一種大功率封裝的熱模型的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種大功率封裝的熱模型，包括熱層、LED芯片、金線、封裝透鏡、絕緣層、環(huán)氧聚酯框架、底位鍵、夾板、引線電極和電極構(gòu)件；所述熱層為該熱模型的底座，LED芯片安裝在熱層的上端，其LED芯片與金線相連接；所述熱層的右側(cè)設(shè)置了環(huán)氧聚酯框架，環(huán)氧聚酯框架右側(cè)面與電極構(gòu)件相連接；所述電極構(gòu)件的頂端和熱層頂部的左端均安裝有絕緣層，封裝透鏡安裝在絕緣層上，并將金線和LED芯片罩在里面；該大功率封裝的熱模型，芯片產(chǎn)生的熱量通過(guò)熱層以及熱層和PCB之間的錫漿散熱，散熱面積和散熱速度有了較大的提升；由于設(shè)置了電極結(jié)構(gòu)和引線電極，可以更加方便的與LED芯片電性連接，省去了以往印刷電路板的使用，從而節(jié)約了成本。
【專利說(shuō)明】
一種大功率封裝的熱模型
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電子設(shè)備應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種大功率封裝的熱模型。
【背景技術(shù)】
[0002]在LED燈具設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，面臨的最大難題就是散熱，各大廠家都為此傷透了腦筋。LED燈具散熱不好，會(huì)造成LED芯片結(jié)溫，溫升過(guò)高，從而降低LED發(fā)光光效，大大縮短LED壽命，甚至?xí)餖ED燈具失效。LED的輸入功率是元件熱的唯一來(lái)源，能量的一部分變成輻射光能，其余部分變成熱，從而提升了元件的溫度。顯然，減小LED溫升效應(yīng)的主要方法，一是提高電光轉(zhuǎn)換效率，是盡可能多的輸入功率變成光能，另一個(gè)重要途徑就是熱法提高元件的散熱能力，是結(jié)溫產(chǎn)生的熱，通過(guò)各種途徑散發(fā)到周圍環(huán)境中去。提高LED散熱能力，降低LED結(jié)溫的主要途徑有:減少LED本身熱阻，良好的二次散熱機(jī)構(gòu)，減少LED與二次散熱機(jī)構(gòu)安裝界面之間的熱阻，控制LED燈具的輸入功率，降低LED燈具工作環(huán)境溫度。該熱模型芯片產(chǎn)生的熱量通過(guò)熱層以及熱層和PCB之間的錫漿散熱，散熱面積和散熱速度有了較大的提升。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]現(xiàn)有技術(shù)難以滿足人們的生產(chǎn)生活需要，為了解決散熱性能差，會(huì)造成LED芯片結(jié)溫，溫升過(guò)高，從而降低LED發(fā)光效果，大大縮短LED壽命等問(wèn)題，本實(shí)用新型提出了一種大功率封裝的熱模型。
[0004]為實(shí)現(xiàn)該技術(shù)目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種大功率封裝的熱模型，包括熱層、LED芯片、金線、封裝透鏡、絕緣層、環(huán)氧聚酯框架、底位鍵、夾板、引線電極和電極構(gòu)件;所述熱層為該熱模型的底座，LED芯片安裝在熱層的上端，其LED芯片與金線相連接;所述熱層的右側(cè)設(shè)置了環(huán)氧聚酯框架，環(huán)氧聚酯框架右側(cè)面與電極構(gòu)件相連接;所述電極構(gòu)件的頂端和熱層頂部的左端均安裝有絕緣層，封裝透鏡安裝在絕緣層上，并將金線和LED芯片罩在里面。
[0005]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步技術(shù)方案:所述熱層I的頂端和右側(cè)面均設(shè)置有凹槽，其凹槽分別用來(lái)安裝LED芯片和環(huán)氧聚酯框架。
[0006]進(jìn)一步，所述底位鍵和夾板均為L(zhǎng)型結(jié)構(gòu)，夾板設(shè)置在環(huán)氧聚酯框架和底位鍵中間，底位鍵上端與絕緣層固定連接。
[0007]進(jìn)一步，所述夾板的下面安裝有引線電極，引線電極的右端和電極構(gòu)件的底端緊固連接。
[0008]進(jìn)一步，所述該熱模型中的LED芯片分為單芯片式或多芯片式，多芯片式中的熱層頂端設(shè)置有個(gè)聚光杯，安放LED芯片。
[0009]進(jìn)一步，所述封裝透鏡為球型結(jié)構(gòu)，封裝透鏡與絕緣層裝配時(shí)，可以通過(guò)環(huán)氧聚酯固化粘連。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果:該大功率封裝的熱模型，芯片產(chǎn)生的熱量通過(guò)熱層以及熱層和PCB之間的錫漿散熱，散熱面積和散熱速度有了較大的提升；由于設(shè)置了電極結(jié)構(gòu)和引線電極，可以更加方便的與LED芯片電性連接，省去了以往印刷電路板的使用，從而節(jié)約了成本;采用熱層作為該熱模型的底座，減小了熱阻，提高了LED的散熱效果；明顯的解決了LED模組照明時(shí)散熱效果差的問(wèn)題，延長(zhǎng)了LED的使用壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0011 ]圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖中:1熱層、2LED芯片、3金線、4封裝透鏡、5絕緣層、6環(huán)氧聚酯框架、7底位鍵、8夾板、9引線電極和10電極構(gòu)件。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0014]請(qǐng)參閱說(shuō)明書附圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例中，一種大功率封裝的熱模型，包括熱層
