(nèi)的方式使支承板45向后側(cè)滑動。由此，爪部75防止支承板45向下方脫落。
[0180]接下來，如圖9B所示，使支承板45滑動直到支承板45的后端緣與多個對準第I凸部76的前端面接觸為止。在支承板45的后端緣與多個對準第I凸部76的前端面接觸之后，如圖9C所示，將第2銷78插入孔77中。
[0181]第2銷78具有截面呈大致T字的形狀。第2銷78具有沿著上下方向延伸的桿部66和與桿部66的上端部連接而沿著面方向(前后方向以及左右方向)延伸的頭部67。頭部67具有大致圓板形狀。
[0182]將頭部67收容在上孔79內(nèi)的同時，桿部66貫穿下孔80，進而，桿部66的下端部從下孔80向下方突出。桿部66的下端部構(gòu)成對準第2凸部68。利用對準第2凸部68防止支承板45朝向前方移動。
[0183]也就是說，在該上夾具71中，如圖1OB所示，利用卡定部73防止支承板45脫落并防止支承板45的左右方向上的錯位。如圖9C所示，利用對準第I凸部76以及對準第2凸部68防止支承板45的前后方向上的錯位而對支承板45的前后方向上的位置進行對準。
[0184]在該變形例中，在將元件構(gòu)件片49配置于上夾具71時，一邊利用卡定部73對元件構(gòu)件片49的左右方向位置進行對準、一邊能夠利用卡定部73的爪部75防止元件構(gòu)件片49脫落。另外，能夠利用對準第I凸部76以及對準第2凸部68對元件構(gòu)件片49的前后方向位置進行對準。由此，能夠?qū)⒃?gòu)件片49相對于上夾具71準確地固定。
[0185]在第I實施方式中，在將框構(gòu)件I配置于上夾具71的工序中，如圖3所示，針對I個上夾具71配置有I個元件構(gòu)件片49。不過，在另一變形例中，如圖11所示，針對I個上夾具71配置有多個、具體而言4個元件構(gòu)件片49。
[0186]如圖11以及圖12所示，上夾具71具有4個片配置區(qū)域70。4個片配置區(qū)域70以前后2列、左右2列排列配置。上夾具71具有分別與4個片配置區(qū)域70相對應的卡定部73、對準第I凸部76以及孔77。
[0187]在位于前列的片配置區(qū)域70的后側(cè)配置有對準第I凸部76，在該片配置區(qū)域70的前側(cè)配置有孔77。另一方面，在位于后列的片配置區(qū)域70的前側(cè)配置有對準第I凸部76，在該片配置區(qū)域70的后側(cè)配置有孔77。與位于前列的片配置區(qū)域70相對應的對準第I凸部76和與位于后列的片配置區(qū)域70相對應的對準第I凸部76沿著前后方向彼此相對地配置在上夾具71的前后方向中央部。另一方面，與位于前列的片配置區(qū)域70相對應的孔77和與位于后列的片配置區(qū)域70相對應的孔77分別配置于上夾具71的前后兩端部的各個端部。
[0188]在4個片配置區(qū)域70各自的左右兩側(cè)配置有卡定部73。在位于右列的片配置區(qū)域70的左側(cè)配置的卡定部73和在位于左列的片配置區(qū)域70的右側(cè)配置的卡定部73沿著左右方向彼此相對地配置在上夾具71的左右方向中央部。另一方面，在位于右列的片配置區(qū)域70的右側(cè)配置的卡定部73和在位于左列的片配置區(qū)域70的左側(cè)配置的卡定部73分別配置于上夾具71的左右兩端部的各個端部。
[0189]在該變形例中，在將元件構(gòu)件片49配置于上夾具71的工序中，如圖11所示，將4個元件構(gòu)件片49的每一個相對于4個片配置區(qū)域70的每一個進行配置。
[0190]另外，在將框構(gòu)件I配置于下夾具61的工序中，以將4個框構(gòu)件I與4個元件構(gòu)件片49以及4個支承板45相對應的方式將4個框構(gòu)件I配置于下夾具61的上表面。
[0191]另外，在將密封片41配置于框構(gòu)件I的工序中，將4個密封片41以與4個框構(gòu)件I相對應的方式配置于4個框構(gòu)件I的上表面。
[0192]采用該變形例，利用I個下夾具61和I個上夾具71夾著多個(4個)元件構(gòu)件片49、多個(4個)框構(gòu)件I以及多個(4個)密封片41來密封光半導體元件46，因此(即使是元件構(gòu)件片
49、框構(gòu)件1、和/或密封片41比較小型，也)能夠高效地密封很多光半導體元件46，高效地制造多個密封光半導體元件47。
[0193]另外，在上述的變形例中，如圖11以及圖12所示，在上夾具71上以前后2列、左右2列配置有4個片配置區(qū)域70，但其數(shù)量并沒有特別限定，例如，能夠以前后2列、左右η列(η是整數(shù))配置2Χη個片配置區(qū)域70，但對此并未圖示。
[0194]在第I實施方式中，如圖2所示，第I框部2具有第I槽8。不過，如圖13所示，也能夠不具有第I槽8地構(gòu)成第I框部2。
