一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子元件設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，我國(guó)電子元件設(shè)備業(yè)發(fā)展迅速，用于電子元件的設(shè)備也多種多樣，但是仍然面臨著很多方面的挑戰(zhàn)，需求尋找滿足客戶的解決方案。申請(qǐng)?zhí)?200910126539.0的中國(guó)專利文獻(xiàn)報(bào)道了一種二極管，具體內(nèi)容為:本發(fā)明涉及二極管。在半導(dǎo)體基板的第一主面設(shè)置有電導(dǎo)率調(diào)制型元件的PN結(jié)二極管中，若為縮短反向恢復(fù)時(shí)間(TRR)而降低P型雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度，則存在空穴的注入降低，某電流點(diǎn)的正向電壓(VF)的值變高的問題。若導(dǎo)入用于降低反向恢復(fù)時(shí)間的壽命扼殺劑則存在漏電流增加等問題。在單晶硅層即N-型半導(dǎo)體層上設(shè)置P型多晶硅層。與單晶硅層相比，由于多晶硅層中晶界多，故可抑制施加正向電壓時(shí)從P型多晶硅層注入到N-型半導(dǎo)體層的空穴量。也可通過形成P型多晶硅層時(shí)形成在N-型半導(dǎo)體層和P型多晶硅層之間的自然氧化膜來降低注入到N-型半導(dǎo)體層的空穴量。可以不使用壽命扼殺劑而縮短施加反向電壓時(shí)抽出空穴所需時(shí)間即反向恢復(fù)時(shí)間。本新型結(jié)構(gòu)含有上述專利有的優(yōu)點(diǎn)，但是上述專利對(duì)二極管的集成化程度不夠。綜上所述，所以我設(shè)計(jì)了一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了解決上述存在的問題，本實(shí)用新型提供一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管。
[0004]本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0005]—種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管，包括晶體二極管本體、頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備、掃描振蕩調(diào)諧器，所述晶體二極管本體周圍包裹著二極管封裝外殼；所述二極管封裝外殼鑲嵌著P型反向基極；所述P型反向基極通過電路導(dǎo)線連接著反向電壓調(diào)頻元件；所述掃描振蕩調(diào)諧器安裝著自動(dòng)頻率控制裝置；所述自動(dòng)頻率控制裝置通過導(dǎo)線連接著鎖相環(huán)電路；所述鎖相環(huán)電路與可變電抗器平行設(shè)置；所述可變電抗器安裝在階躍恢復(fù)裝置端面；所述階躍恢復(fù)裝置通過導(dǎo)線連接著所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備；所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備安裝著N型整流發(fā)射極。
[0006]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步優(yōu)化方案，所述反向電壓調(diào)頻元件設(shè)置著所述掃描振蕩調(diào)諧器；所述掃描振蕩調(diào)諧器通過導(dǎo)線連接著所述鎖相環(huán)電路；所述鎖相環(huán)電路安裝在所述階躍恢復(fù)裝置端面。
[0007]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步優(yōu)化方案，所述階躍恢復(fù)裝置通過導(dǎo)線連接著所述N型整流發(fā)射極；所述N型整流發(fā)射極鑲嵌在所述二極管封裝外殼上；所述二極管封裝外殼內(nèi)部設(shè)置有所述反向電壓調(diào)頻元件。
[0008]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步優(yōu)化方案，所述反向電壓調(diào)頻元件末端連接著所述鎖相環(huán)電路；所述鎖相環(huán)電路通過導(dǎo)線連接著所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備；所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備端面設(shè)置著所述可變電抗器。
[0009]與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理、成本低廉，可以有效的對(duì)集成電路進(jìn)行頻率倍增調(diào)節(jié)，而且占地小、集成度高，能滿足廣大用戶群體的需求，適合運(yùn)用推廣。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)主視圖；
[0011]圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)俯視圖。
[0012]圖中:1、P型反向基極；2、反向電壓調(diào)頻元件；3、掃描振蕩調(diào)諧器；4、自動(dòng)頻率控制裝置；5、鎖相環(huán)電路；6、可變電抗器；7、階躍恢復(fù)裝置；8、頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備；9、N型整流發(fā)射極；10、晶體二極管本體；11、二極管封裝外殼。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述:
[0014]如圖1、圖2所示，一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管，包括晶體二極管本體10、頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備8、掃描振蕩調(diào)諧器3，所述晶體二極管本體10周圍包裹著二極管封裝外殼11 ;所述二極管封裝外殼11鑲嵌著P型反向基極I ;所述P型反向基極I通過電路導(dǎo)線連接著反向電壓調(diào)頻元件2 ;所述掃描振蕩調(diào)諧器3安裝著自動(dòng)頻率控制裝置4 ;所述自動(dòng)頻率控制裝置4通過導(dǎo)線連接著鎖相環(huán)電路5 ;所述鎖相環(huán)電路5與可變電抗器6平行設(shè)置；所述可變電抗器6安裝在階躍恢復(fù)裝置7端面；所述階躍恢復(fù)裝置7通過導(dǎo)線連接著所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備8 ;所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備8安裝著N型整流發(fā)射極9。