1、LED芯片2、金線3、封裝透鏡4、絕緣層5、環(huán)氧聚酯框架6、底位鍵7、夾板8、引線電極9和電極構(gòu)件10;所述熱層I為該熱模型的底座，LED芯片2安裝在熱層I的上端，其LED芯片2與金線3相連接;所述熱層I的右側(cè)設(shè)置了環(huán)氧聚酯框架6，環(huán)氧聚酯框架6右側(cè)面與電極構(gòu)件10相連接;所述電極構(gòu)件10的頂端和熱層I頂部的左端均安裝有絕緣層5，封裝透鏡4安裝在絕緣層6上，并將金線3和LED芯片2罩在里面。
[0015]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步技術(shù)方案:所述熱層I的頂端和右側(cè)面均設(shè)置有凹槽，其凹槽分別用來(lái)安裝LED芯片2和環(huán)氧聚酯框架6。
[0016]進(jìn)一步，所述底位鍵7和夾板8均為L(zhǎng)型結(jié)構(gòu)，夾板8設(shè)置在環(huán)氧聚酯框架6和底位鍵7中間，底位鍵7上端與絕緣層5固定連接。
[0017]進(jìn)一步，所述夾板8的下面安裝有引線電極9，引線電極9的右端和電極構(gòu)件10的底端緊固連接。
[0018]進(jìn)一步，所述該熱模型中的LED芯片2分為單芯片式或者多芯片式，多芯片式中的熱層I頂端設(shè)置有6個(gè)聚光杯，用來(lái)安放LED芯片2。
[0019]進(jìn)一步，所述封裝透鏡4為球型結(jié)構(gòu)，封裝透鏡4與絕緣層5裝配時(shí)，可以通過(guò)環(huán)氧聚酯固化粘連。
[0020]本實(shí)用新型工作原理:電極構(gòu)件10與引線電極9通過(guò)導(dǎo)線均與LED芯片2和金線3電性連接，封裝透鏡4將LED芯片2和金線3罩住，封裝透鏡4和絕緣層5裝配時(shí)，通過(guò)環(huán)氧聚酯固化連接；當(dāng)LED芯片2發(fā)熱時(shí)產(chǎn)生的熱量通過(guò)熱層I以及熱層I和PCB之間的錫漿散熱，散熱面積和散熱速度都有了較大的提升，從而延長(zhǎng)了 LED的使用壽命。
[0021]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，然而本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其它的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0022]以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同替換和改進(jìn)，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種大功率封裝的熱模型，包括熱層、LED芯片、金線、封裝透鏡、絕緣層、環(huán)氧聚酯框架、底位鍵、夾板、引線電極和電極構(gòu)件;其特征是:所述熱層為該熱模型的底座，LED芯片安裝在熱層的上端，其LED芯片與金線相連接;所述熱層的右側(cè)設(shè)置了環(huán)氧聚酯框架，環(huán)氧聚酯框架右側(cè)面與電極構(gòu)件相連接;所述電極構(gòu)件的頂端和熱層頂部的左端均安裝有絕緣層，封裝透鏡安裝在絕緣層上，并將金線和LED芯片罩在里面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率封裝的熱模型，其特征是:所述熱層的頂端和右側(cè)面均設(shè)置有凹槽，其凹槽分別用來(lái)安裝LED芯片和環(huán)氧聚酯框架。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率封裝的熱模型，其特征是:所述底位鍵和夾板均為L(zhǎng)型結(jié)構(gòu)，夾板設(shè)置在環(huán)氧聚酯框架和底位鍵中間，底位鍵上端與絕緣層固定連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率封裝的熱模型，其特征是:所述夾板的下面安裝有引線電極，引線電極的右端和電極構(gòu)件的底端緊固連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率封裝的熱模型，其特征是:所述該熱模型中的LED芯片分為單芯片式或多芯片式，多芯片式中的熱層頂端設(shè)置有6個(gè)聚光杯，安放LED芯片。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率封裝的熱模型，其特征是:所述封裝透鏡為球型結(jié)構(gòu)，封裝透鏡與絕緣層裝配時(shí)，可以通過(guò)環(huán)氧聚酯固化粘連。
【文檔編號(hào)】H01L33/64GK205542867SQ201521117966
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2015年12月25日
【發(fā)明人】鐘貴洪
【申請(qǐng)人】鐘貴洪