專利名稱：發(fā)光顯示器及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光顯示器及其驅(qū)動方法。尤其是，本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示器。
背景技術(shù)：
通常，有機電致發(fā)光(EL)顯示器電激發(fā)磷有機化合物發(fā)光，且用電壓或電流驅(qū)動NxM有機發(fā)射單元顯示圖象。如圖1所示，有機發(fā)射單元包括陽極(如銦錫氧化物(ITO))、有機薄膜和陰極層(金屬)。有機薄膜有多層結(jié)構(gòu)，包括發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、和空穴傳輸層(HTL)，用于維持電子和空穴之間的平衡，并提高發(fā)射效率。另外，有機發(fā)射單元包括電子注入層(EIL)和空穴注入層(HIL)。
驅(qū)動有機發(fā)射單元的方法包括無源矩陣方法和有源矩陣方法，有源矩陣方法使用薄膜晶體管(TFT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSEFT)。在無源矩陣方法中，陰極和陽極相互交叉(即，跨接或相交)排列，且有選擇性地驅(qū)動線路。在有源矩陣方法中，將TFT和電容器耦合到每個ITO像素電極，以根據(jù)電容器的電容量維持預(yù)先確定的電壓。根據(jù)對編程該電容器的電壓所提供的信號形式，將有源矩陣方法分為電壓編程方法或電流編程方法。
圖2示出了傳統(tǒng)的用于驅(qū)動有機EL單元(OLED)的電壓編程方法的像素電路，和圖3示出了用于驅(qū)動圖2所示的像素電路的驅(qū)動波形圖。
如圖2所示，遵循電壓編程方法的傳統(tǒng)像素電路包括晶體管M1、M2、M3、和M4，電容器C1和C2，以及OLED。
晶體管M1根據(jù)在柵極和源極之間施加的電壓，控制流入漏極的電流，且晶體管M2響應(yīng)來自掃描線Sn的選擇信號編程到電容器C1的數(shù)據(jù)電壓。晶體管M3響應(yīng)來自掃描線AZn的選擇信號使晶體管M1為二極管方式連接。晶體管M4響應(yīng)來自掃描線AZBn的選擇信號將晶體管M1的電流傳送到OLED。
電容器C1耦合在晶體管M1的柵極和晶體管M2的漏極之間，且將電容器C2耦合在晶體管M1的柵極和源極之間。
參照圖3描述傳統(tǒng)像素電路的工作過程。
當晶體管M3由來自掃描線AZn的選擇信號導(dǎo)通時，晶體管M1以二極管方式連接，且將晶體管M1的閾值電壓存儲在電容器C2中。
當晶體管M3截止并施加數(shù)據(jù)電壓時，由于電容器C1的提升操作，將對應(yīng)于施加到數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電壓的變化和驅(qū)動晶體管M1的閾值電壓之和的電壓存儲在電容器C2中。當晶體管M4導(dǎo)通時，對應(yīng)于數(shù)據(jù)電壓的電流流入OLED。
傳統(tǒng)的像素電路使用兩個電容器C1和C2以及晶體管M3和M4來補償晶體管M1的閾值電壓的偏差，但這使像素電路和驅(qū)動電路變得復(fù)雜化，且由于傳統(tǒng)像素電路需要3個不同的掃描線而使發(fā)光顯示器的孔徑比降低。同樣，由于在單個像素選擇時間期間補償了閾值電壓的偏差之后，才對數(shù)據(jù)進行編程，由于數(shù)據(jù)充電問題，難以將該像素電路應(yīng)用于高分辨率面板。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的示例性實施例中，使用較少的信號線驅(qū)動發(fā)光顯示器的像素電路。
在本發(fā)明的另一個示例性的實施例中，簡化了像素電路，因此提高了發(fā)光顯示器的孔徑比。
在本發(fā)明的另一個示例性實施例中，提供了一種可應(yīng)用于高分辨率面板的驅(qū)動發(fā)光顯示器的方法。
