晶片處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及晶片處理裝置，更詳細地，涉及使用于針對完成化學(xué)機械拋光工序的晶片的清洗漂洗工序的晶片處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，化學(xué)機械拋光(Chemical Mechanical Polishing ;CMP)工序被認(rèn)為是一種通過使具有拋光層的用于制作半導(dǎo)體的晶片等晶片與拋光板之間進行相對旋轉(zhuǎn)，從而對晶片的表面進行拋光的標(biāo)準(zhǔn)工序。
[0003]由于化學(xué)機械拋光工序以將晶片W的拋光面緊貼于拋光墊的狀態(tài)，通過機械作用和化學(xué)作用進行拋光，因此，晶片W的拋光面將成為附著有包括拋光粒子的很多異物的狀
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[0004]由此，結(jié)束化學(xué)機械拋光工序的晶片W將會進行清洗工序，并且使用圖1及圖2所示的清洗及漂洗裝置。即，將晶片W放置在以驅(qū)動馬達和旋轉(zhuǎn)軸12作為媒介進行連接的支架10的狀態(tài)下，一邊使支架10高速旋轉(zhuǎn)，一邊從噴嘴20噴射清洗液或漂洗液，并進行清洗及漂洗工序。
[0005]S卩，如圖2所示，噴嘴20固定于按指定的角度進行往復(fù)旋轉(zhuǎn)運動的臂部31的末端，從而根據(jù)臂部31的往復(fù)旋轉(zhuǎn)運動來進行移動20d，并向晶片W的表面噴射清洗液或漂洗液。此時，由于晶片W也以固定于支架10的狀態(tài)旋轉(zhuǎn)10r，因此，從噴嘴20噴射的液體將會到達晶片W的整個表面。
[0006]但是，雖然晶片W在從旋轉(zhuǎn)中心O半徑長度相隔較遠的位置P1、P2的角速度相同，但與半徑長度成正比，從而線速度較快，因此，若噴嘴20按指定的速度向晶片W的徑向進行往復(fù)移動20d，并向晶片W的表面噴射清洗液或漂洗液20a，則從噴嘴20噴射的清洗液或漂洗液以均勻的形態(tài)到達1s晶片W，因此，與從晶片W的中心O半徑長度相隔較小的第一位置Pl相比，從晶片W的中心O半徑長度相隔較遠的第二位置P2，清洗液或漂洗液的接觸時間或接觸量更少，從而具有降低晶片W的半徑外側(cè)部分中的清洗效率或漂洗效率的問題。
[0007]不僅如此，即使在晶片W的特定部分異物55局部性地集中的情況下，噴嘴20僅停留在沿著指定的圖案進行簡單的往復(fù)移動，因此，不僅存在無法檢測異物55是否從晶片W分離的問題，而且存在即使能夠進行檢測，也需要很長的去除異物55時間的問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0008]本實用新型為了解決如上所述的問題而提出，本實用新型的目的在于，在較短的時間內(nèi)對經(jīng)過了化學(xué)機械拋光工序的晶片的半徑長度相隔較遠的區(qū)域(邊緣區(qū)域)進行更加整潔的清洗或漂洗。
[0009]尤其，本實用新型的目的在于，即使因從晶片的中心向徑向相隔的半徑長度變長而使線速度變得更快，也充分地確保晶片的表面和漂洗液或清洗液之間相接觸的時間，從而在短的時間內(nèi)執(zhí)行更加干凈的清洗漂洗工序。
[0010]并且，本實用新型通過檢測殘留于晶片的表面的異物，來提高在較短的時間內(nèi)清洗及漂洗局部性地集中有異物的區(qū)域的效率。
[0011]為了達成上述目的，本實用新型提供晶片處理裝置，對經(jīng)過了化學(xué)機械拋光工序的晶片進行處理，其特征在于，包括:支架，使晶片以被放置的狀態(tài)旋轉(zhuǎn)；噴嘴，用于向上述晶片的表面噴射處理用流體；以及噴嘴調(diào)節(jié)部，用于調(diào)節(jié)上述噴嘴的噴射方向、噴射高度、噴射壓力及移動速度中的一個以上。
