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一種抗干擾薄膜混合集成電路的制作方法

文檔序號:10805015閱讀:595來源:國知局
一種抗干擾薄膜混合集成電路的制作方法
【專利摘要】抗干擾薄膜混合集成電路,由管帽、管基、管腳、半導(dǎo)體集成電路芯片組成,半導(dǎo)體集成電路芯片用鍵合絲鍵合在管基薄膜陶瓷基片金屬鍵合區(qū)上,管帽封裝在管基之上;與原有薄膜混合集成電路不同的是:管帽有金屬外層和陶瓷內(nèi)層,管基有陶瓷基體,管基外表面有金屬外層;另有片式元器件裝貼在薄膜陶瓷基片上。這樣,管基和管帽將陶瓷材料和金屬材料二者有機結(jié)合,實現(xiàn)從低頻到高頻的電磁屏蔽,使封裝內(nèi)外電磁環(huán)境達到良好的隔離,從而實現(xiàn)薄膜混合集成電路的抗干擾能力。用本方法生產(chǎn)的器件廣泛應(yīng)用于航天、航空、船舶、電子、通訊、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域,特別適用于裝備系統(tǒng)小型化、高頻、高可靠的領(lǐng)域。
【專利說明】
一種抗干擾薄膜混合集成電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及混合集成電路,具體來說,涉及薄膜混合集成電路,更進一步來說,涉及抗干擾薄膜混合集成電路。
【背景技術(shù)】
[0002]原有薄膜混合集成電路的集成技術(shù)中,先將薄膜陶瓷基片裝貼在金屬管基上,再將半導(dǎo)體芯片、片式元器件直接裝貼在薄膜基片上,再采用鍵合絲(金絲或硅鋁絲)進行芯片與基片的引線鍵合,基片和管腳的引線鍵合,完成整個電器連接,最后在高真空、高純氮氣或高純氬氣等特定的氣氛中將金屬管基和金屬管帽(或陶瓷管基和陶瓷管帽)進行密封而成。此方法存在的主要問題是在高頻或電磁干擾的環(huán)境中,金屬能有效地屏蔽低頻、中頻和部分高頻干擾的影響,當(dāng)頻率繼續(xù)增高時,金屬的屏蔽作用就會變差。相反,陶瓷對低頻、中頻沒有屏蔽能力,但對高頻有良好的屏蔽能力。因此,采用金屬封裝、陶瓷封裝均不能滿足從低頻、中頻到高頻全頻段的屏蔽要求。導(dǎo)致薄膜混合集成電路在要求抗干擾的環(huán)境中使用時,需要在使用系統(tǒng)中增加大量的屏蔽措施,給使用造成諸多不便,不利于裝備系統(tǒng)的小型化、集成化和輕便化。
[0003]中國專利數(shù)據(jù)庫中,涉及薄膜混合集成電路的專利以及專利申請件有十余件,如201 1104457489號《高集成高可靠工作溫度可控薄膜混合集成電路的集成方法》、ZL2012103962589號《高靈敏溫控薄膜混合集成電路的集成方法》、ZL2012104928157號《高密度薄膜混合集成電路的集成方法》、ZL2012105350271號《一種高集成度功率薄膜混合集成電路的集成方法》、2012105373324號《三維集成功率薄膜混合集成電路的集成方法》、2012105941093號《一種薄膜混合集成電路電鍍方法》、2014107757385號《無引線球腳表貼式微波薄膜混合集成電路及其集成方法》等。迄今為止,尚無抗干擾薄膜混合集成電路的專利申請件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型旨在提供一種抗干擾薄膜混合集成電路,實現(xiàn)從低頻到高頻的電磁屏蔽,增加抗干擾能力;從而有利于裝備系統(tǒng)的小型化、集成化和輕便化。