按照本發(fā)明的一個方面，提供了一種發(fā)光顯示器，包括多個數(shù)據(jù)線，以施加與視頻信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓；多個掃描線，以傳送選擇信號；以及多個像素電路，其與掃描線和數(shù)據(jù)線相耦合。每個所述像素電路包括發(fā)光單元，其發(fā)射與施加于其上的電流相對應(yīng)的光束；晶體管，其包括第一電極、與供電電壓源相耦合的第二電極以及與發(fā)光單元相耦合的第三電極，用于根據(jù)在第一電極和第二電極之間施加的電壓，控制輸出到第三電極的電流；每個所述像素電路還包括第一開關(guān)，其使晶體管以二極管方式連接，以響應(yīng)第一控制信號；電容器，其第一電極耦合到晶體管的第一電極；第二開關(guān)，其將相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)電壓施加于電容器的第二電極，以響應(yīng)來自相應(yīng)的所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號；以及第三開關(guān)，其耦合在電容器的第二電極和供電電壓源之間，基本上是將電容器的第二電極和供電電壓源二者電去耦合，以響應(yīng)第二控制信號。
第一和第二開關(guān)可包括相同溝道類型的晶體管，且第一控制信號可以是來自相應(yīng)所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號，或與相應(yīng)所述選擇信號大體相同的另一個信號。
第三開關(guān)可包括一個晶體管，其溝道類型與第一開關(guān)的不同，且第二控制信號可以是來自相應(yīng)所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號，或與相應(yīng)所述選擇信號大體相同的另一個信號。
發(fā)光顯示器還可包括第四開關(guān)，其基本上將晶體管的第三電極和發(fā)光顯示器二者電去耦合，以響應(yīng)第三控制信號。
第四開關(guān)可包括一個晶體管，其溝道類型與第一開關(guān)的不同，且第三控制信號可以是來自相應(yīng)所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號，或與相應(yīng)所述選擇信號大體相同的另一個信號。
第四開關(guān)可包括一個晶體管，其溝道類型與第三開關(guān)的相同，且第三控制信號可以是第二控制信號，或與第二控制信號大體相同的另一個信號。
當在大體上相同的時間導(dǎo)通第一和第二開關(guān)時，在大體上相同的時間導(dǎo)通第三和第四開關(guān)。
按照本發(fā)明的另一個方面，提供了一種發(fā)光顯示器的顯示面板，所述發(fā)光顯示器包括多個數(shù)據(jù)線，以施加與視頻信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓；多個掃描線，以傳送選擇信號；以及多個像素電路，其與掃描線和數(shù)據(jù)線相耦合，每個所述像素電路包括發(fā)光單元，其發(fā)射與施加于它的電流相對應(yīng)的光束；晶體管，其包括第一電極、與供電電壓源相耦合的第二電極以及與發(fā)光單元相耦合的第三電極，用于根據(jù)在第一電極和第二電極之間施加的電壓，控制輸出到第三電極的電流；電容器，其第一電極耦合到第一晶體管的第一電極；以及每個所述像素還包括一個開關(guān)，其將相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)電壓施加于電容器的第二電極，以響應(yīng)來自相應(yīng)的所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號。其中每個所述像素電路按下列時序工作在第一時段中，通過來自相應(yīng)所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號將相應(yīng)所述數(shù)據(jù)電壓施加于電容器的第二電極，且晶體管以二極管方式連接；以及在第二時段中，將電容器的第二電極電耦合到供電電壓源，且將晶體管輸出的電流提供給發(fā)光單元。
按照本發(fā)明的另一個方面，提供了一種驅(qū)動發(fā)光顯示器的方法，所述發(fā)光顯示器包括多個數(shù)據(jù)線；以施加與視頻信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓；多個掃描線，以傳送選擇信號；以及多個像素電路，其與掃描線和數(shù)據(jù)線相耦合，每個所述像素電路包括晶體管，其包括第一電極、與供電電壓源耦合的第二電極以及第三電極，以將與第一電極和第二電極間施加的電壓對應(yīng)的電流輸出到第三電極；電容器，其第一電極耦合到該晶體管的第一電極；以及發(fā)光單元，其耦合到晶體管的第三電極，該方法包括(a)將相應(yīng)所述數(shù)據(jù)電壓施加于電容器的第二電極，以響應(yīng)相應(yīng)所述選擇信號；(b)將該晶體管的閾值電壓施加于電容器的第一電極和晶體管的第二電極之間；以及(c)將電容器的第二電極電耦合到供電電壓源，以響應(yīng)第一控制信號。


