膠印法。
[0048]本發(fā)明的實施方式中，作為上部像素電極材料使用的材料并無特別限定，通常使用的材料有金、鉑、鎳、銦錫氧化物等金屬或氧化物的薄膜、或者分散有聚(乙撐二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T/PSS)或聚苯胺等導電性高分子或者金、銀、鎳等金屬膠體粒子的溶液、或者使用銀等金屬粒子作為導電材料的厚膜糊劑等。另外，作為電極的形成方法并無特別限定，可以是蒸鍍或濺射等干式成膜法。但是，考慮到撓性化、低成本化等時，優(yōu)選利用絲網(wǎng)印刷、凹版膠印、反式膠版印刷、凸版印刷、噴墨法等濕式成膜法形成，考慮到填孔等時，優(yōu)選絲網(wǎng)印刷或凹版膠印。另外，上部像素電極優(yōu)選具有遮光性，通過將通道部覆蓋，可以防止因光導致的晶體管的誤操作。進而，上部像素電極優(yōu)選將源極配線的上部的一部分覆蓋，由此在例如驅(qū)動顯示器時可以緩和源極配線對顯示造成的影響。
[0049]另外，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列上還可根據(jù)需要形成密封層或阻氣層、平坦化膜等。特別是作為半導體層使用有機半導體材料時，根據(jù)層間絕緣膜材料不同，有時半導體層會因溶劑等而受到損傷，因而優(yōu)選設(shè)置密封層。
[0050]另外，薄膜晶體管陣列中，源極、漏極的稱呼是為了方便，也可反過來稱呼。本發(fā)明中將連接于源極配線的電極稱作源電極、將連接于像素電極的電極稱作漏電極。
[0051 ]以下根據(jù)實施例進行說明。
[0052]實施例1
[0053]對實施例1進行說明。本實施例中示出圖1(俯視圖)、圖2(1個像素份的放大俯視圖)和圖3(圖2的a-b間的截面圖)所示的底柵-底觸型薄膜晶體管陣列的制造方法。作為基板10使用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜。使用分散有銀納米粒子的油墨，利用噴墨法獲得柵電極21、柵極配線22、電容器電極23、電容器配線24。作為柵極絕緣膜，利用模涂法涂布聚酰亞胺，在180°C下使其干燥I小時，形成柵極絕緣膜11。接著，使用分散有銀納米粒子的油墨，利用噴墨法形成源電極27、漏電極26和源極配線28、像素電極25。作為半導體材料使用6，13-雙(三異丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS-并五苯)。使用在四氫化萘中溶解了2重量％者作為油墨。另外，作為凸版使用感光性樹脂凸版，使用150線的網(wǎng)紋輥利用凸版印刷來印刷條紋形狀的半導體，在100°C下干燥60分鐘，形成半導體層12。接著，作為密封材料使用氟系樹脂的Cytop(旭硝子制)，利用絲網(wǎng)印刷進行印刷，在100°C下干燥90分鐘，制成密封層13。接著，對層間絕緣膜的形成進行說明。層間絕緣膜利用凹版膠印形成。如圖4所示，凹版膠印用版30具有對應(yīng)于形成在像素電極上的孔部的凸部31、和與形成了在平行于源極配線的方向上伸長的條紋形狀的層間絕緣膜的凹部相對應(yīng)的凸部32。圖5是圖4的c-d間的截面示意圖。作為層間絕緣材料使用環(huán)氧樹脂，沿著條紋的伸長方向進行刮除，印刷層間絕緣膜，在90°C下干燥I小時，形成層間絕緣膜14。結(jié)果，層間絕緣膜形成時沒有刮除的彎曲、且觀察印刷后的版的結(jié)果是孔部的凸部31中未見缺失。另外，利用接觸式膜厚計測定層間絕緣膜14及其凹部15的膜厚的結(jié)果是，膜厚分別為ΙΟμπι和3μπι。接著，作為上部像素電極材料使用銀糊劑，利用絲網(wǎng)印刷進行印刷，在90°C下干燥I小時，形成上部像素電極29，完成薄膜晶體管。
[0054]實施例2
