薄膜晶體管陣列基板及其制造方法以及液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及液晶顯示技術(shù)，具體設(shè)及薄膜晶體管陣列基板及其制造方法W及液晶 顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，液晶顯示裝置化CD,Liquid Crystal Display)的顯示屏幕越來越大，在大 尺寸的顯示屏幕中，每英寸所擁有的像素?cái)?shù)目（PPI ,Pixels Per Inch)數(shù)值越高，即代表顯 示屏幕能夠W越高的密度顯示圖像，圖像的細(xì)節(jié)就會(huì)越豐富。然而，現(xiàn)有的高PPI的液晶顯 示裝置的穿透率和開口率依然較低。為了提高液晶顯示裝置的穿透率和開口率，一般的方 法是使用新材料或者使用新技術(shù)如低溫多晶娃技術(shù)化TPS ,Low Temperature PoIy-silicon)、有機(jī)發(fā)光二極管技術(shù)(0LED，0rganic Light血itting Diode)等，但新材料和新 技術(shù)的制程條件苛刻且良率較低。
[0003] 圖IA至圖IG是現(xiàn)有的一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的屯道光罩制程 的制作流程局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。首先，如圖IA所示，利用第一道光罩制程，在基板10形成 柵極11。其次，如圖IB所示，在基板10上形成柵極絕緣層12并覆蓋柵極11，利用第二道光罩 制程，在柵極絕緣層12上形成半導(dǎo)體層13,且半導(dǎo)體層13的位置位于柵極11的正上方。然 后，如圖IC所示，在半導(dǎo)體層13形成之后，利用第=道光罩制程，在柵極絕緣層12和半導(dǎo)體 層13上形成源極14a和漏極14b，源極14a和漏極14b彼此分隔并分別與半導(dǎo)體層13直接接觸 并覆蓋部分的半導(dǎo)體層13。之后，如圖ID所示，在源極14a和漏極14b之后，形成厚度為50A 的第一絕緣保護(hù)層15,并覆蓋源極14a、漏極14b和從源極14a和漏極14b之間暴露出來的半 導(dǎo)體層13,并利用第四道光罩制程，在第一絕緣保護(hù)層15形成第一通孔15aW露出部分的漏 極14b。接著，如圖化所示，利用第五道光罩制程，在第一絕緣保護(hù)層15上形成像素電極16， 像素電極16填入第一通孔15a中與漏極14b接觸。接下來，如圖IF所示，形成厚度為200Q某 的第二絕緣保護(hù)層17,并利用第六道光罩制程，在第二絕緣保護(hù)層17形成第二通孔（圖未繪 示），第二通孔形成在薄膜晶體管陣列基板的顯示區(qū)域外圍，用于制作周邊連線。再之后，如 圖IG所示，利用第屯道光罩制程，在第二絕緣保護(hù)層17上形成公共電極18。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法W及液晶顯 示裝置，W提高液晶顯示像素的穿透率和開口率。
[0005] 第一方面，提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括：
[0006] 基板；
[0007] 第一金屬層，形成在基板上；
[000引第一絕緣保護(hù)層，覆蓋所述第一金屬層；
[0009] 半導(dǎo)體層，形成在所述第一絕緣保護(hù)層上并位于所述第一金屬層上方；
[0010] 第一像素電極，形成在所述第一絕緣保護(hù)層上并位于陣列排布的各像素區(qū)域內(nèi)；
[0011] 第二金屬層，至少部分形成在所述半導(dǎo)體層上，并延伸到與所述第一像素電極連 接；
[0012] 第二絕緣保護(hù)層，覆蓋所述第二金屬層和第一絕緣保護(hù)層，并覆蓋所述第一像素 電極部分區(qū)域；
[0013] 第二像素電極，形成在所述第二絕緣保護(hù)層上并位于各像素區(qū)域內(nèi)，所述第二像 素電極與所述第一像素電極在未被所述第二絕緣保護(hù)層覆蓋的區(qū)域連接；
[0014] 第=絕緣保護(hù)層，覆蓋所述第二絕緣保護(hù)層W及各像素區(qū)域內(nèi)的所述第二像素電 極；
[0015] 公共電極，形成在所述第=絕緣保護(hù)層上。
[0016] 優(yōu)選地，所述第二金屬層覆蓋所述第一像素電極的部分區(qū)域。
[0017] 優(yōu)選地，所述第二金屬層包括相互不連接的源極圖案和漏極圖案，所述漏極圖案 被形成為彎折的條狀。
[0018] 優(yōu)選地，所述漏極圖案在滿足與第一像素電極電連接的前提下被設(shè)置為最小。
[0019] 優(yōu)選地，所述第二絕緣保護(hù)層的厚度大于所述第=絕緣保護(hù)層的厚度。
[0020] 第二方面，提供一種液晶顯示裝置，包括如上所述的薄膜晶體管陣列基板。
[0021] 第=方面，提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括：
[0022] 在基板上形成第一金屬層；
[0023] 形成第一絕緣保護(hù)層，所述絕緣保護(hù)層覆蓋所述第一金屬層；
[0024] 在第一絕緣保護(hù)層上形成半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層位于所述第一金屬層上方；