附圖連同說明書詳述本發(fā)明的示例性的實施例，連同描述用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1示出了有機EL單元的概念圖；圖2示出了基于傳統(tǒng)電壓編程方法的像素電路；圖3示出了用于驅(qū)動圖2所示的像素電路的驅(qū)動波形圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有源矩陣顯示器的略圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的像素電路；圖6示出了圖5所示像素電路的詳細圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的驅(qū)動像素電路的驅(qū)動波形圖；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的像素電路；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的像素電路；和圖10示出了根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的像素電路。
具體實施例方式
在下面的詳細描述中，僅借助于描述來說明本發(fā)明的某些示例性實施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員會認識到，可以不同的方式對所描述的實施例加以修改，而不會偏離本發(fā)明的實質(zhì)和范圍。相應(yīng)地，附圖和描述本質(zhì)上應(yīng)作為示例性的，而不是限制性的來看待。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的有源矩陣顯示的略圖。
如上所示，有源矩陣顯示包括有機EL顯示面板100、掃描驅(qū)動器200以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器300。
有機EL顯示面板100包括在列方向排列的多條數(shù)據(jù)線D1至Dm、在行方向排列的多條掃描線S1至Sn，以及多個像素電路10。數(shù)據(jù)線D1至Dm將顯示視頻信號的數(shù)據(jù)信號傳送到像素電路10，且掃描線S1至Sn將選擇信號傳送到像素電路10。每個像素電路10在由兩條相鄰數(shù)據(jù)線D1至Dm和兩條相鄰掃描線S1至Sn定義的像素區(qū)域中形成。
掃描驅(qū)動器200按順序?qū)⑦x擇信號施加于掃描線S1至Sn，且數(shù)據(jù)驅(qū)動器300將與視頻信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓施加于數(shù)據(jù)線D1至Dm。
可將掃描驅(qū)動器200和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器300耦合到顯示面板100，或以芯片形式安裝在與顯示面板100耦合的編帶封裝(Tape Carrier Package TCP)中。另外，可將掃描驅(qū)動器200和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器300附加在顯示面板100上，或以芯片形式安裝在與顯示面板100耦合的柔性印刷電路(FPC)或薄膜上。另一種途徑是可將掃描驅(qū)動器200和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器300安裝在顯示面板的玻璃襯底上，而且掃描驅(qū)動器200和數(shù)據(jù)驅(qū)動器300可替換成驅(qū)動電路，驅(qū)動電路形成在玻璃襯底上處于與掃描線、數(shù)據(jù)線以及TFT相同層上、或直接安裝在玻璃襯底上。
參照圖5到圖7，詳細描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例中的有機EL發(fā)光顯示器中的其中一個像素電路10。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的像素電路的等效電路圖。圖6示出了圖5所示的像素電路的詳細圖，且圖7示出了驅(qū)動波形圖，其驅(qū)動圖6所示的像素電路。為描述簡便，圖5和圖6示出了與第m條數(shù)據(jù)線Dm和第n條掃描線Sn耦合的像素電路。然而，應(yīng)注意到圖4中的所有其他像素電路10大體上有相同的配置，且大體上以相同的方式工作。
