，經(jīng)過干刻，剝離光刻膠，在襯底基板上形成鈍化層45。
[0097]步驟703、在完成步驟702的襯底基板上形成源漏極金屬層。
[0098]其中，源漏極金屬層包括源極49、漏極50、柵極引入線5和觸控電極引入線6。源漏極金屬層的制作過程如下:
[0099]7031、在襯底基板上沉積源漏極金屬薄膜。
[0100]7032、在源漏極金屬薄膜上涂覆一層光刻膠。
[0101]7033、采用掩膜版對涂覆光刻膠的襯底基板表面進(jìn)行曝光處理。
[0102]7034、對曝光處理后襯底基板表面進(jìn)行顯影處理。
[0103]7035、對顯影處理后的襯底基板表面進(jìn)行刻蝕處理，得到源漏極金屬層，其中，漏極50通過第三過孔10與像素驅(qū)動層46相連接。
[0104]步驟704、在完成步驟703的襯底基板上形成有源層43。
[0105]采用sputter設(shè)備在步驟703得到的襯底基板40上沉積一層氧化物有源層，該有源層可以為1620、2]10、211(^、]^20等單元或多元氧化物半導(dǎo)體材料，該有源層的厚度為5111]1?250nm。通過光刻工藝在基板上定義出有源層的圖形，對襯底基板進(jìn)行濕刻，剝離光刻膠，在襯底基板40上形成有源層43。
[0106]步驟705、在完成步驟704的襯底基板上形成柵極絕緣層42。
[0107]采用PECVD設(shè)備在有源層43上方沉積一層?xùn)艠O絕緣材料薄膜，該薄膜可以為Si02、Si3N4、S1xNy等構(gòu)成的單層薄膜或多層薄膜，且該薄膜的厚度為5nm?300nm，通過構(gòu)圖工藝形成包括第一過孔7的柵極絕緣層42。
[0108]步驟706、在完成步驟705的襯底基板上形成柵極金屬層。
[0109]通過光刻工藝在襯底基板40上定義出柵極金屬層的圖形，對該襯底基板進(jìn)行濕刻，剝離光刻膠，在襯底基板40上形成柵極金屬層，該柵極金屬層包括柵極線1、柵極41。
[0110]步驟707、在完成步驟706的襯底基板上形成平坦層47。
[0111]采用PECVD設(shè)備在襯底基板上沉積無機(jī)材料鈍化層，光刻定義出包括第二過孔8的圖形，經(jīng)過干刻，剝離光刻膠，得到平坦層47，其中第二過孔8依次穿過平坦層47和柵極絕緣層42到達(dá)觸控電極引入線6。
[0112]步驟708、在完成步驟707的襯底基板上形成觸控電極層48。
[0113]在步驟707得到的襯底基板上形成一層IT0(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)薄膜，通過構(gòu)圖工藝得到觸控電極層48，觸控電極層48包括多個觸控子電極9，且觸控子電極9通過第二過孔8和觸控電極引入線6相連接。
[0114]經(jīng)過上述制備方法所制備的顯示基板中，柵極金屬層包括柵極線，源漏極金屬層包括源極、漏極、柵極引入線和觸控電極引入線，觸控電極層包括多個觸控子電極，柵極絕緣層具有第一過孔，柵極線與柵極引入線之間通過第一過孔連接，觸控電極引入線上方具有第二過孔，觸控子電極與觸控電極引入線一一對應(yīng)，且通過第二過孔連接。
[0115]本發(fā)明實施例提供的方法，通過設(shè)置不相交的柵極引入線和觸控電極引入線，避免了信號間干擾，提高了顯示和觸控效果，且所設(shè)置的柵極引入線和觸控電極引入線均未貫穿整個顯示基板，節(jié)省了空間，使得顯示裝置的邊框更窄。
[0116]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。
[0117]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括:柵極線、閘集成電路、數(shù)據(jù)集成電路及數(shù)據(jù)線； 所述顯示基板還包括柵極引入線和觸控電極引入線，每根所述觸控電極引入線對應(yīng)于一根所述柵極引入線，所述柵極引入線設(shè)置于靠近所述閘集成電路的一側(cè)，所述觸控電極引入線設(shè)置于靠近所述數(shù)據(jù)集成電路的一側(cè)； 所述柵極引入線連接所述柵極線和所述閘集成電路，所述柵極引入線從所述閘集成電路一側(cè)沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸至與所述柵極線相連接處； 所述觸控電極引入線與所述數(shù)據(jù)集成電路相連，所述觸控電極引入線從所述數(shù)據(jù)集成電路一側(cè)沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸至所述柵極引入線與所述柵極線相連接處下方。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括第一過孔； 所述柵極引入線與所述柵極線通過所述第一過孔相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括觸控電極，所述觸控電極被分割為多個觸控子電極。