[0025] 在第一絕緣保護(hù)層上形成第一像素電極；
[0026] 在所述半導(dǎo)體層上形成第二金屬層，所述第二金屬層延伸到與所述第一像素電極 連接并覆蓋所述第一像素電極的部分區(qū)域；
[0027] 形成第二絕緣保護(hù)層，所述第二絕緣保護(hù)層覆蓋所述第二金屬層、第一絕緣保護(hù) 層，并覆蓋所述第一像素電極的部分區(qū)域；
[0028] 在所述第二絕緣保護(hù)層上形成第二像素電極，所述第二像素電極與所述第一像素 電極在未被所述第二絕緣保護(hù)層覆蓋的區(qū)域連接；
[0029] 形成第=絕緣保護(hù)層覆蓋所述第二絕緣保護(hù)層W及各像素區(qū)域內(nèi)的所述第二像 素電極；
[0030] 在所述第=絕緣保護(hù)層上形成公共電極。
[0031] 優(yōu)選地，所述第二金屬層被形成為包括相互不連接的源極圖案和漏極圖案，所述 漏極圖案被形成為彎折的條狀。
[0032] 優(yōu)選地，所述漏極圖案在滿足與第一像素電極電連接的前提下被設(shè)置為最小。
[0033] 優(yōu)選地，所述第二絕緣保護(hù)層的厚度大于所述第=絕緣保護(hù)層的厚度。
[0034] 通過將像素電極分由兩個(gè)不同的透明導(dǎo)電層形成，并將薄膜晶體管的漏極圖案形 成為與第一透明導(dǎo)電層連接，由此，漏極圖案不需要形成通孔來與像素電極連接，連接性能 更佳，從而可W縮小漏極圖案，增大透光面積，增加應(yīng)用該薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示 裝置的穿透率。同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例的工藝在增加穿透率的同時(shí)不會(huì)降低像素電極所在區(qū) 域的絕緣保護(hù)層厚度，使得整個(gè)薄膜晶體管陣列基板仍然具有較好的平坦性并且可W避免 出現(xiàn)干擾電場，由此，可W使得像素具有更好的顏色均勻度。
【附圖說明】
[0035] 通過W下參照附圖對本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述W及其它目的、特征和 優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中：
[0036] 圖IA-圖IG是現(xiàn)有的液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的屯道光罩制程的制造 流程中的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 圖2A是本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的局部平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038] 圖2B是本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板沿圖3中的A-A'線的剖面示意圖；
[0039] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法的流程圖；
[0040] 圖4A-4H是本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板在制作流程中各步驟沿圖2A中的 A-A'線的剖面示意圖；
[0041 ]圖5是現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的局部平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042] 圖6A是現(xiàn)有的液晶顯示裝置的穿透率仿真效果示意圖；
[0043] 圖6B是本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的穿透率仿真效果示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044] W下基于實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行描述，但是本發(fā)明并不僅僅限于運(yùn)些實(shí)施例。在下 文對本發(fā)明的細(xì)節(jié)描述中，詳盡描述了一些特定的細(xì)節(jié)部分。對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有 運(yùn)些細(xì)節(jié)部分的描述也可W完全理解本發(fā)明。為了避免混淆本發(fā)明的實(shí)質(zhì)，公知的方法、過 程、流程、元件和電路并沒有詳細(xì)敘述。
[0045] 此外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在此提供的附圖都是為了說明的目的，并且 附圖不一定是按比例繪制的。
[0046] 除非上下文明確要求，否則整個(gè)說明書和權(quán)利要求書中的"包括"、"包含"等類似 詞語應(yīng)當(dāng)解釋為包含的含義而不是排他或窮舉的含義;也就是說，是"包括但不限于"的含 義。
[0047] 在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語"第一"、"第二"等僅用于描述目的，