如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的像素電路10包括晶體管M1、開關(guān)SW1，SW2，SW3和SW4、電容器Cst以及OLED。圖5中的晶體管M11是一個P型溝道的晶體管。在其他實施例中，可用N型溝道的晶體管取代晶體管M11，正如熟悉此技術(shù)的人員所認識的那樣。
晶體管M11耦合在供電電壓源VDD和OLED之間，且控制流入OLED的電流。具體而言，晶體管M11的源極耦合到供電電壓源VDD，且漏極通過開關(guān)SW4耦合到OLED的陽極?？蓪LED的陰極接地，且耦合到某個電壓源，該電壓源的電壓電平比供電電壓源VDD低。同樣，晶體管M11的柵極耦合到電容器Cst的第一電極A，且電容器Cst的第二電極B耦合到開關(guān)SW2。
開關(guān)SW2允許將數(shù)據(jù)線Dm的電壓施加于電容器Cst的第二電極B，以響應(yīng)來自掃描線Sn的選擇信號。開關(guān)SW1使晶體管M11以二極管方式連接，以響應(yīng)來自掃描線Sn的選擇信號。開關(guān)SW3耦合在供電電壓源VDD和電容器Cst的第二電極B之間，且基本上將電容器Cs的第二電極B與供電電壓源VDD二者電去耦合，以響應(yīng)來自掃描線Sn的選擇信號。開關(guān)SW4連接在晶體管M11和OLED之間，且基本上要將晶體管M11和OLED二者電去耦合，以響應(yīng)來自掃描線Sn的選擇信號。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，將各自的控制信號施加于開關(guān)SW1到SW4。另外，通過用不同溝道類型的晶體管實現(xiàn)開關(guān)SW1和SW2以及開關(guān)SW3和SW4，由單個選擇信號控制開關(guān)SW1到SW4。
詳細而言，當選擇信號是低電平情況下試圖編程數(shù)據(jù)電壓時，期望用P型溝道的晶體管M12和M13實現(xiàn)開關(guān)SW1和SW2，用N型溝道的晶體管M14和M15實現(xiàn)開關(guān)SW3和SW4，如圖6所示。
同樣，可用任何適當?shù)挠性磫卧獙崿F(xiàn)晶體管M11到M15，該有源單元具有第一電極、第二電極和第三電極，且他們根據(jù)施加在第一電極和第二電極之間的電壓，控制從第二電極流入第三電極的電流。
參照圖7，描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的像素電路的工作。
如上所示，在時段t1中，選擇信號變?yōu)榈碗娖揭詫?dǎo)通晶體管M12，且通過晶體管M12，晶體管M11以二極管方式連接。相應(yīng)地，將晶體管M11的閾值電壓施加于晶體管M11的柵極和源極之間。同樣，因為晶體管M11的源極耦合到供電電壓VDD，與供電電壓VDD和晶體管M11的閾值電壓之和對應(yīng)的電壓施加于該晶體管的柵極，即電容器Cst的第一電極A。另外，晶體管M13導(dǎo)通，且將來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電壓施加于電容器Cst的第二電極B。
在時段t2中，晶體管M12和M13由高電平選擇信號截止。晶體管M14導(dǎo)通以將供電電壓VDD施加于電容器Cst的第二電極B。在該例子中，因為電容器Cst的第二電極B上的電壓從數(shù)據(jù)電壓變?yōu)楣╇婋妷篤DD，且在像素電路中沒有形成電流回路，所以電容器Cst的第一電極A上的電壓由于第二電極B的電壓變化而增加。換言之，施加于電容器Cst的第一電極A上的電壓VA由等式1給出。
等式1VA＝VDD+VTH1+ΔVB其中，VTH1是晶體管M11的閾值電壓，且ΔVB是電容器Cst的第二電極B的電壓變化，并由等式2給出。
等式2ΔVB＝VDD-VDATA在時段t2中，晶體管M15導(dǎo)通，且將流入晶體管M11的電流施加于OLED以發(fā)射光束。在該例子中，施加于OLED的電流由等式3給出。
等式3IOLED=β2(VGS1-VTH1)2=β2((VDD+VTH1+ΔVB)-VDD-VTH1)2]]>=β2(ΔVB)2=β2(VDD-VDATA)2]]>其中，β是常量，且VGS1是晶體管M11的柵極和源極之間的電壓。
正如從等式3中可看出，因為流入OLED的電流不受閾值電壓VTH1的影響，像素電路間提供的驅(qū)動晶體管M11的閾值電壓的變化得以補償。
因此，孔徑比提高，且驅(qū)動電路的配置更簡單，因為驅(qū)動晶體管M11的閾值電壓VTH1的變化由單個掃描線Sn補償。
