Rf數(shù)模混合解調(diào)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及解調(diào)電路領(lǐng)域，特別是涉及一種應(yīng)用于仿真器的RF(射頻)數(shù)?；旌辖庹{(diào)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體制造工藝和集成電路設(shè)計能力的不斷進步，處理器芯片的開發(fā)越來越依賴于仿真器的模擬環(huán)境。而在FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)取代芯片ASIC(專用集成電路)的環(huán)境下，數(shù)字電路仿真已經(jīng)不再是瓶頸。模擬模塊的仿真，尤其是通信環(huán)節(jié)則越來越受到重視。目前而言，仿真器的RF解調(diào)電路在同一時間只能支持IS0/IEC 14443協(xié)議中TYPE (類型)A或者TYPE B模式的其中一種，并且波特率無法達到106K以上的工況要求。在需要調(diào)試TYPE A/B自動識別或者是高波特率時，無法滿足用戶的開發(fā)需求。頻繁更換不同的解調(diào)電路，依賴于軟件仿真等方式，極大的制約了 COS (片上系統(tǒng))開發(fā)的效率，并且也不能得到理想的仿真結(jié)果。因此設(shè)計一個在TYPE A與TYPE B這兩種模式下都能正常通信，并且支持高波特率的解調(diào)電路具有十分重要的現(xiàn)實意義。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種RF數(shù)模混合解調(diào)電路，能夠在IS0/IEC14443協(xié)議中的TYPE A和TYPE B兩種模式下均能正常通信，并且滿足在高波特率場合下的應(yīng)用。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的RF數(shù)模混合解調(diào)電路，包括:
[0005]—檢波器，輸入的數(shù)據(jù)調(diào)制在13.56MHz的載波上，經(jīng)檢波使基波變?yōu)?7.12MHz ;
[0006]—二階低通濾波器，與所述檢波器相連接，對輸入的載波信號進行濾波，形成對數(shù)據(jù)的一個包絡(luò)形態(tài)；
[0007]—微分電路，與所述二階低通濾波器相連接，對邊沿信號進行提取，在載波信號上形成向上或向下的兩個尖脈沖；
[0008]—反向放大器，與所述微分電路相連接，對輸入的信號進行放大；
[0009]—第一比較器，其中間電位為+0.5V，與所述反向放大器相連接，用于提取上升沿信號;
[0010]—第二比較器，其中間電位為-0.5V，與所述反向放大器相連接，用于提取下降沿信號;
[0011]— RS觸發(fā)器，與所述第一比較器和第二比較器相連接，對上升沿信號和下降沿信號進行整形，提取載波中的數(shù)據(jù)。
[0012]采用本發(fā)明的RF數(shù)模混合解調(diào)電路，得到的數(shù)據(jù)信號脈寬保持的非常標(biāo)準(zhǔn)，與載波中的信號能夠保持在同一數(shù)量級的誤差水平上，能夠在IS0/IEC 14443協(xié)議中的TYPE A和TYPE B兩種模式下均能正常通信，并且滿足在高波特率場合下的應(yīng)用。
[0013]本發(fā)明適用于仿真器。
【附圖說明】
[0014]下面結(jié)合附圖與【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0015]圖1是所述RF數(shù)?；旌辖庹{(diào)電路結(jié)構(gòu)圖。
[0016]圖2是所述RF數(shù)?；旌辖庹{(diào)電路一實施例原理圖。
【具體實施方式】
[0017]參見圖1所示，所述RF數(shù)?；旌辖庹{(diào)電路，包括:一檢波器，一二階低通濾波器，一微分電路，一反向放大器，一第一比較器，一第二比較器和一 RS觸發(fā)器。所述檢波器與二階低通濾波器與現(xiàn)有的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相仿。后4級為所述RF數(shù)?；旌辖庹{(diào)電路特有結(jié)構(gòu)，即新增加了微分電路、反向放大器、雙比較器和RS觸發(fā)器。
[0018]圖2是所述RF數(shù)模混合解調(diào)電路一具體實施例。其中，檢波器采用二極管檢波方式，由BAS70組成的雙肖特基二極管組成。二階低通濾波器采用初級LC濾波、次級RC濾波方式組成。微分電路由10pF的陶瓷電容組成。反向放大器由一片寬帶寬的ADA4891集成運放組成。兩路比較器都由高速比較器芯片MAX976芯片組成。RS觸發(fā)器由取自74LVC00的兩路與非門組成。
