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一種安裝在集成電路中的頻率倍增晶體二極管的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:10018227

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目前,我國電子元件設(shè)備業(yè)發(fā)展迅速,用于電子元件的設(shè)備也多種多樣,但是仍然面臨著很多方面的挑戰(zhàn),需求尋找滿足客戶的解決方案。申請?zhí)?00910126539.0的中國專利文獻(xiàn)報道了一種二極管,具體內(nèi)容為本發(fā)明涉及二極管。在半導(dǎo)體基板的第一主面設(shè)置有電導(dǎo)率調(diào)制型元件的PN結(jié)二極管中,若為縮短反向恢復(fù)時間(TRR)而降低P型雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度,則存在空穴的注入降低,某電流點(diǎn)的正向電壓(VF)的值變高的問題。若導(dǎo)入用于降低反向恢復(fù)時間的壽命扼殺劑則存在漏電流增加等問...
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