[0012]這是為了在將晶片以固定于支架的狀態(tài)進行高速旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，為了漂洗或清洗而對清洗液或漂洗液或干燥用氣體等流體進行高壓噴射的過程中，設(shè)置按不同的晶片的旋轉(zhuǎn)速度來調(diào)節(jié)流體噴射高度和噴射方向的噴嘴調(diào)節(jié)部，從而可以在制定的時間內(nèi)，在晶片的整個表面進行均勻且干凈的清洗。
[0013]在此，多個上述噴嘴可以配置在相對于與支架一同進行高速旋轉(zhuǎn)的晶片來向具有徑向成分的方向以長的方式延伸的桿，從而進行涂敷，也可以構(gòu)成為少數(shù)的噴嘴相對于晶片來向具有徑向成分的方向移動，并對晶片的表面噴射流體。
[0014]不管是上述的哪一種結(jié)構(gòu)，被調(diào)節(jié)成，
[0015]相對于第一噴射角度，第二噴射角度更小，其中，上述第一噴射角度是上述噴嘴在距離上述拋光墊的中心相隔第一距離的位置、即第一位置噴射流體時的相對于水平面的角度，上述第二噴射角度是上述噴嘴在距離上述拋光墊的中心相隔大于上述第一距離的位置、即第二位置噴射流體時的相對于水平面的角度。
[0016]像這樣，在位于從晶片的旋轉(zhuǎn)中心半徑長度相隔更遠的第二位置，以更低的噴射角度來傾斜噴射流體，從而在第二位置上更廣地引導(dǎo)從噴嘴噴射的流體與晶片的表面相接觸的面積，由此，即使在由于與旋轉(zhuǎn)中心相隔較遠而使根據(jù)旋轉(zhuǎn)的線速度變得更快的第二位置，也能夠使噴嘴的流體可以更加充分地進行接觸，致使能夠維持與第一位置等同的水準(zhǔn)的清洗、漂洗或干燥效率。通過這種方式，在晶片的整個表面中，可以與線速度的差異無關(guān)地向晶片供給用于清洗或漂洗及干燥的流體，從而可以獲得能夠提高晶片的處理工序效率的效果。
[0017]另一方面，上述噴嘴可以相對于第一位置和第二位置來間歇性地使噴射角度發(fā)生變化，但根據(jù)本實用新型的另一實施形態(tài)，上述噴嘴可在第一位置和上述第二位置之間移動的期間，噴射角度連續(xù)地發(fā)生變化，從而可以準(zhǔn)確地彌補從晶片的中心的根據(jù)向半徑距離的線速度的差異。
[0018]另一方面，可以構(gòu)成為，相對于第一移動速度，第二移動速度更慢，其中，上述第一移動速度是上述噴嘴在距離上述拋光墊的中心相隔第一距離的位置、即第一位置上移動的速度，上述第二移動速度是上述噴嘴在距離上述拋光墊的中心相隔大于上述第一距離的位置、即第二位置上移動的速度。
[0019]像這樣，在位于從晶片的旋轉(zhuǎn)中心半徑長度相隔更遠的第二位置，噴嘴以更慢地具有徑向成分的方式移動，從而可以更長地引導(dǎo)從噴嘴噴射的流體在第二位置上與晶片的表面相接觸的時間，從而即使在由于與旋轉(zhuǎn)中心相隔較遠而使根據(jù)旋轉(zhuǎn)的線速度更快的第二位置，也能夠使從噴嘴噴射的流體按與在線速度慢的第一位置的量相同的大小進行接觸，從而能夠維持與第一位置等同的水準(zhǔn)的清洗、漂洗或干燥效率。通過這種方式，可以與線速度的差異無關(guān)地向晶片的表面供給用于清洗或漂洗及干燥的流體，從而可以獲得能夠提高晶片的處理工序效率的效果。
[0020]另一方面，上述噴嘴的移動速度可以僅對第一位置和第二位置間歇性地發(fā)生變化，但根據(jù)本實用新型的另一實施形態(tài)，上述噴嘴在第一位置和上述第二位置之間移動的期間，移動速度連續(xù)地發(fā)生變化，從而可以準(zhǔn)確地彌補從晶片的中心向半徑距離的線速度的差異。