[0195]第I空間10以及第2空間11被第I框部2劃分而將第I空間10以及第2空間11之間的連通阻斷。
[0196]在相對于下加壓板91對上加壓板92加壓時，剩余的密封材料α從第I空間10越過第I框部2，進入第2空間11而收納于第2空間11中。
[0197]另外，如圖14所示，第I槽8除了設(shè)置于第I前部21以及第I后部22之外，還可以設(shè)置于第I右部23以及第I左部24。也就是說，第I前部21、第I后部22、第I右部23和第I左部24分別具有兩個第I槽8。
[0198]第I右部23中的兩個第I槽8是右槽83。
[0199]右槽83設(shè)于第I右部23的前后兩端部的上部。兩個右槽83分別是從第I右部23的上表面開始切除到厚度方向(上下方向)中途而成的切槽(凹槽)。多個右槽83分別具有側(cè)剖視大致矩形形狀。兩個右槽83分別在俯視時沿著左右方向跨著第I右部23，其右端部到達右空間57，其左端部到達第I空間10。另外，兩個右槽83各自的底面在沿著前后方向進行投影時位于比第I右部23的前后方向中央部、右前連結(jié)部51以及右后連結(jié)部53這三者的上表面低的位置。
[0200]第I左部24中的兩個第I槽8是左槽84。
[0201 ] 左槽84相對于沿著前后方向通過框構(gòu)件I的重心(第2空間11的中心)的假想線LB與右槽83呈線對稱地配置以及形成。
[0202]圖14所示的框構(gòu)件I的情況下，能夠使剩余的密封材料α從第2空間11通過右槽83以及左槽84，分別進入右空間57以及左空間58而收納于右空間57以及左空間58。
[0203]如圖2所示，在第I實施方式中，將第I槽8設(shè)于第I前部21的左右兩端部、以及第I后部22的左右兩端部。不過，如圖15所示，也能夠?qū)⒌贗槽8設(shè)于第I前部21的左右方向中央部以及第I后部22的左右方向中央部。
[0204]也就是說，第I槽8具有I個前槽81和I個后槽82。
[0205]前槽81針對第I前部21設(shè)有I個。
[0206]后槽82針對第I后部22設(shè)有I個。
[0207]另外，前槽81以及后槽82各自的數(shù)量沒有特別限定，雖未圖示，但例如也可以分別為3個以上。
[0208]另外，如圖2所示，在第I實施方式中，將第3空間25的寬度、具體而言前空間55的寬度Wl以及后空間56的寬度W2設(shè)定為與第4空間26的寬度、具體而言右空間57的寬度W3以及左空間58的寬度W4相同。不過，如圖16所示，能夠?qū)⒌?空間26的寬度(右空間57的寬度W3以及左空間58的寬度W4)設(shè)定得比第3空間25的寬度(前空間55的寬度Wl以及后空間56的寬度W2)窄。
[0209]右空間57的左右方向長度(寬度)W3以及左空間58的左右方向長度(寬度)W4不足Wl以及W2的例如100%，優(yōu)選是75%以下、更優(yōu)選是50%以下，另外，例如是10%以上，詳細而言，例如是20mm以下，優(yōu)選是1mm以下，更優(yōu)選是2mm以下，另外，例如是0.5mm以上。
[0210]另外，第4空間26(右空間57以及左空間58)的開口面積被設(shè)定得比第3空間25(前空間55以及后空間56)的開口面積小。
[0211]而且，在圖16所示的框構(gòu)件I中，多個第2空間11具有開口面積較大的第3空間25和開口面積較小的第4空間26，因此，與具有開口面積相同的第3空間25以及第4空間26的框構(gòu)件(第I實施方式、參照圖2)相比，能夠謀求框構(gòu)件I的小型化。
[0212]進而，第3空間25的開口面積大于第4空間26的開口面積，因此，S卩使優(yōu)先地收納剩余的密封材料α，也能夠容許充分的收納。
[0213]另外，準備了例如B階段的密封樹脂組合物作為密封層43，但也能夠例如不對涂膜進行加熱，直接將A階段的密封樹脂組合物的涂膜作為密封層43。在該情況下，A階段的密封樹脂組合物的粘度例如是I，OOOmPa.s以上，優(yōu)選是3，OOOmPa.s以上，更優(yōu)選是5，OOOmPa.s以上，另夕卜，例如是I，000，OOOmPa.s以下，優(yōu)選是500，OOOmPa.s以下，更優(yōu)選是200,OOOmPa.s以下。此外，A階段的密封樹脂組合物的粘度是將A階段的密封樹脂組合物的溫度調(diào)節(jié)為25°C、使用E型錐形粘度計進行測量的。
