像顯示，布線(xiàn)區(qū)200 位于顯示區(qū)100外圍，用于進(jìn)行布線(xiàn)。上述提到的薄膜晶體管10、像素電極20、公共電極 30、陽(yáng)極40、有機(jī)材料功能層50、陰極60等均位于顯示區(qū)100中。
[0076] 在此基礎(chǔ)上，如圖9b所示，優(yōu)選的，當(dāng)拓?fù)浣^緣體材料的防氧化層，即第一防氧化 層107位于Cu或Cu合金材料的柵電極102上方并與柵電極102接觸時(shí)，第一防氧化層107 還位于柵線(xiàn)801和柵線(xiàn)引線(xiàn)802上方并與柵線(xiàn)801和柵線(xiàn)引線(xiàn)802都接觸。
[0077] 其中，當(dāng)柵電極102的材料為Cu或Cu合金時(shí)，由于柵線(xiàn)801和柵線(xiàn)引線(xiàn)802 -般 與柵電極102同時(shí)形成，因此，柵線(xiàn)801和柵線(xiàn)引線(xiàn)802的材料也為Cu或Cu合金。
[0078] 和/或，如圖9c所示，當(dāng)拓?fù)浣^緣體材料的防氧化層，即第二防氧化層108位于Cu 或Cu合金材料的源電極105和漏電極106上方并與二者都接觸時(shí)，第二防氧化層108還位 于數(shù)據(jù)線(xiàn)901和數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)902上方并與數(shù)據(jù)線(xiàn)901和數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)902都接觸。
[0079] 其中，當(dāng)漏電極106的材料為Cu或Cu合金時(shí)，由于數(shù)據(jù)線(xiàn)901和數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)902 一般與漏電極106同時(shí)形成，因此，數(shù)據(jù)線(xiàn)901和數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)902的材料也為Cu或Cu合金。
[0080] 需要說(shuō)明的是，不管是第一防氧化層107,還是第二防氧化層108,在垂直襯底基 板101的方向上，其投影完全覆蓋與且接觸的下方的Cu或Cu合金材料的電極。
[0081] 本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0082] 其中，當(dāng)陣列基板包括像素電極20時(shí)，顯示裝置還包括對(duì)盒基板。即，該顯示裝置 為液晶顯示裝置。
[0083] 當(dāng)陣列基板包括陽(yáng)極40、有機(jī)材料功能層50和陰極60時(shí)，顯示基板還包括封裝基 板。即，該顯示裝置為有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示裝置。
[0084] 上述顯示裝置具體可以是液晶顯示器、有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示器、液晶電視、有 機(jī)電致發(fā)光二極管電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0085] 本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，參考2-4所示，該方法 包括：在襯底基板101上形成柵電極102、柵絕緣層103、半導(dǎo)體有源層104、源電極105和 漏電極106 ;其中，柵電極102和/或源電極105和漏電極106采用Cu或Cu合金材料；所 述方法還包括：在形成Cu或Cu合金材料的電極同時(shí)，形成拓?fù)浣^緣體材料的防氧化層；其 中，防氧化層位于Cu或Cu合金材料的電極上方。
[0086] 具體的，參考圖2所示，柵電極102可以采用Cu或Cu合金材料，源電極105和漏 電極106可以采用其他比較不容易氧化的導(dǎo)電材料例如A1。
[0087] 在此基礎(chǔ)上，上述防氧化層可以包括第一防氧化層107,該第一防氧化層107位于 在柵電極102上方，并與柵電極102接觸。
[0088] 或者，參考圖3所示，源電極105和漏電極106可以采用Cu或Cu合金材料，柵電 極102可以采用其他比較不容易氧化的導(dǎo)電材料例如A1。
[0089] 在此基礎(chǔ)上，上述防氧化層可以包括第二防氧化層108,該第二防氧化層108位于 源電極105和漏電極106上方，并與源電極105和漏電極106接觸。
[0090] 或者，參考圖4所示，柵電極102、源電極105和漏電極106可以均采用Cu或Cu合 金材料。
[0091] 在此基礎(chǔ)上，上述防氧化層可以包括第一防氧化層107和第二防氧化層108。第一 防氧化層107位于柵電極102上方，并與柵電極102接觸。第二防氧化層108位于源電極 105和漏電極106上方，并與源電極105和漏電極106接觸。
[0092] 本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，一方面，采用Cu或Cu合金作 為薄膜晶體管10的電極，其導(dǎo)電性能好，功耗小，使得薄膜晶體管10的性能更好。另一方 面，由于拓?fù)浣^緣體本身結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，不易被氧化，因此，通過(guò)形成拓?fù)浣^緣體材料的防氧化 層，可在薄膜晶體管各制備工序中對(duì)Cu或Cu合金材料的電極起到保護(hù)作用，達(dá)到防止Cu 氧化的目的。在此基礎(chǔ)上，由于拓?fù)浣^緣體具有良好的導(dǎo)電性能，其與Cu或Cu合金材料的 電極之間阻抗小，可避免對(duì)薄膜晶體管10性能產(chǎn)生影響，且拓?fù)浣^緣體還具有良好的熱導(dǎo) 性能，可避免薄膜晶體管10內(nèi)發(fā)熱所導(dǎo)致其性能下降的問(wèn)題。此外，由于防氧化層與其下 方的Cu或Cu合金材料的電極同時(shí)形成，因此也不會(huì)導(dǎo)致構(gòu)圖工藝次數(shù)的增加。