[0021]并且，被調(diào)節(jié)成，相對于第一噴射高度，第二噴射高度更高，其中，上述第一噴射高度是上述噴嘴在距離上述拋光墊的中心相隔第一距離的位置、即第一位置進行噴射的高度，上述第二噴射高度是上述噴嘴在距離上述拋光墊的中心相隔大于上述第一距離的位置、即第二位置進行噴射的高度。
[0022]像這樣，在位于從晶片的旋轉(zhuǎn)中心相隔更遠的第二位置，在更高的位置噴射流體，從而在第二位置上更廣地引導(dǎo)從噴嘴噴射的流體與晶片的表面相接觸的面積，由此，即使在由于與旋轉(zhuǎn)中心相隔較遠而使根據(jù)旋轉(zhuǎn)的線速度變得更快的第二位置，也能夠使使噴嘴的流體可以更加充分地進行接觸，從而能夠維持與第一位置等同的水準(zhǔn)的清洗、漂洗或干燥效率。通過這種方式，在晶片的整個表面中，可以與線速度的差異無關(guān)地向晶片供給用于清洗或漂洗及干燥的流體，從而可以獲得能夠提高晶片的處理工序效率的效果。
[0023]另一方面，上述噴嘴可以相對于第一位置和第二位置來間歇性地使噴射角度發(fā)生變化，但根據(jù)本實用新型的另一實施形態(tài)，上述噴嘴可在第一位置和上述第二位置之間移動的期間，噴射角度連續(xù)地發(fā)生變化，從而可以準(zhǔn)確地彌補從晶片的中心向半徑距離的線速度的差異。
[0024]并且，也可以保持如下狀態(tài):相對于第一噴射壓力，第二噴射壓力更大，其中，上述第一噴射壓力是上述噴嘴在距離上述拋光墊的中心相隔第一距離的位置、即第一位置上的噴射壓力，上述第二噴射壓力是上述噴嘴在距離上述拋光墊的中心相隔大于上述第一距離的位置、即第二位置上的噴射壓力。
[0025]像這樣，在位于從晶片的旋轉(zhuǎn)中心相隔更遠的第二位置，以更高的噴射壓力噴射流體，從而在第二位置上更大地引導(dǎo)從噴嘴噴射的流體打擊晶片的表面的力量，由此，即使在由于與旋轉(zhuǎn)中心相隔較遠而使根據(jù)旋轉(zhuǎn)的線速度變得更快、接觸時間更小的第二位置，也能通過更為提高基于從噴嘴噴射的流體的處理效率，使清洗、漂洗或干燥效率維持在與第一位置同等的水準(zhǔn)。通過這種方式，在晶片的整個表面中，可以與線速度的差異無關(guān)地向晶片供給用于清洗或漂洗及干燥的流體，從而可以獲得能夠提高晶片的處理工序效率的效果O
[0026]另一方面，上述噴嘴的噴射壓力可以僅對第一位置和第二位置間歇性地發(fā)生變化，但根據(jù)本實用新型的另一實施形態(tài)，上述噴嘴在第一位置和上述第二位置之間移動的期間，噴射壓力連續(xù)地發(fā)生變化，從而可以準(zhǔn)確地彌補從晶片的中心向半徑距離的線速度的差異。
[0027]本說明書及實用新型保護范圍所記載的“徑向”及與此相似的術(shù)語被定義為，不僅表示從晶片的旋轉(zhuǎn)中心向外側(cè)遠離或接近的方向成分，而且表示與從晶片的旋轉(zhuǎn)中心向外側(cè)遠離或接近的方向成分一同包括具有圓周方向成分的方向成分。
[0028]根據(jù)本實用新型，可以獲得如下有利的效果:在將晶片固定于支架的狀態(tài)下進行高速旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)中，為了漂洗或清洗而將清洗液或漂洗液或干燥用氣體等流體進行高壓噴射的過程中，按晶片的不同的旋轉(zhuǎn)速度來調(diào)節(jié)流體噴射高度和噴射方向，從而可以在制定的時間內(nèi)在晶片的表面進行均勻且干凈的清洗。
[0029]S卩，本實用新型可以獲得如下效果:與半徑距離從上述拋光墊的中心更短的第一位置相比，在半徑距離從上述拋光墊的中心更長的第二位置上，噴嘴通過降低用于噴射流體的噴射角度或更高地維持噴射高度，