[0214]另外，在第I實施方式中，首先，如圖3、圖4A以及圖4B所示，準備具有支承板45、被支承板45支承的光半導體元件46的元件構(gòu)件片49，接下來，如圖5A以及圖5B所示，使用框構(gòu)件1、下夾具61以及上夾具71，利用密封層43覆蓋并密封光半導體元件46，如圖6A所示，獲得密封光半導體元件47，之后，如圖6B所示，將密封光半導體元件47安裝于基板50，獲得了光半導體裝置48。不過，如參照圖3以及圖4B那樣，也能夠是，預先將光半導體元件46安裝于基板95，之后，使用框構(gòu)件1、下夾具61以及上夾具71，利用密封層43覆蓋并密封光半導體元件46，從而獲得光半導體裝置48。
[0215]在第I實施方式中，如圖4B所示，將元件構(gòu)件片49配置于上夾具71的下表面，但只要是在上夾具71的下表面的下側(cè)即可，沒有特別限定，例如，也能夠以多個光半導體元件46的下表面與密封層43的上表面接觸的方式將元件構(gòu)件片49載置于密封片41之上，將元件構(gòu)件片49以與上夾具71的下表面隔開間隔的方式安放，但對此并未圖示。
[0216]<第2實施方式>
[0217]在第2實施方式中，對與上述的第I實施方式同樣的構(gòu)件以及工序標注相同的參照附圖標記而省略其詳細說明。
[0218]在第I實施方式中，如圖2所示，設(shè)有將第I空間10以及第3空間25連通的第I槽8。不過，在第2實施方式中，如圖17所示，替代第I槽8而設(shè)有將彼此相鄰的兩個第2空間11連通的第2槽85。
[0219]在圖17中，第2槽85設(shè)置于連結(jié)部4。具體而言，第2槽85具有設(shè)置于右前連結(jié)部51的右前槽86、設(shè)置于左前連結(jié)部52的左前槽87、設(shè)置于右后連結(jié)部53的右后槽88以及設(shè)置于左后連結(jié)部54的左后槽89。
[0220]右前槽86是從右前連結(jié)部51的上表面開始切除到上下方向中途而成的切槽(凹槽)。右前槽86隨著從前空間55的右端部朝向右側(cè)去而向后側(cè)延伸，到達右空間57的前端部。由此，右前槽86將前空間55(第3空間25)以及右空間57(第4空間26)連通。
[0221]左前槽87是從左前連結(jié)部52的上表面開始切除到上下方向中途而成的切槽(凹槽)。左前槽87隨著從前空間55的左端部朝向左去而向后側(cè)延伸，到達左空間58的前端部。由此，左前槽87將前空間55(第3空間25)以及左空間58(第4空間26)連通。
[0222]右后槽88是從右后連結(jié)部53的上表面開始切除到上下方向中途而成的切槽(凹槽)。右后槽88隨著從后空間56的右端部朝向右去而向前側(cè)延伸，到達右空間57的后端部。由此，右前槽86將后空間56(第3空間25)以及右空間57(第4空間26)連通。
[0223]左后槽89是從左后連結(jié)部54的上表面開始切除到上下方向中途而成的切槽(凹槽)。左后槽89隨著從后空間56的左端部朝向左去而向前側(cè)延伸，到達左空間58的后端部。由此，左后槽89將后空間56(第3空間25)以及左空間58(第4空間26)連通。
[0224]因而，多個第2空間11經(jīng)由多個第2槽85彼此連通。
[0225]在使用該框構(gòu)件I來制造密封光半導體元件47的方法中，如圖18B所示，將元件構(gòu)件片49以及密封片41安放于下夾具61以及上夾具71，并將它們安放于壓力機90。
[0226]之后，如圖18B所示，通過相對于下加壓板91對上加壓板92加壓，對密封層43加壓，利用密封層43覆蓋并密封光半導體元件46。
[0227]于是，剩余的密封材料α從第I空間10越過第I框部2而收納于第2空間11。具體而言，剩余的密封材料α越過第I前部21、第I后部22、第I右部23以及第I左部24而分別收納于前空間55、后空間56、右空間57以及左空間58。
[0228]另外，第3空間25以及第4空間26中的任一者的剩余的密封材料α通過第2槽85，向另一者移動，而被收納于另一者中。
[0229]<第3實施方式>
[0230]在第3實施方式中，對與上述的第I實施方式以及第2實施方式同樣的構(gòu)件以及工序標注相同的參照附圖標記，省略其詳細說明。
[0231]在第I實施方式中，如圖2所示，在框構(gòu)件I設(shè)有第I槽8。另外，在第2實施方式中，如圖17所示，在框構(gòu)件I設(shè)有第2槽85。不過，在第3實施方式中，如圖19所示，在框構(gòu)件I設(shè)有第I槽8和第2槽85這兩者。
[0232]如圖19所示，右前槽86從前空間55的右端部向后側(cè)延伸，而到達右空間57的前端部。左前槽87從前空間55的左端部向后側(cè)延伸，而到達左空間58的前端部。
[0233]右后槽88從后空間56的右端部向前側(cè)延伸，而到達右空間57的后端部。左后槽89從后空間56的左端部向前側(cè)延伸而到達左空間58的后端部。
