技術(shù)編號(hào)：10018226
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 薄膜晶體管（Thin Film Transistor，簡稱TFT)是當(dāng)今應(yīng)用較為廣泛的晶體管之 一。如圖1所示，薄膜晶體管10包括設(shè)置在襯底基板101上的柵電極102、柵絕緣層103、 半導(dǎo)體有源層104、源電極105和漏電極106。 其中，柵電極102、源電極105和漏電極106 -般采用電阻較低的金屬材料例如銅 (Cu)、Cu 合金、錯(cuò)（Al)、銀（Ag)等。 由于Ag比較貴，會(huì)導(dǎo)致薄膜晶體管的成本升高，因此，采用Ag作為薄膜晶體管的 電極材料使用較...
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