[0093] 可選的，形成防氧化層包括：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)PECVD)或派射方法形成拓?fù)浣^緣體薄膜，并 通過(guò)構(gòu)圖工藝形成相應(yīng)的防氧化層，例如第一防氧化層107和/或第一防氧化層108。
[0094] 可選的，形成半導(dǎo)體有源層104包括：在氫氣（H2)和氬氣（Ar)的氣氛中，以氨氣 (NH 3)和甲烷（CH4)為反應(yīng)源，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法形成氮化石墨烯有源層1041。
[0095] 其中，H2可以作為反應(yīng)氣氛中的氣體，以確保形成烯烴中的H成分。
[0096] 以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限 于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化 或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán) 利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種薄膜晶體管，包括設(shè)置在襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源電 極和漏電極；其特征在于，所述柵電極和/或所述源電極和所述漏電極采用Cu或Cu合金材 料； 所述薄膜晶體管還包括：拓?fù)浣^緣體材料的防氧化層，所述防氧化層設(shè)置在采用Cu或Cu合金材料的電極上方并與其接觸。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵電極、所述源電極和所述漏 電極均采用Cu或Cu合金材料； 所述防氧化層包括第一防氧化層和第一防氧化層，所述第一防氧化層設(shè)置在所述柵電 極上方并與其接觸，所述第二防氧化層設(shè)置在所述源電極和所述漏電極上方并與二者都接 觸。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體有源層為氮化石墨烯 有源層。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵絕緣層包括氮化硅層，所述 氮化硅層與所述氮化石墨烯有源層接觸； 所述防氧化層包括第一防氧化層，所述第一防氧化層設(shè)置在所述柵電極上方并與其接 觸，所述柵絕緣層中的氮化硅層與所述第一防氧化層接觸。5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，拓?fù)浣^緣體包括HgTe量 子井、BiSb合金、Bi2Se3、Sb2TejPBi2Te3* 的至少一種。6. -種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述薄膜晶 體管的漏電極連接的像素電極或陽(yáng)極； 所述像素電極或所述陽(yáng)極的材料為拓?fù)浣^緣體。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板包括所述像素電極 的情況下，所述陣列基板還包括公共電極； 其中，所述公共電極的材料為拓?fù)浣^緣體。9. 根據(jù)權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所 述薄膜晶體管的柵電極連接的柵線(xiàn)以及與所述柵線(xiàn)連接的柵線(xiàn)引線(xiàn)、與源電極連接的數(shù)據(jù) 線(xiàn)和與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接的數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)； 當(dāng)拓?fù)浣^緣體材料的防氧化層位于Cu或Cu合金材料的所述柵電極上方并與所述柵電 極接觸時(shí)，所述防氧化層還位于所述柵線(xiàn)和所述柵線(xiàn)引線(xiàn)上方并與二者都接觸；和/或， 當(dāng)拓?fù)浣^緣體材料的防氧化層位于Cu或Cu合金材料的所述源電極和所述漏電極上方 并與二者都接觸時(shí)，所述防氧化層還位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引線(xiàn)上方并與二者都接 觸。10. -種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及陣列基板、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可采用Cu和Cu合金作為電極材料，防止Cu氧化。該薄膜晶體管包括：設(shè)置在襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源電極和漏電極；所述柵電極和/或所述源電極和所述漏電極采用Cu或Cu合金材料；所述薄膜晶體管還包括：拓?fù)浣^緣體材料的防氧化層，所述防氧化層設(shè)置在采用Cu或Cu合金材料的電極上方并與其接觸。用于使用Cu或Cu合金作為電極的顯示裝置。
【IPC分類(lèi)】H01L27/12, H01L29/786, H01L29/417, H01L29/423, G02F1/1362
【公開(kāi)號(hào)】CN204927297
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520743084
【發(fā)明人】黃勇潮
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年9月23日