防氧化層108。第一 防氧化層107設(shè)置在柵電極102上方，并與柵電極102接觸。第二防氧化層108設(shè)置在源 電極105和漏電極106上方，并與源電極105和漏電極106接觸。
[0045] 其中，第一防氧化層107的厚度可以與第二防氧化層108的厚度相同，均為幾百 A。
[0046] 需要說(shuō)明的是，第一，所述半導(dǎo)體有源層104的材料可以是非晶硅、金屬氧化物、 有機(jī)半導(dǎo)體、石墨烯等，具體在此不做限定。
[0047] 第二，根據(jù)半導(dǎo)體有源層104與源電極105和漏電極106的形成次序不同，所述薄 膜晶體管10可以分為交錯(cuò)型、反交錯(cuò)型、以及共面型、反共面型。還可以分為底柵型和頂柵 型。
[0048] 第三，拓?fù)浣^緣體（topological insulator)的體內(nèi)的能帶結(jié)構(gòu)和普通絕緣體一 樣，都在費(fèi)米能級(jí)處有一有限大小的能隙，但是在它的邊界或表面卻存在著穿越能隙的狄 拉克型的電子態(tài)，因而使得它的邊界或表面總是存在導(dǎo)電的邊緣態(tài)，且這種邊緣態(tài)是穩(wěn)定 存在的，而且不受雜質(zhì)和無(wú)序的影響，其電子迀移率高，導(dǎo)電性能好。
[0049] 此外，拓?fù)浣^緣體還具有良好的導(dǎo)熱性能，可避免薄膜晶體管內(nèi)發(fā)熱所導(dǎo)致其性 能下降的問(wèn)題。
[0050] 第四，由于采用Cu或Cu合金作為電極材料時(shí)，其存在容易氧化的問(wèn)題，因而，本實(shí) 用新型實(shí)施例為了解決該問(wèn)題設(shè)置了相應(yīng)的防氧化層?；诖?，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白， 防氧化層設(shè)置在采用Cu或Cu合金材料的電極上方并與其接觸，即為：防氧化層設(shè)置在Cu 或Cu合金材料的電極遠(yuǎn)離襯底基板101 -側(cè)且與該電極接觸，且沿垂直襯底基板101的方 向，防氧化層在襯底基板101上的投影需完全覆蓋Cu或Cu合金材料的電極在襯底基板101 上的投影。
[0051] 本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種薄膜晶體管10,包括設(shè)置在襯底基板101上的柵電極 102、柵絕緣層103、半導(dǎo)體有源層104、源電極105和漏電極106 ;其中，柵電極102和/或 源電極105和漏電極106采用Cu或Cu合金材料；在此基礎(chǔ)上，薄膜晶體管10還包括：拓 撲絕緣體材料的防氧化層，防氧化層設(shè)置在采用Cu或Cu合金材料的電極上方并與其接觸。 一方面，采用Cu或Cu合金作為薄膜晶體管10的電極，其導(dǎo)電性能好，功耗小，使得薄膜晶 體管10的性能更好。另一方面，由于拓?fù)浣^緣體本身結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，不易被氧化，因此，通過(guò)設(shè) 置拓?fù)浣^緣體材料的防氧化層，可在薄膜晶體管各制備工序中對(duì)Cu或Cu合金材料的電極 起到保護(hù)作用，達(dá)到防止Cu氧化的目的。在此基礎(chǔ)上，由于拓?fù)浣^緣體具有良好的導(dǎo)電性 能，其與Cu或Cu合金材料的電極之間阻抗小，可避免對(duì)薄膜晶體管10性能產(chǎn)生影響，且拓 撲絕緣體還具有良好的熱導(dǎo)性能，可避免薄膜晶體管10內(nèi)發(fā)熱所導(dǎo)致其性能下降的問(wèn)題。
[0052] 相對(duì)只將柵電極102或源電極105和漏電極106設(shè)置為采用Cu或Cu合金材料， 本實(shí)用新型實(shí)施例優(yōu)選將柵電極102、源電極105和漏電極106設(shè)置為均采用Cu或Cu合金 材料，這樣可使薄膜晶體管10的性能達(dá)到最好。