[0005]設(shè)計人提供的抗干擾薄膜混合集成電路由管帽、管基、管腳、半導(dǎo)體集成電路芯片、片式元器件組成,半導(dǎo)體集成電路芯片裝貼在薄膜陶瓷基片上,并用金屬鍵合絲將半導(dǎo)體集成電路芯片表面的鍵合區(qū)與薄膜陶瓷基片相應(yīng)的金屬鍵合區(qū)進行鍵合連接,管帽封裝在管基之上;與原有薄膜混合集成電路不同的是:管帽和管基有金屬外層和內(nèi)層陶瓷基體;另有片式元器件裝貼在薄膜陶瓷基片上。
[0006]上述管帽金屬層和管基金屬層的金屬是鉻和金。
[0007]抗干擾薄膜混合集成電路的集成方法是:在預(yù)先燒結(jié)成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面,采用涂覆金屬漿料燒結(jié)或化學(xué)電鍍的方式生長所需金屬層,再進行半導(dǎo)體集成電路芯片的裝貼、引線鍵合和封帽。
[0008]本實用新型具有以下優(yōu)點:①從低頻到高頻的電磁屏蔽,使封裝內(nèi)外電磁環(huán)境達到良好的隔離,提升集成電路的抗干擾能力;②有利于裝備系統(tǒng)的小型化、集成化和輕便化;③提高裝備系統(tǒng)可靠性。
[0009]本實用新型的器件廣泛應(yīng)用于航天、航空、船舶、電子、通訊、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域,特別適用于裝備系統(tǒng)小型化、高頻、高可靠的領(lǐng)域,具有廣闊的市場前景和應(yīng)用空間。
【附圖說明】
[0010]圖1為原有薄膜混合集成電路組裝示意圖,圖2為本發(fā)明的抗干擾薄膜混合集成電路組裝示意圖。
[0011]圖中,I為金屬管基,2為金屬底座,3為金屬管腳,4為金屬管帽,5為半導(dǎo)體集成電路芯片,6為鍵合絲,7為薄膜電阻,8為薄膜導(dǎo)帶/鍵合區(qū),9為薄膜陶瓷基片背面金屬層,10為薄膜陶瓷基片,11為管帽陶瓷基體,12為管帽外表面金屬外層,13為管基陶瓷基體,14為管基外表面金屬外層,15為片式元器件。
【具體實施方式】
[0012]實施例:如圖2的抗干擾薄膜混合集成電路,由管帽、管基、管腳、半導(dǎo)體集成電路芯片5、片式元器件15組成,半導(dǎo)體集成電路芯片5用鍵合絲6鍵合在管基薄膜陶瓷基片金屬鍵合區(qū)8上,管帽封裝在管基之上;管帽有陶瓷內(nèi)層11和管帽外表面金屬外層12,管基有陶瓷基體13,管基外表面金屬外層14;薄膜陶瓷基片通過背面金屬層9裝貼在管基上;另有片式元器件裝貼在薄膜陶瓷基片上。
[0013]管帽外表面金屬外層12和管基外表面金屬外層14的金屬層結(jié)構(gòu)是絡(luò)和金。
【主權(quán)項】
1.一種抗干擾薄膜混合集成電路,由管帽、管基、管腳、半導(dǎo)體集成電路芯片(5)、片式元器件(15)組成,半導(dǎo)體集成電路芯片(5)用鍵合絲(6)鍵合在管基上面的薄膜陶瓷基片金屬鍵合區(qū)(8)上,管帽封裝在管基之上;其特征在于管帽有陶瓷內(nèi)層(11)和管帽外表面金屬外層(12),管基有陶瓷基體(13),管帽外表面金屬外層(14);薄膜陶瓷基片通過背面金屬層(9)裝貼在管基上;另有片式元器件裝貼在薄膜陶瓷基片上。2.如權(quán)利要求1所述的抗干擾薄膜混合集成電路,其特征在于所述管帽外表面金屬外層(12)和管基外表面金屬外層(14)的金屬層結(jié)構(gòu)是鉻和金。
【文檔編號】H01L23/552GK205488120SQ201520992983
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2015年12月4日
【發(fā)明人】楊成剛, 黃曉山, 蘇貴東, 趙曉輝, 楊曉琴, 聶平健
【申請人】貴州振華風(fēng)光半導(dǎo)體有限公司
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