在第一示例性實施例中，開關(guān)晶體管M12、M13、M14和M15由單個選擇信號控制。如圖8所示，在第二示例性實施例中，將來自掃描線Sn的選擇信號施加于晶體管M12和M13，且將來自掃描線En的選擇信號施加于晶體管M14′和M15′。晶體管M12、M13、M14′和M15′、電容器Cst以及OLED的相互連接大體上與圖6中的對應(yīng)元件相同。在該情況下，用相同溝道類型(即P型)的晶體管實現(xiàn)晶體管M12、M13、M14′和M15′，且施加于晶體管M12和M13的選擇信號的極性與施加于晶體管M14′和M15′的選擇信號的極性不同。
如圖9所示，根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例，用N型溝道的晶體管實現(xiàn)驅(qū)動晶體管M11′。在該例子中，晶體管M11′的漏極通過晶體管M15耦合到OLED的陰極，且OLED的陽極耦合到供電電壓源VDD。同樣，晶體管M11′和M14的源極耦合到供電電壓源VSS。晶體管M12、M13、M15和電容器Cst的相互連接方式大體上與圖6中的對應(yīng)元件相同。
圖10示出了根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的像素電路。
因為按第四示例性實施例的像素電路中晶體管M14的漏極耦合到補償電壓VSUS，驅(qū)動晶體管的閾值電壓的變動以及像素電路間的供電電壓VDD的變動得以補償。
詳細而言，當來自掃描線Sn的選擇信號變?yōu)榈碗娖綍r，晶體管M12和M13導(dǎo)通，將數(shù)據(jù)電壓施加于電容器CSt的第二電極B，且將與供電電壓VDD和晶體管M11的閾值電壓之和對應(yīng)的電壓施加于它的第一電極A。
當來自掃描線Sn的選擇信號變?yōu)楦唠娖綍r，晶體管M14導(dǎo)通，且將補償電壓VSUS施加于電容器Cst的第二電極B。在該例子中，電容器Cst的第一電極A上的電壓增加量為第二電極B的電壓變化量，且電容器Cst的第二電極B的電壓變化ΔVB由等式4給出。
等式4ΔVB＝VSUS-VDATA同樣，晶體管M15導(dǎo)通，且將流入驅(qū)動晶體管M11的電流施加于OLED以便發(fā)光。施加于OLED的電流IOLED由等式5給出。
等式5IOLED=β2(VGS1-VTH1)2=β2((VDD+VTH1+ΔVB)-VDD-VTH1)2]]>=β2(ΔVB)2=β2(VSUS-VDATA)2]]>正如可從等式5看出，流入OLED的電流IOLED不受晶體管M11的閾值電壓VTH1和供電電壓VDD的影響。
在第四示例性實施例中，流入OLED的電流受補償電壓VSUS的影響，但由于在像素電路中沒有形成通過補償電壓VSUS的電流回路，基本上在提供補償電壓VSUS時不會產(chǎn)生電壓降。因此，基本上將相同的補償電壓Vsus施加于所有像素，且通過控制數(shù)據(jù)電壓使所期望的電流流入OLED。
圖10所示示例中，是將來自掃描線Sn的選擇信號施加于所有開關(guān)晶體管M12到M15的情況。可是，在其他示例性實施例中，可將不同的控制信號施加于各個晶體管。同樣，可將相同的第一控制信號施加于晶體管M12和M13，且可將相同的第二控制信號施加于晶體管M14和M15。在其他實施例中，可用N型溝道晶體管替代驅(qū)動晶體管M11。
在第一到第四示例性實施例中，用MOS晶體管實現(xiàn)開關(guān)晶體管M14和M15。另外，也可應(yīng)用其他開關(guān)，以響應(yīng)所施加的選擇信號而使兩個電極導(dǎo)通/截止，且可根據(jù)示例性的實施例改變開關(guān)晶體管M14和M15的溝道類型，這對熟悉此技術(shù)的人員也是顯而易見的。
有較少數(shù)量的信號線提供了具有驅(qū)動晶體管的閾值電壓的變動補償?shù)陌l(fā)光顯示器。
同樣，通過簡化驅(qū)動電路和像素電路提高了發(fā)光顯示器的孔徑比。
另外，提供了可應(yīng)用于高分辨率面板的驅(qū)動發(fā)光顯示器的方法。
