孔，同時(shí)在需沉積像素電極區(qū)域(即像素電極的區(qū)域)的平坦層上刻蝕出一個(gè)凹槽，接著直接沉積像素電極，然后通過(guò)光阻剝離將像素電極圖案化，形成嵌入平坦層的像素電極，由于此時(shí)像素電極相對(duì)平坦層表面沒(méi)有形成凸起，因此不會(huì)引起發(fā)光元件的短路問(wèn)題，從而可省去像素bank的制作。同時(shí)，由于平坦層采用疏水材料制作，在采用印刷工藝制備發(fā)光元件時(shí)，墨水沉積在像素電極上后，會(huì)形成較大的接觸角而不會(huì)鋪展到相連的像素電極，從而有效防止相鄰像素間的相互串色，提高印刷型顯示器的良品率以及顯示效果。
[0023]具體來(lái)說(shuō)，在所述步驟S1中，如圖2所示，在基板100上制作TFT陣列110得到TFT基板，該基板100可以是玻璃基板或柔性基板;TFT陣列110可以是非晶硅TFT、低溫多晶硅TFT、高溫多晶硅TFT或金屬氧化物TFT。然后在TFT陣列110上覆蓋一層鈍化層200，然后在鈍化層200上沉積一層平坦層300，再在平坦層300上沉積一層光阻層400，所述平坦層300采用疏水材料制成，其材質(zhì)為但不限于聚苯乙烯(PS)。
[0024]在所述步驟S2中，利用掩膜120對(duì)光阻層進(jìn)行曝光，其中TFT-S/D電極上端待挖孔區(qū)域進(jìn)行全曝光，需要制作像素電極的區(qū)域進(jìn)行半曝光，全曝光區(qū)域和半曝光區(qū)域構(gòu)成總的曝光區(qū)域410，如圖2所示。
[0025]在所述步驟S3中，對(duì)曝光區(qū)域410進(jìn)行顯影，其中全曝光區(qū)域(挖孔區(qū)域)的光阻層400完全去除，半曝光區(qū)域(像素電極區(qū)域)殘留一層較薄的光阻層400，未曝光區(qū)域的光阻層400的厚度無(wú)變化，如圖3所示。
[0026]在所述步驟S4中，采用干刻工藝進(jìn)行刻蝕挖孔，露出TFT的S/D電極，其中像素電極的區(qū)域較薄的光阻層400在刻蝕過(guò)程中被去除，此區(qū)域的平坦層300因失去光阻層400的保護(hù)被部分刻蝕，形成一個(gè)與像素電極相對(duì)應(yīng)的凹槽130，如圖4所示，其中凹槽130的深度優(yōu)選為 50-200nm。
[0027]在所述步驟S5中，在完成上述步驟的TFT基板上直接沉積像素電極500，如圖5所示，其中，像素電極500可以是透明導(dǎo)電金屬氧化物或?qū)щ娊饘?，其厚度?0-200nm，與上述凹槽130的深度一致或略小于凹槽130的深度。
[0028]在所述步驟S6中，接著剝離基板上殘留的光阻層400，光阻層400上的像素電極500同時(shí)被剝離，從而將像素電極圖案化，形成嵌入疏水性的平坦層300的像素電極，如圖6所不ο
[0029]在所述步驟S7中，在完成上述步驟的基板上制作發(fā)光元件，最后對(duì)器件進(jìn)行封裝。其中，發(fā)光元件可以是0LED或QLED，0LED或QLED包括以下功能層:空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和頂部電極，其中各功能層中至少有一層采用印刷工藝制備。
[0030]基于上述方法，本發(fā)明還提供一種印刷型發(fā)光顯示器，其采用如上所述的制作方法制成。
[0031]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，包括步驟: A、在TFT基板上覆蓋一層鈍化層，然后在鈍化層上沉積一層平坦層，再在平坦層上沉積一層光阻層，所述平坦層采用疏水材料制成； B、通過(guò)掩膜對(duì)光阻層進(jìn)行曝光，其中待制作像素電極的區(qū)域進(jìn)行半曝光，TFT-S/D電極上端待挖孔區(qū)域進(jìn)行全曝光； C、對(duì)曝光區(qū)域進(jìn)行顯影，其中全曝光區(qū)域的光阻層全部去除，半曝光區(qū)域殘留部分光阻層，未曝光區(qū)域光阻層厚度無(wú)變化； D、采用干刻工藝進(jìn)行刻蝕挖孔，露出TFT-S/D電極，其中半曝光區(qū)域殘留的部分光阻層被去除，并且該半曝光區(qū)域的平坦層被刻蝕掉，形成與像素電極對(duì)應(yīng)的凹槽； E、在所述TFT基板上沉積像素電極； F、剝離TFT基板上殘留的光阻層； G、在TFT基板上制作發(fā)光元件，然后進(jìn)行封裝。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，所述凹槽的深度為50?200nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，所述像素電極的厚度為50?200nmo4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光元件為OLED或QLED05.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，所述0LED或QLED包括以下功能層:空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和頂部電極。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，所述0LED或QLED中至少有一功能層采用印刷工藝制備。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，所述TFT基板為玻璃或柔性基板。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，所述TFT基板中的TFT陣列為非晶硅TFT、低溫多晶硅TFT、高溫多晶硅TFT或金屬氧化物TFT。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于，所述像素電極為透明導(dǎo)電金屬氧化物或透明導(dǎo)電金屬。10.—種印刷型發(fā)光顯示器，其特征在于，采用如權(quán)利要求1?9任一項(xiàng)所述的制作方法制成。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種印刷型發(fā)光顯示器及其制作方法。本發(fā)明通過(guò)使用疏水材料制作平坦層，同時(shí)將像素電極嵌入平坦層中，省去了像素bank的制作，簡(jiǎn)化發(fā)光顯示器的制作工藝，降低制作成本。此外采用印刷工藝制作發(fā)光元件時(shí)，疏水性的平坦層可以有效避免相鄰像素間的墨水污染問(wèn)題，從而有效提高印刷型顯示器的良品率和顯示效果。
【IPC分類(lèi)】H01L27/15, H01L27/32, H01L21/77, H01L27/12
【公開(kāi)號(hào)】CN105489611
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510838249
【發(fā)明人】陳亞文
【申請(qǐng)人】Tcl集團(tuán)股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月13日
【申請(qǐng)日】2015年11月26日