技術(shù)編號(hào)：9015730
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及晶片處理裝置，更詳細(xì)地，涉及使用于針對(duì)完成化學(xué)機(jī)械拋光工序的晶片的清洗漂洗工序的晶片處理裝置。背景技術(shù)通常，化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing ;CMP)工序被認(rèn)為是一種通過使具有拋光層的用于制作半導(dǎo)體的晶片等晶片與拋光板之間進(jìn)行相對(duì)旋轉(zhuǎn)，從而對(duì)晶片的表面進(jìn)行拋光的標(biāo)準(zhǔn)工序。由于化學(xué)機(jī)械拋光工序以將晶片W的拋光面緊貼于拋光墊的狀態(tài)，通過機(jī)械作用和化學(xué)作用進(jìn)行拋光，因此，晶片W的拋光面將成為附著有包括拋光粒...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。