[0019]所述RF數(shù)?；旌辖庹{(diào)電路利用微分電路的截取上升邊沿和下降邊沿特性，在載波信號上形成向上或向下的兩個尖脈沖，通過反向放大器和雙比較器得到一組用于RS觸發(fā)器電路的數(shù)字信號，利用RS觸發(fā)器電路在同方向電平觸發(fā)時不會翻轉(zhuǎn)的特性，進行脈寬保持和誤碼率修正，把載波中的數(shù)據(jù)提取出來。因微分電路的脈沖特性(提取信號邊沿特性)和RS觸發(fā)器電路的不會誤翻轉(zhuǎn)特性，使得這種解調(diào)電路得到的數(shù)據(jù)信號脈寬保持的非常標(biāo)準(zhǔn)，與載波中的信號能夠保持在同一數(shù)量級的誤差水平上，能夠滿足在高波特率下的應(yīng)用場合。
[0020]所述反向放大器使得TYPE B 10%調(diào)制深度的信號能夠達到閾值范圍，使脈沖信號能夠足夠的放大比較器切割范圍內(nèi)，兩路比較器電路可以根據(jù)是上升沿和下降沿的位置來切割需要的信號分量，傳送到下一級RS觸發(fā)器的兩路端口。
[0021]在雙比較器電路之后級連RS觸發(fā)器電路，利用RS觸發(fā)器電路的同向電平不會連續(xù)觸發(fā)的特性，把通過比較器之后的信號，整理成需要的數(shù)字信號，減少了誤碼率。
[0022]再結(jié)合圖2所示，應(yīng)用數(shù)據(jù)調(diào)制在13.56MHz的載波上，經(jīng)過肖特基二極管檢波，則基波變?yōu)?7.12MHz，通過兩級低通濾波器電路的濾波，形成對數(shù)據(jù)的一個包絡(luò)形態(tài)。電容C17為微分電路，選用了 10pF的瓷片電容，對于邊沿信號有一個較好的提取作用。由于微分電路的存在，無論100%調(diào)制深度與10%調(diào)制深度的數(shù)據(jù)，都會形成一個脈沖信號。在高波特率的數(shù)據(jù)進來時，在邊沿的上升時間上要比普通解調(diào)方式高通信號來的短，在這個環(huán)節(jié)可以避免脈寬時間變形。信號經(jīng)過寬帶運放ADA4891放大，可以把TYPEB的10%低調(diào)制深度信號邊沿也放大到0-3.3V的幅度。反向放大器中心點電位為1.65V。后兩級比較器電平為1.8V與1.5V。2端比較器電路可以把上升沿信號和下降沿信號分別提取出來。信號經(jīng)過由2個與非門組成的RS觸發(fā)器電路整形，得到解調(diào)需要的波形。在EMC(電磁兼容)環(huán)境較差的環(huán)境下，可以適當(dāng)放寬比較器電路的兩個比較電平，可以有效濾除更多雜波。
[0023]雖然本發(fā)明利用具體的實施例進行說明，但是對實施例的說明并不限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員通過參考本發(fā)明的說明，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，容易進行各種修改或者可以對實施例進行組合。
【主權(quán)項】
1.一種RF數(shù)?；旌辖庹{(diào)電路，包括: 一檢波器，輸入的數(shù)據(jù)調(diào)制在13.56MHz的載波上，經(jīng)檢波使基波變?yōu)?7.12MHz ;一二階低通濾波器，與所述檢波器相連接，對輸入的載波信號進行濾波，形成對數(shù)據(jù)的一個包絡(luò)形態(tài)； 一微分電路，與所述二階低通濾波器相連接，對邊沿信號進行提取，在載波信號上形成向上或向下的兩個尖脈沖； 其特征在于，還包括: 一反向放大器，與所述微分電路相連接，對輸入的信號進行放大； 一第一比較器，其中間電位為+0.5V，與所述反向放大器相連接，用于提取上升沿信號; 一第二比較器，其中間電位為-0.5V，與所述反向放大器相連接，用于提取下降沿信號; 一 RS觸發(fā)器，與所述第一比較器和第二比較器相連接，對上升沿信號和下降沿信號進行整形，提取載波中的數(shù)據(jù)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種RF數(shù)?；旌辖庹{(diào)電路，包括：一檢波器，一二階低通濾波器，一微分電路，一反向放大器，一第一比較器，一第二比較器和一RS觸發(fā)器。利用微分電路的截取上升和下降邊沿特性，在載波信號上形成向上或向下的兩個尖脈沖，通過反向放大器和雙比較器得到一組用于RS觸發(fā)器電路的數(shù)字信號，利用RS觸發(fā)器電路在同方向電平觸發(fā)時不會翻轉(zhuǎn)的特性，把載波中的數(shù)據(jù)提取出來。本發(fā)明能夠在ISO/IEC？14443協(xié)議中的TYPE？A和TYPE？B兩種模式下均能正常通信，并且滿足在高波特率場合下的應(yīng)用；適用于仿真器。
【IPC分類】H03D7/00
【公開號】CN105591618
【申請?zhí)枴緾N201410634810
【發(fā)明人】李效白
【申請人】上海華虹集成電路有限責(zé)任公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2014年11月12日