[0234]由此，第I空間10經(jīng)由第3空間25與第4空間26連通。詳細而言，第I空間10經(jīng)由兩個前槽81、前空間55、右前槽86以及左前槽87與兩個第4空間26連通。另外，第I空間10經(jīng)由兩個后槽82、后空間56、右后槽88以及左后槽89與兩個第4空間26連通。
[0235]在該第3實施方式中，將密封層43以及光半導體元件46配置在第I空間10內(nèi)，之后，在對它們加壓時使剩余的密封材料α(參照圖5Α以及圖12)首先通過前槽81以及后槽82，由第3空間25收納。之后，在第3空間25被剩余的密封材料α填充了時，剩余的密封材料α通過右前槽86、左前槽87、右后槽88以及左后槽89，由開口面積小于第3空間25的開口面積的第4空間26收納。
[0236]因此，在該第3實施方式中，能夠?qū)⑹Ｓ嗟拿芊獠牧夕涟凑盏?空間25和第4空間26的順序階段性地收納。
[0237]<變形例>
[0238]也能夠?qū)⒌贗實施方式?第3實施方式適當組合。
[0239]此外，作為本實用新型的例示的實施方式提供了上述說明，但這些僅是例示，并不進行限定性解釋。對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的本實用新型的變形例包含在所述權(quán)利要求書的范圍中。
【主權(quán)項】
1.一種框構(gòu)件，其用于利用由密封材料形成的密封層來密封光半導體元件，其特征在于， 該框構(gòu)件包括: 第I框部，其以形成第I空間的方式構(gòu)成； 第2框部，其以在所述第I框部的外側(cè)與所述第I框部隔開間隔而在其與所述第I框部之間形成第2空間的方式配置，并以包圍所述第I框部的方式配置； 連結(jié)部，其用于將所述第I框部和所述第2框部連結(jié)起來， 所述第I空間供所述密封層以及所述光半導體元件配置， 所述第2空間用于收納所述密封材料中的形成密封了所述光半導體元件的所述密封層的部分之外的剩余的部分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框構(gòu)件，其特征在于， 所述第I框部具有將所述第I空間和所述第2空間連通的第I槽。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框構(gòu)件，其特征在于， 所述第2空間設(shè)置有多個， 所述連結(jié)部具有將彼此相鄰的所述第2空間連通的第2槽。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的框構(gòu)件，其特征在于， 所述連結(jié)部設(shè)置有多個， 所述第2空間由多個所述連結(jié)部劃分成多個。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的框構(gòu)件，其特征在于， 多個所述第2空間具有第3空間和開口面積小于所述第3空間的開口面積的第4空間。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的框構(gòu)件，其特征在于， 所述連結(jié)部設(shè)置有多個， 所述第2空間由多個所述連結(jié)部劃分成多個， 多個所述第2空間具有第3空間和開口面積小于所述第3空間的開口面積的第4空間， 所述第I槽將所述第I空間和所述第3空間連通。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的框構(gòu)件，其特征在于， 所述第2空間設(shè)置有多個， 所述連結(jié)部具有將彼此相鄰的所述第2空間連通的第2槽。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的框構(gòu)件，其特征在于， 所述連結(jié)部設(shè)置有多個， 所述第2空間由多個所述連結(jié)部劃分成多個， 多個所述第2空間具有第3空間和開口面積小于所述第3空間的開口面積的第4空間， 所述第2槽將所述第3空間和所述第4空間連通。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的框構(gòu)件，其特征在于， 所述第I框部具有將所述第I空間和所述第2空間連通的第I槽。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的框構(gòu)件，其特征在于， 所述第I槽將所述第I空間和所述第3空間連通。
【文檔編號】H01L33/50GK205542871SQ201620066730
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年1月22日
【發(fā)明人】三田亮太, 北山善彥
【申請人】日東電工株式會社