[0053] 優(yōu)選的，如圖2-4所示，半導(dǎo)體有源層104為氮化石墨烯有源層1041。即，半導(dǎo)體 有源層104的材料為氮化石墨稀。
[0054] 其中，通過(guò)控制石墨烯中的氮含量可改變石墨烯的電子能帶結(jié)構(gòu)，從而使得石墨 烯由導(dǎo)體向半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變，同時(shí)又基本保留石墨烯原有的物理性能，即電子迀移率高，導(dǎo)熱性 能好，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。
[0055] 本實(shí)用新型實(shí)施例中通過(guò)將氮化石墨烯作為半導(dǎo)體有源層104,可獲得更好的電 子迀移率，當(dāng)該薄膜晶體管10應(yīng)用于顯示裝置時(shí)，可提高薄膜晶體管10對(duì)與其連接電極的 充放電速率，提高了像素響應(yīng)速度，從而可實(shí)現(xiàn)更快的刷新率，因而可以將其應(yīng)用于超高分 辨率的顯示裝置。此外，將氮化石墨烯作為半導(dǎo)體有源層104,相對(duì)更穩(wěn)定，對(duì)薄膜晶體管 10的穩(wěn)定性也起到一定作用。
[0056] 進(jìn)一步優(yōu)選的，柵絕緣層103包括氮化硅層，氮化硅層與氮化石墨烯有源層1041 接觸；在此基礎(chǔ)上，當(dāng)柵電極102上方設(shè)置與其接觸的第一防氧化層107時(shí)，柵絕緣層103 中的氮化硅層與第一防氧化層107接觸。
[0057] 具體的，如圖5a所示，柵絕緣層103可以只包括氮化硅層1031，即該氮化硅層 1031既與氮化石墨烯有源層1041接觸，也與第一防氧化層107接觸。
[0058] 或者，如圖5b所示，柵絕緣層103可以包括兩層氮化硅層1031、以及位于該兩層 氮化硅層1031之間的二氧化硅層1032,其中兩層氮化硅層1031分別與氮化石墨烯有源層 1041和第一防氧化層107接觸。
[0059] 其中，由于氮化硅層1031中具有氮，當(dāng)在其上方形成氮化石墨烯有源層1041時(shí)， 可向其提供氮，并且氮化硅層1031與氮化石墨烯有源層1041接觸性好。
[0060] 此外，相比二氧化硅層1032中具有氧，而氮化硅層1031中沒(méi)有氧，當(dāng)?shù)鑼?1031與第一防氧化層107接觸時(shí)，可進(jìn)一步避免氧對(duì)Cu或Cu合金材料的柵電極102的氧 化問(wèn)題。
[0061] 基于上述，拓?fù)浣^緣體可以包括HgTe量子井、BiSb合金、Bi2Se 3、Sb2TejP Bi Je3 中的至少一種。
[0062] 其中，由于Bi2Se3S于合成，化學(xué)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例優(yōu)選采用 Bi2Se^t為拓?fù)浣^緣體材料。
[0063] 本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括上述的薄膜晶體管。
[0064] 可選的，如圖6和圖7所述，陣列基板還包括與薄膜晶體管10的漏電極106連接 的像素電極20或陽(yáng)極40。
[0065] 其中，像素電極20或陽(yáng)極40可通過(guò)位于像素電極20或陽(yáng)極40和薄膜晶體管10 之間的保護(hù)層70上的過(guò)孔與薄膜晶體管10的漏電極106連接。保護(hù)層70的材料可以為 SiON (氮氧化娃）、Si02 (二氧化娃）、SiNx (氮化娃）和SiO (氧化娃）中的至少一種，其中， 考慮到第二防氧化層108的拓?fù)浣^緣體的界面問(wèn)題，優(yōu)選采用SiNxS SiON。