[0055]對實施例2進行說明。本實施例中示出圖6(俯視圖)、圖7(1個像素份的放大俯視圖)和圖8(圖7的e-f間的截面圖)所示的底柵-底觸型薄膜晶體管陣列的制造方法。其中，實施例I中層間絕緣膜的凹部為平行于源極配線的條紋形狀、且凹部不貫穿，而本實施例中層間絕緣膜的凹部為格子狀、且凹部貫穿至下層。制造方法與實施例1同樣。結(jié)果是，層間絕緣膜形成時沒有刮除的彎曲、且觀察印刷后的版的結(jié)果是孔部的凸部未見缺失。
[0056]實施例3
[0057]對實施例3進行說明。本實施例中在層間絕緣膜的形成時、在垂直于源極配線的方向上進行刮除，除此之外與實施例2相同。結(jié)果是，層間絕緣膜形成時沒有刮除的彎曲、且觀察印刷后的版的結(jié)果是孔部的凸部未見缺失。
[0058](比較例I)
[0059]對比較例I進行說明。本比較例中未設(shè)置層間絕緣膜的凹部，除此以外與實施例1相同。因此，凹版膠印用版僅具有與形成于像素電極上的孔部相對應(yīng)的凸部。使用該印刷用版形成層間絕緣膜的結(jié)果是，在刮除時刀片發(fā)生了彎曲，結(jié)果孔部周圍的膜厚為ΙΟμπι，而孔間的中央部的膜厚為7μπι。另外，觀察版的結(jié)果確認到凸部的一部分發(fā)生了缺失。
[0060]根據(jù)本發(fā)明，可獲得以下的至少I個效果。通過對層間絕緣膜的圖案形狀或凹版膠印中使用的版形狀進行最優(yōu)化，可以減少刀片的彎曲或版的缺失所導致的圖案形成不良。
[0061]另外，例如利用凹版膠印形成層間絕緣膜時，所使用的凹版除了孔部以外還可以設(shè)置凸部，進而可以減少刀片的彎曲或版的缺失。
[0062]另外，例如利用凹版膠印形成層間絕緣膜時，能夠設(shè)置與所使用的凹版的孔部相同高度的凸部，進而可以減少刀片的彎曲或版的缺失。
[0063]另外，例如利用凹版膠印形成層間絕緣膜時，由于對應(yīng)于凹部的凹版的凸部在刮除方向上是連續(xù)的，從而可以減少刀片的彎曲或版的缺失。
[0064]另外，通過凹部與源極配線平行，凹部與源極配線沒有交叉，因而源極配線全部被層間絕緣膜覆蓋，從而例如驅(qū)動顯示器時可以緩和源極配線對顯示所造成的影響。
[0065]另外，通過凹部為格子狀，對應(yīng)于凹部的凹版的凸部也變?yōu)楦褡訝?，不管印刷方向如何，凸部在刮除方向上都是連續(xù)的，可以減少刀片的彎曲或版的缺失。
[0066]另外，通過將上部像素電極形成在條紋狀凹部的內(nèi)側(cè)，可以防止源極配線與上部像素電極的短路。另外，當凹部平行于源極配線時，即便是在凹部上形成上部像素電極、也不會與源極配線發(fā)生短路，但考慮到特別利用印刷法形成上部像素電極的情況，在不同膜厚的表面上形成上部像素電極時認為會因糊劑的流動等而使圖案精度變差等，因此上部像素電極優(yōu)選與凹部不重疊。
[0067]另外，通過將上部像素電極形成在格子狀凹部的內(nèi)側(cè)，可以防止源極配線與上部像素電極的短路。另外，例如源極配線被密封層等覆蓋時，不會與源極配線發(fā)生短路，但考慮到特別利用印刷法形成上部像素電極的情況，在不同膜厚的表面上形成上部像素電極時認為會因糊劑的流動等而使圖案精度變差等，因此上部像素電極優(yōu)選與凹部不重疊。
[0068]另外，通過半導體層為平行于源極配線的條紋形狀，在特別利用印刷法形成半導體層時，能夠以高生產(chǎn)量、對準精度也高地制造薄膜晶體管，且能夠制造晶體管元件之間的不均小、開關(guān)比高的薄膜晶體管。另外，為垂直于源極配線的條紋形狀時，相鄰的源極配線通過半導體層而連接，因此例如驅(qū)動顯示器時，對相鄰的源極配線施加不同電位時會流過電流，因而不優(yōu)選。
[0069]另外，通過利用凹版膠印形成層間絕緣膜，能夠以高生產(chǎn)量、廉價地制造膜較厚且微細的孔部。
[0070]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0071]本發(fā)明能夠適用于以各種顯示器為代表的使用薄膜晶體管的電子設(shè)備等。
[0072]符號說明
[0073]10 基板