[0015]所述反向電壓調(diào)頻元件2設(shè)置著所述掃描振蕩調(diào)諧器3 ;所述掃描振蕩調(diào)諧器3通過導(dǎo)線連接著所述鎖相環(huán)電路5 ;所述鎖相環(huán)電路5安裝在所述階躍恢復(fù)裝置7端面；所述階躍恢復(fù)裝置7通過導(dǎo)線連接著所述N型整流發(fā)射極9 ;所述N型整流發(fā)射極9鑲嵌在所述二極管封裝外殼11上；所述二極管封裝外殼11內(nèi)部設(shè)置有所述反向電壓調(diào)頻元件2。
[0016]所述反向電壓調(diào)頻元件2末端連接著所述鎖相環(huán)電路5 ;所述鎖相環(huán)電路5通過導(dǎo)線連接著所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備8 ;所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備8端面設(shè)置著所述可變電抗器6ο
[0017]所述本新型結(jié)構(gòu)安裝有頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備、自動(dòng)頻率控制裝置、階躍恢復(fù)裝置，所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備主要通過可變電抗器將電路頻率調(diào)高，然后通過掃描振蕩調(diào)諧器將高頻率電路過濾，由此進(jìn)行頻率增倍調(diào)節(jié)；所述自動(dòng)頻率控制裝置通過接收頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備調(diào)節(jié)的電路后，對(duì)其進(jìn)行自動(dòng)控制；所述階躍恢復(fù)裝置將電路的高頻信號(hào)恢復(fù)為可調(diào)可控的平穩(wěn)信號(hào)。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理、成本低廉，可以有效的對(duì)集成電路進(jìn)行頻率倍增調(diào)節(jié)，而且占地小、集成度高，能滿足廣大用戶群體的需求，適合運(yùn)用推廣。
[0018]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管，其特征在于:包括晶體二極管本體、頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備、掃描振蕩調(diào)諧器，所述晶體二極管本體周圍包裹著二極管封裝外殼；所述二極管封裝外殼鑲嵌著P型反向基極；所述P型反向基極通過電路導(dǎo)線連接著反向電壓調(diào)頻元件；所述掃描振蕩調(diào)諧器安裝著自動(dòng)頻率控制裝置；所述自動(dòng)頻率控制裝置通過導(dǎo)線連接著鎖相環(huán)電路；所述鎖相環(huán)電路與可變電抗器平行設(shè)置；所述可變電抗器安裝在階躍恢復(fù)裝置端面；所述階躍恢復(fù)裝置通過導(dǎo)線連接著所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備；所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備安裝著N型整流發(fā)射極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管，其特征在于:所述反向電壓調(diào)頻元件設(shè)置著所述掃描振蕩調(diào)諧器；所述掃描振蕩調(diào)諧器通過導(dǎo)線連接著所述鎖相環(huán)電路；所述鎖相環(huán)電路安裝在所述階躍恢復(fù)裝置端面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管，其特征在于:所述階躍恢復(fù)裝置通過導(dǎo)線連接著所述N型整流發(fā)射極；所述N型整流發(fā)射極鑲嵌在所述二極管封裝外殼上；所述二極管封裝外殼內(nèi)部設(shè)置有所述反向電壓調(diào)頻元件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管，其特征在于:所述反向電壓調(diào)頻元件末端連接著所述鎖相環(huán)電路；所述鎖相環(huán)電路通過導(dǎo)線連接著所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備；所述頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備端面設(shè)置著所述可變電抗器。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管，包括晶體二極管本體、頻率增倍調(diào)節(jié)設(shè)備、掃描振蕩調(diào)諧器，所述晶體二極管本體周圍包裹著二極管封裝外殼；所述二極管封裝外殼鑲嵌著P型反向基極；所述P型反向基極通過電路導(dǎo)線連接著反向電壓調(diào)頻元件；所述掃描振蕩調(diào)諧器安裝著自動(dòng)頻率控制裝置；所述自動(dòng)頻率控制裝置通過導(dǎo)線連接著鎖相環(huán)電路；所述鎖相環(huán)電路與可變電抗器平行設(shè)置；所述可變電抗器安裝在階躍恢復(fù)裝置端面。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理、成本低廉，可以有效的對(duì)集成電路進(jìn)行頻率倍增調(diào)節(jié)，而且占地小、集成度高，能滿足廣大用戶群體的需求，適合運(yùn)用推廣。
【IPC分類】H01L29/861, H01L25/00
【公開號(hào)】CN204927298
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520349536
【發(fā)明人】錢秋平
【申請(qǐng)人】錢秋平
【公開日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年5月27日