[0066] 由于拓?fù)浣^緣體既具有良好的導(dǎo)電性能又具有穩(wěn)定的性質(zhì)結(jié)構(gòu)，且拓?fù)浣^緣體表 面態(tài)為金屬態(tài)，即使膜質(zhì)量存在缺陷問(wèn)題，其拓?fù)湫再|(zhì)不改變使得導(dǎo)電所受影響也非常小， 因此，本實(shí)用新型實(shí)施例優(yōu)選像素電極20或陽(yáng)極40的材料為拓?fù)浣^緣體。
[0067] 需要說(shuō)明的是，如圖7所示，當(dāng)所述陣列基板還包括陽(yáng)極40時(shí)，則該陣列基板還需 包括有機(jī)材料功能層50和陰極60。
[0068] 其中，有機(jī)材料功能層50至少包括發(fā)光層。在此基礎(chǔ)上為了能夠提高電子和空穴 注入發(fā)光層的效率，有機(jī)材料功能層50還可以包括電子傳輸層、空穴傳輸層。進(jìn)一步還可 以包括設(shè)置在陰極60與電子傳輸層之間的電子注入層，以及設(shè)置在空穴傳輸層與陽(yáng)極40 之間的空穴注入層。
[0069] 陰極60可以為不透明，即，其采用金屬材料且厚度較厚，在此情況下，由于從有機(jī) 材料功能層50出射的光僅從陽(yáng)極40 -側(cè)出射，因此當(dāng)該陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時(shí)，該顯 示裝置為底發(fā)光型顯示裝置。
[0070] 陰極60可以為半透明，即，其采用技術(shù)材料且厚度較薄，在此情況下，由于從有機(jī) 材料功能層50出射的光既可以從陽(yáng)極40 -側(cè)出射，也可以從陰極60 -側(cè)出射，因此當(dāng)該 陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時(shí)，該顯示裝置為雙面發(fā)光型顯示裝置。
[0071] 進(jìn)一步的，如圖8所示，在陣列基板包括像素電極20的情況下，所述陣列基板還包 括公共電極30。其中，公共電極30的材料可以為ITO (氧化銦錫）、IZO (氧化銦鋅）、拓?fù)?絕緣體等。
[0072] 由于米用高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)（Advanced Super Dimensional Switching，簡(jiǎn)稱 ADS)可以提尚廣品的畫(huà)面品質(zhì)，具有尚分辨率、尚透過(guò)率、低功耗、寬視角、尚開(kāi)口率、低色 差、無(wú)擠壓水波紋（Push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例中，如圖8所示，優(yōu)選像素 電極20和公共電極30不同層設(shè)置，且相對(duì)襯底基板101，在上的電極例如公共電極30采用 條形電極，在下的電極例如像素電極20采用板狀電極。
[0073] 進(jìn)一步，由于拓?fù)浣^緣體既具有良好的導(dǎo)電性能又具有穩(wěn)定的性質(zhì)結(jié)構(gòu)，且拓?fù)?絕緣體表面態(tài)為金屬態(tài)，即使膜質(zhì)量存在缺陷問(wèn)題，其拓?fù)湫再|(zhì)不改變使得導(dǎo)電所受影響 也非常小，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例優(yōu)選公共電極30的材料也為拓?fù)浣^緣體。
[0074] 基于上述，如圖9a所示，所述陣列基板還包括與薄膜晶體管10的柵電極102連接 的柵線801以及與柵線801連接的柵線引線802、與源電極105連接的數(shù)據(jù)線901和與數(shù)據(jù) 線901連接的數(shù)據(jù)線引線902。其中，柵線801和數(shù)據(jù)線901位于陣列基板的顯示區(qū)100， 柵線引線802和數(shù)據(jù)線引線902位于陣列基板的布線區(qū)200。
[0075] 需要說(shuō)明的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，顯示區(qū)100用于圖