[0074]11柵極絕緣膜
[0075]12半導體層
[0076]13密封層
[0077]14層間絕緣膜
[0078]15 凹部
[0079]16 孔部
[0080]21柵電極
[0081]22柵極配線
[0082]23電容器電極
[0083]24電容器配線
[0084]25像素電極
[0085]26漏電極
[0086]27源電極
[0087]28源極配線
[0088]29上部像素電極
[0089]30凹版膠印用版
[0090]31對應(yīng)于孔部的凸部
[0091]32對應(yīng)于凹部的凸部
【主權(quán)項】
1.一種薄膜晶體管陣列，其是將下述薄膜晶體管配置為矩陣狀、并且使下述柵電極連接于柵極配線、使下述源電極連接于源極配線而成的薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管具有形成在基板上的柵電極、形成在所述柵電極上的柵極絕緣層、形成在所述柵極絕緣層上的源電極及像素電極及漏電極、形成在所述源電極及所述漏電極之間的半導體層、按照將源電極、漏電極、半導體層及像素電極的一部分覆蓋的方式形成的層間絕緣膜、以及形成在層間絕緣膜上并連接于像素電極的上部像素電極，所述漏電極連接于所述像素電極，其中，所述層間絕緣膜具有凹部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述凹部貫穿至下層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述凹部為條紋狀。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列，其中，條紋狀的所述凹部與源極配線平行。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述凹部為格子狀。6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述上部像素電極形成在所述層間絕緣膜的條紋狀的所述凹部的內(nèi)側(cè)。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述上部像素電極形成在所述層間絕緣膜的格子狀的所述凹部的內(nèi)側(cè)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述半導體層為平行于所述源極配線的條紋形狀。9.一種薄膜晶體管陣列的制造方法，其是權(quán)利要求1?8中任一項所述的薄膜晶體管陣列的制造方法，其中，所述層間絕緣膜利用凹版膠印法形成。
【專利摘要】本發(fā)明提供使用凹版膠印形成層間絕緣膜圖案等開孔圖案時、可以在不發(fā)生刀片的彎曲或版的缺失的情況下進行圖案形成的薄膜晶體管陣列。薄膜晶體管陣列是將下述薄膜晶體管配置為矩陣狀、并且使下述柵電極連接于柵極配線、使下述源電極連接于源極配線而成的薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管具有形成在基板上的柵電極、形成在柵電極上的柵極絕緣層、形成在柵極絕緣層上的源電極及像素電極及漏電極、形成在源電極及漏電極之間的半導體層、按照將源電極、漏電極、半導體層及像素電極的一部分覆蓋的方式形成的層間絕緣膜、以及形成在層間絕緣膜上并連接于像素電極的上部像素電極，所述漏電極連接于所述像素電極，其中，層間絕緣膜具有凹部。
【IPC分類】G09F9/30, G02F1/1368, H01L21/336, H01L29/786
【公開號】CN105580121
【申請?zhí)枴緾N201480053259
【發(fā)明人】松原亮平
【申請人】凸版印刷株式會社
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年9月4日
【公告號】US20160211474, WO2015045287A1