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括第二過孔； 所述觸控電極引入線通過所述第二過孔與所述觸控子電極相連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述柵極引入線設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線的一側(cè);或， 所述柵極引入線設(shè)置于相鄰兩條所述數(shù)據(jù)線之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述觸控電極引入線設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線一側(cè);或， 所述觸控電極引入線設(shè)置于相鄰兩條所述數(shù)據(jù)線之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述柵極引入線和所述觸控電極引入線均與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述閘集成電路與所述數(shù)據(jù)集成電路相對設(shè)置。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其特征在于，所述閘集成電路與所述數(shù)據(jù)集成電路分別設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線的兩端。10.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括上述權(quán)利要求1至9任一項權(quán)利要求所述的顯示基板。11.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，所述方法用于制備上述權(quán)利要求1至9中任一權(quán)利要求所述的顯示基板，所述方法包括: 在襯底基板上形成柵極金屬層圖形； 在所述襯底基板上形成源漏極金屬層圖形； 其中，所述柵極金屬層包括所述柵極線，所述源漏極金屬層包括所述數(shù)據(jù)線、所述柵極引入線和所述觸控電極引入線。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述顯示基板為底柵結(jié)構(gòu)，所述顯示基板包括: 依次形成于所述襯底基板上的柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源漏極金屬層、鈍化層、像素驅(qū)動層圖形、平坦層、觸控電極層； 其中，所述觸控電極層包括多個觸控子電極，所述柵極絕緣層具有第一過孔，所述柵極線與所述柵極引入線之間通過所述第一過孔連接，所述觸控電極引入線上方具有第二過孔，所述觸控子電極與所述觸控電極引入線一一對應(yīng)，且通過所述第二過孔連接。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述顯示基板為頂柵結(jié)構(gòu)，所述顯示基板包括: 依次形成于所述襯底基板上的像素驅(qū)動層、鈍化層、源漏極金屬層、有源層、柵極絕緣層、柵極金屬層、平坦層、觸控電極層； 其中，所述觸控電極層包括多個觸控子電極，所述柵極絕緣層具有第一過孔，所述柵極線與所述柵極引入線之間通過所述第一過孔連接，所述觸控電極引入線上方具有第二過孔，所述觸控子電極與所述觸控電極引入線一一對應(yīng)，且通過所述第二過孔連接。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成源漏極金屬層圖形，包括: 在所述襯底基板上沉積源漏極金屬薄膜； 在所述源漏極金屬薄膜上涂覆一層光刻膠； 采用掩膜版對涂覆光刻膠的襯底基板表面進(jìn)行曝光處理； 對曝光處理后襯底基板表面進(jìn)行顯影處理； 對顯影處理后的襯底基板表面進(jìn)行刻蝕處理，得到源漏極金屬層圖形。
【專利摘要】本發(fā)明是關(guān)于一種顯示基板、制備方法及顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。顯示基板包括：柵極線、閘集成電路、數(shù)據(jù)集成電路、數(shù)據(jù)線、柵極引入線和觸控電極引入線；柵極引入線連接?xùn)艠O線和閘集成電路，柵極引入線從閘集成電路一側(cè)沿數(shù)據(jù)線方向延伸至與柵極線相連接處；觸控電極引入線與數(shù)據(jù)集成電路相連，觸控電極引入線從數(shù)據(jù)集成電路一側(cè)沿數(shù)據(jù)線方向延伸至柵極引入線與柵極線相連接處下方。本發(fā)明通過設(shè)置不相交的柵極引入線和觸控電極引入線，避免了信號間干擾，提高了顯示和觸控效果，且所設(shè)置的柵極引入線和觸控電極引入線均未貫穿整個顯示基板，節(jié)省了空間，使得顯示裝置的邊框更窄。
【IPC分類】H01L27/12, H01L21/77
【公開號】CN105575977
【申請?zhí)枴緾N201610006872
【發(fā)明人】桑琦, 王寶強(qiáng), 樸相鎮(zhèn)
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2016年1月4日