盡管結(jié)合某些示例性實施例已經(jīng)描述了本發(fā)明，應(yīng)理解本發(fā)明不受限于公開的實施例，相反意欲囊括附加權(quán)利要求及其同等要求的實質(zhì)和范圍內(nèi)的不同修改和等價方案。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光顯示器，包括多個數(shù)據(jù)線，以施加與視頻信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓；多個掃描線，以傳送選擇信號；以及多個像素電路，其與掃描線和數(shù)據(jù)線相耦合，每個所述像素電路包括發(fā)光單元，其發(fā)射與施加于其上的電流相對應(yīng)的光束；晶體管，其包括第一電極、與供電電壓源相耦合的第二電極以及與發(fā)光單元相耦合的第三電極，用于根據(jù)在第一電極和第二電極之間施加的電壓，控制輸出到第三電極的電流；第一開關(guān)，其使晶體管以二極管方式連接，以響應(yīng)第一控制信號；電容器，其第一電極耦合到晶體管的第一電極；第二開關(guān)，其將相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)電壓施加于電容器的第二電極，以響應(yīng)來自相應(yīng)的所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號；以及第三開關(guān)，其耦合在電容器的第二電極和供電電壓源之間，基本上是將電容器的第二電極和供電電壓源二者電去耦合，以響應(yīng)第二控制信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光顯示器，其中第一和第二開關(guān)包括相同溝道類型的晶體管，且第一控制信號是來自相應(yīng)所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號，或與相應(yīng)所述選擇信號大體相同的另一個信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光顯示器，其中第三開關(guān)包括一個晶體管，其溝道類型與第一開關(guān)的不同，且第二控制信號是來自相應(yīng)所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號，或與相應(yīng)所述選擇信號大體相同的另一個信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光顯示器，還包括第四開關(guān)，其基本是將晶體管的第三電極和發(fā)光顯示元件二者電去耦合，以響應(yīng)第三控制信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中的發(fā)光顯示器，其中第四開關(guān)包括一個晶體管，其溝道類型與第一開關(guān)的不同，且第三控制信號是來自相應(yīng)所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號，或與相應(yīng)所述選擇信號大體相同的另一個信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求4中的發(fā)光顯示器，其中第四開關(guān)包括一個晶體管，其溝道類型與第三開關(guān)的相同，且第三控制信號是第二控制信號，或與第二控制信號大體相同的另一個信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光顯示器，其中當在大體上相同的時間導(dǎo)通第一和第二開關(guān)時，在大體上相同的時間導(dǎo)通第三和第四開關(guān)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光顯示器，其中晶體管是P型溝道，第一電極是柵極，第二電極是源極，且第三電極是漏極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光顯示器，其中晶體管是N型溝道，第一電極是柵極，第二電極是漏極，且第三電極是源極。
10.根據(jù)權(quán)利要求1中的發(fā)光顯示器，其中將發(fā)光單元的陽極耦合到晶體管的第三電極，且發(fā)光單元的陰極耦合到第二供電電壓源。
11.根據(jù)權(quán)利要求10中的發(fā)光顯示器，其中第二供電電壓源的電壓電平比數(shù)據(jù)電壓電平低。
12.一種發(fā)光顯示器的顯示面板，所述發(fā)光顯示器包括多個數(shù)據(jù)線，以施加與視頻信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓；多個掃描線，以傳送選擇信號；以及多個像素電路，其與掃描線和數(shù)據(jù)線相耦合，每個所述像素電路包括發(fā)光單元，其發(fā)射與施加于它的電流相對應(yīng)的光束；晶體管，其包括第一電極、與供電電壓源相耦合的第二電極以及與發(fā)光單元相耦合的第三電極，用于根據(jù)在第一電極和第二電極之間施加的電壓，控制輸出到第三電極的電流；電容器，其第一電極耦合到第一晶體管的第一電極；以及開關(guān)，其將相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)電壓施加于電容器的第二電極，以響應(yīng)來自相應(yīng)的所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號，其中每個所述像素電路按下列時序工作在第一時段中，通過來自相應(yīng)所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號將相應(yīng)所述數(shù)據(jù)電壓施加于電容器的第二電極，且晶體管以二極管方式連接；以及在第二時段中，將電容器的第二電極電耦合到供電電壓源，且將晶體管輸出的電流提供給發(fā)光單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求12中的顯示面板，其中在第一時段中，基本上將發(fā)光單元和晶體管的第三電極二者電去耦合。
14.根據(jù)權(quán)利要求12中的顯示面板，其中將發(fā)光單元的陽極耦合到晶體管的第三電極，且發(fā)光單元的陰極耦合到第二供電電壓源。
15.根據(jù)權(quán)利要求14中的顯示面板，其中第二供電電壓源的電壓電平比相應(yīng)所述數(shù)據(jù)電壓電平低。
16.一種驅(qū)動發(fā)光顯示器的方法，所述發(fā)光顯示器包括多個數(shù)據(jù)線；以施加與視頻信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓；多個掃描線，以傳送選擇信號；以及多個像素電路，其與掃描線和數(shù)據(jù)線相耦合，每個所述像素電路包括晶體管，其包括第一電極、與供電電壓源耦合的第二電極以及第三電極，以將與第一電極和第二電極間施加的電壓對應(yīng)的電流輸出到第三電極；電容器，其第一電極耦合到該晶體管的第一電極；以及發(fā)光單元，其耦合到晶體管的第三電極，該方法包括(a)將相應(yīng)所述數(shù)據(jù)電壓施加于電容器的第二電極，以響應(yīng)相應(yīng)所述選擇信號；(b)將該晶體管的閾值電壓施加于電容器的第一電極和晶體管的第二電極之間；以及(c)將電容器的第二電極電耦合到供電電壓源，以響應(yīng)第一控制信號。
17.根據(jù)權(quán)利要求16中的方法，其中當執(zhí)行步驟(a)時，基本上將發(fā)光單元和晶體管的第三電極二者電去耦合。
18.根據(jù)權(quán)利要求16中的方法，其中第一控制信號是來自相應(yīng)掃描線的相應(yīng)所述選擇信號，或與相應(yīng)所述選擇信號大體相同的一信號。
19.根據(jù)權(quán)利要求16中的方法，其中晶體管是P型溝道，第一電極是柵極，第二電極是源極，且第三電極是漏極。
20.根據(jù)權(quán)利要求16中的方法，其中晶體管是N型溝道，第一電極是柵極，第二電極是漏極，且第三電極是源極.
21.根據(jù)權(quán)利要求16中的方法，其中將發(fā)光單元的陽極耦合到晶體管的第三電極，且將發(fā)光單元的陰極耦合到第二供電電壓源。
22.根據(jù)權(quán)利要求21中的方法，其中第二供電電壓源的電壓電平比相應(yīng)所述數(shù)據(jù)電壓電平低。
全文摘要
一種發(fā)光顯示器，包括數(shù)據(jù)線，以施加與視頻信號對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓；掃描線，以傳送選擇信號；以及像素電路。每個像素電路包括發(fā)光單元，以發(fā)出光束、以及晶體管，其包括第一到第三個電極，用于根據(jù)第一和第二電極之間的電壓控制輸出到第三電極的電流。每個像素電路還包括第一開關(guān)，其使晶體管以二極管方式連接、電容器，其第一電極耦合到晶體管的第一電極；第二開關(guān)，其將相應(yīng)所述數(shù)據(jù)電壓施加于電容器的第二電極，以響應(yīng)來自相應(yīng)所述掃描線的相應(yīng)所述選擇信號；以及第三開關(guān)，其基本上將電容器的第二電極和供電電壓源二者電去耦合。
文檔編號H05B33/14GK1622167SQ20041008791
公開日2005年6月1日 申請日期2004年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月24日
發(fā)明者金陽完, 權(quán)五敬, 崔相武, 吳春烈, 金京道 申請人:三星Sdi株式會社